ESD静电保护二极管阵列SRV05-4
SRV05-4
4-Lines, Uni-directional, Low CapacitanceTransient Voltage SuppressorsDescriptionsSRV05-4 is a low capacitance TVS (Transient Voltage Suppressor) array designed to protect high speed data interfaces. It has been specifically designed to protectsensitive electronic components which are connected to data and transmission lines from over-stress caused by ESD (Electrostatic Discharge).SRV05-4incorporates four pairs of low capacitance steering diodes plus a TVS diode.SRV05-4 may be used to provide ESD protection up to ±30kV (contact discharge) according to IEC61000-4-2, and withstand peak pulse current up to 6A (8/20μs) according to IEC61000-4-5.SRV05-4 is available in SOT23-6L package. Standard products are Pb-free and Halogen-free.Features●Reverse stand-off voltage: 5V max.●Transient protection for each line according toIEC61000-4-2 (ESD): ±30kV (contact discharge)IEC61000-4-5 (surge): 6A (8/20μs)●Low capacitance: C I/O - GND = 0.65pF typ. (Vcc = floated)C I/O - GND = 0.35pF typ. (Vcc = 5V)●Ultra-low leakage current: I R <1nA typ.●Low clamping voltage: V CL = 16.5V @ I PP = 16A (TLP)●Solid-state silicon technologyApplications●USB 2.0●HDMI 1.3●SATA and eSATA●DVI●IEEE 1394●PCI Express●Portable Electronics●NotebooksSOT23-6LCircuit diagramLC5= Device codeMarking & Pin configuration (Top View)Order information16645312I/O I/OVccI/O I/OGNDLC5Absolute maximum ratingsElectrical characteristics (T A = 25o C, unless otherwise noted)Definitions of electrical characteristicsElectrical characteristics (T A = 25o C, unless otherwise noted)Notes:1) TLP parameter: Z0 = 50Ω , t p = 100ns, t r = 2ns, averaging window from 60ns to 80ns. R DYN is calculated from 4A to16A.2) Non-repetitive current pulse, according to IEC61000-4-5.8/20μs waveform per IEC61000-4-5Clamping voltage vs. Peak pulse currentNon-repetitive peak pulse power vs. Pulse timeContact discharge current waveform per IEC61000-4-2Capacitance vs. Reverse voltagePower derating vs. Ambient temperatureJ u n c t i o n c a p a c i t a n c e (p F )V R - Reverse voltage (V)025507510012515020406080100% o f R a t e d p o w e rT A - Ambient temperature (o C)V C - C l a m p i n g v o l t a g e (V )I PP - Peak pulse current (A)C u r r e n t (%)11010010001101001000P e a k p u l s e p o w e r (W )Pulse time (µs)P e a k p u l s e c u r r e n t (%)ESD clamping(+8kV contact discharge per IEC61000-4-2)TLP MeasurementESD clamping(-8kV contact discharge per IEC61000-4-2)T L P c u r r e n t (A )TLP voltage (V)Package outline dimensionsSOT23-6LRecommended land pattern (Unit: mm)Notes:This recommended land pattern is for reference purposes only. Please consult your manufacturing group to ensure your PCB design guidelines are met.。
物联网互连接口的系统防静电方案集
图 3：浪涌 8/20μS 电流波形 ④最大箝位电压 VC：TVS/ESD 流过脉冲峰值电流 IPP 时两端所呈现的电压。 ⑤正向导通电压 VF：TVS/ESD 通过正向导通电流 IF 的压降。 了解了 TVS/ESD 的特性曲线，就清楚了 TVS/ESD 的任务就是发生 ESD 事件时，将输入电压维 持在安全过压范围之内，而在正常工作时不影响系统性能。TVS/ESD 被放置于邻近 ESD 事件可能 进入系统的位置，旨在限制敏感节点处的电压，并将电流引至不太敏感的节点，如地电平。为实现 这个功能，ESD 二极管必须在正常工作电压范围内拥有高阻抗，在正常工作电压范围之外拥有低阻 抗，这样才能将电流直接从敏感节点引开，并限制瞬态电压，所以保证了系统性防静电的可靠性。 4.防静电电路的设计
口
6 快充电源接
-
-
口
ULC1654N ESD1285P
7 100M 网络接 100 <5 口
3R090-5S HL60-025
SLVU2.8-4/SR V05-4
8 1000M 网 络 1000 <3 接口
3R090-5S HL60-025
LC3311CCW
9 10000M 网络 10000 <1 接口
选择 ESD 静电保护器件注意： 箝制电压不要超过受保护器件的最大承受电压，电路电压不超过保护器件工作电压，低电容值、 漏电流尽可能的减少干扰及损耗。
4.3 ESD 保护器件在电路中的位置及地线设置
（1）静电保护器件尽量安装在最接近静电输入的地方，远离被保护器件；
3
（2）静电保护器件一定接的大地线，不是数字地线； （3）回地的线路尽量的短，静电保护器件与被保护线路之间的距离尽量的短； （4）尽量避免被保护与未被保护线路并排走线。
培训资料-防雷及防浪涌简介
防雷/防浪涌简介防雷/防浪涌简介防雷/防浪涌基础知识 产品分类及典型产品介绍 各类防雷产品的对比 典型应用方案2雷电的产生3雷电的分级防护GDTSIDACTorTVSCLASS ICLASS IICLASS IIIsystem4国际标准IEC USA USA Europe/Asia Pacific ITU-T K.21 Europe/Asia Pacific ITU-T K.20 61000-4-5 FCC part 68 ( Subscriber ) Telcordia ( Central Office ) ( Subscriber ) ( Central Office)5IEC61000-4-5定义的10/700μS波形6防雷/防浪涌简介防雷/防浪涌基础知识 产品分类及典型产品介绍 各类防雷产品的对比 典型应用方案7GDTGDT是气体放电管（Gas Discharge Tube）的简称。
它的特点是： 相应速度较慢: >80ns 雷击承受能力强： 电压：75V~3500V 电流：200A （10/700us） 电容低：<1pF@0V，1MHz 每次冲击，性能降低8GDT Products(P2G3SS4.5*3.2*2.7mm)TypeVs (V) 100V/sVss (V) 1KV/μs＜600 ＜600IMDC (A) 8/20μs 10/1000μs 10Hits 300hits(1500hit)1K 1K 1K 1K 1K 1K 50(10) 50(10) 50(10) 50(10) 50(10) 50(10)C(pF) @ 1MHz≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0IR(Ω) @100V dc≥109 ≥109 ≥109 ≥109 ≥109 ≥109Arc (V) @1 A～15 ～15 ～15 ～15 ～15 ～15P2G3SS-750M-E01 P2G3SS-900M-E0160…90 72…108P2G3SS-151M-E01 120…180 ＜600 P2G3SS-231M-E01 184…276 ＜700 P2G3SS-351M-E01 280…420 ＜1000 P2G3SS-471M-E01 376…564 ＜10009GDT Products(P3G8S8*10mm)TypeVs (V) 100V/sVss (V) 1KV/μs ＜600 ＜600IMDC (A)C (pF)IR (Ω)Arc (V)8/20μs 10/1000μs @ 1MHz @100Vdc @1A 10Hits 300hits(1500hit) 5K 5K 5K 10K 10K 10K 10K 100(10) 100(10) 100(10) 100(10) 100(10) 100(10) 100(10) ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≥109 ≥109 ≥109 ≥109 ≥109 ≥109 ≥109 ～15 ～15 ～15 ～15 ～15 ～15 ～1510P3G8S_-750M-E05 P3G8S_-900M-E0560…90 72…108P3G8S_-151M-E05 120…180 ＜600 P3G8S_-231M-E10 184…276 ＜700 P3G8S_-351M-E10 280…420 ＜1000 P3G8S_-471M-E10 376…564 ＜1300 P3G8S_-601M-E10 480…720 ＜1400固体放电管--SIDACTor固体放电管的特点： 响应速度快:10-9 S 泄放电流能力强： >80A 雷击承受能力强： >3200V （10/700us） 电容低：20~100pF@2V，1MHz 无限冲击 （10/700us）11放电管的电学参数Symbol VDRM VS IDRM IS IH VTParameter Repetitive Peak Off-state voltageIPPSM IT IS IHBreakover VoltageIDRM V VT VDRM VSOff-state Current Breakover Current Holding Current On-state VoltageV-I Characteristics12POV 产品列表 (SMB 80A)Part NumberPOV0080SB POV0300SB POV0640SB POV0720SB POV0900SB POV1100SB POV1300SB POV1500SB POV1800SB POV2300SB POV2600SB POV3100SB POV3500SBVDRM (V)6 25 58 65 75 90 120 140 170 190 220 275 320VS (V)25 40 77 88 98 130 160 180 220 260 300 350 400VT (V)4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4IDRM (μA)5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5IS (mA)800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800IT (A)2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2IH (mA)80 80 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150CO (pF)80 80 80 70 70 70 70 65 65 60 60 55 55 13PPV61089BTarget Application Target ApplicationT-1/E-1, ISDN, and xDSL transmission equipment; T-1/E-1, ISDN, and xDSL transmission equipment; Telecommunications infrastructure; Telecommunications infrastructure; Set-top box ;; VOIP; Set-top box VOIP;Schematic and PIN Configuration Schematic and PIN ConfigurationK1 K1 K1 Vbat GND Vbat NC K2 K2 K2 K1 GND GND K2Parameter Overview Parameter OverviewParameter Condition Parameter Condition •• VDRM VGK=0 VDRM VGK=0 •• VGKRM VKA=0 VGKRM VKA=0 •• IID 5V, 25°C D 5V, 25°C •• VF 0V, 1MHz VF 0V, 1MHz •• IUT-T K.20/21/45 IUT-T K.20/21/45 Value Value -170V -170V -167V -167V <5uA typ <5uA typ 3V 3VApplication Example Application ExampleTIP SLIC Vbat PPV61089Product Status Product Status•• PPV61089B PPV61089B In mass production In mass productionICPGND RING14TVSTVS是瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor） 的简称。
SRV05-4在SIM卡的ESD防护方案
SRV05-4在SIM卡的ESD防護方案
优恩半导体（UN）
使用SRV05-4積成芯片,它由8支控向二極管構成兩個“橋式”電路，共用了一支“雪崩二極管”，此種“橋式”電路對“正”的ESD經過導向由雪崩二極管進行箝位，而對“負”的ESD由控向二極管直接箝位，是非常好的ESD防護方案。
保護電路方案如下圖：
SRV05-4的工作原理：
它可以保護四條數據線的安全，“橋式”電路的輸出端接雪崩二極管，用來進行箝位吸收侵擾的ESD。
當有ESD侵擾時，正的浪湧進入”橋式”電路後，經正向的控向二極管導向傳遞到雪崩二極管，ESD浪湧被雪崩管箝位吸收，ESD 浪湧從侵入到箝位吸收，經過了一只控向二極管和一個雪崩二極管串聯到“地浪湧從侵入到箝位吸收，經過了一只控向二極管和一個雪崩二極管串聯到“地”，控向二極管和雪崩二極管的串聯減少了極間電容，稱為“補償”;
負的浪湧進入”橋式”電路後，由負向的控向二極管直接箝位導向到地，不經過雪崩二極管，此積成芯片專門用於SIM/UIM卡的ESD 防護。
SRV05-4工作特性:
功率耐量Ppp:500W;最大耐流量Ipp:43A;關斷電壓Vwm:
5V;
起控電壓Vbr:6V;漏電流Id:小於5µA;極間電容C:小於3.5Pf。
ESD解析——精选推荐
ESD解析ESD半导体元件保护电路---专家解析ESD半导体元件，是半导体材料构成。
ESD产品根据电性分成各个档次和相应的作⽤。
当电路浪涌过⼤，最初烧坏的是ESD。
ESD烧坏后成两种状态：1.直接烧成短路，2.爆开，结果还是短路。
短路的ESD对电路仍然起到保护作⽤，因为信号会从短路ESD流⼊⼤地，⽽不是流如ic,这样雷电也不会损害的IC，只要换⼀颗新的ESD，电路正常⼯作。
ESD在电路中不起作⽤的可能性，是VB选择的不对，即压降选择的太⾼了。
⼤功率TVS和ESD的选型存在区别：1.选⼤功率TVS需要留余量10%左右，因为⼤功率TVS主要保护电源，电源本⾝电压有起伏，TVS的压降就必须选择的⽐电源额定电压要⾼。
2.选ESD，⼯作电压和IC⼯作电压⼀致就⾏，因为VB⾼于⼯作电压，电路浪涌由VB控制着。
如果选择的ESD⼯作电压⾼于IC ⼯作电压，将起不到保护作⽤，因为IC太脆弱，IC的电压很精确。
随着系统IC采⽤更先进的⼯艺技术进⾏制造，系统IC变得更轻易受到ESD的伤害；同时，随着数据传输速率继续攀⾼，对信号完整性的要求也越来越⾼。
尤其是对于每对差分数据传输速度已达到每秒⼏个Gb以上的HDMI和DisplayPort接⼝⽽⾔，提供信号完整性和ESD保护性能就显得尤为重要。
在使⽤HDMI与DisplayPort的信号源中，例如DVD播放器、机顶盒、计算机以及其他⾼清楚度信号源，规范要求发送器接⼝的电源电压必须有过电流保护，以防⽌短路或者不正常的⼤电流对这些产⽣信号的设备造成损坏。
为了达到IEC61000-4-2标准，即在空⽓进⾏静电放电测试时为±15kV，接触测试为±8Kv的要求，设计师往往需要使⽤额外的保护器件。
leiditech在便携电⼦和外设产品中上⾏和下⾏USB2.0(全速)以及USBon-the-go(OTG)端⼝的保护器件得以⼴泛应⽤，现在⼜推出专门针对⾼速数字接⼝HDMI和DisplayPort的ESD保护⽅案。
SRV05-4在USB2.0接口的静电防护方案
SRV05-4在USB2.0接口的静电防护方案
优恩半导体（UN）
B接口的应用前景
随着计算机等通讯技术的飞速发展，对计算机的外设种类要求增多及PCB上有限的空间之间的矛盾也变的日益突出。
由英特尔等公司联合推出的通用串行总线USB为解决这一问题提供了良好的方案。
同时现在新型的仪器仪表越来越向智能化、模块化等方向发展，而现在的智能化设备要求实现数据的高速传输，通常采用USB技术，同时
USB的即插即用和热插拔功能也为仪器仪表的模块化提供了可能。
2.方案应用背景
USB2.0支持即插即用和热插拔功能
USB2.0接口的数据传输速率高，不容许出现数据缺失
USB2.0接口的集成度较高，且脆弱，较易受到静电损坏
3.应用产品
计算机外设设备
机顶盒
游戏机
便携设备如移动终端手机、平板等
4.应用方案
USB2.0应用方案
产品型号及重要参数
USB2.0方案说明及注意事项
该ESD器件结电容小于1.2pF，可高效的实现USB接口高速的数据传输要求
该器件拥有极低的漏电流，可减少正常工作下的功率损耗
响应速率快，可以在ESD脉冲上升时间内保护USB元件
同时该产品封装为SOT-26，封装体积小，可节约PCB的空间。
Semtech 主要保护类芯片
Semtech 主要保护类芯片今天的移动通信集成电路（IC）更高速，更有效率，消耗更少的功率，并且体积比以往更小。
然而，在提高集成电路工艺和芯片的性能存在一个值得注意的问题：增加了静电放电，电缆放电和雷电的危害性。
不仅是晶体管的几何尺寸缩小以惊人的速度发展，导致更敏感的芯片出现，而且更大推广芯片的性需要提高芯片的保护功能。
随着这种趋势的发展，高性能的系统瞬态电压保护将比以往任何时候更加需要。
Semtech 瞬态电压保护芯片，满足了业界最苛刻的要求，该厂家产品是行业中领先的最先进的设备之一，保护电路免受静电放电，电快速瞬变脉冲群，雷电，电缆放电和其他电气过应力等的影响, 能满足行业的最严格的保护标准，包括•IEC 61000-4-2 (ESD)•IEC 61000-4-4 (EFT)•IEC 61000-4-5 (lightning)•Telcordia GR-1089•ITU K.20, K.21主要电气特性：•5V,2.5V,3.3V 等解决方案•超低电容装置;•极低钳位电压•静电放电保护+电磁/射频干扰滤波•单线和多线保护•小封装解决方案，包括Semtech 特有的无引线封装•批量制造•应用固态硅雪崩技术•即指令兼容典型应用：•笔记本•以太网•机顶盒•高清电视/显示器接口：高清晰度多媒体接口/数字化视像接口/显示接口•电信/数据通信接口•服务器/台式电脑常用的元器件如下：主要元件介绍及其应用如下：意法半导体(STM)USB 保护芯片USBLC6意法半导体STM 生产的USBLC6-2SC6,USBLC6-2P6,USBLC6-4SC6 是一个低电容的ESD 保护IC，该产品使用SOT-23/SOT-666 的微型封装，用于保护USB2.0 高速接口的两条数据线路和电源轨。
USBLC6 的典型电容2.5pF，能够确保480-Mbit/s 数据传输速率的USB2.0 信号没有任何失真，这款产品的防静电放电防护电压达到IEC61000-4-2 第4 级15kV 标准。
SRV05-4中文资料
2
1.90
0.074
3
0.95
0.037
4
2.40
0.094
5
1.00
0.039
K L
G C
MOUNTING PAD
0° - 8°
J
B
M
4
3 2
1 5
PACKAGE DIMENSIONS
DIM
A B C D E F G J K L M
MILLIMETERS
MIN
MAX
2.80 1.50 0.90 0.35 0.85 1.70 0.90 0.09 2.60 0.20 TYP 0.35
PIN CONFIGURATION
I/O 1 1 GND 2 I/O 2 3
6 I/O 4 5 REF 4 I/O 3
05150.R8 5/07
1
SRV05-4
DEVICE CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS @ 25°C Unless Otherwise Specified
VF
0.5 Min. to 1.2 Max.
IPP
43
UNITS Watts
°C °C Volts Amps
PART NUMBER
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER LINE @ 25°C Unless Otherwise Specified
DEVICE MARKING
RATED STAND-OFF VOLTAGE (See Note 1)
3.05 1.75 1.30 0.50 1.05 2.10 1.45 0.20 3.00 0.20 TYP 0.55