桂林电子科技大学2010年考研真题814材料学基础
桂林电子科技大学2018年《813材料科学基础(A)》考研专业课真题试卷
第1 页 共2 页 桂林电子科技大学2018年考研专业课真题试卷科目代码: 813 科目名称: 材料科学基础（A ）注意：答案必须全部写在考点提供的答题纸上，写在试题上无效；答案要标注题号，答题纸要填写姓名和考号，并标注页码与总页数；交卷时，将答题纸与试题一起装入原试卷袋，用我校提供的密封条密封并签名。
一 单项选择题（本大题共5小题，每小题3分，共15分）1. 对面心立方晶体而言，表面能最低的晶面是 .A 、 (100)；B 、(110)；C 、(111)；D 、(121)；2. 面心立方结构的铝中，每个铝原子在本层（111）面上的原子配位数为 。
A 、12；B 、6；C 、4；D 、33.已知聚氯乙烯的平均相对分子质量是27500，则其平均聚合度是 。
A 、4400；B 、4800；C 、3600；D 、50004．间隙相和间隙固溶体的区别之一是 。
A 、 间隙相结构比间隙固溶体简单；B 、 间隙相的间隙原子比间隙固溶体中的间隙原子大；C 、间隙相的固溶度比间隙固溶体大；D 、间隙相的结构和其组元的结构不同5. 在面心立方晶体结构的置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为 。
A. 原子互换机制；B.间隙机制；C.空位机制； D 环绕机制二、如图1所示，在一个立方晶胞中确定6个表面面心位置的坐标。
6个面心构成一个正八面体，指出这个八面体各个表面的晶面指数、各个棱边和对角线的晶向指数。
（本题共15分）图1三、 面心立方结构晶胞和体心立方结构晶胞中各有几种间隙，间隙个数各有几个？（本题共15分）四、简述铸锭典型组织。
（本题共15分）。
2016年桂林电子科技大学考研复试试题材料科学基础A卷
（1）标注出图中（I）、（II）、（III）、（IV）区域内的相。（4分）
（2）请问碳在奥氏体中的最大固溶度是多少？奥氏体属于空间点阵；碳在铁素体中的最大固溶度是多少？铁素体属于空间点阵。（4分）
10、由1、2两组元构成的体系，1组元的摩尔分数和扩散系数分别为X1和D1，2组元的摩尔分数和扩散系数分别为X2和D2，则该体系的互扩散系数为。
（A）X1·D1+X2·D2（B）X1·D1-X2·D2或X2·D2-X1·D1
（C）X1·D2+X2·D1（D）X1·D2-X2·D1或X2·D1-X1·D2
15、什么是细晶强化？细晶强化的机理是什么？
16、写出Hall-Petch公式，并说明公式中各字母的含义。材料在凝固的过程中，获得细晶粒的措施主要有哪些？
17、在同一晶胞中画出立方晶系中的 晶面以及 晶向。
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请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
五、综合题（共16分）
根据下图所示的Fe-Fe3C相图回答以下问题。
桂林电子科技大学硕士研究生入学考试复试试卷
考试科目代码：223考试科目名称：材料科学基础（A卷）
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
一、填空题（每题5分，共25分）
1、面心立方的密排面为，密排晶向为，配位数为，每一个晶胞中共有个原子，致密度为。
2、在位错发生滑移时，请分析螺型位错的位错线l与柏氏矢量b、外加切应力τ之间的夹角关系。
7、立方晶体中（110）面和（211）面同属于_________晶带
（A）[110]（B）[100]（C）[ 11]（D）[111]
桂林电子科技大学813材料科学基础（2013-A）2013年硕士研究生考研真题
第 1 页 共 2 页 桂林电子科技大学2013年研究生统一入学考试试题 科目代码：813 科目名称：材料科学基础（A ）（A 卷） 请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。
（各题标题字号为黑体五号字，题干字号为标准宋体五号字。
）1、若A 和B 之间的键合中离子特性所占的百分数可近似地用下式表示：()()[]10025.0exp 1(%)2´---=B A x x IC式中A x 和B x 分别为A 和B 元素的电负性。
已知Ti,O,In 和Sb 的电负性分别为1.5,3.5,1.7和1.9，试计算TiO 2和InSb 的()%IC . 依据计算结果说明化合物的特性。
(15分)2、标出面心立方晶胞中()111面上各点的坐标，面上各点的坐标，并判断并判断úûùêëé-111晶向是否位于()111面上，然后计算úûùêëé-111方向上的线密度。
(15分) 3、 (1) 若按照晶体的钢球模型，若球的直径不变，当Fe 从fcc 转变为bcc 时，计算其体积膨胀多少 （2）经X 射线衍射测定，在912℃时，α-Fe 的a=0.2892nm ，γ-Fe 的a=0.3633nm ，计算从γ-Fe 转变为α-Fe 时，其体积膨胀为多少？（2）与（1）相比，说明其产生的原因。
(15分)4 某固溶体中含有()MgO x 为30%，()LiF x 为70%。
（1）试计算该固溶体中--++22,,,O F Mg Li 的质量分数。
（2）若MgO 的密度为3.6g/cm 3，LiF 的密度为2.6g/cm 3，那么该固溶体的密度为多少？已知Mg 、O 、Li 、F 的相对原子质量分别为24.31、16.00、6.94和19.00.（15分）5 已知Al 为fcc 晶体结构，其点阵常数a=0.405nm ，在550℃时的空位浓度为6102-´，计算这些空位均匀分布在晶体中的平均间距。
814材料科学基础-第一章 原子结构与键合例题讲解
北京科技大学材料科学与工程专业814 材料科学基础主讲人：薛老师第一章 原子结构与键合典型例题讲解1.金属键（01,04年）答：解题思路：是什么？为什么？怎么样？（1）由金属中自由电子与金属正离子相互作用所构成的键合称为为金属键。
其强弱和自由电子的多少、离子半径以及电子层结构等许多因素有关；（2）既无饱和性又无方向性，因而原子趋于与更多原子结合，形成低能量的密堆结构；（3）金属键在金属受外力时不易被破坏，因而使得金属具有良好的延展性；（4）公有化电子，且由于存在自由电子，因此金属导电、导热性良好；（5）密堆结构且相对原子质量大，因此金属密度较大。
2 离子键答：（1）金属原子将自己最外层的价电子给予非金属原子，使自己成为带正电的正离子，而非金属原子得到价电子后使自己成为带负电的负离子，这样，正负离子依靠它们之间的静电引力结合在一起，这种结合力就是离子键。
（2）无饱和性、无方向性；（3）正负离子相间排列（4）大多数盐类、碱类和金属氧化物主要以离子键方式结合。
（5）离子晶体中正负离子静电引力较强，结合牢固，因而导致离子晶体熔点和硬度较高；（6）离子晶体中很难产生自由电子，因此导热、导电性差3 结合键有哪几种？分别有什么特点？答：是由原子结合成分子或固体的方式以及结合力的大小。
结合键主要分为化学键和物理键两类。
（1）金属键。
特点：金属自由电子与正离子相互吸引；键能较强；无饱和性与方向性；导电导热性能好，熔点较高。
（2）离子键。
特点：正负离子相互吸引而成；键能很强；无饱和性与方向性；导电导热性能差，熔点、硬度很高。
（3）共价键。
特点：相邻原子的共用电子对结合而成；键能强，有饱和性和方向性；导电导热性差，熔点、硬度较高。
（4）范德瓦尔斯力。
特点：近邻原子间瞬时的电偶极矩作用；键能较弱，大小与相对分子质量有关；无饱和性和方向性；（5）氢键。
特点：氢原子核与相邻分子的引力作用；键能弱；有方向性和饱和性、是一种介于化学键和范德瓦尔斯力之间的键。
2017年广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题A卷
2017年广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题A卷一、填空题（每题4分，共24分）1、体心立方的配位数为，每一个晶胞中共有个原子。
2、面心立方的致密度为，密排面为。
3、晶体中位错的基本类型分为和。
4、位错在晶体中运动有两种方式：和。
5、材料发生扩散的根本原因是；材料发生凝固的必要条件是。
6、金属材料在外力的作用下发生变形与断裂，一般要经历、和断裂三个阶段。
二、单项选择题（每题3分，共15分）7、共价键的特点是（A）有方向性（B）无饱和性（C）结合力较弱8、晶体学中，根据点阵参数之间的关系和特点划分为_________个晶系（A）5 （B）7 （C）99、在一定温度下具有一定平衡浓度的缺陷是（A）点缺陷（B）位错（C）晶界10、在均匀形核的过程中，当初始晶核为时，所需的临界形核功最小。
（A）球形（B）立方体形（C）圆柱体形11、多晶体发生塑性变形，至少需要个独立的滑移系。
（A）1 （B）3 （C）5三、名词解释（任选三个作答，每题4分，共12分）12、晶胞；13、显微组织；14、位错；15、共晶转变；16、珠光体四、简答分析题（任选三题作答，每题10分，共30分）17、什么是细晶强化？细晶强化的机理是什么？18、材料在凝固的过程中，获得细晶粒的三个主要措施是什么？19、什么是置换型固溶体，影响固溶体溶解度的因素有哪些？20、在同一晶胞中画出立方晶系中的)321(晶面以及]121[晶向。
五、综合题（共19分）21、根据下图所示的Ag－Cu二元合金相图，请分析以下问题。
（1）写出图中的液相线、固相线、共晶反应线；（3分）（2）Cu在Ag中的固溶度曲线是，最大固溶度为多少？Ag在Cu中的固溶度曲线是，最大固溶度为多少？（4分）（3）计算w(Cu)=60%的Ag-Cu合金（yy 线）在M点对应温度下β相和液相的相对含量；（3分）（4）英磅的银币中含有92.5wt.%的Ag和7.5wt.%的Cu，试根据Ag-Cu相图，说明选择这一成份，而不是纯Ag制造银币的原因。
桂林电子科技大学2006-2010年学科建设与研究生教育发展规划
桂林电子科技大学2006~2010年学科建设与研究生教育发展规划发布时间：2007-3-22 14:59:24 阅读：23904次一、近期拟建设规划的学位授权点1. 本期拟建设增列的博士学位授权学科点数量、名称2006年拟建设增列的博士点数量、名称2007年拟建设增列的博士点数量、名称2009年拟建设增列的博士点数量、名称2.本期拟建设增列的硕士学位授权学科点数量、名称2006年拟建设增列的硕士点数量、名称2007年拟建设增列的博士点数量、名称2009年拟建设增列的博士点数量、名称3.本期拟建设增列的专业硕士学位授权学科点数量、名称2006年拟建设增列的工程硕士专业学位及其他专业学位MBA工业工程工业设计工程2007年拟建设增列的工程硕士专业学位及其他专业学位物流工程仪器仪表工程环境工程光学工程2009年拟建设增列的工程硕士专业学位及其他专业学位项目管理生物医学工程二、论证报告1. 我校现状我校是一所以电子信息类专业为主，机电结合，兼有理、文、管、教、法、经等多学科的高等工科院校。
现有36个本科专业，6个国家管理专业点，18个硕士学位授权点，3个工程硕士专业学位领域，1个联合培养博士点。
4个广西区重点建设学科，7个原信息产业部重点学科，5个广西区重点建设实验室，3个原信息产业部重点实验室，18个研究所（室）。
在校本专科人数10000多人，研究生近1000人，经过四十六年发展建设，学院在教学、科研等方面有了长足的进步，形成了一整套管理规章制度，校风严谨，校纪严明，为国家信息事业培养了一大批电子技术合格人才。
2. 我校中长期发展目标根据学校教育事业“十五”计划和2015年长远规划，结合形势发展要求，二十一世纪头二十年，学校的定位和发展目标是：以教学为中心，大力发展科学研究，为区域社会发展与经济建设、国防和电子信息行业发展服务，培养知识结构合理、基础扎实，适应能力强，具有创新精神和实践能力的复合型人才；把学校建设成为电子信息类学科优势突出，工、商、理、文、教、法、经等多学科相互渗透、协调发展，在人才培养、运行机制和产学研结合等方面具有鲜明特色、高水平的多科性教学研究型大学。
北京科技大学814材料科学基础2010-2014年考研专业课历年真题汇编
北京科技大学
2014年硕士学位研究生入学考试试题=============================================================================================================试题编号：814试题名称：材料科学基础（共3页）
适用专业：材料科学与工程，材料工程（专业学位）
说明：所有答案必须写在答题纸上，做在试题或草稿纸上无效。
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一.简述题（5分/小题，共30分）
1.再结晶温度
2.相平衡条件
3.上坡扩散
4.空间点阵
5.堆垛层错
6.临界分切应力
二、分别回答后述几个问题：1.指出金属液相结晶时的热力学条件，它一定
需要过冷吗？为什么？2.如何确定液相结晶时的临界晶核半径，在相同
的过冷度下，均匀形核与非均匀形核的临界晶核半径和临界晶核形成能哪
个大？为什么？3.反过来，结晶金属熔化时一定需要过热吗？为什么？
4.能否用经典形核理论讨论再结晶的形核，为什么？（20分）
三、回答以下问题：1.晶体缺陷主要有哪几种？2.其中点缺陷主要有哪两种?
有哪些方法或手段可提高其数量？3.当点缺陷扩散到刃位错周围时，会
出现什么现象？位错的运动受到怎样的影响？4.如果点缺陷扩散到一般
大角晶界上，又会出现什么现象？晶界的运动受到怎样的影响？(20分)。
1。
桂林电子科技大学材料科学基础B2013—2018年考研真题试题
第 1 页共 3 页桂林电子科技大学2013年研究生统一入学考试试题
（A 卷）
科目代码：909 科目名称：材料科学基础（B ）请注意：答案必须写在答题纸上（写在试题上无效）。
一、名词解释（任选6题作答，每题5分，共30分）
1、晶面间距；
2、肖特基缺陷；
3、刃型位错；
4、非均匀形核；
5、柯肯达尔效应；
6、莱氏体；
7、桥氧；
8、烧结
二、简答题（任选4题作答，每题10分，共40分）
1、证明理想密排六方结构晶体的轴比
c/a 为1.633。
2、什么是细晶强化？简述细晶强化的机理。
3、什么是置换固溶体？影响置换固溶体溶解度的因素有哪些？形成无限固溶体的必要条件是什么？
4、简述F-R （弗兰克-瑞德）位错增殖机制，并予以图示。
5、NaCl 溶入CaCl 2中形成空位型固溶体，请写出其缺陷反应式。
6、试描述固相烧结过程中三个阶段的特点？
三、分析题（任选2题作答，每题15分，共30分）
1、在同一晶胞中画出立方晶系中的晶面以及晶向。
)321(]123[2、分析位错反应能否发生？（要求写出判断依据）。
]111[3]
211[6]110[2a
a
a 3、根据Al 2O 3-SiO 2系统相图（下图）说明，为了保持较高的耐火度，在生产硅砖时应注意什么？。