晶闸管的电路符号和图片识别
晶闸管的符号
晶闸管的符号一、晶闸管的概述晶闸管是一种重要的功率电子器件，它具有开关能力强、可控性好、耐压能力高等特点。
在电力调节、变频驱动、电炉控制等领域得到广泛应用。
晶闸管的符号表示了其特定的电气特性和工作方式。
二、晶闸管的符号解析晶闸管的符号主要包含有源极（A）、控制极（G）和负极（K）三个引脚，具体解析如下：2.1 引脚A（Anode）引脚A是晶闸管的正极，也称为阳极。
当正向电压施加在晶闸管的A端时，晶闸管将导通电流。
2.2 引脚G（Gate）引脚G是晶闸管的控制极，也称为栅极。
通过控制引脚G的电压，可以控制晶闸管的导通和关断。
2.3 引脚K（Cathode）引脚K是晶闸管的负极，也称为阴极。
在晶闸管导通时，负载电流将从K端流过。
三、晶闸管的工作原理晶闸管是一种可控硅器件，其工作原理基于PN结、P型绝缘层和N型底座构成的结构。
3.1 PN结晶闸管的PN结是由P型半导体和N型半导体通过扩散形成的。
当PN结正向偏置时，P区的空穴和N区的电子会相互扩散，形成电荷互补，导致PN结形成导电通道。
3.2 P型绝缘层晶闸管的P型绝缘层起到隔离PN结的作用。
在晶闸管的正常工作状态下，P型绝缘层会阻止PN结间的电流流动。
3.3 N型底座晶闸管的N型底座是承载PN结和P型绝缘层的基片，同时也是晶闸管的导电部分。
四、晶闸管的导通和关断过程晶闸管的导通和关断过程均需要通过控制引脚G的电压来实现。
4.1 晶闸管的导通当控制引脚G施加正向电压时，晶闸管的导通过程如下： 1. 正向电压施加在A端，使得PN结的正向偏置电压得以克服。
2. 在一定条件下，晶体中形成一个PNPN四层结构，其中PNPN结相当于一个开关。
3. 当PNPN结得到足够的驱动电流时，它将进入导通状态，导通电流从A端到K端流过。
4.2 晶闸管的关断当控制引脚G施加反向电压时，晶闸管的关断过程如下： 1. 反向电压施加在A端，使得PN结的反向偏置电压得以克服。
2. 在反向电压下，晶体中的PNPN结无法形成导通状态。
晶闸管
1．对晶闸管触发电路的基本要求
晶闸管被触发导通后，触发信号随后就不起作用，因此常用瞬间突变、作用
时间很短的脉冲电压作为触发信号。
为保证晶闸管可靠导通，触发信号应有一定的幅度(4～10V)和一定的持续时
应用实例
右图是为晶闸管控制的照明不间 断电源。交流电源停电时，自动地 转换为直流电源供电。
照明不间断电源 《电子线路》陈振源主编第九章
第4章 直流稳压电源 晶闸管及其应用电路
6
Powerpoint Design by Chen Zhenyuan 6
中等职业教育国家规划教材 HEP
《电子技术基础》教学演示文稿
(a)检测步骤一 用万用表检测晶闸管质量
(b)检测步骤二
②用黑表笔在不断开阳极的同时接触控制极g，万用表指针向右偏转到低阻值 ，表明晶闸管能触发导通，如图 (b)所示。 ③在不断开阳极a的情况下，断开黑表笔与控制极g的接触，万用表指针应保持 在原来的低阻值上，表明晶闸管撤去控制信号后仍将保持导通状态。
(a) 电路原理图 单相半控桥式整流电路 《电子线路》陈振源主编第九章
(b)实物接线图
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第4章 直流稳压电源 晶闸管及其应用电路
Powerpoint Design by Chen Zhenyuan 12
中等职业教育国家规划教材 HEP
《电子技术基础》教学演示文稿
陈振源主编
2．工作原理
当v2 为正半周时，晶闸管V1 和二极管V3 承 受正向电压，如果晶闸管的控制极未加触发电压， 晶闸管就一直不能导通，输出电压vL=0 。 在正半周内只要触发电压vg到来，晶闸管V1 就导通，电流通过V1 、RL 、V3 形成回路，在负载 上得到极性为上正下负的电压。 当v2经过零值时，晶闸管自行关断。 当v2为负半周时，晶闸管V2和二极管V4承受 正向电压，在负半周内只要触发电压vg到来，晶闸 管V2 就导通，电流流过V2 、RL 、V4 形成回路，在 负载RL得到的也是上正下负的电压。
接触器、晶闸管和复合开关的符号
接触器、晶闸管和复合开关的符号一、引言在现代电气工程领域中，接触器、晶闸管和复合开关都扮演着重要的角色。
它们是电路控制和电气设备中必不可少的组成部分，对于电力系统的稳定运行以及各种电气设备的有效控制起着至关重要的作用。
本文将深入探讨这些电气元件的符号，并探讨它们在电路控制中的应用。
二、接触器的符号接触器是一种电气控制设备，用于控制电路的开关。
在电气图纸中，接触器通常用矩形框表示，框内包含代表控制电源和控制设备的符号。
接触器的触点通常由点状或空心的圆圈表示，以表示开关状态的不同。
在接触器的符号中，常常包含由线条表示的控制电源和控制信号输入，以及由点或空心圆圈表示的触点和固定触点。
这些符号的组合不仅表示了接触器的工作原理，还能够清晰地传达接触器在电路中的连接关系和工作状态。
三、晶闸管的符号晶闸管是一种半导体器件，用于控制电流的方向和大小。
在电气图纸中，晶闸管的符号通常由一个三角形和两个箭头组成，三角形顶部的箭头表示晶闸管的控制端，而底部的两个箭头则表示晶闸管的正负极性。
在晶闸管的符号中，箭头的方向以及箭头的数量和排列方式都能够清晰地表示晶闸管的工作原理和特性。
晶闸管的符号还常常包含其控制端和电特殊的引脚编号以及其额定电压和电流等参数，以便工程师能够准确地理解和使用晶闸管。
四、复合开关的符号复合开关是一种集成了多种功能的电气开关装置，通常用于控制电路的多种操作和保护。
在电气图纸中，复合开关的符号通常包括开关的外形和内部连接。
外形部分常常由矩形框表示，框内包含表示操作杆和接线端子的符号，以及各种操作按钮和指示灯等附属设备的符号。
内部连接部分则包含表示开关动作和触点连接的符号，以及表示开路、闭路和断路状态的符号。
这些符号的组合使得工程师能够清晰地理解复合开关的内部结构和功能特性，从而能够有效地设计和应用复合开关。
五、个人观点和理解作为我个人对接触器、晶闸管和复合开关符号的理解，我认为这些符号不仅是对电气元件外形和内部连接的精确表示，还能够传达电气元件的工作原理和特性。
gto晶闸管符号
GTO晶闸管符号1. 介绍GTO（Gate Turn-Off）晶闸管是一种具有可控开关能力的功率电子器件，通常用于高压和大电流的开关应用。
GTO晶闸管可以通过控制其栅极电压来实现开关状态的转换，具有低损耗、高可靠性和快速响应的特点。
在电力系统、工业自动化、交通运输等领域被广泛应用。
2. GTO晶闸管结构GTO晶闸管由多个层次的半导体材料组成，主要包括N型和P型半导体材料。
其典型结构如下：1.N+区：在N+区域注入了大量杂质，形成高浓度的电子载流子。
2.N-区：N-区是主要承受主电流的区域，具有较低浓度的杂质。
3.P+区：在P+区域注入了大量杂质，形成高浓度的空穴载流子。
4.P-区：P-区是主要承受主电流的区域，具有较低浓度的杂质。
5.压控层：压控层是GTO晶闸管的关键部分，通过栅极电压的控制来实现开关操作。
3. GTO晶闸管符号GTO晶闸管的符号用于电路图中表示该器件。
其符号如下所示：A K┌─┴─┐ ┌─┴─┐│ │ │ │─┘ └───|G|───┘ └──GTO GATE其中，A表示阳极（Anode），K表示阴极（Cathode），G表示栅极（Gate）。
4. GTO晶闸管工作原理GTO晶闸管的工作原理可以分为导通状态和关断状态两种情况。
4.1 导通状态当栅极电压大于或等于触发电压时，GTO晶闸管处于导通状态。
此时，栅极电流激活了压控层，使之变为低阻态。
主电流可以从阳极经过N+区、N-区、P+区和P-区，最终达到阴极。
导通时，主电流可以承载较大的功率。
4.2 关断状态当栅极电压低于触发电压时，GTO晶闸管处于关断状态。
此时，压控层处于高阻态。
主电流无法通过GTO晶闸管，器件处于关断状态。
5. GTO晶闸管特性GTO晶闸管具有以下特性：1.可控性：通过控制栅极电压来实现开关操作。
2.低损耗：导通时的正向压降较低，减小了功率损耗。
3.高可靠性：采用了先进的封装技术和散热设计，提高了器件的可靠性。
晶闸管(Thyristor)
1．2 晶闸管（Thyristor）晶闸管是晶体闸流管的简称，属于半控型电力电子器件。
它有三个电极：阳极A，阴极K和门极G。
其外型及电路符号如图1-1所示。
与晶体管不同，晶闸管只有导通和阻断两种状态，导通时电流从阳极A流向阴极K，A-K之间电压很小，类似于一个闭合的开关，但电流不能反向流动；如果晶闸管处于阻断状态，A-K之间无电流流动，其电压由外部电路决定。
若要使晶闸管从阻断状态进入导通状态，必须同时满足以下两个条件：1）阳极和阴极之间加正向电压，A+、K-；2）门极与阴极之间加正向电压，G+、K-。
图1-1 晶闸管的外形和符号晶闸管一旦进入导通状态，门极就失去了控制作用，无论加正向电压还是反向电压，都不会影响晶闸管的导通。
要使晶闸管从导通状态转入阻断状态，可以采取以下措施之一：将阳极电流降低到零；或者在阳极和阴极之间加反压，即阳极接负、阴极接正。
1.2.1 晶闸管的结构和工作原理晶闸管的结构如图1-2所示，四层半导体材料组成P-N-P-N结构，形成三个PN结J1、J2和J3，它们串联连接在阳极和阴极之间。
在门极开路时，无论阳极和阴极之间所加的电压方向如何，三个P-N结至少有一个承受反向电压，因此A、K之间不可能有电流，晶闸管处于阻断状态。
如果满足晶闸管的开通条件，即阳极接电压正极、阴极接负极，同时门极和阴极之间接一个G+、K-的正向电压，晶闸管就可以从阻断状态转入导通状态。
原理如下，假想将晶闸图1-2晶闸管的结构管分为两部分如图1-2（b ），则上半部分相当于一个PNP 形三极管V 1，而下半部分相当于一个NPN 型三极管V 2，两只三极管的连接如图1-2（c ）所示，如此连接使得任何一个三极管导通时电路会出现强烈的正反馈。
如果阳极电路加正向电压（A+、K-），当门极电位高于阴极电位时V 2的发射结正偏，出现门极电流I g ，该电流为V 2提供基极电流I b2，进而产生集电极电流I c2，而I C2亦即T 1的基极电流I b1，经V 1的放大作用，产生集电极电流I c1，I c1又为V 2提供（或强化V 2的）基极电流。
场效应管、晶闸管和单结晶体管的识别与检测
6.2 晶闸管的识别与检测 晶闸管又叫可控硅，是一种大功率半导体器 件，具有体积小、重量轻、容量大、效率高、 控制灵敏等优点。晶闸管具有硅整流器件的 特性，能在高电压、大电流条件下工作，工 作过程可以控制，被广泛应用在可控整流、 交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等 电子电路中。
6.2.1 晶闸管的分类
6.1.4场效应管使用注意事项 1.使用场效应管之前，必须首先搞清楚场效应管 的类型及它的电极，必要时应通过仪表进行测试。 结型场效应管的S、D极可互换，MOS场效应管的 S、D极一般也可互换，但有些产品S极与衬底连 在一起，这时S极与D极不能互换。 2.在线路设计中，应根据电路的需要选择场效应 管的类型及参数，使用时不允许超过场效应管的 耗散功率、最大漏源电流和电压的极限值。 3.各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的 偏置接入电路中，要注意场效应管偏置的极性。 4.在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避 免靠近发热元件；为了防止管子振动，安装时要 将管子紧固；管脚引线在弯曲时，应当大于管子 根部尺寸５mm以上处进行，以防止弯断管脚而引 起漏气。
（2）单向晶闸管触发能力的判断
1 .对1A～10A的晶闸管，可用万用表的R×1档，红表笔接A极，黑表笔 接K极，表针不动；然后使红表笔周与A极相接的情况下，同时与控制极 G接触。此时可从万用表的指针上看到晶闸管的A-K之间的电阻值明显变 小，指针停在几欧到十几欧处，晶闸管因触发处于导通状态。给G极一 个触发电压后离开，仍保持红表笔接A极，黑表笔接K极，若晶闸管处于 导通状态不变，则表明晶闸管是好的；否则，晶闸管可能是损坏的。
6.3.3 单结晶体管的主要参数 （1）基极间电阻Rbb 。发射极开路时，基极b1、b2之间的 电阻，一般为2～10K ，其数值随温度上升而增大。通常 Rbb具有纯电阻特性，阻值大小与温度有关。 （2）分压比η 。分压比是指Rb1上产生电压Ub1与两基极 电压Ubb的比值，公式为：η=Ub1/Ubb=Rb1/Rbb，它由管 子内部结构决定的常数，一般为0.3～0.9。 （3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2 3 eb1 Vcb1 b2 Vcb2 下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。 （4）反向电流Ieo 。b1开路，在额定反向电压Vcb2下， eb2间的反向电流。如果实际测得管子的反向电流太大，则 表明PN结的单向特性差，单结晶体管有漏电现象。 （5）发射极饱和压降Veo 。在最大发射极额定电流时， eb1间的压降。 （6）峰点电流Ip。 单结晶体管刚开始导通时，发射极电 压为峰点电压时的发射极电流。
场效应晶体管的电路符号及图片识别
场效力管英文缩写：FET(Field-effect transistor)，简称为场效力管，是一种下输进阻抗的电压统制型半导体.场效力管也是一种晶体三极管，也有三个极，分别喊源极S，栅极G，漏极D.之阳早格格创做场效力管电路标记一：场效力管的分类：1、百般场效力管根据其沟讲所采与的半导体资料，可分为N型沟讲战P 型沟讲二种.所谓沟讲，便是电流利讲.2、根据构制战工艺的分歧，场效力管分为结型战绝缘型二大类.结型场效力管的英文是Junction Field Effect Transistor，简称JFET.J FET 又分为N沟讲，P沟讲场效力管.绝缘栅型场效力管：英文是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，缩写为MOSFET，简称MOS管.MOS场效力晶体管又分为N沟耗尽型战巩固型；P沟耗尽型战巩固型四大类.3、按导电办法：耗尽型与巩固型，结型场效力管均为耗尽型，绝缘栅型场效力管既有耗尽型的，也有巩固型的.二：场效力晶体管具备如下特性：（1）输进阻抗下；（2）输进功耗小；（3）温度宁静性佳；（4）旗号搁大宁静性佳，旗号得实小；（5）由于没有存留纯治疏通的少子扩集引起的集粒噪声，所以噪声矮.三：场效力管与晶体管的比较（1）场效力管是电压统制元件，而晶体管是电流统制元件.正在只允许从旗号源与较少电流的情况下，应采用场效力管；而正在旗号电压较矮，又允许从旗号源与较多电流的条件下，应采用晶体管.（2）场效力管是利用普遍载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有普遍载流子，也利用少量载流子导电.被称之为单极型器件.（3）有些场效力管的源极战漏极不妨互换使用，栅压也可正可背，机动性比晶体管佳.（4）场效力管能正在很小电流战很矮电压的条件下处事，而且它的制制工艺不妨很便当天把很多场效力管集成正在一齐硅片上，果此场效力管四：场效力管的主要效率：1.场效力管可应用于搁大.由于场效力管的搁大器输进阻抗很下，果此耦合电容不妨容量较小，没有必使用电解电容器.2.场效力管很下的输进阻抗非常符合做阻抗变更.时常使用于多级搁大器的输进级做阻抗变更.3.场效力管不妨用做可变电阻.4.场效力管不妨便当天用做恒流源.5.场效力管不妨用做电子启闭.五：场效力管佳坏与极性判别:将万用表的量程采用正在RX1K档,用乌表笔接D极,白表笔接S极,用脚共时触及一下G,D极,场效力管应呈瞬时导通状态,即表针晃背阻值较小的位子,再用脚触及一下G,S极, 场效力管应无反应,即表针回整位子没有动.此时应可推断退场效力管为佳管.将万用表的量程采用正在RX1K档,分别丈量场效力管三个管足之间的电阻阻值,若某足与其余二足之间的电阻值均为无贫大时,而且再接换表笔后仍为无贫大时,则此足为G极,其余二足为S极战D极.而后再用万用表丈量S 极战D极之间的电阻值一次,接换表笔后再丈量一次,其中阻值较小的一次,乌表笔接的是S极,白表笔接的是D。
晶 闸 管
K
URSM ：反向不重复峰值电压。
1.3 主要参数
1. 电压定额
（1） UDRM：断态重复峰值电压 晶闸管耐压值。一般取 UDRM = 80% UDSM 。 普通晶闸管UDRM 为 100V---3000V
I
URSM
IH
UDRM
U U 正向转折
DSM 电压
（2） URRM：反向重复峰值电压
控制极断路时，可以重复作用在晶闸管上的反
（2） 晶闸管正向导通后，欲令其截流减小到维持电流（IH）以下，正反馈 失效，晶闸管截止。
晶闸管的工作原理小结
（1）晶闸管具有单向导电性。 正向导通条件：A、K间加正向电 压，G、K间加触发信号。
（2）晶闸管一旦导通，控制极失去作用。 若使其关断，必须降低 UAK 或加 大回路电阻，把阳极电流减小到 维持电流以下。
向重复电压。一般取URRM = 80% URSM。普通晶 闸管URRM为100V--3000V）
I
反向击穿电压
URSM
IH
URRM
U U UDRM DSM
（3） UTAV ：通态平均电压
管压降。在规定的条件下，通过正弦半波平均 电流时，晶闸管阳、 阴两极间的电压平均值。 一般为1V左右。
2. 电流定额
3、 工作原理
A
A
A G
K 符号
P1
N1 G
P2 N2
K
P
NN G
PP
N
K 示意图
导通过程
1.若只加UAK正向电压，控制 极不加触发电压，两三极管均
不能导通，即晶闸管不通。
A
ic2
i b2
2.当UAK > 0且UGK>0 时， 晶闸管迅速导通。 UGK开 始加入时， T1首先导通，
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晶闸管的电路符号和图
片识别
Company Document number：WUUT-WUUY-WBBGB-BWYTT-1982GT
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。它是由
PNPN四层半导体构成的元件,有三个电极、阳极A、阴极K和控制极G，晶闸管具有硅整流器件的特
性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调
压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,并且不象继电器那样控制时有
火花产生,而且动作快、寿命长、可靠性好.在调速、调光、调压、调温以及其他各种中都有它的身
影.
可控硅分为单向的和双向的,符号也不同.单向可控硅有三个PN结,由最外层的P极和N极引出两个
电极,分别称为阳极和阴极,由中间的P极引出一个控制极.
一、晶闸管的种类
晶闸管有多种分类方法。
（一）按关断、导通及控制方式分类
晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管
（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。
（二）按引脚和极性分类
晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。
（三）按封装形式分类
晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属
封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型
两种。
（四）按电流容量分类
晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管
多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。
（五）按关断速度分类
晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。
二：晶闸管的工作条件：
1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。
2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶
闸管导通后，门极失去作用。
4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
三：晶闸管的电路符号