哈工大电力电子作业9-10章

黑龙江省精品课程

电力电子技术基础

作业（9-10章）

06

1006141

覃敏亮

第9章电力电子器件应用的共性问题

P206, 9-1；

电力电子器件的驱动电路是电力电子主电路与控制电路之间的接口，是电力电子装置的重要环节，对整个装置的性能有很大的影响。采用性能良好的驱动电路可使电力电子器件工作在比较理想的开关状态,可缩短开关时间,减少开关损耗,对装置的运行效率、可靠性和安全性都有着重要意义。另外，对电力电子器件或整个装置的一些保护措施也往往就将近设在驱动电路中，或者通过驱动电路来实现，这使得驱动电路的设计更为重要。

9-3；

晶闸管触发电路应满足下列要求：

１）触发脉冲的宽度应保证晶闸管的可靠导通；

２）触发脉冲应有足够的幅度，对户外寒冷场合，脉冲电流的幅度应增大为器件最大触发电流的3-5倍，脉冲前沿的陡度也需增加，一般需达到1-2A/US。

３）所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额，且在门极伏安特性的可靠出发区域之内。

４）应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。

IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。

GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗；关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。

GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。

电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。

9-6。

答:缓冲电路又称为吸收电路，可以分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。关断缓冲电路又称为du/dt 抑制电路，开通缓冲电路又称为di/dt抑制电路。将关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一起，称为复合缓冲电路。还可以分类方法：缓冲电路中储能元件的能量如果消耗在其吸收电阻上，则被称为耗能式缓冲电路；如果缓冲电路能将其储能元件的能量回馈给负载或者电源，则被称为馈能式缓冲电路，或称为无损吸收电路。

全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压,du/dt或过电流和di/dt, 减小器件的开关损耗。

RCD缓冲电路中,各元件的作用是: 开通时,Cs经Rs放电,Rs起到限制放电电流的作用;关断时,负载电流经VDs从Cs分流,使du/dt减小,抑制过电压。

补充：

1.关于全控型器件的关断缓冲电路，解答下列问题：

1）关断缓冲电路的主要作用是什么

2）画出IGBT的RCD缓冲电路的配置图，并分析RCD缓冲电路的工作原理及其中各组件的作用。

3）结合图9－1说明有、无RCD缓冲电路时，IGBT器件关断时分别应按照那条电压电流线（工作点轨迹）转移标出转移的方向，并说明理由。

CE

i

图9－1 关断时的电压电流轨线

4）IGBT的正向安全工作区是如何定义的在图9－1中画出安全工作区的大致范围，并结

合安全工作区和工作点转移轨迹说明缓冲电路的作用。

答：

１）抑制关断时由线路电感产生的感应电动势抑制损耗。

２）

工作原理：V关断时，L上产生的感应电动势，能经Cs，V

ds，

负载释放能量，给Cs充电

Cs作用：抑制过电压

V

ds

作用：提供充电回路，减小损耗

Rs作用：提供放电电路

３）

有RCD缓冲电路时，按ADC转移；无RCD缓冲电路时，按ABC转移

关断前的工作点在A点，无缓冲电路时，U

ce

迅速上升，在负载上的感应电压使许

留二极管VD开始导通，负载线从A移动到B，之后i

c

才开始下降到漏电流的大小，

负载线随之移动到C。有缓冲电路时，由于Cs的分流使i

c 在U

ce

开始上升的同时就下

降，因此负载线经过D达到C。

4）

安全工作区：根据最大集电极电流，最大集射间电压和最大集电极功耗可以确定IGBT在导通工作状态的参数极限范围

如图斜线区为安全工作的大致范围。

负载线打到B时已经超出安全工作区，使V收到损坏，而负载线ADC是安全的，即有缓冲电路时更安全。而且，ADC经过的都是小电流，小电压区域，器件的关断损耗也比无缓冲电路时大大降低。

2. 画出SCR、GTO、GTR、电力MOSFET和IGBT理想驱动信号的波形，并结合器件的特性分析为什么上述波形是理想的驱动信号的波形

SCR：I

m

的强脉冲幅值为最大触发电流的3-5倍，保证晶闸管

可靠开启。t

1-t

2

为脉冲上升时间，小于1us，使脉冲前

沿有足够的陡度。t

2-t

3

强脉冲时间，强脉冲需要持续一

段时间，保证晶闸管能保持t

3-t

4

脉冲平顶时间，保证触

发后能持续导通。

GTO:GTO对脉冲前沿的幅值和陡度要求很高，且一般需在整个

导通期间施加正门极电流，使GTO关断需施加负门极电流，

对其幅值和陡度的要求更高。

GTR:与GTO类似，只是导通时间的脉冲前沿陡度没有GTO要求

高。关断时前沿陡度也没有GTO要求高。

电力MOSFET：MOSFET需要较快的正向驱动电压，关断时也需要

一定幅值负驱动电压。

IGBT：与MOSFET类似，只是正驱动电压较高，关断时，负驱动

电压较快。

3.图9-2(a)、9-2(b)和9-2(c)分别是哪种电力电子器件的典型驱动电路并简述理由。分别说明每个驱动电路中放大环节和隔离环节是如何实现的。