flash存储原理.
Flash存储芯片工作原理
Flash存储芯片工作原理Flash存储芯片是一种非易失性存储器，广泛应用于各种电子设备中，如手机、相机、固态硬盘等。
它的工作原理是通过电子擦除和写入的方式来存储和读取数据。
Flash存储芯片由一系列的存储单元组成，每一个存储单元可以存储一个或者多个二进制位。
常见的Flash存储芯片有NAND Flash和NOR Flash两种类型。
NAND Flash的工作原理是基于电荷积累效应。
每一个存储单元由一个浮栅和控制门组成。
当存储单元中没有电荷时，表示存储的是0；当存储单元中有电荷时，表示存储的是1。
通过在控制门施加不同的电压，可以控制电荷的积累和释放。
擦除操作是将存储单元中的电荷全部释放，写入操作是将存储单元中积累一定数量的电荷。
读取操作是通过检测存储单元中的电荷来确定存储的数据。
NOR Flash的工作原理与NAND Flash有所不同。
NOR Flash的存储单元由一个浮栅、控制门和源/漏极组成。
它的读取操作是直接从存储单元的源/漏极读取电流来判断存储的数据。
擦除和写入操作是通过在控制门施加不同的电压来实现。
Flash存储芯片的工作原理还涉及到一些额外的技术，如块擦除、写入放大、错误校验码等。
块擦除是指擦除操作是以块为单位进行的，普通是以64KB或者128KB为一个块。
这是因为擦除操作比写入操作耗时更长，所以以块为单位可以提高擦除操作的效率。
写入放大是指写入操作会导致存储单元中的电荷积累不均匀，从而降低存储单元的寿命。
为了解决这个问题，Flash存储芯片会在写入操作时进行一定的处理，如在写入数据之前先将存储单元中的电荷释放。
错误校验码用于检测和纠正存储单元中的错误。
由于Flash存储芯片在使用过程中可能会浮现位翻转或者电荷漂移等问题，所以需要使用错误校验码来保证数据的可靠性。
总结起来，Flash存储芯片的工作原理是通过电子擦除和写入的方式来存储和读取数据。
它具有非易失性、高速读写、低功耗等特点，广泛应用于各种电子设备中。
Flash存储芯片工作原理
Flash存储芯片工作原理Flash存储芯片是一种非易失性存储器，广泛应用于各种电子设备中，如个人电脑、手机、相机等。
它的工作原理是基于电荷积累和擦除的原理，具有高速、低功耗和可擦写的特点。
Flash存储芯片由一系列的存储单元组成，每一个存储单元可以存储一个或者多个位的数据。
每一个存储单元由一个浮动栅和控制栅组成，它们之间通过绝缘层隔开。
根据电荷积累与否来表示存储的数据。
Flash存储芯片的工作过程可以分为写入、读取和擦除三个主要步骤。
1. 写入：写入操作是将数据存储到Flash存储芯片中的过程。
首先，将待写入的数据通过控制电路传输到Flash存储芯片中的写入缓冲区。
然后，控制电路根据写入地址将数据传输到相应的存储单元中。
在写入过程中，控制电路会在浮动栅上施加一定的电压，使得电荷能够积累在浮动栅上，从而改变存储单元的电荷状态，表示存储的数据。
2. 读取：读取操作是从Flash存储芯片中获取存储的数据的过程。
当读取请求到达时，控制电路会根据读取地址找到相应的存储单元，并将存储单元中的电荷状态转换为电压信号。
这些电压信号经过放大和解码处理后，最终被传输到输出缓冲区，供外部设备读取。
3. 擦除：擦除操作是将存储单元中的数据清除的过程。
由于Flash存储芯片的存储单元只能进行整体擦除，所以在擦除操作中，需要将整个块或者扇区的数据都清除。
擦除操作需要施加较高的电压，以清除存储单元中的电荷，使其恢复到初始状态。
Flash存储芯片的特点和优势：1. 高速：Flash存储芯片的读取速度较快，可以满足多种应用的要求。
2. 低功耗：Flash存储芯片在读取和写入操作时的功耗较低，有助于延长电池寿命。
3. 高可靠性：Flash存储芯片不受电源中断的影响，存储的数据不会因为断电而丢失。
4. 高密度：Flash存储芯片可以实现较高的存储密度，满足不同应用的存储需求。
5. 可擦写：Flash存储芯片可以多次擦写，具有较长的使用寿命。
Flash存储芯片工作原理
Flash存储芯片工作原理Flash存储芯片是一种非易失性存储器，被广泛用于各种电子设备中，如计算机、手机、相机等。
它具有高速读写、低功耗、体积小等优点，成为现代电子产品中不可或缺的重要组成部分。
本文将详细介绍Flash存储芯片的工作原理。
Flash存储芯片采用了一种称为浮栅电容的结构来存储数据。
每个存储单元都由一个浮栅电容和一个控制晶体管组成。
晶体管用于控制电流的流动，而浮栅电容则用于存储电荷，以表示数据的状态。
在Flash存储芯片中，数据的存储是通过改变浮栅电容中的电荷量来实现的。
每个存储单元的浮栅电容中的电荷量决定了该单元的状态，通常分为两种状态：擦除状态和编程状态。
擦除状态表示该单元的电荷量较低，编程状态表示该单元的电荷量较高。
当需要写入数据时，首先需要将存储单元擦除为擦除状态。
擦除操作会将浮栅电容中的电荷量清零，使得该单元可以接收新的数据。
擦除操作通常是以块为单位进行的，即一次擦除会影响到多个存储单元。
接下来，需要将要写入的数据编程到指定的存储单元中。
编程操作会通过施加高电压将电荷注入到浮栅电容中，改变其电荷量。
编程操作通常是以页为单位进行的，一页包含多个存储单元。
在读取数据时，Flash存储芯片通过测量存储单元中的电荷量来判断其状态。
如果电荷量较高，则表示该单元处于编程状态，反之则表示处于擦除状态。
读取操作是非破坏性的，即不会改变存储单元中的电荷量。
需要注意的是，Flash存储芯片的存储单元具有有限的擦除次数。
每次擦除操作都会使得存储单元的寿命减少，当达到一定擦除次数后，存储单元将不再可靠。
因此，Flash存储芯片通常会采用一种称为wear leveling的技术来平均分布擦除操作，以延长整个芯片的寿命。
此外，Flash存储芯片还采用了一种称为错误校验码（ECC）的技术来提高数据的可靠性。
ECC可以检测和纠正存储单元中可能出现的错误，确保数据的正确性。
总结起来，Flash存储芯片通过改变浮栅电容中的电荷量来存储数据。
flash存储原理
flash存储原理
Flash存储是一种基于电子存储技术的非易失性存储器，具有
快速读写、低功耗、高可靠性和较长寿命等优点。
其原理主要是利用电荷积累和释放来实现信息的存储和读取。
Flash存储器由若干个存储单元组成，每个存储单元称为一个
存储位。
每个存储位内部有一个浮动栅极和一个控制栅极，它们之间被一层绝缘物隔开。
存储位的状态通过栅极中的电子的分布来表示，而电子的分布状态决定了存储位的读写操作。
Flash存储器的读取过程是非破坏性的。
在读取数据时，电压
被施加在控制栅极上，而浮动栅极上的电荷透过绝缘物被传递到控制栅极上。
通过测量控制栅极上的电流来判断存储位的电荷分布状态，从而读取出存储的数据。
写入数据时，需要将数据转化为电荷形式，并将电荷注入到浮动栅极中。
具体的写入方法有两种：擦除和编程。
擦除是将存储位中的电荷全部清空，使其回复到初始状态；编程是将存储位中的电荷写入或去除，以改变其状态。
根据以上的工作原理，Flash存储器可以分为两种主要类型：NAND Flash和 NOR Flash。
NAND Flash主要用于大容量存储，具有高容量和较低的成本，广泛应用于固态硬盘、闪存卡等设备；NOR Flash则适用于小容量、高性能的应用，如嵌入式系
统中的代码存储等。
总的来说，Flash存储器是一种通过电子的存储和释放来实现
数据的读写操作的存储技术。
它在各个领域中得到广泛应用，成为现代电子设备中重要的存储介质之一。
flash工作原理
flash工作原理
Flash工作原理。
Flash是一种常见的存储设备，它的工作原理主要涉及到存储单元、擦写操作和控制电路等方面。
本文将从这几个方面详细介绍Flash的工作原理。
首先，我们来看看Flash存储单元的结构。
Flash存储单元采用了浮栅结构，每个存储单元由一个晶体管和一个电容组成。
晶体管用于控制电荷的流动，而电容则用于存储电荷，通过在电容中存储或释放电荷来表示0或1。
这种结构使得Flash可以实现非易失性存储，即在断电情况下也可以保持数据的存储状态。
其次，擦写操作是Flash存储的一个重要特性。
由于Flash存储单元中的电荷是通过高压注入或释放来实现的，因此在写入新数据之前需要先将原有的数据擦除。
擦除操作是以块为单位进行的，通常需要将整个块的数据擦除后才能写入新的数据。
这也是为什么Flash在写入速度上相对较慢的原因之一。
最后，控制电路是实现Flash存储操作的关键。
控制电路包括
了读写控制、擦除控制和数据传输等功能。
在读写操作中，控制电
路会根据地址信号选择相应的存储单元，并进行读取或写入操作。
在擦除操作中，控制电路会对整个块进行擦除操作。
同时，控制电
路还需要处理数据传输的相关问题，如错误校正码的生成和校验等。
综上所述，Flash的工作原理主要包括存储单元的结构、擦写
操作和控制电路。
通过对这些方面的详细介绍，我们可以更好地理
解Flash存储设备是如何工作的。
同时，了解Flash的工作原理也
有助于我们在实际应用中更好地使用和维护Flash设备。
Flash存储芯片工作原理
Flash存储芯片工作原理引言概述：Flash存储芯片是一种常见的非易失性存储设备，广泛应用于各种电子设备中。
本文将详细介绍Flash存储芯片的工作原理，包括电荷存储原理、擦除和编程操作、读取操作、写入操作以及存储密度的提升。
正文内容：1. 电荷存储原理1.1 电荷存储单元：Flash存储芯片中的基本单元是电荷存储单元，每一个单元可以存储一个或者多个位的信息。
1.2 浮栅结构：每一个电荷存储单元都包含一个浮栅结构，浮栅上的电荷表示存储的信息。
当电荷存在时，代表存储的是“1”；当电荷不存在时，代表存储的是“0”。
2. 擦除和编程操作2.1 擦除操作：当需要将存储单元的值从“1”改写为“0”时，需要进行擦除操作。
擦除操作通过将浮栅上的电荷清除来实现。
2.2 编程操作：当需要将存储单元的值从“0”改写为“1”时，需要进行编程操作。
编程操作通过向浮栅注入电荷来实现。
3. 读取操作3.1 读取过程：读取操作是通过将电荷存储单元的信息转换为电压信号来实现的。
读取过程中，电荷存储单元的电荷会影响到读取电路中的电压，从而确定存储单元中存储的是“0”还是“1”。
3.2 读取精度：由于电荷存储单元中的电荷会逐渐漏失，因此在读取操作中需要进行补偿措施，以确保读取的准确性。
4. 写入操作4.1 写入过程：写入操作是通过向存储单元的浮栅注入或者清除电荷来实现的。
写入操作需要施加适当的电压和持续时间，以确保电荷的注入或者清除。
4.2 写入速度：写入操作的速度是衡量Flash存储芯片性能的重要指标之一。
随着技术的进步，写入速度逐渐提高。
5. 存储密度的提升5.1 单元尺寸缩小：随着创造工艺的进步，存储单元的尺寸逐渐缩小，从而提高了存储密度。
5.2 多层堆叠：为了进一步提高存储密度，Flash存储芯片采用了多层堆叠技术，将多个存储层叠加在一起。
5.3 三维堆叠：最新的技术发展使得Flash存储芯片可以实现三维堆叠，进一步提高了存储密度。
flash的存储原理
flash的存储原理Flash的存储原理是基于电子存储技术的一种固态存储器。
它使用快速擦除和存储的原理来存储数据，而不需要外部电源维持数据的存储。
下面将详细介绍Flash的存储原理。
Flash存储的基本单元是一个电子存储单元，也被称为存储单元或存储单元。
每个存储单元可以存储一个比特的信息，即特定电压状态对应于"0"或"1"。
这些存储单元按组织成多个块和扇区的层次结构，以便更高效地擦除和写入数据。
Flash存储的工作原理是通过充电和放电来控制存储单元的状态。
当存储单元被写入时，电荷被注入到存储单元中，改变其电压状态以表示所需的数据值。
当存储单元被擦除时，存储单元中的电荷被释放，将其电压状态重置为默认值。
为了实现擦除和写入操作，Flash存储器被分为多个块和扇区。
每个块包含多个扇区，每个扇区包含多个存储单元。
擦除操作是按块执行的，即将整个块中的所有扇区同时擦除。
写入操作是按扇区执行的，即只对所选扇区进行写入。
由于Flash存储器的特殊结构和工作原理，擦除和写入操作并不是同时进行的。
在进行写入操作之前，需要将目标块中的所有扇区擦除。
这是因为擦除操作会将存储单元的电压状态重置为默认值，而写入操作则是在已擦除的存储单元中注入电荷以改变其状态。
Flash存储器还具有限定的擦除和写入次数。
每个存储单元的擦除和写入次数都有限制，称为擦除和写入寿命。
当存储器的擦除和写入寿命耗尽时，存储单元可能无法正确地擦除或写入数据，导致存储器的可靠性下降。
总结来说，Flash存储的工作原理是使用充电和放电来控制存储单元的状态，通过擦除和写入操作来改变存储单元的电压状态以存储数据。
每个存储单元的状态对应于一个比特的信息。
擦除操作是按块执行的，写入操作是按扇区执行的。
擦除和写入次数受限制，称为擦除和写入寿命。
flash 工作原理
flash 工作原理
Flash（闪存）是一种电子存储器技术，使用非挥发性存储介质来存储数据。
其工作原理是通过应用电场来控制存储介质中的电荷状态，从而实现数据的存储和读取。
Flash 存储芯片由许多存储单元组成，每个存储单元通常存储一个比特的数据。
每个存储单元内有一个浮动栅，用来控制存储介质上的电荷状态。
当栅上施加正电压时，栅下的介质会发生电子注入，存储单元被写入的状态为1；当栅上施加负电压时，存储单元中的电荷被释放，存储单元被写入的状态为0。
读取数据时，通过在存储单元的栅上施加一个读取电场，根据存储单元中电荷的不同，可以检测到存储单元是处于0还是1状态，从而读取出正确的数据。
由于Flash存储器是非挥发性的，即使没有外部电源供应，存储的数据也会长期保持。
这使得Flash技术非常适用于需要长期存储的应用，如闪存卡、USB闪存驱动器、手机内存等。
总结来说，Flash存储器利用电场调节存储介质中的电荷状态来存储和读取数据。
其非挥发性的特点使其成为广泛应用于各种电子设备中的存储技术。
flash工作原理
flash工作原理
Flash工作原理是基于快速存储和释放电能的原理。
Flash存储
器通常由许多电池组成，每个电池称为一个存储单元。
每个存储单元可以存储一个比特（0或1）。
当要存储数据时，Flash会将电池充电，通过将正电压施加在
存储单元的栅电极上，将电荷注入栅电极。
这个过程称为“编程”。
编程后，存储单元的栅电极保持带有电荷，代表“1”位。
如果栅电极未被注入电荷，则表示“0”位。
当要读取存储的数据时，Flash会将电压应用在存储单元的源
和栅电极上，然后测量源漏电流。
如果读取到当前流，则表示存储单元被编程成“1”，否则表示为“0”。
由于存储单元的电荷
会逐渐泄漏，所以在读取数据之前，可能需要定期进行刷新操作，以确保数据的正确性。
擦除是Flash的另一个重要操作。
当需要将一个存储单元编程
成“0”位时，需要将存储单元中的电荷全部释放。
这个过程称
为“擦除”。
擦除是通过将负电压施加在存储单元的栅电极上来
完成的。
此操作会将栅电极中的电荷清除，使存储单元变为可重写状态。
总的来说，Flash存储器通过控制存储单元中的电荷来存储和
读取数据。
电荷的注入表示“1”位，没有电荷的时候表示“0”位。
编程和擦除操作使得Flash存储器可以多次重写，而不受磁介
质存储器中的磁感应限制。
因此，Flash存储器具有高密度、
低功耗和较长的数据保持时间等优点，成为当前常用的存储器技术之一。
Flash存储芯片工作原理
Flash存储芯片工作原理Flash存储芯片是一种非易失性存储设备，被广泛应用于各种数字设备中，如手机、相机、固态硬盘等。
它具有高速读写、低功耗、抗震抗摔等优点，成为了存储领域的重要组成部分。
本文将详细介绍Flash存储芯片的工作原理。
1. 存储单元Flash存储芯片的基本单元是存储单元，也称为存储单元或存储单元。
每个存储单元可以存储一个或多个二进制位的数据。
常见的存储单元有SLC（Single-Level Cell）和MLC（Multi-Level Cell）两种类型。
SLC存储单元每个单元只能存储一个二进制位的数据，而MLC存储单元则可以存储多个二进制位的数据，这使得MLC存储单元的存储密度更高，但其读写速度和寿命相对较低。
2. 位线和字线Flash存储芯片中的存储单元通过位线和字线进行读写操作。
位线是连接存储单元的线路，用于传输数据。
字线是用于选择存储单元的线路。
通过控制位线和字线的电压，可以实现对存储单元的读取和写入操作。
3. 读取操作在读取数据时，首先需要选择要读取的存储单元，这通过控制字线来实现。
当选择了存储单元后，通过控制位线的电压，将存储单元中的数据读取到位线上。
读取的数据经过放大和解码处理后，传递给外部设备。
4. 写入操作在写入数据时，首先需要选择要写入的存储单元，这通过控制字线来实现。
当选择了存储单元后，通过控制位线的电压，将要写入的数据写入到存储单元中。
写入操作是通过改变存储单元中的电荷状态来实现的。
对于SLC存储单元，只需要改变一个二进制位的电荷状态即可；而对于MLC存储单元，需要改变多个二进制位的电荷状态。
5. 擦除操作Flash存储芯片的存储单元是有限的，当需要将存储单元中的数据清除时，就需要进行擦除操作。
擦除操作是通过改变存储单元中的电荷状态来实现的。
对于SLC存储单元，只需要将电荷状态改变为初始状态即可；而对于MLC存储单元，需要将多个二进制位的电荷状态都改变为初始状态。
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flash存储原理一、半导体存储设备的原理目前市面上出现了大量的便携式存储设备,这些设备大部分是以半导体芯片为存储介质的。
采用半导体存储介质,可以把体积变的很小,便于携带;与硬盘之类的存储设备不同,它没有机械结构,所以也不怕碰撞;没有机械噪声;与其它存储设备相比,耗电量很小;读写速度也非常快。
半导体存储设备的主要缺点就是价格和容量。
现在的半导体存储设备普遍采用了一种叫做“FLASH MEMORY”的技术。
从字面上可理解为闪速存储器,它的擦写速度快是相对于EPROM而言的。
FLASH MEMORY是一种非易失型存储器,因为掉电后,芯片内的数据不会丢失,所以很适合用来作电脑的外部存储设备。
它采用电擦写方式、可10万次重复擦写、擦写速度快、耗电量小。
1.NOR型FLASH芯片我们知道三极管具备导通和不导通两种状态,这两种状态可以用来表示数据0和数据1,因此利用三极管作为存储单元的三极管阵列就可作为存储设备。
FLASH 技术是采用特殊的浮栅场效应管作为存储单元。
这种场效应管的结构与普通场管有很大区别。
它具有两个栅极,一个如普通场管栅极一样,用导线引出,称为“选择栅”;另一个则处于二氧化硅的包围之中不与任何部分相连,这个不与任何部分相连的栅极称为“浮栅”。
通常情况下,浮栅不带电荷,则场效应管处于不导通状态,场效应管的漏极电平为高,则表示数据1。
编程时,场效应管的漏极和选择栅都加上较高的编程电压,源极则接地。
这样大量电子从源极流向漏极,形成相当大的电流,产生大量热电子,并从衬底的二氧化硅层俘获电子,由于电子的密度大,有的电子就到达了衬底与浮栅之间的二氧化硅层,这时由于选择栅加有高电压,在电场作用下,这些电子又通过二氧化硅层到达浮栅,并在浮栅上形成电子团。
浮栅上的电子团即使在掉电的情况下,仍然会存留在浮栅上,所以信息能够长期保存(通常来说,这个时间可达10年。
由于浮栅为负,所以选择栅为正,在存储器电路中,源极接地,所以相当于场效应管导通,漏极电平为低,即数据0被写入。
擦除时,源极加上较高的编程电压,选择栅接地,漏极开路。
根据隧道效应和量子力学的原理,浮栅上的电子将穿过势垒到达源极,浮栅上没有电子后,就意味着信息被擦除了。
由于热电子的速度快,所以编程时间短,并且数据保存的效果好,但是耗电量比较大。
每个场效应管为一个独立的存储单元。
一组场效应管的漏极连接在一起组成位线,场效应管的栅极连接在一起组成选择线,可以直接访问每一个存储单元,也就是说可以以字节或字为单位进行寻址,属于并行方式。
因此可以实现快速的随机访问,但是这种方式使得存储密度降低,相同容量时耗费的硅片面积比较大,因而这种类型的FLASH芯片的价格比较高。
特点:数据线和地址线分离、以字节或字为单位编程、以块为单位擦除、编程和擦除的速度慢、耗电量大、价格高。
2.NAND型FLASH芯片NAND型FLASH芯片的存储原理与NOR型稍有不同,编程时,它不是利用热电子效应,而是利用了量子的隧道效应。
在选择栅加上较高的编程电压,源极和漏极接地,使电子穿越势垒到达浮栅,并聚集在浮栅上,存储信息。
擦除时仍利用隧道效应,不过把电压反过来,从而消除浮栅上的电子,达到清除信息的结果。
利用隧道效应,编程速度比较慢,数据保存效果稍差,但是很省电。
一组场效应管为一个基本存储单元(通常为8位、16位等。
一组场效应管串行连接在一起,一组场效应管只有一根位线,属于串行方式,随机访问速度比较慢。
但是存储密度很高,可以在很小的芯片上做到很大的容量。
特点:读写操作是以页为单位的,擦除是以块为单位的,因此编程和擦除的速度都非常快;数据线和地址线共用,采用串行方式,随机读取速度慢,不能按字节随机编程。
体积小,价格低。
芯片内存在失效块,需要查错和效验功能。
3.AND型FLASH芯片AND技术是Hitachi公司的专利技术。
AND是一种结合了NOR和NAND的优点的串行FLASH芯片,它结合了INTEL公司的MLC技术,加上0.18μm的生产工艺,生产出的芯片,容量更大、功耗更低、体积更小、采用单一操作电压、块比较小。
并且由于内部包含与块一样大的RAM缓冲区,因而克服了因采用MLC 技术带来的性能降低。
特点:功耗特别低,读电流为2mA,待机电流仅为1μA。
芯片内部有RAM缓冲区,写入速度快。
// MLC(Multi-level Cell技术,这是INTEL提出的一种旨在提高存储密度的新技术。
通常数据存储中存在一个阙值电压,低于这个电压表示数据0,高于这个电压表示数据1,所以一个基本存储单元(即一个场效应管可存储一位数据(0或者1。
现在将阙值电压变为4种,则一个基本存储单元可以输出四种不同的电压,令这四种电压分别对应二进制数据00、01、10、11,则可以看出,每个基本存储单元一次可存储两位数据(00或者01或者10或者11。
如果阙值电压变为8种,则一个基本存储单元一次可存储3位数据。
阙值电压越多,则一个基本存储单元可存储的数据位数也越多。
这样一来,存储密度大大增加,同样面积的硅片上就可以做到更大的存储容量。
不过阙值电压越多,干扰也就越严重。
二、各种各样的半导体存储卡1.ATA FLASH卡这种存储卡是基于FLASH技术(通常采用NAND型的ATA接口的PC卡。
在电源管理方面,具备休眠、待命、运行和闲置等4种模式,整体功耗比较小。
具有I/O、内存和ATA三种接口方式。
由于体积比较大,所以可以使用更多的存储芯片,因而也可以做到更大的容量。
主要用于笔记本电脑、数码相机和台式PC 机。
从图中可以看出,ATA FLASH卡由控制芯片和存储模块两部分组成。
智能化的控制芯片有两个作用,一是对FLASH芯片的控制,另外就是完成PC卡的ATA (IDE 接口功能。
由于接口支持IDE模式,所以可以通过简单的转接到PC机的IDE接口。
它支持扇区方式读写,可以象操作硬盘一样对它进行各种操作。
接口有68个引脚。
因为引脚中的电源和地两个引脚比其它引脚要长,保证了信号脚先分离,最后断电,所以支持热插拔。
主要特点:存储容量大(可达1G、即插即用、支持热插拔、传输速率约10M/s。
ATA FLASH卡需要专用的读写设备,通常笔记本电脑内置了这种读写器。
2.CF卡COMPACTFLASH是一种小型移动存储设备。
这种标准是在1994年由SCANDISK公司提出的。
CF卡兼容PCMCIA-ATA标准、兼容TRUEIDE标准、兼容ATA/ATAPI-4标准。
其体积为43mm (1.7" x 36mm (1.4" x 3.3mm (0.13",有50条引脚。
主要用于数码相机、MP3播放器、PDA等便携式产品。
CF卡的内部结构与ATA FLASH卡类似,也是由控制芯片和存储模块组成。
智能化的控制芯片提供一个连接到计算机的高电平接口,这个接口运行计算机发布命令对存储卡以块为单位进行读写操作。
块的大小为16K,有ECC效验。
控制芯片管理着接口协议、数据存储、通过ECC效验修复数据、错误诊断、电源管理和时钟控制,一旦CF卡通过计算机的设置,它将以一个标准的ATA硬盘驱动器出现,你可以象对其它硬盘一样对它进行操作。
CF卡需要专用的读写设备。
但是因为它兼容PCMCIA-ATA标准,所以可以通过一个转接卡当做PCMCIA设备来使用。
3.SM卡SMART MEDIA CARD简称SM卡,它是基于NAND型FLASH芯片的存储卡。
它的最大特点是体积小(45.0mm x 37.0mm x 0.76mm 、重量轻(2克。
主要用于数码相机、PDA、电子音乐设备、数码录音机、打印机、扫描仪以及便携式终端设备等。
从结构上讲,SM卡实在是简单不过了,卡的内部没有任何控制电路,仅仅是一个FLASH存储器芯片而已,芯片被封装到一个塑料卡片中,引脚与卡片表面的铜箔相连。
SM卡采用NAND型的FLASH芯片,因而与其它存储卡相比具有较低的价格。
但因为它只用了一个存储芯片,所以受到了很大的限制,不容易做到大容量。
SM卡可以采用专用的读写器进行读写,也可以通过一个转接卡当做PC卡来读写。
主要特点:NAND结构适合于文件存储;高速的读写操作;价格低廉。
4.MEMORY STICKMEMORY STICK(记忆棒是SONY公司推出的一种小体积的存储卡。
它可用于各种消费类电子设备:数码摄像机、便携式音频播放设备、掌上电脑、移动电话等等。
对于音乐等一些收保护的内容具备数字版权保护功能。
SONY的MEMORY STICK具有写保护开关,采用10引脚的串行连接方式,具有很高的可靠性。
通过一个PC卡适配器,它也可作为一个PC卡在各种PC卡读写设备上使用。
MEMORY STICK内部包括控制器和存储模块,控制芯片负责控制各种不同类型的FLASH存储芯片,并将负责并行数据和串行数据之间的相互转换。
另外MEMORY STICK采用了一种专用的串行接口,发送数据时附加了一位效验码,最高工作频率为20M。
5.MultiMedia卡(MMC这是由美国SANDISK公司和德国西门子公司共同开发的一种通用的低价位的可用于数据存储和数据交换的多功能存储卡。
作为一种低价位、小体积、大容量的存储卡,它的应用范围很广。
可用于数码相机、数码摄像机、PDA、数码录音机、MP3、移动电话等设备。
MMC卡的数据通讯是基于一种可工作在低电压范围下的串行总线,它有7条引线。
它支持MMC总线和SPI总线。
特点:由于工作电压低,耗电量很小。
体积小,与一张邮票差不多。
可对数据实行密码保护。
内置写保护功能。
6.Secure Digital Memory卡SD卡是由Panasonic、Toshiba及美国SanDisk公司于1999年8月共同开发研制的一种基于NAND技术的FLASH存储卡。
它的体积非常小,仅有一张邮票大小,但是容量却很大。
SD卡的另一个特点是,它具有非常好的数据安全性和版权保护功能。