场效应管系列参数
场效应管参数大全
场效应管参数大全场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的半导体器件，在现代电子技术中应用广泛。
场效应管是由金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET）和绝缘栅场效应管（Insulated Gate Field Effect Transistor，简称IGFET）两种类型组成，它们具有不同的结构和工作原理，但共同具备一些重要的参数。
下面将对这些参数进行详细介绍。
1. 阈值电压（Threshold Voltage）：阈值电压是指场效应管在栅电压达到一定值时，源极-漏极之间形成导通的电压。
它决定了场效应管是否开启。
2. 饱和电流（Saturation Current）：饱和电流是指场效应管在工作时，当栅电压接近阈值电压时，漏极-源极电压达到最小值的电流。
饱和电流对于场效应管的工作状态和性能都具有重要影响。
3. 最大漏极电流（Maximum Drain Current）：最大漏极电流是指场效应管能够承受的最大漏极电流，超过该值可能会导致管子损坏。
4. 最大漏极-源极电压（Maximum Drain-Source Voltage）：最大漏极-源极电压是指场效应管能够承受的最大漏极-源极电压，超过该值可能会导致管子损坏。
5. 输入电容（Input Capacitance）：输入电容是指场效应管输入端与接地之间的电容，它对应着场效应管的输入阻抗，越小表示输入阻抗越大。
6. 输出电容（Output Capacitance）：输出电容是指场效应管输出端与接地之间的电容，它对应着场效应管的输出阻抗，越小表示输出阻抗越小。
7. 漏极电流增益（Transconductance）：漏极电流增益是指场效应管输出电流对输入电压变化的响应程度，它表示了场效应管的放大能力。
8. 寄生二极管（Parasitic Diode）：寄生二极管是指场效应管结构中由于材料和工艺的限制而产生的额外二极管。
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全场效应管（MOSFET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
了解场效应管的参数对于正确选用和应用场效应管非常重要。
下面是一些常用的场效应管参数的介绍：1.电荷参数：- 输入电容（Ciss）：指在恒定的源极电压下，栅源电压从0V变化到开启电压时，输入的电荷。
一般情况下，输入电容越小，开关速度越快。
- 输出电容（Coss）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压从0V变化到开启电压时，可以作用在漏极电容上的输出电荷。
输出电容越小，开关性能越好。
2.静态电流参数：-偏置电流（IDSS）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压为零时，漏极的电流。
偏置电流越大，MOSFET的放大能力越强。
- 截止电流（ID(off)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极开路时，导通电流的下限。
3.动态电流参数：- 开关时间（ton和toff）：指从栅源电压达到开启电压到漏源电压达到截止电压的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
- 开关过渡时间（tr和tf）：指从栅源电压从10%到90%或90%到10%的转换时间。
开关过渡时间越短，场效应管的切换速度越快。
4.饱和区电流参数：- 饱和漏源电流（ID(on)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极电压达到饱和时，漏极的电流。
- 饱和压降（VDSat）：指在饱和状态下，漏极电压和源极电压之间的电压降。
5.开关特性参数：- 截止电压（VGS(off)）：指在恒定的源极电压下，栅源电压为零时，漏源电压的电压降。
- 开启电压（VGS(th)）：指在恒定的源极电压下，漏源电压达到截止电压时的栅源电压。
6.热特性参数：-热阻（θJA）：指导热回路中的芯片与环境之间的热阻，表示芯片散热的能力。
- 最大结温（TJmax）：指芯片能够承受的最高结温。
超过最大结温可能会损坏场效应管。
以上是一些常用的场效应管参数的介绍。
了解这些参数可以帮助我们选择和应用场效应管。
在实际应用中，我们通常根据具体的需求和电路要求来选择合适的场效应管，以保证电路性能的稳定和高效。
场效应管参数大全
场效应管参数大全百度空间无限的未知真心真诚理解真情永恒K2645: 600V,1.2Ω,9A,50WK2141: 600V,1.1Ω,6A,35WK3326: 500V,0.85Ω,10A,40WK1388: 30V,0.022Ω,35A,60WK1101: 450V,0.5Ω,10A,50WK1507: 9A 600V2SK1537 N-FET 900V 5A 100WK2045 600V, 6A , 35W 。
代K1404, K2101, 2SK2118。
K1118,K2645,K2564,K2545,K1507,K2761,K1117,K2333代k214107N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道 8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道 8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道 8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。
场效应管参数大全
1412k 代 3332K,7111K,1672K,7051K,5452K,4652K,5462K,8111K 。8112KS2 ,1012K ,4041K 代。 W53 , A6 ,V006 5402K W001 A5 V009 TEF-N 7351KS2 V006 A9 :7051K
W05,A01, Ω5.0,V054 :1011K W06,A53, Ω220.0,V03 :8831K W04,A01, Ω58.0,V005 :6233K W53,A6, Ω1.1,V006 :1412K W05,A9, Ω2.1,V006 :5462K 恒永 情真 解理 诚真 心真知未的限无 间空度百 全大数参管应效场
N A01 V008 61MK01SF N W04 A01 006 21MK01SF V02��SGV�MHO571.0�SDR�A11��V55�数参�管场道沟 P 是 4209UFRI 道沟 P A11 V55 贴�4209RF 插直�道沟�A21�V06 60P71UQF 插直(152-OT W05 A4.9 V001 01P21UQF N W69 A5。4 V009 09N6FAQF N W011 A3。11 V005 05N61FAQF N W311 A7。6 V008 08N01FAQF 8�管 SOM 道沟 N 双。用板压高 5499SDF 应效场道沟 P W5。2 A3。5 V03 5349SDF 封 252-OT 道沟 N A07 A66 V03 0766DDF ,SOM 片贴小 道沟 N W35 V06 A21 5503DF W3 A41 V03 W1187F OI21-54SC N W051 A57 V06 L0607PEC )大(片贴 W05 A04 V03 LA307BEC N W001 A8.3 V008 A08ZUB W57 A32 V05 01ZUB )缀后意注(N W1 A3.0 V052 A452NSB N 置内,片贴脚 8,MG1154PA 同 1154PA A7。4 V06�1 各道沟 N、P 含内 706P0A A5.7 V03,1 各道沟 N,P 含内 506P0A A5.7 V03,1 各道沟 N,P 含内 006P0A 贴管 SOM 板压高 N,A21,V06 444D0A 贴管 SOM 板压高 N,A72/83V06 244D0A 贴管 SOM 板压高 N�A72/83�V06 244D0A 贴管 SOM 板压高 N,A01,V03 024D0A 贴管 SOM 板压高 P A81/62 V06 904D0A 贴管 SOM 板压高 P A81/62 V06 904D0A 贴 管 SOM 板压高 P�A81�V03 804D0A 贴 管 SOM 板压高 P�A81�V03 504D0A 一各管 SOM 道沟 N�道沟 P 含内 00640A 贴脚 8,道沟 P 单 W1.3 A51 V03 32440A 片贴脚 8 道沟 N A11 V03 22440A 片贴脚 8 道沟 N A5.11 V03 81440A 脚 8�道沟 N 单 MW3,A5.8,V03 41440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A51 V03 31440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A51 V03 31440A 脚 8,应效场道沟 P W3 A8 V03 11440A 片贴脚 8 道沟 N 单 A81 V03 01440A 脚 8,应效场道沟 P A51 V03 90440A 片贴脚 8,道沟 N 单 A21 V03 80440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A21 V03 70440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A21 V03 70440A 贴脚 8,道沟 N 单,A5.11,V03 60440A 片贴脚 8 道沟 P 单 W3 A6 V03 50440A 片贴脚 8 道沟 N 单 A5.8 V03 40440A 片贴脚 8 道沟 P 单 A1.6 V03 30440A 一各管 SOM 道沟 N�道沟 P 含内 SC2054FA
场效应管系列参数
场效应管系列参数场效应管是一种被广泛应用于电子设备中的半导体器件，具有很多重要的参数。
本文将详细介绍场效应管的系列参数，包括栅极电压(Vgs)、漏极电流(Id)、漏极电压(Vd)、传导电阻(Rds)、增益(Gm)、饱和电流(Idss)、漏极电流温度系数(Idss Temp Coefficient)、漏极电流失调(Drain Current Mismatch)等参数。
1. 栅极电压(Vgs)：栅极电压是控制场效应管工作的重要参数，它决定了栅极与漏极之间的电场强度。
通过调节栅极电压，可以改变漏极电流的大小。
2.漏极电流(Id)：漏极电流是场效应管主要的输出电流，它决定了场效应管能够输出的电流大小。
漏极电流的大小与栅极电压及其他工作条件相关。
3.漏极电压(Vd)：漏极电压是场效应管工作时的主要参考电压，它决定了场效应管的工作状态。
通常情况下，漏极电压要保持在一定的范围内，过高或过低都可能导致失效。
4. 传导电阻(Rds)：传导电阻是场效应管导通状态时产生的电阻，它会对电路的功率损耗产生影响。
传导电阻的大小与场效应管的结构和工艺有关，一般来说，传导电阻越小，导通时的功率损耗越小。
5.增益(Gm)：增益是场效应管的重要参数之一，它表示了场效应管输出电流与输入电压之间的关系。
增益的大小与场效应管的工作状态有关，一般来说，增益越大，表示场效应管具有更好的放大能力。
6. 饱和电流(Idss)：饱和电流是场效应管在栅极电压为零时的最大漏极电流。
它是指场效应管工作在饱和区时，漏极电流的最大可接受值。
饱和电流的大小与场效应管的类型和工作状态有关。
7.漏极电流温度系数：漏极电流温度系数表示了场效应管漏极电流随温度变化的情况。
漏极电流温度系数的大小与场效应管的材料和结构有关，一般来说，漏极电流温度系数越小，表示场效应管对温度的变化越不敏感。
8.漏极电流失调：漏极电流失调是指多个场效应管在相同工作条件下漏极电流的差异。
由于制造工艺和器件本身的不完美性，不同场效应管之间的漏极电流会存在一定的差异。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数场效应管是一种晶体管，也称为FET（Field Effect Transistor）。
与双极晶体管（BJT）相比，场效应管具有许多优点，例如高输入阻抗，低噪声，以及高分辨率输入电压等。
主要参数：1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是场效应管工作的一个关键参数。
它表示当输入电压小于该值时，场效应管处于截止区，不导电。
当输入电压大于阈值电压时，场效应管进入饱和区或线性区，开始导通。
2. 饱和电流（Idsat）：饱和电流是指当场效应管工作在饱和区时，通过漏极-源极的电流。
饱和电流取决于场效应管的尺寸和工作电压。
3. 负漏极导纳（Yfs）：负漏极导纳是指场效应管的输入导纳，也称为转导。
它表示单位漏极-源极电压变化时，漏极-源极电流的变化量。
负漏极导纳可以决定输出电流与输入电压的比例关系。
4. 输入电阻（Rin）：输入电阻是指场效应管的输入端电压与输入端电流之间的比值。
由于场效应管的输入电流很小，因此输入电阻较高，可以使得场效应管适用于高阻抗输入的电路。
5. 输出电导（Gds）：输出电导是指场效应管的输出导纳，也称为转导。
它表示单位漏极-源极电压变化时，漏极-源极电流的变化量。
输出电导可以决定输出电流与漏极-源极电压的比例关系。
6.噪声系数（NF）：噪声系数表示场效应管引入的噪声对输入信号的影响程度。
一般来说，噪声系数越低，性能越好。
7. 压控电阻（rDS(on)）：压控电阻表示当场效应管处于线性区时，漏极-源极电阻的大小。
压控电阻越小，漏极-源极电压对漏极-源极电流的影响就越小。
压控电阻与输入电压有关，可以在一定范围内调节。
8.带宽（BW）：带宽是指场效应管工作的频率范围。
带宽可以决定场效应管在不同频率下工作的能力。
9.温度稳定性：温度稳定性是指场效应管在不同温度下的性能变化。
温度稳定性越好，场效应管在不同温度下的性能变化越小。
总结：。
常用场效应管及晶体管参数66681
常用场效应管及晶体管参数66681场效应管（Field-Effect Transistor，FET）和晶体管（Transistor）是现代电子学中最常用的两种电子元件。
它们广泛应用于电子设备中的放大、开关和数码电子电路等方面。
本文将对常用的场效应管和晶体管参数进行介绍。
1.场效应管的参数1.1耐压（VDSS）:表示场效应管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。
1.2额定电流（ID）:表示场效应管的最大额定电流，单位为安培（A）。
1.3 漏极-源极导通电阻（RDS(on)）: 表示在漏极-源极之间，当场效应管处于导通状态时的阻值，单位为欧姆（Ω）。
1.4 阈值电压（VGS(th)）: 表示在栅极和源极之间，场效应管刚开始导通时所需的栅极-源极电压，单位为伏特（V）。
1.5 输入电容（Ciss）: 表示场效应管的输入电容，单位为法拉（F）。
1.6 输出电容（Coss）: 表示场效应管的输出电容，单位为法拉（F）。
1.7 开关时间（ton、toff）: 表示场效应管从导通到截止以及从截止到导通的时间，单位为纳秒（ns）。
2.晶体管的参数2.1最大耐压（VCEO）:表示晶体管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。
2.2最大额定电流（IC）:表示晶体管的最大额定电流，单位为安培（A）。
2.3 饱和压降（VCE(sat)）: 表示晶体管在饱和区时，集电极和发射极之间的电压降，单位为伏特（V）。
2.4 开路电流放大倍数（hfe）: 表示晶体管的直流电流放大倍数。
2.5 输入电阻（hie）: 表示晶体管的输入电阻，单位为欧姆（Ω）。
2.6 输出电阻（hoe）: 表示晶体管的输出电阻，单位为欧姆（Ω）。
2.7 动态电阻（rce、Rce）: 表示晶体管在放大区时，集电极和发射极间的动态电阻，单位为欧姆（Ω）。
3.总结场效应管和晶体管是现代电子设备中非常重要的元件，具有各自独特的特性和参数。
在实际应用中，我们需要根据具体情况选择适合的场效应管或晶体管，并合理使用其参数进行设计和调整。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的电子器件，常被用于放大、开关和调节电流等应用中。
它具有许多重要的参数，这些参数对于理解和设计电路至关重要。
本文将介绍场效应管的一些主要参数，并解释它们的作用和特点。
1. 漏极截止电压（VDS(off)）：漏极截止电压是指当场效应管关闭时，漏极和源极之间的电压。
当VDS(off)为正值时，漏极电压高于源极电压，此时场效应管处于关闭状态。
VDS(off)的值取决于场效应管的工作状态和特性。
这个参数对于确定场效应管的工作状态和电路的稳定性非常重要。
2. 饱和漏极电压（VDS(sat)）：饱和漏极电压是指当场效应管完全开启时，漏极和源极之间的最小电压。
在饱和区，场效应管的导通状态稳定，电流可以通过管子流动。
VDS(sat)的值取决于场效应管的特性和工作状态。
这个参数对于确定场效应管的工作范围和电路的性能至关重要。
3. 置零漏极电压（VDS(off) zero）：置零漏极电压是指当场效应管完全关闭时，漏极和源极之间的电压。
当VDS(off) zero为正值时，漏极电压高于源极电压，此时场效应管处于完全关闭状态。
VDS(off) zero的值取决于场效应管的工作状态和特性。
这个参数对于确定场效应管的截止状态和电路的稳定性非常重要。
4. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指当场效应管开始导通时，栅极和源极之间的电压。
在阈值电压以上，场效应管开始导通，电流可以通过管子流动。
Vth的值取决于场效应管的类型和制造工艺。
这个参数对于确定场效应管的导通状态和电路的性能至关重要。
5. 压缩因子（K）：压缩因子是指栅极电压变化与漏极电流变化之间的比率。
K的值取决于场效应管的类型和特性。
较大的K值意味着场效应管具有较好的放大能力和线性特性。
这个参数对于确定场效应管的放大能力和电路的线性度至关重要。
6. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管的栅极和源极之间的电容。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
场效应管系列参数
上一页场效应管系列参数(1)
型号沟
道
类
型耐压（V）
V
电流
( I ) A
功率
(PD/P
沟)W
内阻
(Rds)
脚位
IRF530*N100V14A88W<0.16GDS IRF540*N100V28A150W<77m GDS IRF630*N200V9A74W<0.4GDS IRF640*N200V18A125W<0.18GDS IRF644*N250V14A125W<0.28GDS IRF730*N400V 5.5A74W<1.0GDS IRF740*N400V10A125W<0.55GDS IRF830*N500V 4.5A74W<1.5GDS IRF840*N500V8A125W<0.85GDS IRF1010E*N60V81A170W<12m GDS IRF2807*N<GDS IRF3205*N55V110A200W<8m GDS IRF3710*N<GDS IRFP054#N60V70A230W<14m GDS IRFP064#N60V70A300W<9m GDS IRFP140#N100V31A180W<77m GDS IRFP150#N100V41A230W<55m GDS IRFP240#N200V20A150W<0.18GDS IRFP250#N200V30A190W<85m GDS IRFP260#N200V46A280W<55m GDS IRFP264#N250V38A280W<75m GDS IRFP350#N400V16A190W<0.3GDS IRFP360#N400V23A280W<0.2GDS IRFP450#N500V14A190W<0.4GDS IRFP460#N500V20A280W<0.27GDS IRFZ44N*N60V50A150W<28m GDS IRFZ46N*N50V50A150W<24m GDS IRFZ48N*N60V50A190W<18m GDS IRFZ24N*N60V17A60W<0.1GDS
场效应管系列参数(2)
型号
沟
道
类
型
耐压（V）V电流( I ) A
功率
(PD/P
沟)W
内阻
(Rds)
脚
位2SK30N NF/Uni,Ra50V Idss>0.3ma Up<5v DGS 2SK117N NF/ra,50V Idss>0.6ma Up<1.5v<SGD 2SK701N60V+_2A15W<0.6R SDG 2SK702N100V+_5A50W<0.45R GDS 2SK703N100V+_5A35W<0.45R GDS 2SK787N900V+_8A150W<1.6R GDS 2SK790N500V15A150W<0.4R GDS 2SK792N900V3A100W<4.5R GDS 2SK794N900V5A150W<2.5R GDS 2SK827N450V+_18A150W<0.38R GDS 2SK832N900V+_4A85W<4R GDS 2SK851N200V30A150W<85mr GDS 2SK957N900V2A40W<8.5R GDS 2SK962N900V8A150W<2R GDS 2SK1019N450V35A300W<0.2R GDS 2SK1020N500V30A300W<0.25R GDS 2SK1082N800V7A125W<2.2R GDS 2SK1117N600V6A100W<GDS 2SK1118N600V6A45W<GDS 2SK1119N1000V4A100W<GDS 2SK1120N1000V8A150W<GDS 2SK1169N450V20A120W<0.25R GDS 2SK1170N500V20A120W<0.27R GDS 2SK1271N1400V+_5A240W<4R GDS 2SK1317N1500V 2.5A100W<12R GDS 2SK1358N900V9A150W<1.4R GDS 2SK1359N1000V5A125W<3.8R GDS 2SK1426N60V100A200W<12mr GDS 2SK1500N500V+_25A160W<0.25R GDS
延吉市大众摩配商店版权所有。