TVS二极管和ESD二极管
静电保护二极管符号
静电保护二极管符号静电保护二极管（ESD protection diode）是一种专门用于保护电子设备或电路元件免受静电放电（ESD）损害的电子元件。
在现代电子技术中，静电放电是一个普遍存在的问题，它可能导致设备故障、数据丢失和设备寿命缩短。
因此，静电保护二极管的使用变得越来越重要。
静电保护二极管符号是用来表示这类二极管的一种标识。
它主要包括两个部分：符号本身和对应的型号。
符号本身通常为一个简化的小图形，表示二极管的类型和功能。
型号则包括制造商名称、器件类型和额定电压等参数。
例如，常见的静电保护二极管符号有TVS（Transient Voltage Suppressor，瞬态电压抑制器）和DIODE（二极管）等。
静电保护二极管符号主要分为以下几类：S二极管：TVS二极管是一种快速响应的瞬态电压抑制器，能有效地抑制电路中的瞬态电压。
它主要用于保护敏感器件，如集成电路、传感器和MOSFET等。
2.压敏电阻二极管：压敏电阻二极管是一种具有特殊电阻-电压曲线的二极管，能在一定电压范围内限制电流。
它主要用于低电压、高频率电路的保护。
3.双向二极管：双向二极管具有正反两个方向的导通特性，可用于防止静电放电引起的电流流动。
它主要用于双向保护的电路。
在选择和使用静电保护二极管符号时，应注意以下几点：1.根据被保护器件的电压、电流和频率特性选择合适的静电保护二极管。
2.确保静电保护二极管的额定电压大于被保护电路的最大工作电压。
3.考虑静电保护二极管的响应速度和钳位电压，以保证其在抑制瞬态电压时能迅速发挥作用。
4.注意静电保护二极管的封装和尺寸，确保其与电路板和被保护器件的兼容性。
总之，静电保护二极管符号是电子电路中不可或缺的一部分。
了解其定义、分类和应用，有助于我们更好地保护电子设备和电路元件，延长设备使用寿命，确保数据安全。
浅谈ESD与TVS的区别
浅谈ESD与TVS的区别如某知名电子论坛上抛出的问题：求问 TVS 管和 ESD 管的区别？就像是上图的输入二极管是用 TVS 管还是 ESD 管？从这个简单的例子我们聊一聊 TVS 与 ESD （内容比较基础，大神请略过）1.原理上TVS 管•保护靠击穿，击穿后相当于短路，一般能承受电流能力大；••主要是防雷击浪涌，特点是吸收能量大，反应速度较慢；•TVS 管的非线性特性和稳压管一样，击穿前漏电流很小，击穿后是标准的稳压特性，比起压敏电阻来，TVS 管最大钳位电压偏离击穿电压较小，优于压敏电阻，但通流能力比压敏电阻小；从反应速度来看，TVS 管的反应速度很快，为 ps 级，而压敏电阻反应速度较慢，为ns 级；TVS 管的可靠性高，不易劣化，使用寿命长，而压敏电阻采用物理吸收原理，每经过一次ESD 事件，材料就会受到一定的物理损伤，形成永久性的漏电通道，而TVS 采用的半导体钳位原理，在经历了ESD 事件时，瞬间将能量传递出去，对器件本身并无影响；ESD 管•电容放电加钳位，过流能力不强；•主要防静电，特点是吸收能量小，但反应速度快；2.封装大小•TVS 管一般体积比较大；•ESD 器件体积一般比较小；3.应用上•TVS 吸收能量大，适合在电源线输入端作浪涌防护。
比如直击雷、间接雷，大容量的负载投切等导致的浪涌，电压可达几十千伏甚至更高。
反映速度比 ESD 稍微慢一点，一般用于初级和次级保护；•ESD 吸收能力相对小，反应速度比TVS 要快一点，适合静电场合作信号线静电防护，主要用于板级保护；4.工艺不同•TVS 芯片采用的是玻璃钝化工艺，它的电压值最低只能做到5V，电容值会比较高；•ESD 电压可以做到1.8V，电容值最低可以做到0.2pF，而且可以看做是 TVS 的阵列组合；5.测试方法不同•普通 TVS 的测试波形是 10/1000us 的一个电流波；•ESD 的电流测试波形是 8/20us；。
TVS ESD 二极管介绍与应用说明
TVS ESD 二极管介绍与应用说明便携式设备的ESD保护十分重要，而TVS二极管是一种十分有效的保护器件，与其它器件相比有其独特的优势，但在应用时应当针对不同的保护对象来选用器件，因为不同的端口可能受到的静电冲击有所不同，不同器件要求的保护程度也有不同。
要注意相应的参数鉴别以及各个生产商的不同设计，同时还要进行合理的PCB布局。
本文介绍在便携式设备的ESD保护中如何应用TVS二极管器件。
便携式设备如笔记本电脑、手机、PDA、MP3播放器等，由于频繁与人体接触极易受到静电放电(ESD)的冲击，如果没有选择合适的保护器件，可能会造成机器性能不稳定，或者损坏。
更坏的情况是查不出确切的原因，使用户误认为是产品质量问题而损坏企业信誉。
一般情况下，对此类设备暴露在外面可能与人体接触的端口都要求进行防静电保护，如键盘、电源接口、数据口、I/O口等等。
现在比较通用的ESD标准是IEC61000-4-2，应用人体静电模式，测试电压的范围为2kV～15kV(空气放电)，峰值电流最高为20A/ns，整个脉冲持续时间不超过60ns。
在这样的脉冲下所产生的能量总共不超过几百个微焦尔，但却足以损坏敏感元器件。
便携式设备所采用的IC器件大多是高集成度、小体积产品，精密的加工工艺使硅晶氧化层非常薄，因而更易击穿，有的在20V左右就会受到损伤。
传统的保护方法已不再普遍适用，有的甚至还会造成对设备性能的干扰。
TVS二极管的特点可用于便携式设备的ESD保护器件有很多，例如设计人员可用分立器件搭建保护回路，但由于便携设备对于空间的限定以及避免回路自感，这种方法已逐渐被更加集成化的器件所替代。
多层金属氧化物器件、陶瓷电容还有二极管都可以有效地进行防护，它们的特性及表现各有不同，TVS二极管在此类应用中的独特表现为其赢得了越来越大的市场。
TVS二极管最显着的特点一是反应迅速，使瞬时脉冲在没有对线路或器件造成损伤之前就被有效地遏制，二是截止电压比较低，更适用于电池供电的低电压回路环境。
tvs二极管原理
tvs二极管原理Tvs二极管原理Tvs二极管，全称为Transient Voltage Suppression diode，是一种常见的电子元件，用于保护电路免受过电压的损害。
它的工作原理基于二极管的电导性和电阻性，能够在电路中迅速响应过电压，并将其导向地。
本文将介绍Tvs二极管的原理及其在电路保护中的应用。
Tvs二极管的原理是基于PN结的特性。
PN结是由P型半导体和N 型半导体组成的结构，其中P型半导体富含正电荷载体（空穴），而N型半导体富含负电荷载体（电子）。
当P型和N型半导体相接触时，形成了一个电势差，称为内建电势。
在正向偏置（P型半导体为正极，N型半导体为负极）时，电流可以流过PN结，而在反向偏置（P型半导体为负极，N型半导体为正极）时，电流无法通过。
Tvs二极管利用了反向偏置时PN结的特性。
当电路中出现过电压时，Tvs二极管会迅速响应并导通。
在导通状态下，它会将过电压导向地，从而保护电路中的其他元件免受损坏。
Tvs二极管的导通特性使其能够吸收电路中的过电压，并将其分散到地。
一旦过电压消失，Tvs二极管会恢复到正常的阻断状态。
Tvs二极管的导通特性与其结构有关。
在Tvs二极管的结构中，会添加一种特殊的材料，称为压敏材料。
这种材料具有非线性电阻特性，可以使Tvs二极管在电压超过某个阈值时快速导通。
压敏材料的特性使得Tvs二极管能够有效地吸收过电压，并将其分散到地。
Tvs二极管在电路保护中起着重要的作用。
它可以用于各种电子设备，如电源电路、通信设备和计算机等。
在这些设备中，电压波动或突发的过电压可能会对电路中的元件造成损坏。
通过将Tvs二极管连接在这些元件的输入端或输出端，可以在电路发生过电压时迅速保护其免受损坏。
除了保护电路免受过电压的损害外，Tvs二极管还具有其他一些特点。
首先，它具有响应速度快的优点，可以在纳秒级别内响应过电压。
其次，Tvs二极管具有较低的电阻值，可以快速将过电压导向地。
esd元件符号
ESD（Electrostatic Discharge）元件是一种用于保护电路免受静电放电影响的元件。
常见的ESD元件符号包括：
1. 双箭头符号：这个符号表示一个双向的二极管，用于保护电路免受正负电压的影响。
这个符号通常用于表示Zener二极管或TVS二极管。
2. 单箭头符号：这个符号表示一个单向的二极管，用于保护电路免受正电压或负电压的影响。
这个符号通常用于表示Schottky二极管或普通二极管。
3. 平行线符号：这个符号表示一个电容器，用于吸收电路中的静电放电。
这个符号通常用于表示ESD电容器或Tantalum 电容器。
4. 波浪线符号：这个符号表示一个电感器，用于吸收电路中的静电放电。
这个符号通常用于表示ESD电感器或磁珠电感器。
总的来说，ESD元件符号与普通二极管、电容器、电感器等元件符号有很多相似之处，但也有一些特殊的符号表示方法，需要根据具体的元件类型进行区分。
esd二极管的主要参数
ESD二极管的主要参数概述E S D（El ec tr os ta ti c Di sc ha rg e）二极管是一种能够保护电子器件免受静电放电（E SD）损害的重要组件。
它能够在静电放电事件时提供低阻抗的路径，将静电放电能量传递到地。
本文将介绍E SD二极管的主要参数，帮助读者更好地了解和选择合适的E SD二极管。
额定的最大静电放电电压（V r w m）和忍受的最大静电放电电压（Vb r）E S D二极管的额定的最大静电放电电压（V r wm）是指在正常操作条件下，二极管能够安全承受的最大静电放电电压。
超过这个电压，二极管可能会被损坏。
而忍受的最大静电放电电压（V br）是指在一次过载静电放电情况下，二极管能够安全承受的最大电压。
通常，V br要高于V rw m，以确保在过载情况下能够保护电子器件。
静电放电能量（E s d w）静电放电能量是在二极管接收到静电放电事件时，被吸收和转化的能量大小。
它能够衡量二极管抵抗静电放电的能力，通常以焦耳（J）为单位进行标示。
具有更高能量处理能力的二极管，能够更好地保护被保护器件免受静电放电损害。
最大峰值电流（I p p）最大峰值电流是指在静电放电事件期间，二极管所能承受的最大峰值电流。
这个参数和静态电流特性密切相关。
当静电放电事件发生时，二极管将尽快打开，提供低阻抗路径，以便保护被保护器件。
最大峰值电流的大小将决定二极管能够承受多大的电流冲击，从而保护被保护器件。
额定工作温度范围（T j）E S D二极管的额定工作温度范围（Tj）是指二极管可靠工作的温度范围。
在这个温度范围内，二极管应能够正常工作，并保持其特性。
超出额定工作温度范围，二极管可能会出现性能下降或失效。
额定功率（P d）额定功率是指二极管在正常操作条件下能够持续耗散的最大功率。
过高的功率可能导致二极管过热，从而功率失效。
因此，选择合适的ES D二极管时，我们需要确保其额定功率能够满足应用需求。
TVS管与ESD保护二极管的区别
TVS管与ESD保护二极管的区别TVS瞬态电压抑制这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高.ESD静电放电保护这里的ES主要是三种模型所表述.其中主要应用是HBM 和MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏. 典型的HBM CLASS 1C模型规定一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了.典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns典型的雷击浪涌(电力线入线处使用的TVS)峰值电流3000A,时间20us原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样.ESD和TVS比较的话,要看用在那些用途上,像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1--3.5PF之间为最好.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高.通过分别对其进行符合IEC61000-4-2标准的+/-8KV接触放电,分析捕获的IEC应波型可以得知,TVS保护性能强过贴片压敏很多倍.压敏电阻采用物理吸收原理,每经过一次ESD事件,材料就会受到一定物理损伤,形成永久性的漏电通道,而TVS是采用的半导体钳位原理,在经历ESD事件时,瞬间将能量传递出去,对器件本身并无影响.在结电容方面两者都可以做到1pF以下.0603-060E0R20P-LF 压敏电阻是0603封装工作电压5v,容值0.2pf是业界中目前最低的容值.主要用在HDMI和VGA端口,但是其它端口也可以使用.性能及特点:1.极低电容量(<0.2pF),提供理想的高速数据传输端口保护.2.频率响应范围:0-6GHZ3.接触放电: 8KV (IEC 61000-4-2)空气放电:15KV (IEC 61000-4-2)ESD静电放电保护快速反应时间<1ns,完全通过IEC 61000-4-2静电放电抗扰度国际试验标准.BS0060SS(SOD-123)超小结电容TSS管特点:满足IEC61000-4-5 浪涌承受能力:15A(10/1000μS)IEC 61000-4-2 (ESD) ± 15 kV (air), ± 8 kV (contact)无极性、双向浪涌保护、吸收特性良好他们应用的场合不同,TVS一般用于处级和次级保护,而ESD主要用于板级保护．TVS(transient voltage suppressor) ,而ESD( Electrolstatic discharge ).选择TVS 一般是看器件的功率和封装,ESD器件一般看中的是它的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL,高速的USB和I/O很重视它的C．当然他们的ppk.IPP.VC.Vbr.Vm 也都很重要．具体的内容大家可以参考MICROSEMI/ONSEMI/PROTECKDEVICES等公司的网站．一般都有比较专业的介绍．。
请问,TVS管,和PESD类的器件（如PESD5V0L1BA）有什么不一样？电磁兼容（E...
请问,TVS管,和PESD类的器件（如PESD5V0L1BA）有什么
不一样？电磁兼容（E...
TVS是瞬间电压抑制器件(Transient Voltage Suppressor)的总称和简称. TVS目前常用两大类: 二极管和压敏电阻(Varistor). 二极管类是利用反向PN节的雪崩效应实现电压嵌位。
没有正正意义上的防ESD的器件，因为上升沿实在是太陡了。
器件根本响应不了。
而我们的TVS管可以适当靠近这个值。
其实，现在市面上常用的静电防护器件除了TVS和Varistor外，还有一种叫做PESD。
但是NXP的这个型号并不是PESD器件。
所谓的PESD器件其电容值一般在0.05pf到0.3pf，主要是为了满足现在日趋增加的信号频率。
其静电防护原理主要是通过电极之间的高分子材料。
PESD是基于高分子材料的一种具有嵌位特点的过压保护器件，只能是双向保护，电容比较低，但是嵌位电压较高。
TVS管是基于硅材料齐纳或雪崩击穿实现的二极管，可以是双向也可以为单向，嵌位电压比较低
PESD的箝位电压比较高其实是以前的概念。
现在的PESD性能日趋成熟，其箝位电压可以做到20V或者十几V，在静电防护效果方面已经远远超过了Varistor。
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TVS管与ESD保护二极管的区别
TVS管与ESD保护二极管的区别
ESD 静电放电（Electro-Static discharge）
TVS 瞬变电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressors）
TVS瞬态电压抑制
这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高.
ESD静电放电保护
这里的ES主要是三种模型所表述.
其中主要应用是HBM 和MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏.
典型的HBM CLASS 1C模型规定一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.
MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了.
典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns
典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns
典型的雷击浪涌(电力线入线处使用的TVS)峰值电流3000A,时间20us
原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样.
ESD和TVS比较的话,要看用在那些用途上,像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1--3.5PF之间为最好.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高.
通过分别对其进行符合IEC61000-4-2标准的+/-8KV接触放电,分析捕获的IEC 应波型可以得知,TVS保护性能强过贴片压敏很多倍.
压敏电阻采用物理吸收原理,每经过一次ESD事件,材料就会受到一定物理损伤,形成永久性的漏电通道,而TVS是采用的半导体钳位原理,在经历ESD事件时,瞬间将能量传递出去,对器件本身并无影响.
他们应用的场合不同,TVS一般用于处级和次级保护,而ESD主要用于板级保护．
选择TVS一般是看器件的功率和封装,ESD器件一般看中的是它的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL,高速的USB和I/O很重视它的C
瞬态抑制二极管：
瞬态抑制二极管是一种限压型的过压保护器件，也叫TVS，以pS级的速度把过高的电压限制在一个安全范围之内，从而起到保护后面电路的作用。
TVS的响应时间可以达到ps级，是限压型浪涌保护器件中最快的。
用于电子电路的过电压保护时其响应速度都可满足要求。
TVS管的结电容根据制造工艺的不同，大体可分为两种类型，高结电容型TVS一般在几百～几千pF的数量级，低结电容型TVS的结电容一般在几pF～几十pF的数量级。
一般分立式TVS的结电容都较高，表贴式TVS管中两种类型都有。
在高频信号线路的保护中，应主要选用低结电容的TVS管。
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ESD静电管：
“ESD静电管”这种称呼不符合专业术语，只能简单理解为用于ESD静电保护的二极管称之为ESD静电管，业界也没有这种称呼。
高速输入/输出端口要求使用电容小的ESD保护器件，尽量保持信号质量不会下降。
选用的器件应当适合高速数据传输线路和无线电频率数据线路，能够经受无数次的ESD瞬变电压。
要符合RoHS 和IEC61000-4-2的要求，电容要小，触发电压要低，响应时间要短，这些也是ESD保护器件的重要特性。
TVS吸收能量大，反映慢，适合浪涌防护，ESD二极管吸收能力小，但反应速度快，适合静电场合。