模拟电子电路基础 1~7章思考题 答案
(完整版)模拟电路第七章课后习题答案
第七章 习题与思考题◆◆ 习题 7-1 在图P7-1所示的放大电路中，已知R 1=R 2=R 5=R 7=R 8=10k Ω，R 6=R 9=R 10=20k Ω： ① 试问R 3和R 4分别应选用多大的电阻； ② 列出u o1、u o2和u o 的表达式；③ 设u I1=3V ，u I2=1V ，则输出电压u o ＝？解：① Ω=Ω==k k R R R 5)10//10(//213，Ω≈Ω==k k R R R 67.6)20//10(//654 ② 1111211010I I I o u u u R R u -=-=-=，2226525.1)20101()1(I I I o u u u R R u =+=+=， 2121217932)5.1(1020)(I I I I o o o u u u u u u R R u +=---=--= ③ V V u u u I I o 9)1332(3221=⨯+⨯=+=本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理，估算三种比例电路的输入输出关系。
◆◆ 习题 7-2 在图P7-2所示电路中，写出其输出电压u O 的表达式。
解：II I I o u R R u R Ru R R u R R u ])1[()()1(45124512++=--+=本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例电路的输入、输出关系。
◆◆ 习题 7-3 试证明图P7-3中，)(11221I I o u u R R u -=）＋（解：1121)1(I o u R R u +=))(1()1()1()1()1()1(122122112122111221221121I I I I I I I o o u u R Ru R R u R R u R R u R R R R u R R u R R u -+=+++-=+++-=++-=本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例电路的输入、输出关系。
（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案
（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。
A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
模拟电子技术基础-模电课后题答案
(d)
6
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及
uGS 值，建立 iD f (uGS ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图 Pl.14 (b)所示。
六、测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析 各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区） ，并填入表内。 表 T1.6 管号 T1 T2 T3 UGS(th)/V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区
I CS
VCC U CES 11.3mA ， 所以 T 处于饱和状态。 Rc
5
1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的 β=50 , U BE 0.2V ，饱和管压降 U CES 0.1V ；稳压管的稳定电 压 U Z 5V , 正向导通电压 U D 0.5V 。试问：当 uI 0V 时 uO ？；当 uI 5V 时 uO ？ 解：当 uI 0V 时，晶体管截止，稳压管击穿，
7
(a)
(b) 图 P1.16
(c)
(d)
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。 补充 1.电路如补图 P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压 U Z 3V , R 的取值合适， u I 的波形如图(c)所 示。试分别画出 uO1 和 uO 2 的波形。
《模拟电子技术基础》习题答案
( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中，热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
第 1 章习题及答案 1.1．在图题 1.1 所示的各电路图中 E＝5V，ui 10 sin t V，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电 压 u o 的波形。
+
R
+ D E + -
+
Байду номын сангаас
D
+ R E + -
ui
(a) + R
uo
-
ui
(b)
uo
-
+ D E + -
+
ui
(c)
uo
-
D
+ R E + -
I B IC /
U CB U CC I C RC U CC Rb 2 U CC ( Rb1 Rb 2 )
Rb 2 RC Rb 2 U CC U CC ( Rb1 Rb 2 ) Re ( Rb1 Rb 2 )
7
第 3 章习题及答案 3.1 电路如图题 3.1 所示。 T1 和 T2 参数一致且 足够大。 （1） T1 、 T2 和电阻 R1 组成什么电路，起什么作用？ （2） 写出 I c 2 的表达式。
Re
uo
-
(a)
(b)
图解 2.7 2. 8 如图题 2.8 所示 RS、Re、Rb1、Rb2、Rc、RL、UCC 均已知；求静态工作点 IC、IB、UCB。
模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)
题图 2.6
解： （1）Q1 点： β ≈ 50, Q2点：β ≈ 0。 （2） U ( BR )CEO ≈ 40V , PCM ≈ 330mW。
2.7 硅晶体管电路如题图 2.7 所示。设晶体管的 U BE ( on ) 作状态。 15V RB 470k Ω 1V D 0.3V （a） RC 2k Ω T RE 1k Ω RB 100k Ω RC 2k Ω T RE 1k Ω 15V
RB 500 C1 + ui RE 1k Ω kΩ
Q'
④ 4 6
Q
10 12
U CC − U BE ( on ) 12 = = 20 （ μ A ） ，直流负载线 RB + ( 1 + β )RE 500 + 100 U CE = U CC − I C ( RC + RE ) = 12 − 3 I C ，取两点 (U CE = 0 , IC = 4mA ; IC = 0 ,U CE = 12V ) ，可得直流负载线如图 2.18（b）中①线，工作 1 1 = − ，可得图 2.18（b）中 点 Q( U CEQ = 6 V， I CQ = 2 mA)，交流负载线的斜率为 − RC 2
= 0.7 V， β = 100 。判别电路的工
9V
（b） 题图 2.7
（c）
解： 在题图(a )中，由于 U BE < 0 ,因而管子处于截止状态 。U C = U CC = 12V。
题图（b） ：
2
I BQ =
15 − 0.7 = 25 μA RB + ( 1 + β )RE
I CQ = β I BQ = 2.5mA U CEQ = 15 − 2.5 × 3 = 7.5( V )
模拟电子技术基础答案(刘润华、李震梅)中国石油大学出版社
第一章习题解答1.1解：由公式：可求得电流外加电压为时1.2解：①当R=1时假设二极管导通②当R=4K时，也假设二极管导通同①1.3解：a：刚接通均正向偏置而可能导通但由于V导通后，A点电位下降为-6V迫使V反向截止b：反向截至，c.刚接通均正向偏置而可能导通但由于V导通后，将使A、O点电位差为零。
电位相等,U导通，截止。
d.均正向反偏，导通公共端电位为零，能保证导通，A点电位也为零，。
1.4解：1.5解：变化时，相当于给6V直流电源串接一个变化范围为的信号源，由二极管的动态电阻为：1.6解：a：b：1.7解：S闭合S断开1.8解：(1)A点时，二极管导通：(2)B点时，二极管反向偏压截止，=0V。
（3）C点时，为正，二极管导通，为负，二极管截止。
1.9解：a.由于V管阴极电位为2.3V.V管的阳极为-2.3V，当u〉3V时，V导通，截止，其支路开路，，当-3V<<3V时，均截止，当<-3V时截止，导通，故传输特性：输入输出波形：b.截止，时导通，（锗）传输特性：输入输出波形：1.10解：①R=2K时求得由图得：②R=500求得：由图得：1.11解：⑴静态分析：令或是c断开用估算法得2：⑵动态分析：⑶合成电压电流1.12解：1.13解：①②1.14解：安全稳压工作时：稳定电流的最小值来知，可取由可求：由可求减小量为：1.15解：⑴稳压管正常工作⑵能安全工作。
⑶假设能正常工作：能工作在稳定状态。
1.16解：导通，稳压，,中有一截至，稳压，导通，1.17解：2CW103:当为最大，为最小时，稳压管上的电流为最大。
R值应保证，,R最小值为：R=当为最小，为最大时，流过稳压管上的电流最小。
R取值应满足,R 最大值为：取或,取本题取2CW53，算得取第二章习题答案2.1解：a.放大b.截止.c.饱和.d.放大.e.倒置.2.2解：3.5V基极. 2.8V发射极.5V集电极.NPN型硅管2.3解：a.①集电极.②发射极③基极NPN型b.①基极②集电极③发射极PNP型2.4解a.放大b.故饱和。
(完整word版)电子技术基础 模拟部分 第五版 复习思考题答案
第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2。
1。
1答；通常由输入级,中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能.中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大,直线几乎成垂直直线.非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+Vom=V+，-Vom=V-。
2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2。
1答：将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。
2。
输出电阻很小，接近零.3.运放的开环电压增益很大。
2.2。
2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2。
3 基本线性运放电路2.3。
1答：1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2。
由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。
由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零.2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi—Vf=Vp—Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。
《电路与模拟电子技术基础》课后习题答案
习题 11－1在题图1－1 所示电路中，（1）选d 为参考点，求Va、V b和V c；（2）选c 为参考点，求Va、V b和V d。
题图1－1解（1）当选d 为参考点时，V a =u ad = 3VV b =ubd=ubc+ucd= 2 - 1 = 1V ；Vc=ucd=-1V（2）当选c 为参考点时，V a =u ad +u dc = 3 + 1 = 4VV b =ubc= 2V ；Vd=udc= 1V1－2 求题图1－2 中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
题图1－2解I = 2A ；U = 5I - 3 + 3I = 13V电流源功率电压源功率P1=-2 ⋅U =-26W （产生）P2=-3 ⋅I =-6W （产生）1－3 试求题图1－3 (a)（b）所示电路的电流I 及受控源功率。
(a)(b)题图1－3解（a）2I + 4I + 6 = 0 ；I =-1A受控电压源功率6P = 4I ⋅I =-4W （产生）（b）I = = 2A3受控电流源功率P = 2I ⋅ (-3 ⨯ 2I + 2) =-40W （产生）1－4 求题图1－4 中的I 、U S 。
题图1－4解I = 2 - 3 +2 ⨯(2 - 3) + 2 ⨯5= 7A1US= 2I + 2 ⨯(2 - 3) + 5⨯ 2 = 14 - 2 +10 = 22V 1－5 试求题图1－5 中的I 、I X 、U 及U X 。
题图1－5解I = 3 -1= 2A ；I X =-1 -I =-3AU = 5 ⋅IX=-15VUX = 5 ⋅IX- 2 ⨯ 3 - 4 =-25V1－6 电路如题图1－6 所示，求图(a)中的ab 端等效电阻及图（b）中电阻R 。
(a)(b)题图1－6⎛ 6 + 6 ⨯ 6 ⎫ ⨯ 18⎪ 解 (a) R =⎝ 6 + 6 ⎭+ 4 = 6 + 4 = 10Ω 6 + 6 ⨯ 6 + 186 + 6(b) R =38 - 3 - 3 = 12 Ω72 41－7 电路如题图 1－7 所示，求图（a ）中的电压U S 和U 及图（b ）中U = 2V 时电压U S 。
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• 二极管折线化等效电路和微变等效电路的应用条件有何区别？ 答：二极管折线化等效电路应用于输入信号为直流电源或低频 交流信号源；微变等效电路应用于输入信号为直流电源叠加中、 低频微小交流信号源。
• 如何区分NPN型晶体管的三个工作区？ 答：当已知三个极的电位时，可通过两个结的偏置来判断； 当已知电路结构及电路参数时，可通过判断发射结的是否反偏 来判断晶体管是否工作在截止区；若发射结正偏，则可通过临 界放大（或临界饱和）状态的条件（UCE=UBE）来判断晶体管是 工作在放大状态还是饱和状态，或者通过比较IB与IBS的大小来 判断晶体管是工作在放大状态还是饱和状态。
• 放大电路有何特点？其中的交流信号与直流信号有何关系？ 答：放大电路中直流信号和交流信号共存，其中交流信号驮载 在直流信号上，直流信号影响交流信号的失真。
• 什么是静态工作点？静态工作点如何影响放大电路？ 答：静态时晶体管各电极的直流电流和直流电压常称为静态工 作点，简称为Q点(Q-point) 。Q点包括IBQ、ICQ、 IEQ、 UBEQ、 UCEQ 。只有设置合适的Q点，使晶体管在信号整个周期内全部 处于放大状态，放大电路的输出波形才不会失真。
UGS<0时有： N沟道JFET、P沟道增强型MOS管、 N沟 道耗尽型MOS管、P沟道耗尽型MOS管；
UGS=0时有： N沟道JFET、 P沟道JFET 、 N沟道耗尽型 MOS管、P沟道耗尽型MOS管。
• 共射与共源放大电路比较各有何优缺点？ • 共集与共漏放大电路比较各有何优缺点？
答：共射与共源放大电路比较：共射放大电路电压放 大倍数一般比共源放大电路的大，并有电流放大作用， 但共源放大电路的输入电阻比共射放大电路的大。
利用直流通路可估算静态工作点。利用直流通路和交 流通路可理解放大电路能否正常放大（即理解放大电路的 组成原则）。另外还可利用直流通路和交流通路通过图解 法分析放大电路的静态和动态，利用交流通路和晶体管的 交流小信号模型分析放大电路的动态参数。
• 图解法有何优缺点？如何用图解法分析静态工作点、非 线性失真、最大不失真输出幅度？
答：图解法优点：能比较直观、全面地反映晶体管的工作 情况。
缺点：①不方便 晶体管特性曲线不易得到 ②当输入信号较小或者频率较高时不准确，只适用 于信号幅度比较大、变化比较慢的信号（低频大 幅值信 号）。 图解法分析静态工作点：画直流通路，列输入、输出 回路方程，在输入特性上作输入回路负载线确定IBQ、UBEQ， 在输出特性上作输出回路负载线确定IBQ、UBEQ。 图解法分析非线性失真、最大不失真输出幅度：在输 出特性上作直流负载线确定Q点，过Q点作交流负载线，画 uO波形，分析非线性失真和最大不失真输出幅度。
共集；共基；共基。
• 典型稳Q电路中为使基极电压基本恒定，要求
Rb1//Rb2<<(1+β)Re。试问Rb1//Rb2是否越小越好？ 答： Rb1//Rb2太小时，一方面会使稳Q电路的输入电阻 太小，另一方面会使Rb1和Rb2上的电流增大，使静态 功耗增大。
分析放大电路时需要考虑管子是否处于放大状态：
• N沟道JFET工作在放大状态的条件？
• N沟道增强型MOS管工作在放大状态的条件？
答： N沟道JFET工作在放大状态的条件： UGS(off)<UGS≤0, UDS> UGS- UGS(off)。 N沟道增强型MOS管工作在放大状态的条件： UGS>UGS(th) , UDS >UGS- UGS(th)。
• 为了使输入信号中没有共模成分，应采用何种输入方式？ 输入信号需有一端接地，应采用何种输入方式？
答：双端输入方式；单端输入方式。
• 为了使电路抑制共模能力更强，应采用何种输出方式？ 负载要求有一端接地，应采用何种输出方式？为了提高差 模放大倍数，应采用何种输出方式？ 答：双端输出方式；单端输出方式；双端输出方式。
• 放大电路的组成原则主要包括哪两个方面？ 静态时晶体管工作在放大区，有合适的Q点；动态保证交流信 号的有效传输，即 输入信号能作用到发射结以产生变化的∆iB和∆iC （ 或∆iE ） ， ∆iC（ 或∆iE ）能够产生输出信号作用到负载。
• 为何能将电子电路分解为直流通路和交流通路？如何画 直流通路和交流通路？直流通路和交流通路有何用途？
• 直接耦合、阻容耦合、变压器耦合多级放大
电路各有何优缺点？分别何时选用？
直接耦合：
• 低频特性好 • 便于集成 •Q点互相影响 • 零点漂移
阻容耦合：
• 低频特性差 • 不便于集成 • Q点互相独立
变压器耦合：
• 低频特性差 • 不便于集成 • Q点互相独立 • 实现阻抗匹配
• 求多级放大电路的三个动态参数时，是否要
频率响应的本质是什么？ 耦合、旁路电容: 低频导致放大倍数下降并且产生相移； 半导体极间电容: 高频导致放大倍数下降并且产生相移。
高通、低通电路波特图的要点是什么？
高通电路要点：
低通电路要点：
•幅频：fL，-3dB，+20dB/10倍频•幅频：fH，-3dB，-20dB/10倍频 •相频：fL，+45o ， 超前0～+90o •相频：fH，- 45o ， 滞后0～-90o
• 直接耦合多级放大电路第一级为何采用差分放大电路？中 间级一般采用何种放大电路？如何给各级提供静态电流？ 答：直接耦合多级放大电路第一级采用差分放大电路是为了 抑制温漂；中间级一般采用共射或共源放大电路；采用恒流 源给各级提供静态电流。
• 镜像电流源、微电流源、加射极输出器的电流源各有何优 缺点？
考虑前后级之间的相互影响？答：要考虑。
• 已知uI1、uI2，如何求uId、uIc？
uID uI1 uI2
uIC
uI1
2
uI2
• 差分放大电路的四种接法中，哪些电路的静态和动态分 析方法分别相同。
答：双端输入双端输出与单端输入双端输出静态和动态分 析方法分别相同，双端输入单端输出与单端输入单端输出 静态和动态分析方法分别相同。
答：放大电路中交流信号和直流信号共存，但直流信号和 交流信号作用时半导体器件的模型不同，且电路中的电容、 电感等元件的等效电路也不同，从而使得交流信号和直流 信号流过的通路不同，因此可将电子电路分解为直流通路 和交流通路。
画直流通路时信号源、电感短路，电容开路；画交流 通路时直流电压源、容量较大的电容短路。
设计放大电路时需要考虑在某种条件下管子能否工作在 放大状态：
• UGS>0时能工作在恒流区的场效应管有哪些？ • UGS<0时能工作在恒流区的场效应管有哪些？ • UGS=0时能工作在恒流区的场效应管有哪些？ 答： UGS>0时有： P沟道JFET、N沟道增强型MOS管、 N沟道耗尽型MOS管、P沟道耗尽型MOS管；
• 为什么要采用恒流源式差分放大电路？ 答：恒流源电路在不高的电源电压下既为差分放大电路设 置了合适的静态工作电流，又大大增强了抑制共模信号的 能力。
• 设计输出级电路主要需要考虑哪两个问题？ 答：一是考虑使得最大不失真输出幅度尽可能大且对称，二 是考虑静态功耗。
• 单幅度不对称；互补 输出级电路输出幅度大且对称，但存在较越失真。
• 温度为什么会影响半导体器件的性能？ 答：由于温度影响载流子的浓度，而载流子的浓度决定了半 导体的导电性能，因此温度会影响半导体器件的性能。
• 如何从PN结电流方程来理解其单向导电性及其伏安特性？ 答：当PN结正向偏置且U>>UT时，i ≈ ISeU/UT ，电流随电压 按指数快速变化，呈现出很小的电阻，说明PN结正向偏置时 相当于开关导通，同时与伏安特性正向特性电流随电压的变 化相同。 当PN反向偏置且U<<-UT时, i ≈ -IS，流过PN结的反向电流很 小，说明PN结反向偏置时相当于开关断开，同时与伏安特性 反向特性电流随电压的变化相同。
• 放大电路的fL和fH分别决定于什么参数？ 下限截止频率fL决定于耦合或旁路电容所在回路的时间常数 上限截止频率fH决定于C’π所在回路的时间常数
• 多级放大电路的fL、fH、fbw与组成它的各级放大电路的 fLk、fHk、fbwk有何关系？
fL fLk , fH fHk , fbw fbwk
直接耦合放大电路的直流负载线与交流负载线斜率相 同，因而重合；阻容耦合放大电路直流负载线斜率比交流 负载线斜率小，因而交流负载线比直流负载线陡。
• PNP型晶体管共射放大电路输出电压与输入电压反相吗？ 如何根据波形判断其截止失真和饱和失真？ 答： PNP型晶体管共射放大电路输出电压与输入电压反相， 其输出波形出现的底部失真为截止失真，而顶部失真为饱 和失真。
共集与共漏放大电路比较：共集放大电路的电压跟随 能力和带负载能力比共漏放大电路的更强（即Au更大， Ro更小） ，且具有电流放大作用，但共漏放大电路输 入电阻比共集放大电路的大。
• 组成复合管的原则是什么？
• 保证每个管子工作在放大状态时各极电流方向正确； • 保证每个管子工作在放大状态时各极电位关系正确。 • 要有目的
答：镜像电流源简单，但当β较小时精度不高，当需要微小 电流时需要采用大电阻，不利于集成；微电流源利用小电阻 可以获得小电流，但比镜像电流源多了一个电阻，不利于集 成；加射极输出器的电流源当β较小时精度比镜像电流源高， 但多用了一个晶体管。
• 放大电路采用有源负载的原因是什么？ 答：在电源电压不变的情况下，即可获得合适的静态电流， 对于交流信号，又可得到很大的等效电阻，以提高电压放大 倍数。
• 如何画晶体管h参数等效模型？其使用条件是什么？ 答：晶体管h参数等效模型包括两部分：b-e间为rbe，c-e间为 受控电流源βib 。 h参数等效模型的使用条件是：输入信号为 中低频交流微小信号。