APPSA04-41SGWA中文资料
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APPSA04-41SYKWA中文资料
Absolute Maximum Ratings at TA=25°C °
P ar am et er Power dissipation DC Forward Current Peak Forward Current [1] Reverse Voltage Operating/Storage Temperature
Note: 1. 1/10 Duty Cycle, 0.1ms Pulse Width.
Su p er B r ig h t Yello w 125 30 175 5 -40° C To +85°C
Un its mW mA mA V
SPEC NO:DSAB3096 APPROVED : J. Lu
REV NO: V.3 CHECKED: Joe Lee
Electrical / Optical Characteristics at TA=25°C °
Sy m b o l λpeak λD ∆λ1/2 C VF IR P ar am et er Peak Wavelength Dominate Wavelength Spectral Line Half-width Capacitance Forward Voltage Reverse Current D ev i c e Super Bright Yellow Super Bright Yellow Super Bright Yellow Super Bright Yellow Super Bright Yellow Super Bright Yellow Ty p . 590 590 20 20 2.0 2.5 10 Max . Un its nm nm nm pF V uA Tes t Co n d it io n s I F =20mA I F =20mA I F =20mA VF=0V;f=1MHz I F =20mA V R = 5V
AD2S80A中文手册
Rev. B
Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Speci cations subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.
分辨率可变的单芯片 旋变数字转换器 AD2S80A
单芯片(BiMOS ll) R/D转换器 40引脚DIP封装 44引脚LCC封装 10/12/14/16位分辨率由用户设置 比率转换 低功耗：300 mW（典型值） 动态性能由用户设置 高跟踪速率：1040 RPS（10位，最大值） 速度输出 工业温度范围版本 军用温度范围版本 2类ESD防护（2,000 V，最小值） 提供/883 B产品
弧分 弧分 弧分 代码 代码
% FSD % FSD mV µV/°C % FSD V % rm s O /P kΩ V mA
1 mA负载 均值 过压保护 短路输出保护 10、12、14和16 双向自然二进制 逻辑LO至INHIBIT 逻辑LO使能位置 输出。逻辑HI输出处于 高阻抗状态 MS Byte DB1–DB8、 LS Byte DB9–DB16 LS Byte DB1–DB8、 LS Byte DB9–DB16 内部拉高 (100 kΩ)至+VS 10位 12位 14位 16位
Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Speci cations subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.
分辨率可变的单芯片 旋变数字转换器 AD2S80A
单芯片(BiMOS ll) R/D转换器 40引脚DIP封装 44引脚LCC封装 10/12/14/16位分辨率由用户设置 比率转换 低功耗：300 mW（典型值） 动态性能由用户设置 高跟踪速率：1040 RPS（10位，最大值） 速度输出 工业温度范围版本 军用温度范围版本 2类ESD防护（2,000 V，最小值） 提供/883 B产品
弧分 弧分 弧分 代码 代码
% FSD % FSD mV µV/°C % FSD V % rm s O /P kΩ V mA
1 mA负载 均值 过压保护 短路输出保护 10、12、14和16 双向自然二进制 逻辑LO至INHIBIT 逻辑LO使能位置 输出。逻辑HI输出处于 高阻抗状态 MS Byte DB1–DB8、 LS Byte DB9–DB16 LS Byte DB1–DB8、 LS Byte DB9–DB16 内部拉高 (100 kΩ)至+VS 10位 12位 14位 16位
AO4803A;中文规格书,Datasheet资料
2oz. Copper, assuming a maximum junction temperature of TJ(MAX)=150°C. The SOA curve provides a single pulse rating.
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN, FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
Gate-Source Voltage
VGS
Continuous Drain
TA=25°C
Current
TA=70°C
Pulsed Drain Current C
Avalanche Current C
Avalanche energy L=0.1mH C
ID
IDM IAS, IAR EAS, EAR
TA=25°C Power Dissipation B TA=70°C
PD
Junction and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
Maximum -30 ±20 -5 -4 -30 17 14 2 1.3
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN, FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
Gate-Source Voltage
VGS
Continuous Drain
TA=25°C
Current
TA=70°C
Pulsed Drain Current C
Avalanche Current C
Avalanche energy L=0.1mH C
ID
IDM IAS, IAR EAS, EAR
TA=25°C Power Dissipation B TA=70°C
PD
Junction and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
Maximum -30 ±20 -5 -4 -30 17 14 2 1.3
AK4311A-VM资料
2's complement MSB-first data is input on this pin.
9 LRCK
I L/R Clock Pin
10 CDATA
I Control Data Input Pin
Must be tied to "H" or "L" if this pin is not used.
11 CCLK
I Control Clock Input Pin
Must be tied to "H" or "L" if this pin is not used.
12 CS
I Chip Select Pin
Must be tied to "H" if this pin is not used.
13 TST2
6 CLKO
O Clock Buffer Output Pin, Inverting clock output of XTI
7 BICK
I Serial Bit Input Clock Pin
This clock is used to latch audio data.
8 SDATA
I Audio Data Input Pin
Symbol
min
AVDD
-0.3
DVDD
-0.3
IIN
-
VIND
-0.3
Ta
-10
Tstg
-65
[AK4311A]
max 6.0 AVDD+0.3 ±10 AVDD+0.3 70 150
Units V V mA V °C °C
A4504中文资料
上图是典型的功率器件接口电路以及时序图；
众所周知，当功率管IPM开关工作时，原则上是绝对不能使上下两臂同时导通的。
即使在高下稍有交迭也会潜在威胁功率管和周遍电路，特别是在大电流状态下。
防止这一现象的办法是一只的时候必须确保他的对管已经完全关闭。
在此加入了一段小小的延时，被称之为“死区”。
如何缩是工程师的一项重要的课题。
“开通”IPM延时时间取决于光耦的寄生延时数据又要参照IPM的驱动电路，其中重要的是参大和最小延时时间，上图的LED是输入电压，OUT是输出电压。
大多数设计应用是：当输入为高电打开。
那么根据图上下输入的需要延时的时间至少应该是（tPLHmax-tPHLmin），此数据在手册上大多数情况下，IPM数据手册给定的死区时间是大于光耦所规定的最少要求延时的。
HCPL-4504高速光耦与IPM连接的例图：
设计注意：
1：7脚8脚需要短路连接；
2：IPM功率越大上拉电阻值越小；
3：光耦副边的引线须尽量小于2cm；
1)与DIP-IPM连接原理图：（见DIP-IPM设计手册）
2）与通用IPM连接原理图：
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红芯半导体产品手册2014
量产 OB2358,CR6224
产品应用:电源适配器,绿色家电内部电源,交流电LED照明驱动,电池充电器
Redchip Semiconductor 深圳市红芯半导体有限公司产品手册（2014年）
马达驱动芯片
产品型号 输入 驱动电流 静态电流 待机电流
热保护
RS117/118 1.8-7.2V 1.5A 300uA 0.1uA
±1%
50uA
ESOP8
量产
TP4056,ME4057, AP5056/5057, CE4056,FP8102, WS4503
产品应用:移动电源,手机,MP3/MP4播放器,无绳电话,数码相机,数码相框,摄像机,迷你音箱,电子辞典,无线耳机,无线键鼠
LED驱动芯片
产品型号
最大输出
输入
控制方式 典型效率
产品型号输入输出输出电流控制模式开关频率效率封装状态替代产品型号rs6291266v可调1apfmpwm1m88sot236量产fp6291sy7208ce8310td8208产品型号输入最大充电电流控制拓补充饱电压电压精度静态电流封装状态替代产品型号rs40544375v800ma线性42v150uasot235量产ltc4054me4054ap5054ce4054bl4054an4054ws4502rs40554375v800ma线性42v150uasot236量产se9017me4055spc8204rs40564375v1000ma线性42v150uaesop8量产tp4056me4057ap50565057ce4056fp8102ws4503产品型号输入最大输出功率控制方式典型效率调光功率管封装状态替代产品型号rs912885265v25wbuck90内置sop8dip8量产r912xbp283xpt698xrs312285265v5wdcm78内置sop8量产bp3122cl1221lis851xsm75237525rs99204524v可调pfm90外置sot236量产qx9920产品型号输入ac最大输出功率控制模式待机功耗开关频率功率管封装状态替代产品型号rs620385265v15wpwm03w可调内置dip8量产thx203rm6203cre6203me81018105sdc603ln5r12cviper1222ap801222rs235485265v16wpwm03w50k内置dip8量产ob2354cr6224rs235885265v27wpwm03w50k内置dip8量产ob2358cr6224redchipsemiconductor深圳市红芯半导体有限公司产品手册2014年升压dcdc转换器产品应用
sg-004a使用手册
sg-004a使用手册摘要：一、sg-004a使用手册概述二、sg-004a的功能与特点三、sg-004a的安装与配置1.准备工作2.安装步骤3.配置步骤四、sg-004a的使用方法1.基本操作2.高级功能五、sg-004a的维护与故障排除1.日常维护2.常见故障排除六、sg-004a的软件升级与更新七、结论正文：sg-004a使用手册sg-004a是一款功能强大的设备，本手册将详细介绍sg-004a的使用方法、功能特点以及维护技巧。
一、sg-004a使用手册概述sg-004a使用手册旨在为用户提供一个详细的操作指南，帮助用户更好地了解sg-004a的功能、安装、配置和使用方法。
通过本手册，用户可以掌握sg-004a的操作技巧，确保设备稳定运行，提高工作效率。
二、sg-004a的功能与特点sg-004a具有以下主要功能和特点：1.高性能处理器，处理速度快，响应迅速；2.大容量内存，满足多种应用场景需求；3.丰富的接口，可连接多种外部设备；4.稳定的系统，保证长时间运行不断电；5.节能环保，低功耗设计，节省能源。
三、sg-004a的安装与配置1.准备工作在开始安装前，请确保设备已经验收合格，并准备好相关工具和配件，如螺丝刀、螺丝等。
2.安装步骤（1）首先，将sg-004a放置在合适的位置，确保地面平整，避免设备摇晃。
（2）然后，将设备底部的螺丝拧下，拆开底盖。
（3）接着，按照图纸连接电源线、数据线等，注意接线顺序和颜色对应。
（4）最后，将底盖重新安装，拧紧螺丝。
3.配置步骤（1）打开设备电源，待设备启动后，进入配置界面。
（2）根据需求设置设备参数，如时钟、网络配置等。
（3）配置完成后，保存设置，并重启设备。
四、sg-004a的使用方法1.基本操作（1）接通电源，启动设备。
（2）根据需求，连接外部设备。
（3）运行相关应用程序，开始工作。
2.高级功能（1）设备管理：查看设备状态、性能等信息。
（2）数据备份与恢复：定期备份数据，防止数据丢失。
M1A3P250-1FG144中文资料(microsemi)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
以ProASIC3器件做出参考也适用于ARM功能ProASIC3器件.该ARM功能部件号开始与M1（Cortex-M1）.
IV
v1.3
芯片中文手册,看全文,戳
1 - ProASIC3器件系列简介
概述
超出ProASIC功能
PLUS® 家庭.非易失性闪存技术使ProASIC3
设备是安全,低功耗,单芯片解决方案,上电即行（LAPU）优势.ProASIC3再编程,提供时间将
表 2•
ProASIC3 FPGA包装规格尺寸
包
QN48 CS121
长 ×宽 （毫米 \毫米）
6×6
6×6
标称面产品
(mm 2)
36
36
间距（ mm）
0.4
0.5
高度（ mm）
0.90
0.99
QN68 8×8
64
0.4 0.90
QN132 8×8
VQ100 14 × 14
28 × 28
低电量
•核心电压低功耗
•支持1.5 V-只有系统
•低阻抗闪光灯开关
高性能路由层次
•分段,分层路由和时钟结构
高级I / O
•700 MbpsDDR,LVDS,有能力I / O（A3P250及以上）
•1.5 V,1.8 V,2.5 V和3.3 V混合电压操作
表格 1 • ProASIC3产品系列
ProAS IC3器 件
ProASIC3器件支持ARM Cortex-M1处理器. ARM设备有开头M1A3P（Cortex-M1）和不支持 AES解密Actel订购数量.
闪存优点
降低购置成本
优点设计师超出低单位成本,性能和易用性.不比 基于SRAMFPGA,以Flash为基础ProASIC3器件允许所有功能是住在电;没有外部引导PROM是必需.上 电路板安全机制防止访问所有节目安排信息并启用FPGA逻辑安全远程更新.设计人员 可以进行安全远程在系统编程,以支持未来设计迭代和现场升级与信心,有价值知识产 权（IP）不能被复制或受到威胁.安全ISP可以使用行业标准AES算法来执行. ProASIC3系 列器件结构减轻需要在更高用户容量ASIC移植.这使得ProASIC3系列具有成本效益ASIC替代 解决方案,尤其是在消费类,网络/通信,计算,和航空电子市场应用程序.
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元器件交易网
SURFACE MOUNT DISPLAY
APPSA04-41SGWA SUPER BRIGHT GREEN
Features
!0.4
Description
The Super Bright Green source color devices are made with Gallium Phosphide Green Light Emitting Diode.
PAGE: 3 OF 5
元器件交易网
APPSA04-41SGWA SMT Reflow Soldering Instructions
Number of reflow process shall be less than 2 times and cooling process to normal temperature is required between first and second soldering process.
Spectral Line Half-width Super Bright Green Capacitance Forward Voltage Reverse Current Super Bright Green Super Bright Green Super Bright Green
Absolute Maximum Ratings at TA=25°C °
PAGE: 2 OF 5
元器件交易网
Super Bright Green
APPSA04-41SGWA
SPEC NO: DSAB3091 APPROVED : J. Lu
REV NO: V.3 CHECKED : Joe Lee
DATE:MAR/31/2003 DRAWN:Y.H.LI
P ar am et er Power dissipation DC Forward Current Peak Forward Current [1] Reverse Voltage Operating/Storage Temperature
Note: 1. 1/10 Duty Cycle, 0.1ms Pulse Width.
Recommended Soldering Pattern (Units : mm)
SPEC NO: DSAB3091 APPROVED : J. Lu
REV NO: V.3 CHECKED : Joe Lee
DATE:MAR/31/2003 DRAWN:Y.H.LI
PAGE: 4 OF 5
元器件交易网
INCH CHARACTER HEIGHT. CURRENT OPERATION. CONTRAST AND LIGHT OUTPUT. MOUNTING ON P.C. BOARDS OR SOCKETS. FOR LUMINOUS INTENSITY. RUGGED.
!LOW ! HIGH
! EASY
° Electrical / Optical Characteristics at TA=25°C
Sy m b o l λpeak λD ∆λ1/2 C VF IR P ar am et er Peak Wavelength Dominate Wavelength D ev i c e Super Bright Green Super Bright Green Ty p . 565 568 30 15 2.2 2.5 10 Max . Un its nm nm nm pF V uA Tes t Co n d it io n s I F =20mA I F =20mA I F =20mA VF=0V;f=1MHz I F =20mA V R = 5V
!CATEGORIZED
!MECHANICALLY ! GRAY
FACE, WHITE SEGMENT. : 800PCS / REEL.
! PACKAGE
Package Dimensions & Internal Circuit Diagram
D i g i t a l l y s i
Notes: 1. All dimensions are in millimeters (inches), Tolerance is ±0.25(0.01")unless otherwise noted. 2. Specifications are subject to change without notice.
Tape Specifications (Units : mm)
SPEC NO: DSAB3091 APPROVED : J. Lu
REV NO: V.3 CHECKED : Joe Lee
DATE:MAR/31/2003 DRAWN:Y.H.LI
PAGE: 5 OF 5
Su p er B r ig h t Gr een 105 25 140 5 -40°C To +85°C
Un its mW mA mA V
SPEC NO: DSAB3091 APPROVED : J. Lu
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
REV NO: V.3 CHECKED : Joe Lee
DATE:MAR/31/2003 DRAWN:Y.H.LI
SPEC NO: DSAB3091 APPROVED : J. Lu
REV NO: V.3 CHECKED : Joe Lee
DATE:MAR/31/2003 DRAWN:Y.H.LI
PAGE: 1 OF 5
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Selection Guide
P ar t N o . Dic e L en s Ty p e Iv (u c d ) @ 10 m A Min . APPSA04-41SGWA SUPER BRIGHT GREEN(GaP) WHITE DIFFUSED 1900 Ty p . 7500 Common Anode,Rt. Hand Decimal D es c r i p t i o n
SURFACE MOUNT DISPLAY
APPSA04-41SGWA SUPER BRIGHT GREEN
Features
!0.4
Description
The Super Bright Green source color devices are made with Gallium Phosphide Green Light Emitting Diode.
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APPSA04-41SGWA SMT Reflow Soldering Instructions
Number of reflow process shall be less than 2 times and cooling process to normal temperature is required between first and second soldering process.
Spectral Line Half-width Super Bright Green Capacitance Forward Voltage Reverse Current Super Bright Green Super Bright Green Super Bright Green
Absolute Maximum Ratings at TA=25°C °
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Super Bright Green
APPSA04-41SGWA
SPEC NO: DSAB3091 APPROVED : J. Lu
REV NO: V.3 CHECKED : Joe Lee
DATE:MAR/31/2003 DRAWN:Y.H.LI
P ar am et er Power dissipation DC Forward Current Peak Forward Current [1] Reverse Voltage Operating/Storage Temperature
Note: 1. 1/10 Duty Cycle, 0.1ms Pulse Width.
Recommended Soldering Pattern (Units : mm)
SPEC NO: DSAB3091 APPROVED : J. Lu
REV NO: V.3 CHECKED : Joe Lee
DATE:MAR/31/2003 DRAWN:Y.H.LI
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INCH CHARACTER HEIGHT. CURRENT OPERATION. CONTRAST AND LIGHT OUTPUT. MOUNTING ON P.C. BOARDS OR SOCKETS. FOR LUMINOUS INTENSITY. RUGGED.
!LOW ! HIGH
! EASY
° Electrical / Optical Characteristics at TA=25°C
Sy m b o l λpeak λD ∆λ1/2 C VF IR P ar am et er Peak Wavelength Dominate Wavelength D ev i c e Super Bright Green Super Bright Green Ty p . 565 568 30 15 2.2 2.5 10 Max . Un its nm nm nm pF V uA Tes t Co n d it io n s I F =20mA I F =20mA I F =20mA VF=0V;f=1MHz I F =20mA V R = 5V
!CATEGORIZED
!MECHANICALLY ! GRAY
FACE, WHITE SEGMENT. : 800PCS / REEL.
! PACKAGE
Package Dimensions & Internal Circuit Diagram
D i g i t a l l y s i
Notes: 1. All dimensions are in millimeters (inches), Tolerance is ±0.25(0.01")unless otherwise noted. 2. Specifications are subject to change without notice.
Tape Specifications (Units : mm)
SPEC NO: DSAB3091 APPROVED : J. Lu
REV NO: V.3 CHECKED : Joe Lee
DATE:MAR/31/2003 DRAWN:Y.H.LI
PAGE: 5 OF 5
Su p er B r ig h t Gr een 105 25 140 5 -40°C To +85°C
Un its mW mA mA V
SPEC NO: DSAB3091 APPROVED : J. Lu
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
REV NO: V.3 CHECKED : Joe Lee
DATE:MAR/31/2003 DRAWN:Y.H.LI
SPEC NO: DSAB3091 APPROVED : J. Lu
REV NO: V.3 CHECKED : Joe Lee
DATE:MAR/31/2003 DRAWN:Y.H.LI
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Selection Guide
P ar t N o . Dic e L en s Ty p e Iv (u c d ) @ 10 m A Min . APPSA04-41SGWA SUPER BRIGHT GREEN(GaP) WHITE DIFFUSED 1900 Ty p . 7500 Common Anode,Rt. Hand Decimal D es c r i p t i o n