教你选择合适的晶体振荡器
晶振选型指南
恒温晶振、温补晶振选用指南晶体振荡器被广泛应用到军、民用通信电台，微波通信设备，程控电话交换机，无线电综合测试仪，BP机、移动电话发射台，高档频率计数器、GPS、卫星通信、遥控移动设备等。
它有多种封装，特点是电气性能规范多种多样。
它有好几种不同的类型：电压控制晶体振荡器（VCXO）、温度补偿晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO），以及数字补偿晶体振荡器（MCXO或DTCXO）,每种类型都有自己的独特性能。
如果您需要使您的设备即开即用，您就必须选用VCXO或温补晶振，如果要求稳定度在0.5ppm以上，则需选择数字温补晶振（MCXO）。
模拟温补晶振适用于稳定度要求在5ppm～0.5ppm之间的需求。
VCXO只适合于稳定度要求在5ppm以下的产品。
在不需要即开即用的环境下，如果需要信号稳定度超过0.1ppm 的，可选用OCXO。
频率稳定性的考虑晶体振荡器的主要特性之一是工作温度内的稳定性，它是决定振荡器价格的重要因素。
稳定性愈高或温度范围愈宽，器件的价格亦愈高。
工业级标准规定的-40～+75℃这个范围往往只是出于设计者们的习惯，倘若-30～+70℃已经够用，那么就不必去追求更宽的温度范围。
设计工程师要慎密决定特定应用的实际需要，然后规定振荡器的稳定度。
指标过高意味着花钱愈多。
晶体老化是造成频率变化的又一重要因素。
根据目标产品的预期寿命不同，有多种方法可以减弱这种影响。
晶体老化会使输出频率按照对数曲线发生变化，也就是说在产品使用的第一年，这种现象才最为显著。
例如，使用10年以上的晶体，其老化速度大约是第一年的3倍。
采用特殊的晶体加工工艺可以改善这种情况，也可以采用调节的办法解决，比如，可以在控制引脚上施加电压（即增加电压控制功能）等。
与稳定度有关的其他因素还包括电源电压、负载变化、相位噪声和抖动，这些指标应该规定出来。
对于工业产品，有时还需要提出振动、冲击方面的指标，军用品和宇航设备的要求往往更多，比如压力变化时的容差、受辐射时的容差，等等。
晶振与晶体的参数详解
晶振与晶体的参数详解晶振和晶体是电子器件中常见的元器件，被广泛应用于各种电子设备中。
下面将详细解释晶振和晶体的参数及其作用。
首先，我们来解释一些晶振的参数：1.频率：晶振频率是指晶振器产生的振荡信号的频率。
晶振的频率通常通过外部电路进行调节，可以根据需要选择不同的频率值。
2.稳定度：晶振的稳定度是指晶振器在一段时间内产生的频率变化范围。
晶振的稳定度越高，产生的频率变化越小，可以提供更稳定、可靠的时钟信号。
3.温度系数：晶振的温度系数是指晶振器频率随温度变化的比例。
温度系数越小，晶振器的频率随温度变化的影响越小。
4.驱动能力：晶振的驱动能力是指晶振器输出信号的电流或电压幅度。
不同的应用场景需要不同幅度的驱动能力。
5.电源电压：晶振器需要一定的电源电压才能正常工作，通常以工作电压范围表示。
接下来，我们来解释一些晶体的参数：1.晶体结构：晶体的结构是指晶体的原子排列方式。
晶体结构可以分为立方晶体、六方晶体、斜方晶体等。
2.晶体尺寸：晶体尺寸是指晶体的长度、宽度和厚度。
晶体的尺寸可以影响晶体的振荡频率和稳定度。
3.谐振频率：晶体的谐振频率是指晶体在特定尺寸和结构下能够实现最佳振荡的频率。
4.谐振模式：晶体的谐振模式是指晶体在振荡时所产生的振动模式，可以分为纵向谐振模式、横向谐振模式等。
5.振荡电路：晶体需要通过外部的振荡电路来产生振荡信号。
振荡电路的设计和参数设置可以影响晶体的性能和稳定度。
晶振和晶体在电子设备中具有重要的作用，主要用于提供稳定的时钟信号和振荡信号。
晶振器通过晶体的振荡产生稳定的信号，可以被用作时钟信号源，用于同步控制电路的工作。
晶振器通常被广泛应用于各种电子设备中，例如计算机、通信设备、汽车电子等。
总结起来，晶振和晶体在电子器件中扮演重要角色，他们的参数和性能直接影响着整个电子设备的稳定性和可靠性。
只有合理选择和使用晶振和晶体，才能确保电子设备的正常工作和性能表现。
晶振选型的参数
晶振选型的参数1.、频率大小：频率越高一般价格越高。
但频率越高，频差越大，从综合角度考虑，一般工程师会选用频率低但稳定的晶振，自己做倍频电路。
总之频率的选择是根据需要选择，并不是频率越大就越好。
要看具体需求。
比如基站中一般用10MHz的恒温晶振（OCXO），因其有很好的频率稳定性，属于高端晶振。
至于范围，晶振的频率做的太高的话，就会失去意义，因为有其他更好的频率产品代替。
JFVNY的产品频率范围是：25kHz-1.3G，基本上所有应用中的晶振都可以在JFVNY产品种找到。
2.、频率稳定度：关键参数，JFVNY的高端晶振可以达到10-9级别。
指在规定的工作温度范围内，与标称频率允许的偏差，用PPm （百万分之一）表示。
一般来说，稳定度越高或温度范围越宽，价格越高。
对于频率稳定度要求±20ppm或以上的应用，可使用普通无补偿的晶体振荡器。
对于介于±1 至±20ppm 的稳定度，应该考虑温补晶振TCXO 。
对于低于±1ppm 的稳定度，应该考虑恒温晶振OCXO。
如果客户有十分特别的频稳要求，JFVNY可根据客户要求参数定做。
2、电源电压：常用的有1.8V、2.5V、3.3V、5V等，其中3.3V应用最广。
3、输出：根据需要采用不同输出。
（HCMOS，SINE，TTL，PECL，LVPECL，LVDS，LVHCMOS等）每种输出类型都有它的独特波形特性和用途。
应该关注三态或互补输出的要求。
对称性、上升和下降时间以及逻辑电平对某些应用来说也要作出规定，根据客户需要我们可以帮助客户选型。
5.、工作温度范围：工业级标准规定的-40～+85℃这个范围往往只是出于设计者们的习惯，倘若-20℃～+70℃已经够用，那么就不必去追求更宽的温度范围。
对于某些特殊场合如航天军用等，对温度有更苛刻的要求。
6.、相位噪声和抖动：相位噪声和抖动是对同一种现象的两种不同的定量方式，是对短期稳定度的真实度量。
电路中的振荡器介绍振荡器的种类和应用领域
电路中的振荡器介绍振荡器的种类和应用领域电路中的振荡器是指能够在不受外部信号源驱动下，在电路内自行产生周期性信号的电子设备。
振荡器在电子设备中广泛应用，例如无线电、雷达、计算机等领域，因此，了解振荡器的种类及其应用领域是十分重要的。
本文将介绍振荡器的种类及其应用。
1. 晶体振荡器晶体振荡器是常用的一种振荡器，它利用压电效应产生振荡。
晶体振荡器主要由压电石英晶片、放大器、反馈电路、电源和输出电路等组成。
晶体振荡器振荡频率的稳定性高，且精确度高，应用于频率稳定要求高的电路，例如计算机、通讯设备等领域。
2. 电感耦合振荡器电感耦合振荡器是利用电路中的电感和电容进行产生振荡的一种振荡器。
电感耦合振荡器主要由电容、电感、晶体管等元器件组成。
电感耦合振荡器的振荡频率范围广，应用于频率要求不高的电子设备，例如音频放大器、调谐器等领域。
3. 集成电路振荡器集成电路振荡器是可以直接集成在电路板上的一种振荡器。
集成电路振荡器主要由电容、电感、晶体管等元器件组成。
由于集成电路振荡器可以大规模生产，成本相对较低，因此在数字电路、计算机等领域应用最为广泛。
4. RC振荡器RC振荡器是利用电路中的电容和电阻形成的RC环路产生振荡的一种振荡器。
RC振荡器主要由电容、电阻、晶体管等元器件组成。
RC 振荡器的频率不稳定，但由于成本低廉，应用于一些低频率要求的电子设备，例如弱电信号接收与放大器。
5. 摆线振荡器摆线振荡器是利用物理学中的摆线定理产生振荡的一种振荡器。
摆线振荡器主要由模拟计算器、捷克电池表、过氧化银光源等元器件组成。
摆线振荡器的频率通常在几十千赫范围内，应用于高精度计时和频率测量等领域。
总之，电路中的振荡器种类多样，根据不同的应用领域和需求选择合适的振荡器是十分重要的。
对于电子爱好者来说，学习振荡器的原理和应用也是提高技能的一个重要方向。
晶振主要规格参数
晶振主要规格参数
晶振作为一种能够提供稳定高精度信号的元器件，广泛应用于电子产品中。
不同规格的晶振具有不同的频率和精度，其主要规格参数如下：
1. 频率：指晶振振荡的频率，通常使用单位为MHz。
不同频率的晶振可以满足不同的应用需求，例如8MHz晶振可以用于微控制器的时钟源，而3
2.768kHz晶振则常用于实时时钟电路。
2. 精度：指晶振的频率精度，通常用ppm（百万分之一）表示。
精度越高的晶振，提供的信号越接近理论值且越稳定，一般应用于高精度要求的场景。
3. 工作电压（Vcc）：指晶振正常工作所需的电压范围。
晶振的工作电压一般为3.3V或5V。
在应用中要注意，如果工作电压过高或过低，都会影响晶振的稳定性。
4. 静态电容（C1、C2）：晶振的主要参数之一，通常在晶振的产品手册中标明。
它对于晶振的频率稳定性有着至关重要的作用。
C1和C2的大小应根据晶振的特性和工作电压来选择。
5. 工作温度范围（TC）：指晶振正常工作的温度范围。
一般来说，晶振的TC为-20℃至70℃或-40℃至85℃，但也有更广泛或更窄的工作温度范围。
总之，晶振的规格参数对于不同的应用场景有不同的要求，如精度、工作电压、静态电容和工作温度范围等等。
在选择晶振时，应该根据实际应用需求，综合评估以上规格参数来进行选择。
epson晶振选型手册
Epson晶振选型手册引言概述：Epson晶振选型手册是一本提供关于Epson晶振选型的专业指导手册。
晶振作为一种重要的电子钟振装置，广泛应用于各类电子设备中，对于设备的稳定性和精准性起到关键作用。
本手册将从多个方面介绍Epson晶振的选型原则和方法，以帮助读者准确选型和应用。
正文内容：1. 晶振的基本原理1.1 晶振的作用与功能1.1.1 提供时钟信号1.1.2 稳定电子设备的工作频率1.1.3 控制和同步各设备之间的通信1.1.4 精确计时和定时功能1.2 晶振的工作原理1.2.1 晶体振荡原理1.2.2 纯谐振条件与频率稳定性1.2.3 晶振的构造与材料选择2. Epson晶振的特点与优势2.1 高稳定性和低功耗2.1.1 稳定性与频率偏移2.1.2 低功耗对电池寿命的影响2.2 宽温度范围和长寿命2.2.1 温度对晶振频率的影响2.2.2 长期使用的可靠性和稳定性2.3 大容量和小封装尺寸2.3.1 容量对数据传输速率的影响2.3.2 封装尺寸对电路板设计的要求3. Epson晶振选型原则3.1 需求分析和参数确定3.1.1 设备类型和用途3.1.2 工作频率和精度要求3.1.3 温度范围和环境影响3.2 选择适合的晶振类型3.2.1 晶振频率范围和精度等级3.2.2 温度补偿和温度响应特性3.2.3 封装尺寸和安装要求3.3 参考设计和测试验证3.3.1 参考电路设计3.3.2 振荡电路测试和频率测量3.3.3 选型结果评估和优化4. Epson晶振选型案例分析4.1 移动方式晶振选型4.1.1 高稳定性和小封装尺寸的需求4.1.2 多频段应用的选择考虑4.2 电子表计晶振选型4.2.1 长期使用和温度范围要求4.2.2 低功耗和电池寿命的平衡4.3 工业自动化控制晶振选型4.3.1 高频率和精度要求4.3.2 多通道同步和控制4.3.3 长寿命和可靠性的考虑5. Epson晶振应用注意事项5.1 环境温度和封装要求5.2 抗振动和抗干扰性能5.3 防静电措施和电源干扰5.4 长期使用和老化问题结语：本手册全面介绍了Epson晶振的选型原则和方法，包括晶振的基本原理、Epson晶振的特点与优势、选型原则、案例分析以及应用注意事项。
大普晶振的选型
晶振的等级
DAPU
如何确定频率准确度
影响频率准确度的主要因素 出厂准确度 + 温度漂移 + 电压特性 + 负载特性 + 老化漂移
DAPU 案例：
假如一台仪器在实验室使用，采用10.00MHz作为基准时钟，对时钟提出的频率稳 定度为 10年内频率最大不超过0.5PPM，即为5Hz
选型推荐： 出厂准确度 ：8E-8 温度稳定度：5E-9 @-30至70度 电压特性：2E-9 负载特性：2E－9 老化率：5E-8/year, 4E－7/10year 此时钟 10年频率漂移为 4.89Hz ,符合选型要求
波形的选择
波形的选择主要取决于设备时钟芯片的要求和现有晶振产品的限制：
波形
优点
缺点
产品类型
DAPU 削顶正弦波
HCMOS/TTL
谐波干扰小、 体积小
驱动能力强
驱动能力弱 谐波干扰大
SMD‐7050、5032、 3225
OSC\VCXO\OCXO、 TCXO
标准正弦波 谐波干扰极小 电路复杂
OCXO、TCXO
O54, 50x40x12.7
O55, 50x50x12.7
TCXO 行业主要标准尺寸
尺寸的选择
DAPU T10A, 12.7*12.7*6
T11A, 20.7*12.7*8
M11A 20*12.7*10
M21B 25*15*10
T3225 3.2*2.5*1.5
T53 5*3.2*1.5
T75 7*5*2
广东省大普通信技术有限公司
DAPU
DAPU Telecom
目录
1
晶振选型的要点
2 晶振的等级
单片机晶振频率
单片机晶振频率一、晶振频率的概念及作用晶振频率是指晶体振荡器的震荡频率，也就是单片机内部时钟的频率。
在单片机中，晶振频率起到了非常重要的作用。
它决定了单片机内部时钟的频率，从而影响了单片机的运行速度和精度。
因此，选择合适的晶振频率非常重要。
二、常见的晶振频率目前，市面上常见的晶振频率有4MHz、8MHz、16MHz等。
其中，4MHz和8MHz适用于一些低功耗应用场合，而16MHz则适用于一些高速运算场合。
当然，在一些特殊场合下也会使用其他频率的晶振。
三、如何选择合适的晶振频率1. 根据单片机型号选择不同型号的单片机支持不同范围内的晶振频率。
因此，在选择晶振时需要根据具体型号来确定可选范围。
2. 根据应用场景选择在实际应用中，需要根据具体应用场景来选择合适的晶振频率。
如果需要实现高速计算或者数据传输等操作，则需要使用较高频率的晶振；而如果需要实现低功耗应用，则可以选择较低频率的晶振。
3. 考虑外设设备在一些需要与外设设备进行通信的应用中，需要根据外设设备的要求来选择晶振频率。
例如，如果外设设备要求使用特定的时钟频率进行通信，则需要选择与之匹配的晶振频率。
四、晶振频率与系统时钟频率在单片机中，晶振频率和系统时钟频率是两个不同的概念。
晶振频率是指晶体振荡器震荡的频率，而系统时钟频率则是由单片机内部时钟分频器控制的。
因此，在选择晶振时需要考虑到系统时钟分频系数等因素。
五、常见问题及解决方法1. 晶振不工作可能原因：电路连接不良、晶体损坏、电源电压不稳定等。
解决方法：检查电路连接是否正确、更换新的晶体、检查电源是否稳定等。
2. 晶振工作不稳定可能原因：温度变化、电源波动等。
解决方法：加装温度补偿电路或者使用温度补偿型晶体；使用稳定可靠的电源等。
3. 晶振频率偏差过大可能原因：晶体参数不匹配、电容不匹配等。
解决方法：更换频率相近的晶体、更换合适的电容等。
六、总结在单片机应用中，选择合适的晶振频率非常重要。
需要根据单片机型号、应用场景、外设设备要求等因素来选择合适的晶振频率。
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教你选择合适的晶体振荡器
给大家介绍一些足以表现出一个晶体振荡器性能高低的技术指标，了解这些指标的含义，将有助于通讯设计工程师顺利完成设计项目，同时提高电路的质量。
总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。
说明：总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳定度和频率负载稳定度共同造成的最大频差。
一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。
例如：精密制导雷达。
频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大允许频偏。
fT=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)
fTref ＝±MAX[｜(fmax-fref)/fref｜，｜(fmin-fref)/fref｜]
fT：频率温度稳定度(不带隐含基准温度)
fTref：频率温度稳定度(带隐含基准温度)
fmax ：规定温度范围内测得的最高频率
fmin：规定温度范围内测得的最低频率
fref：规定基准温度测得的频率
说明：采用fTref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用fT指标的晶体振荡器,故fTref指标的晶体振荡器售价较高。
频率稳定预热时间：以晶体振荡器稳定输出频率为基准，从加电到输出频率小于规定频率允差所需要的时间。
说明：在多数应用中，晶体振荡器是长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机，这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到（尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台，当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃)，采用OCXO作为本振，频率稳定预热时间将不少于5分钟，而采用DTCXO只需要十几秒钟)。
频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。
这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的，可用规定时限后的最大变化率（如±10ppb/天，加电72小时后），或规定的时限内最大的总频率变化（如：±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））来表示。
说明：TCXO的频率老化率为：±0.2ppm～±2ppm（第一年）和±1ppm～±5ppm（十年）（除特殊情况，TCXO很少采用每天频率老化率的指标，因为即使在实验室的条件下，温度变化引起的频率变化也将大大超过温度补偿晶体振荡器每天的频率老化，因此这个指标失去了实际的意义）。
OCXO的频率老化率为：±0.5ppb～±10ppb/天（加电72小时后），±30ppb～±2ppm（第一年），±0.3ppm～±3ppm（十年）。
频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的最小峰值改变量。
说明：基准电压为＋2.5V，规定终点电压为＋0.5V和＋4.5V，压控晶体振荡器在＋0.5V 频率控制电压时频率改变量为-110ppm，在＋4.5V频率控制电压时频率改变量为＋130ppm，则VCXO电压控制频率压控范围表示为：≥±100ppm(2.5V±2V)。
压控频率响应范围：当调制频率变化时，峰值频偏与调制频率之间的关系。
通常用规定的调制频率比规定的调制基准频率低若干dB表示。
说明：VCXO频率压控范围频率响应为0～10kHz。
频率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。
说明：典型的VCXO频率压控线性为：≤±10%，≤±20%。
简单的VCXO频率压控线性计算方法为(当频率压控极性为正极性时)：
频率压控线性＝±((fmax-fmin)/ f0)×100%
fmax：VCXO在最大压控电压时的输出频率
fmin：VCXO在最小压控电压时的输出频率
f0：压控中心电压频率
单边带相位噪声￡(f)：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。