SRAM及存讲义储器常识
SRAM基础分析
SRAM基础分析SRAM（静态随机存取存储器）是一种常见的计算机内部存储器类型。
与动态随机存取存储器（DRAM）相比，SRAM的操作速度更快，但面积更大，并且消耗更多的功率。
在本文中，我们将深入了解SRAM的基本工作原理、结构和应用。
SRAM的基本工作原理是通过一组双稳态电路（flip-flops）来存储二进制信息。
这组双稳态电路是由晶体管组成的，每个双稳态电路由6个晶体管组成。
其中两个晶体管用于读取数据，另外四个晶体管用于写入和刷新数据。
SRAM的结构通常由一个SRAM存储体阵列、译码器、控制线路和输入输出线路组成。
SRAM存储体阵列由多个存储单元（或称为存储“单元格”）组成，每个存储单元可以存储一个比特数据。
译码器用于选择存储单元。
控制线路用于控制读取、写入和刷新操作。
输入输出线路用于将数据传输到和传输自SRAM。
SRAM具有一些重要的特性，包括快速访问速度、随机访问、不需要刷新和可编程功能等。
快速访问速度是SRAM的一大优势，读取和写入操作都可以在几个时钟周期内完成。
随机访问意味着可以直接访问任何存储单元，并且读取和写入操作的延迟是固定的。
这使得SRAM非常适合用于高性能的计算和缓存应用。
由于SRAM的存储单元不需要刷新，它提供了可靠性和稳定性。
DRAM 存储单元必须定期刷新来保持数据的正确性，而SRAM能够持久地保存数据，因此不需要刷新操作。
此外，SRAM还具有可编程功能，可以根据需要进行读取、写入和存储等操作。
SRAM广泛应用于各种计算机和电子设备中。
它常用于高速缓存、寄存器文件、图形显示缓冲区等方面。
高速缓存是计算机中用于存储近期访问的数据的一种存储器，位于CPU和主内存之间。
利用SRAM的快速访问速度和随机访问特性，高速缓存能够提高计算机系统的性能。
在计算机系统中，SRAM还可以用于存储指令和数据，并且它的速度和可靠性使它成为一种理想的内存选择。
此外，SRAM还被广泛应用于网络设备、通信设备和移动设备等领域，用于缓存和处理数据。
SRAM总结
SRAM总结SRAM（Static Random-Access Memory）是一种常用的存储器件，它在计算机硬件系统中扮演重要的角色。
本文将对SRAM进行详细介绍，包括其原理、结构、特点、应用和发展方向。
1. SRAM原理SRAM是一种随机存取存储器，它使用了静态电荷的方式存储数字信息。
相比于另一种常见的存储器件DRAM（Dynamic Random-Access Memory），SRAM不需要周期性刷新，因此读写速度更快。
SRAM由一系列存储单元组成，每个存储单元由一个触发器和至少两个传输门构成。
这些传输门用于控制触发器的读写操作。
当使能信号到达时，传输门打开，允许数据在触发器之间传递。
2. SRAM结构SRAM由存储单元和控制电路组成。
存储单元包括存储位和字线。
存储位是由触发器构成的，每个触发器可以存储一个比特的数据。
字线用于在存储单元之间传递数据。
控制电路用于发出控制信号，包括读、写和使能等信号。
SRAM的结构可以分为两种类型：单端口结构和双端口结构。
单端口结构只能通过一个地址端口进行读写访问，而双端口结构则可以同时通过两个地址端口进行读写操作，提高了读写效率。
3. SRAM特点SRAM具有以下几个特点：3.1 高速读写相比于DRAM，SRAM具有更快的读写速度。
这是因为SRAM的存储单元是基于触发器实现的，数据可以直接从触发器读取，而不需要进行周期性刷新。
3.2 高可靠性由于SRAM使用静态电荷来存储数据，而不是电容，所以它具有较高的可靠性。
即使在断电或电压幅度变化的情况下，SRAM也可以保持数据的稳定性。
3.3 低功耗SRAM的功耗相对较低，特别适用于移动设备和低功率应用。
3.4 缺点：面积大、密度低、成本高与DRAM相比，SRAM的存储单元更大，所以它的面积占用更多。
另外，SRAM的存储密度相对较低，制造成本也较高。
4. SRAM应用SRAM广泛应用于计算机和电子设备中，例如：•CPU缓存•图形处理器（GPU）•嵌入式系统•网络交换机和路由器•存储器模块SRAM的高速读写特性使其成为性能关键的应用场景的理想选择。
SRAM DRAM的区别
SRAM的特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。
SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。
DRAM是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。
DRAM每个存储单元所需的场效应管较少，常见的有4管，3管和单管型DRAM。
因此它的集成度较高，功耗也较低，但缺点是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失，一般信息保存时间为2ms左右。
为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。
因此，采用DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。
DRAM一般用作计算机中的主存储器。
SSRAM 是synchronous static random access memory 的缩写，即同步静态随机存取存储器。
同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。
对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。
地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。
这一点与异步SRAM不同，异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。
同步SRMA比异步SRAM更快。
内存，或内存储器，又称为主存储器，是关系到计算机运行性能高低的关键部件之一，无疑是非常重要的。
为了加快系统的速度，提高系统的整体性能，我们看到，计算机中配置的内存数量越来越大，而内存的种类也越来越多。
内存新技术计算机指令的存取时间主要取决于内存。
对于现今的大多数计算机系统，内存的存取时间都是一个主要的制约系统性能提高的因素。
sram的名词解释
sram的名词解释SRAM，即静态随机存储器（Static Random Access Memory），是一种常用的计算机内存储器。
与动态随机存储器（DRAM）相比，SRAM具有更高的工作速度和更低的能耗。
一、SRAM的结构和工作原理SRAM一般由六个晶体管组成，包括两个交叉连接的CMOS反相器（CMOS Inverter）和两个存储每位数据的传输门（Transmission Gate）。
SRAM的工作原理相对简单，当输入信号时钟引脚为高电平时，反相器的输出会被存储在另一个反相器中。
当时钟引脚为低电平时，SRAM的存储内容不会发生改变。
二、SRAM与DRAM的区别SRAM与DRAM是计算机内存中最为常见的两种技术，它们在结构和性能上存在明显区别。
1.结构区别：SRAM由多个晶体管构成，每个存储位使用4-6个晶体管来保持数据。
而DRAM则使用一对存储电容器（一个存储位一个电容器）来存储数据。
2.性能区别：SRAM具有更快的访问速度和更低的延迟，因为数据直接存储在晶体管中，而不需要刷新电容，这使得SRAM适用于高性能计算任务。
而DRAM需要周期性地刷新电容以保持数据的稳定性，因此访问速度较慢。
3.功耗区别：由于SRAM的存储位不需要刷新，因此相对较低的功耗是SRAM的优势之一。
而DRAM的刷新过程需要消耗额外的能量，导致功耗较高。
4.容量区别：由于SRAM每个存储位所需晶体管多，因此相对于DRAM来说，相同容量的SRAM所占面积更大，造成成本上的不利因素。
三、SRAM的应用领域SRAM由于其快速的访问速度和低能耗等优势，在许多领域得到了广泛的应用。
1.高性能计算SRAM常被用作高性能计算设备的缓存，用于存储经常使用的数据，以提高读写速度和整体性能。
2.嵌入式系统由于SRAM具有较低的延迟和功耗，它在嵌入式系统中得到了广泛的应用，例如智能手机、平板电脑和物联网设备等。
3.网络交换机与路由器SRAM在网络交换机和路由器中用于存储路由表、缓存数据包以及管理数据包转发等任务，提高了网络设备的运行效率。
sram指的是什么
sram指的是什么sram指的是静态随机存取存储器，所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。
当电力供应停止时，sram储存的数据还是会消失，这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
一、sram基本简介SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
而DRAM （Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大。
相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。
同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。
二、主要用途sram主要用于二级高速缓存，它利用晶体管来存储数据。
与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。
SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，异步SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。
三、sram类型1.非挥发性SRAM：非挥发性SRAM（Non-volatile SRAM，nvSRAM）具有SRAM的标准功能，但在失去电源供电时可以保住其数据。
非挥发性SRAM用于网络、航天、医疗等需要关键场合——保住数据是关键的而且不可能用上电池。
2.异步SRAM：异步SRAM（Asynchronous SRAM）的容量从4 Kb到64 Mb。
SRAM的快速访问使得异步SRAM适用于小型的cache很小的嵌入式处理器的主内存，这种处理器广泛用于工业电子设备、测量设备、硬盘、网络设备等等。
SRAM基础分析
SRAM基础分析SRAM（Static Random-Access Memory）是一种高速、昂贵但非常常用的半导体存储器。
与DRAM（Dynamic Random-Access Memory）相比，SRAM不需要刷新操作并且速度更快，但它也需要更多的电路和空间。
SRAM常被用作处理器的缓存或者者在需要高速访问的应用领域。
一、SRAM结构SRAM通常由6个传统的CMOS逻辑门来构成一个存储单元，每个存储单元通常可以存储1比特（bit）的数据。
SRAM的主要组成部分包括：1. 存储单元（Memory cell）：存储单元是SRAM的核心部分，它由4个可逆逻辑门构成，包括两个交叉相连的CMOS反相器和两个传输门。
这些逻辑门允许数据在存储单元中的两个节点之间循环。
2. 位线（Bit line）：位线是用于读写SRAM中存储单元的数据的电路。
在读取时，位线被激活并提供该行存储单元中的数据。
在写入时，位线上的数据被传输到相应的存储单元。
3. 译码器（Decoder）：译码器用于选择存储单元的行和列。
一般来说，每个存储单元都有唯一的地址，译码器会根据输入的地址信号来选择对应的存储单元。
4. 控制电路（Control circuit）：控制电路负责协调SRAM的读写操作。
它接收来自CPU或其他控制器的指令，并相应地控制位线和存储单元的状态。
二、SRAM的工作原理SRAM的工作原理可以分为读写两个操作。
1.读操作：读操作是指从SRAM中检索数据。
当CPU或其他控制器发送一个读指令时，相应的地址被传递到译码器，译码器会根据地址信号选择需要读取的存储单元。
选定的存储单元中的数据会通过相应的位线传送到外部设备。
2.写操作：写操作是指将数据写入SRAM。
当CPU或其他控制器发送一个写指令时，相应的地址和数据被传递到SRAM中。
SRAM的控制电路将数据传输到指定的位线，并将其写入相应的存储单元。
三、SRAM的特点1.高速访问：SRAM由于采用了基本的CMOS逻辑门结构，具有非常快的读写速度。
DRAM和SRAM基础知识
DRAM和SRAM基础知识RAM（Random Access Memory）随机存取存储器对于系统性能的影响是每个PC用户都非常清楚的，所以很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存，希望借此来得到更高的性能。
不过现在市场是多种内存类型并存的，SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等等，如果你使用的还是非常古老的系统，可能还需要EDO DRAM、FP DRAM（块页）等现在不是很常见的内存。
对于很多用户或者有一定经验的高级用户来说，他可能能说出Athlon XP和Pentium 4的主要不同点，能知道GeForce3和Radeon之间的区别，但是如果真的让他说出各种内存之间的实现机理的主要差别或者解释CAS 2和CAS 3之间的主要差别的话，就可能不是非常的清楚了。
毕竟CPU和显卡之类的东西更容易引起我们的兴趣。
我个人在这方面的知识也是比较片面甚至是一知半解的，所以一直在收集这个方面的资料。
在网上有很多很好的资源，其中Ars technica、Aceshardware、simpletech等网站的资料对于我系统的了解这个方面的知识有很大的帮助。
本文主要以Ars technica的文章为基础编写而成，为大家比较详细的介绍RAM方面的知识。
虽然RAM的类型非常的多，但是这些内存在实现的机理方面还是具有很多相同的地方，所以本文的将会分为几个部分进行介绍，第一部分主要介绍SRAM和异步DRAM（asynchronous DRAM），在以后的章节中会对于实现机理更加复杂的FP、EDO和SDRAM进行介绍，当然还会包括RDRAM和SGRAM等等。
对于其中同你的观点相悖的地方，欢迎大家一起进行技术方面的探讨。
存储原理为了便于不同层次的读者都能基本的理解本文，所以我先来介绍一下很多用户都知道的东西。
RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。
但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。
静态随机存取存储器(SRAM)
静态随机存取存储器(SRAM)目录1.前言： (1)2.关于静态存储器SRAM的简单介绍 (2)3.基本的静态存储元阵列 (2)4.基本的SRAM逻辑结构 (3)5.SRAM读/写时序 (7)6.存储器容量的扩充 (8)6.1.位扩展 (8)6.2.字扩展 (9)6.3.字位扩展 (10)1.前言：主存(内部存储器)是半导体存储器。
根据信息存储的机理不同可以分为两类：静态读写存储器(SRAM)：存取速度快动态读写存储器(DRAM)：存储密度和容量比SRAM大。
-VDD一CSDN@rn0_736794312.关于静态存储器SRAM的简单介绍SRAM是采用CMOS工艺的内存。
自CMOS发展早期以来，SRAM一直是开发和转移到任何新式CMOS工艺制造的技术驱动力。
SRAM它实际上是一个非常重要的存储器，用途非常广泛。
SRAM数据完整性可以在快速读取和刷新时保持。
SRAM以双稳态电路的形式存储数据。
SRAM 目前的电路结构非常复杂。
SRAM大部分只用于CPU内部一级缓存及其内置二级缓存。
只有少量的网站服务器及其路由器可以使用SRAM o半导体存储体由多个基本存储电路组成，每个基本存储电路对应一个二进制数位。
SRAM中的每一位均存储在四个晶体管中，形成两个交叉耦合反向器。
存储单元有两个稳定状态，一般为0和1。
此外，还需要两个访问晶体管来控制存储单元在读或写过程中的访问。
因此，存储位通常需要六个MoSFET。
SRAM内部包含的存储阵列可以理解为表格，数据填写在表格上。
就像表格搜索一样，特定的线地址和列地址可以准确地找到目标单元格，这是SRAM存储器寻址的基本原理。
这样的每个单元格都被称为存储单元，而这样的表也被称为存储矩阵。
地址解码器将N个地址线转换为2个N立方电源线，每个电源线对应一行或一列存储单元，根据地址线找到特定的存储单元，完成地址搜索。
如果存储阵列相对较大，地址线将分为行和列地址，或行，列重用同一地址总线，访问数据搜索地址，然后传输列地址。
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SRAM及存储器常识
关于存储器
在半导体领域，存储器可以理解为可以存储程 序或数据的集成电路。
存储器分类
按掉电后是否还保存数据或程序分为易失与非 易失存储器
易失存储器通常称为RAM（Random access memory随机存取存储器），主要包括SRAM 与DRAM。
非易失存储器通常称为ROM（ read-only memory只读存储器 ），主要包括FLASH、 EEPROM 、EPROM 、MASKROM 、OTP ROM等。
关于DRAM
DRAM是Dynamic random access memory 的 缩写，称为动态随机存取存储器
主要运用在对功耗要求不太高、系统缓存要求 容量比较大速度要求比较快的系统。
广泛应用于各种电子系统，如PC、通信、 DVB、DVD、LCD TV、监控等。
SRAM与DRAM的区别
SRAM
55、70
BSI、ISSI、CHIPLUS、 LYONTEK
字典机、POS、打印机、游 戏机、工控、仪器仪表 等
256K、1M、2M、4M、8M、 16M
DRAM的分类
DRAM
Dynamic random access memory
是很快要淘 汰的产品。
SDRA M
Synchrono
usDRA 主要应用于
关于SRAM
SRAM是Static random access memory的缩 写，称为静态随机存取存储器。
主要应用于需要缓存比较小或对功耗有要求的 系统。例如很多8 BIT MCU,由于能支持的 RAM比较小，内部缓存又不够；16 BIT MCU 支持的RAM比较大，但对功耗有要求而无法 用DRAM的系统。
Thanks！
DRAM
结构
6个晶体管为1个存储单 元（GIGADEVICE为2 晶体管，但STANDBY 电流大），
1个晶体管为1个存储单元， 但需要刷新。
工作状态下 10Ma-30mA
功 耗
Standby(待机) 1uA-20uA
存取速度
快的一般为10、12、15nS 左右，慢的一般为55nS 或70nS
容量
目前最大到16M BIT
RAM与ROM的区别与用途
RAM虽然由于掉电后存储的数据及程序将消失，但可 以随即存取，不存在存取次数问题，且存取速度快， 主要被应用作为处理器或控制器（包括CPU、MCU、 DSP)的缓存，条件是处理器或控制器内部的缓存 （RAM）容量不够的情况下。
ROM虽然由于掉电后存储的数据及程序仍保存，但无 法随即存取，且速度慢、有一定的读写次数。一般用 在系统里面保存程序及数据用。
100mA以上 10mA以上 快，一般小于10nS
单片能到 512M BIT
SRAM的分类
分类
high speed SRAM
low power SRAM
速度（Ns) 主要供应商 应用领域 容量（BIT)
10、12、15 ISSI、CYPRESS、LYONTEK
通信、仪器仪表等 256K、1M、2M、4M
M（单
PC外的产
数据传
Байду номын сангаас品上
输模式）
DDR S D R A M
DoubleDat
aRate （双数 据传输 模式）
主要应用在 PC上
SRAM与DRAM的应用原则
8 BIT MCU系 统
SRAM 支持
16 BIT MCU系 支持，但对功耗特别要求的才
统
会用。
DRAM 几乎不支持DRAM
支持，对功耗不太要求的会用。