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工业催化3.3 金属及合金催化剂及其催化作用

工业催化3.3 金属及合金催化剂及其催化作用
子、分子向大块物质转变的过渡态,或者是凝聚态物质的初始状态。
团簇在化学特征上表现出随团簇的原子或分子个 数n的增大而产生的奇偶振荡性(even-odd oscillation)和幻数(magic number)特征。金属原子 簇在不同n值时反应速率常数的差别可达103 。化学反 应性、平衡常数等也出现了奇偶振荡性特征。
2.金属和载体的相互作用
金属和载体的相互作用有三种类型:
① 金属颗粒和载体的接触位置在界面部位处,分 散的金属可保持阳离子性质。
② 分散的金属原子溶于氧化物载体晶格中或与载 体生成混合氧化物,其中CeO2 、MoO2、WO3或其混 合物对金属分散相的改进效果最佳。
③ 金属颗粒表面被来自载体氧化物涂饰。
一. 金属表面的化学键
研究金属表面化学键的理论有:
能带理论 价键理论 配位场理论
1.能带理论
s 轨道、d 轨道组合成 s 带、d 带。 s 轨道相互作用强, s 带较宽,一般有(6~7)~20 ev ; d 带较窄,约为(3~4)ev. 即s 带能级密度比 d 带能级密度小,具体表现如下:
V(E)
对C-H,H-H,H-O键的断裂反应,只需要较小的能量,因此 可在少数一两个原子组成的活性中心上或在弱吸附中心上进行反应。 它们对催化剂表面的微细结构如晶粒大小,原子在表面上所处的部 位,以及活性中心原子组合等皆不敏感。
对C-C,N-N,C-O键的断裂或生成的反应,需提供较大量的能 量,反应是在强吸附中心上进行的。这些中心或是多个原子组成的 集团,或是表面上的扭曲,折皱处的原子,因而反应对催化剂表面 上的微细结构十分敏感。
3.3金属催化剂及其催化作用
金属催化剂是重要的工业催化剂。
金属的催化作用
金属催化作用---化学吸附

IR公司_大功率MOS管选型

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I DContinuous Drain Current(A)70°Micro3Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPartNumberPD Max.PowerDissipation (W)N-ChannelLogic LevelIRLML2402*912570.54200.25 1.20.95230H1IRLML2803912580.54300.251.20.93230P-ChannelLogic LevelIRLML6302*912590.54-200.6-0.62-4.8230H1IRLML5103912600.54-300.6-0.61-4.8230* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)70°Micro6Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPartNumberPD Max.PowerDissipation (W)N-ChannelLogic LevelIRLMS1902915401.7200.10 3.2 2.675H2IRLMS1503915081.7300.103.22.675P-ChannelLogic LevelIRLMS6702*914141.7-200.20-2.3-1.975H2IRLMS5703914131.7-300.20-2.3-1.975* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)70°Micro8Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart NumberP D Max.PowerDissipation (W)N-Channel Logic LevelIRF7601* 912611.820 0.035 5.7 4.6 70 H3IRF7603 912621.830 0.035 5.6 4.5 70Dual N-Channel Logic LevelIRF7501* 912651.220 0.135 2.4 1.9 100 H3IRF7503 912661.2530 0.135 2.4 1.9 100P-Channel Logic LevelIRF7604* 912631.8-20 0.09 -3.6 -2.9 70 H3IRF7606 912641.8-30 0.09 -3.6 -2.9 70Dual P-Channel Logic LevelIRF7504* 912671.25-20 0.27 -1.7 -1.4 100 H3IRF7506 912681.25-30 0.27 -1.7 -1.4 100Dual N- and P-Channel Logic LevelIRF7507* 912691.2520 0.1352.4 1.9 100 H3-20 0.27 -1.7 -1.4IRF7509 912701.2530 0.135 2.4 1.9 100-30 0.27 -1.7 -1.4* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-Pak D -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro8 2 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)70°SO-8Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRF7413913302.5300.011139.250H4IRF7413A 916132.5300.0135128.450IRF9410915622.5300.0375.850Dual N-ChannelIRF7311914352.0200.029 6.6 5.362.5H4IRF7313914802.0300.029 6.5 5.262.5IRF7333917002.0300.10 3.5 2.862.5917002.0300.050 4.9 3.962.5IRF9956915592.0300.103.52.862.5Dual P-ChannelIRF7314914352.0-200.058-5.3-4.362.5H4IRF7316915052.0-300.058-4.9-3.962.5IRF9953915602.0-300.25-2.3-1.862.5* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)70°SO-8Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)RΘMax.ThermalResistance(°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart NumberP D Max.PowerDissipation (W)Dual N- and P-ChannelIRF7317 915682.020 0.029 6.6 5.3 62.5 H42.0-20 0.058 -5.3 -4.3 62.5IRF9952 915622.030 0.103.5 2.8 62.5915622.0-30 0.25 -2.3 -1.8 62.5IRF7319 916062.030 0.029 6.5 5.2 62.52.0-30 0.058 -4.9 -3.9 62.5* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-Pak D -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro8 2 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)70°SO-8Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelLogic LevelIRF7401912442.5200.0228.77.050H4IRF7201911002.5300.0307.0 5.650IRF7403912452.5300.0228.55.450Dual N-ChannelLogic LevelIRF7101908712.0200.10 3.5 2.362.5H4IRF7301912382.0200.050 5.2 4.162.5IRF7303912392.0300.050 4.9 3.962.5IRF7103910952.0500.1303.02.362.5P-ChannelLogic LevelIRF7204911032.5-200.060-5.3-4.250H4IRF7404912462.5-200.040-6.7-5.450IRF7205911042.5-300.070-4.6-3.750IRF7406912472.5-300.045-5.8-3.750IRF7416913562.5-300.02-10-7.150* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)70°SO-8Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)Dual P-ChannelLogic LevelIRF7104910962.0-200.250-2.3-1.862.5H4IRF7304912402.0-200.090-4.3-3.462.5IRF7306912412.0-300.10-3.6-2.962.5Dual N- and P-Channe Logic LevelIRF7307912421.4200.050 4.3 3.490H4-200.090-3.6-2.9IRF7105910972.0250.1093.5 2.862.52-250.25-2.3-1.862IRF7309912432.0300.050 4.9 3.962.5-300.10-3.6-2.9* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)70°SOT-223Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRFL4105913812.1550.045 3.7 3.060H6IRFL110908612.01000.54 1.50.9660IRFL4310913682.11000.20 1.6 1.360IRFL21090868 2.02001.50.960.660IRFL214908622.02502.00.790.560P-ChannelIRFL9110908642.0-1001.2-1.1-0.6960H6N-ChannelLogic LevelIRLL3303913792.1300.031 4.6 3.760H6IRLL014N 914992.1550.14 2.0 1.660IRLL2705913802.1550.043.83.060* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°D-PakSurface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRFR33039164257300.0313321 2.2H7IRFR024N9133638550.0751610 3.3IRFR41059130248550.0452516 2.7IRFR12059131869550.0273723 1.8IRFR11090524251000.54 4.3 2.75IRFR120N 91365391000.219.1 5.8 3.2IRFR391091364521000.11159.5 2.4IRFR2109052625200 1.5 2.6 1.75IRFR22090525422000.8 4.833IRFR21490703252502 2.2 1.45IRFR2249060042250 1.1 3.8 2.43IRFR3109059725400 3.6 1.7 1.15IRFR3209059842400 1.8 3.123IRFR42090599425003 2.4 1.53IRFRC2090637426004.421.33* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°D-PakSurface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)P-ChannelIRFR55059161057-550.11-18-11 2.2H7IRFR53059140289-550.065-28-18 1.4IRFR90149065425-600.5-5.1-3.25IRFR90249065542-600.28-8.8-5.63IRFR91109051925-100 1.2-3.1-25IRFR91209052042-1000.6-5.6-3.63IRFR9120N 9150739-1000.48-6.5-4.1 3.2IRFR92109052125-2003-1.9-1.25IRFR92209052242-200 1.5-3.6-2.33IRFR92149165850-250 3.0-2.7-1.7 2.5IRFR93109166350-4007.0-1.8-1.12.5* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°D-PakSurface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelLogic LevelIRLR27039133538300.0452214 3.3H7IRLR33039131657300.0313321 2.2IRLR31039133369300.0194629 1.8IRLR024N 9136338550.0651711 3.3IRLR27059131746550.042415 2.7IRLR29059133469550.0273623 1.8IRLR120N 91541391000.18511 6.9 3.2IRLR341091607521000.10159.52.4* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°D 2PakSurface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart NumberP D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRFZ24NS 913554555 0.07 17 12 3.3 H10IRFZ34NS 913116855 0.04 29 20 2.2IRFZ44NS 9131511055 0.022 49 35 1.4IRFZ46NS 9130512055 0.020 53 37 1.3IRFZ48NS 9140814055 0.016 64 45 1.1IRF1010NS 913723.855 0.011 84 60 40IRF3205S 9130420055 0.008 110 80 0.75IRFZ44ES 9171411060 0.023 48 34 1.4IRF1010ES 9172017060 0.012 83 59 0.90IRF2807S 9151815075 0.013 71 50 1.0IRF520NS 9134047100 0.2 9.5 6.7 3.2IRF530NS 9135263100 0.11 15 11 2.4IRF540NS 91342110100 0.052 27 19 1.6IRF1310NS 91514120100 0.036 36 25 1.3IRF3710S 91310150100 0.028 46 33 1.0IRF3315S 9161794150 0.082 21 15 1.6IRF3415S 91509150150 0.042 37 26 1.0IRFBC20S 9.101450600 4.4 2.2 1.4 2.5IRFBC30S 9101574600 2.2 3.6 2.3 1.7IRFBC40S 91016130600 1.2 6.2 3.9 1.0* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-Pak D -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro8 2 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°D 2PakSurface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemandNumberCase Outline KeyPart NumberP D Max.PowerDissipation (W)IRFBF20S 9166554900 8.0 1.7 1.1 2.3 H10P-ChannelIRF5305S 91386110-55 0.06 -31 -22 1.4 H10IRF4905S 914783.8-55 0.02 -74 -52 40IRF9520NS 9152247-100 0.48 -6.7 -4.8 3.2IRF9530NS 9152375-100 0.20 -14 -9.9 2.0IRF9540NS 9148394-100 0.117 -19 -13 1.6IRF5210S 91405150-100 0.06 -35 -25 1.0* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-Pak D -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro8 2 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°D 2PakSurface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart NumberP D Max.PowerDissipation (W)N-Channel Logic LevelIRL3302S 916925720 0.020 39 25 2.2 H10IRL3202S916756920 0.016 48 30 1.8IRL3102S 916918920 0.013 61 39 1.4IRL3402S 9169311020 0.01 85 54 1.1IRL3502S 9167614020 0.007 110 67 0.89IRL2703S 913604530 0.04 24 17 3.3IRL3303S 913236830 0.026 38 27 2.2IRL3103S 9133811030 0.014 64 45 1.4IRL2203NS 9136717030 0.007 116 82 0.90IRL3803S 9131920030 0.006 140 98 0.75IRLZ24NS 913584555 0.06 18 13 3.3IRLZ34NS 913086855 0.035 30 21 2.2IRLZ44NS 9134711055 0.022 47 33 1.4IRL3705NS 9150217055 0.01 89 63 0.90IRL2505S 9132620055 0.008 104 74 0.75IRLZ44S 9090615060 0.028 50 36 1.0IRL530NS 9134963100 0.1 15 11 2.4IRL2910S 91376150100 0.026 48 34 1.0* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-Pak D -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro8 2 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°SOT-227Surface Mount PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous DrainCurrent 25°C(A)RΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelFully Isolated Low ChargeFA38SA50LC 916155005000.1338240.25H21FA57SA50LC916506255000.0857360.20* Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7VMeasured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case.1Micro3SO-8D-PakD -PakSOT-227Micro6SOT-223Micro82 Illustrations not to scaleI DContinuous Drain Current(A)100°I-PakThrough-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRFU33039164257300.0313321 2.2H8IRFU024N 9133638550.0751610 3.3IRFU41059130248550.0452519 2.7IRFU12059131869550.0273723 1.8IRFU11090524251000.54 4.3 2.7 5.0IRFU120N 91365391000.219.1 5.8 3.2IRFU391091364521000.11159.5 2.4IRFU2109052625200 1.5 2.6 1.7 5.0IRFU22090525422000.80 4.8 3.0 3.0IRFU2149070325250 2.0 2.2 1.4 5.0IRFU2249060042250 1.1 3.8 2.4 3.0IRFU3109059725400 3.6 1.7 1.1 5.0IRFU3209059842400 1.8 3.1 2.0 3.0IRFU4209059942500 3.0 2.4 1.5 3.0IRFUC2090637426004.42.01.33.0I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°I-PakThrough-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)P-ChannelIRFU55059161057-550.11-18-11 2.2H8IRFU53059140289-550.065-28-18 1.4IRFU90149065425-600.50-5.1-3.2 5.0IRFU90249065542-600.28-8.8-5.6 3.0IRFU91109051925-100 1.2-3.1-2.0 5.0IRFU91209052042-1000.60-5.6-3.6 3.0IRFU9120N 9150739-1000.48-6.5-4.1 3.2IRFU92109052125-200 3.0-1.9-1.2 5.0IRFU92209052242-200 1.5-3.6-2.3 3.0IRFU92149165850-2503.0-2.7-1.7 2.5IRFU93109166350-4007.0-1.8-1.12.5N-ChannelLogic LevelIRLU27039133538300.0452214 3.3H8IRLU33039131657300.0313321 2.2IRLU31039133369300.0194629 1.8IRLU024N 9136338550.0651711 3.3IRLU27059131746550.04241715IRLU29059133469550.0273623 1.8IRLU120N 91541391000.18511 6.9 3.2IRLU341091607521000.10159.52.4I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°HEXDIPThrough-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRFD014907001.3600.2 1.7 1.2120H9IRFD024906991.3600.1 2.5 1.8120IRFD110903281.31000.54 1.00.71120IRFD120903851.31000.27 1.30.94120IRFD210903861.3200 1.50.60.38120IRFD220904171.32000.80.80.50120IRFD214912711.3250 2.00.570.32120IRFD224912721.3250 1.10.760.43120IRFD310912251.3400 3.60.420.23120IRFD320912261.3400 1.80.600.33120IRFD420912271.3500 3.00.460.26120IRFDC20912281.36004.40.320.21120I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI D Continuous Drain Current (A)100°TO-220Qg TotalGate Charge(nC)Through-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C (A)R ΘMax.Thermal Resistance(°C/W)1Faxon Demand Number Case OutlineKeyPart Number P D Max.Power Dissipation (W)N-ChannelLow ChargeIRF737LC91314743000.75 6.1** 1.7 3.9H11IRF740LC 910681254000.5510** 1.039IRF840LC 910691255000.858.0** 1.039IRFBC40LC910701256001.26.2**1.039I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°TO-220ABThrough-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRFZ24N 9135445550.071712 3.3H12IRFZ34N9127656550.042618 2.7IRFZ44N 9130383550.0244129 1.8IRFZ46N 9127788550.024633 1.7IRFZ48N 9140694550.0165337 1.6IRF1010N 91278130550.0127251 1.2IRF320591279150550.0089869 1.0IRFZ34E 9167268600.0422820 2.2IRFZ44E 91671110600.0234834 1.4IRF1010E 91670170600.01281570.90IRF280791517150750.0137150 1.0IRF520N 91339471000.209.5 6.79.5IRF530N 91351601000.111511 2.4IRF540N 91341941000.0522719 1.6IRF1310N 916111201000.0363625 1.3IRF3710913091501000.0284633 1.0IRF331591623941500.0822115 1.6IRF3415914771501500.0423726 1.0IRFBC209062350600 4.4 2.2 1.4 2.5IRFBC309048274600 2.2 3.6 2.3 1.7IRFBC4090506125600 1.2 6.2 3.9 1.0IRFBE2090610548006.51.81.22.3I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°TO-220ABThrough-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)IRFBE3090613125800 3.0 4.1 2.6 2.0H12IRFBF3090616125900 3.7 3.6 2.3 1.0IRFBG209060454100011 1.40.86 2.3IRFBG309062012510005.03.12.01.0P-ChannelIRF9Z24N 9148445-550.175-12-8.53.3H12IRF9Z34N 9148556-550.10-17-12 2.7IRF530591385110-550.06-31-22 1.4IRF490591280150-550.02-64-45 1.0IRF9530N 9148275-1000.20-13-9.2 2.0IRF9540N 9143794-1000.117-19-13 1.6IRF521091434150-1000.06-35-25 1.0IRF62159147983-1500.29-11-7.81.8I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°TO-220ABThrough-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart NumberP D Max.PowerDissipation (W)N-Channel Logic LevelIRL3302 916965720 0.020 39 25 2.2 H12IRL3202 916956920 0.016 48 30 1.8IRL3102 916948920 0.013 61 39 1.4IRL3402 9169711020 0.01 85 54 1.1IRL3502 9169814020 0.007 110 67 0.89IRL2703 913594530 0.04 24 17 3.3IRL3303 913225630 0.026 34 24 2.7IRL3103 913378330 0.014 56 40 1.8IRL2203N 9136613030 0.007 100 71 1.230 0.007 61 43 3.2IRL3803 9130115030 0.006 120 83 1.0IRLZ24N 913574555 0.06 18 13 3.3IRLZ34N 913075655 0.035 27 19 2.7IRLZ44N 913468355 0.022 41 29 1.8IRL3705N 9137013055 0.01 77 54 1.2IRL2505 9132520055 0.008 104 74 0.75IRL520N 9149447100 0.18 10 7.1 3.2IRL530N 9134863100 0.10 15 11 2.4IRL540N 9149594100 0.044 30 21 1.6IRL2910 91375150100 0.026 48 34 1.0I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI D Continuous Drain Current (A)100°TO-220 FullPak (Fully Isolated)Qg TotalGate Charge(nC)Through-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous DrainCurrent 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1Fax on Demand Number Case OutlineKeyPart Number P D Max.Power Dissipation (W)N-ChannelLow ChargeIRFI740GLC91209404000.55 6.0** 3.139H13IRFI840GLC 91208405000.85 4.8** 3.139IRFIBC40GLC91211406001.24.0**3.139I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°TO-220 FullPak (Fully Isolated)Through-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelIRFIZ24N 9150126550.07139.2 5.8H14IRFIZ34N9148931550.041913 4.8IRFIZ44N 9140338550.02428200.024IRFIZ46N 9130640550.023122 3.8IRFIZ48N 9140742550.0163625 3.6IRFI1010N 9137347550.0124431 3.2IRFI32059137448550.0085640 3.1IRFIZ24E 9167329600.071149.6 5.2IRFIZ34E 9167437600.0422115 4.1IRFI510G 90829271000.54 4.5 3.2 5.5IRFI520N 91362271000.207.2 5.1 5.5IRFI530N 91353331000.11117.8 4.5IRFI540N 91361421000.0521813 3.6IRFI1310N 91611451000.0362216 3.3IRFI371091387481000.0252820 3.1IRFI620G 90832302000.8 4.1 2.6 4.1IRFI630G 90652322000.4 5.9 3.7 3.6IRFI640G 90649402000.189.8 6.2 3.1IRFI614G 9083123250 2.0 2.1 1.3 5.5IRFI624G 9083330250 1.1 3.4 2.2 4.1IRFI634G 90738322500.45 5.6 3.5 3.6IRFI644G 90739402500.287.953.1I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°TO-220 FullPak (Fully Isolated)Through-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)IRFI720G 9083430400 1.8 2.6 1.7 4.1H14IRFI730G 9065032400 1.0 3.7 2.3 3.6IRFI740G 90651404000.55 5.4 3.4 3.1IRFI734G 9100135450 1.2 3.4 2.1 3.6IRFI744G 91002404500.63 4.9 3.1 3.1IRFI820G 9064130500 3.0 2.1 1.3 4.1IRFI830G 9064632500 1.5 3.12 3.6IRFI840G 90642405000.85 4.6 2.9 3.1IRFIBC20G 90850306004.41.71.1 4.1IRFIBC30G 90851356002.2 2.5 1.63.6IRFIBC40G 9085240600 1.2 3.5 2.2 3.1IRFIBE20G 9085330800 6.5 1.4.86 4.1IRFIBE30G 9085435800 3.0 2.1 1.4 3.6IRFIBF20G 90855309008.0 1.2.79 4.1IRFIBF30G90856359003.71.91.23.6P-ChannelIRFI9Z24N 9152929-550.175-9.5-6.7 5.2H14IRFI9Z34N 9153037-550.10-14-10 4.1IRFI49059152663-550.02-41-29 2.4IRFI9540G 9083742-1000.117-13-9.2 3.6IRFI9540N 9148742-1000.117-13-9.2 3.6IRFI52109140448-1000.06-20-14 3.1IRFI9634G 9148835-2501.0-4.1-2.63.6I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI DContinuous Drain Current(A)100°TO-220 FullPak (Fully Isolated)Through-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C(A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1FaxonDemand Number Case Outline KeyPart Number P D Max.PowerDissipation (W)N-ChannelLogic LevelIRLI2203N 9137847300.0076143 3.2H14IRLI38039132048300.0066747 3.1IRLIZ24N 9134426550.06149.9 5.8IRLIZ34N 9132931550.0352014 4.8IRLIZ44N 9149838550.0222820 4.0IRLI3705N 9136947550.014733 3.2IRLI25059132763550.00858412.4IRLI520N 91496271000.187.7 5.4 5.5IRLI530N 91350331000.10117.8 4.5IRLI540N 91497421000.04420143.6IRLI291091384481000.02627193.1P-ChannelLogic LevelIRFI9520G 9083537-1000.6-5.2-3.6 4.1H14IRFI9530G 9083638-1000.03-7.7-5.4 3.6IRFI9620G 9087430-200 1.5-3.0-1.9 4.1IRFI9630G 9083840-2000.8-4.3-2.7 3.6IRFI9640G9083940-2000.5-6.1-3.93.1I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not ratedI D Continuous Drain Current (A)100°TO-247Qg TotalGate Charge(nC)Through-Hole PackagesV (BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()ΩI D Continuous Drain Current 25°C (A)R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1Fax on Demand Number Case OutlineKeyPart Number P D Max.Power Dissipation (W)1N-ChannelLow ChargeIRFP350LC912291904000.3018**0.6570H16IRFP360LC 912302804000.2023**0.4598IRFP450LC 912311905000.4016**0.6570IRFP460LC 912322805000.2720**0.4598IRFPC50LC 912331906000.6013**0.6570IRFPC60LC912342806000.4016**0.4598I-PakTO-220 FullPakTO-262TO-247HEXDIPTO-220AB Illustrations not to scale** Not rated。

IR选型指南

IR选型指南

600V 应用系统,输出推/拉电流为 200/420mA
型号
电路
VCC 范围
IR2130 3-Phase Bridge Driver IR2131 3HI/3LO MOS Driver IR2132 3-Phase Bridge Driver 10-25V with UVLO IR2133 3-Phase Bridge Driver IR2135 3-Phase Bridge Driver
Ton/Toff
VIH/VIL
Vitrip+ UVCC/BS+/CCBS-
IR2136
IR21362
12-25V with UVLO
IR21363
IR21365
IR21366 IR21367
12-20V with UVLO
IR21368
10V/20V
___ __ 400ns/380ns 2.7V/1.7V 0.46V
电路
IC@25°C IC@100°C VCE(on)@25°C
Co-Pack 12A
6.8A
2.1V
Co-Pack 12A
6.8A
2.1V
Co-Pack 13A
7A
1.8V
Co-Pack 17A
9A
1.8V
Co-Pack 22A
12A
1.8V
Co-Pack 31A
15A
1.8V
Isolated TO-220 Full-Pak
Co-Pack 9A
6A
1.8V
Isolated TO-220 Full-Pak
Co-Pack 12A
Hale Waihona Puke 8A1.8VIsolated TO-220 Full-Pak

ir 炉 原理

ir 炉 原理

IR炉的基本原理1. 引言红外(IR)炉是一种利用红外辐射加热物体的设备,广泛应用于工业生产中的烘干、烧结、熔融、焙烧等工艺过程中。

本文将详细解释IR炉的基本原理,包括红外辐射的特点、IR炉的结构和工作原理。

2. 红外辐射的特点红外辐射是一种电磁波,其波长范围通常为0.75至1000微米。

与可见光相比,红外辐射具有以下特点:•红外辐射具有很强的穿透性,能够穿透大部分非金属材料,如塑料、玻璃等。

•红外辐射能够被物体吸收并转化为热能,在物体表面产生加热效果。

•不同物质对红外辐射的吸收程度不同,因此可以通过调节红外辐射的波长来实现对不同材料的加热控制。

3. IR炉的结构IR炉通常由以下几个主要部分组成:3.1 红外辐射源IR炉的核心部分是红外辐射源,它产生并发射红外辐射。

常见的红外辐射源包括石英管、陶瓷板和金属丝等。

这些材料具有良好的红外透过性和耐高温性能。

3.2 反射器为了提高IR炉的加热效率,通常在红外辐射源周围设置反射器。

反射器可以将散射的红外辐射重新聚焦到加热目标上,减少能量损失。

3.3 输送系统IR炉通常配备输送系统,用于将待加工物料传送到加热区域。

输送系统可以采用传送带、滚筒或者机械臂等形式,以适应不同工件形态和加工要求。

3.4 控制系统IR炉还需要配备控制系统来调节红外辐射的强度、时间和温度等参数。

控制系统通常由温度传感器、计时器、电子控制器等组成,以实现精确的加热控制。

4. IR炉的工作原理IR炉的工作原理可以分为以下几个步骤:4.1 红外辐射发射当IR炉启动时,红外辐射源开始发射红外辐射。

红外辐射可以通过电阻加热、电弧放电或者电子激励等方式产生。

4.2 辐射传输红外辐射在空气中传输到加热目标上。

在传输过程中,一部分红外辐射会被空气吸收和散射,从而引起能量损失。

4.3 辐射吸收当红外辐射到达加热目标表面时,部分能量被吸收并转化为热能。

不同材料对红外辐射的吸收程度取决于其物理特性和表面状态。

3.3 紫外、红外吸收和拉曼散射光谱分析

3.3 紫外、红外吸收和拉曼散射光谱分析
标识 1 ppm 128.36 强度 1000
标识 1 2 3 4 5
ppm 21.41 125.38 128.28 129.09 137.83
强度 209 517 1000 910 214
-----苯 -----甲苯 -----二甲苯
标识 1 2 3
ppm 20.90 128.97 134.66
强度 229 1000 239
红外线灯
红外光谱图解析

利用本地计算机谱库检索 利用大型的红外图集检索(Sadtler) 红外识谱歌(不要求背诵)
布鲁克公司 OPUS 6.5中文版红外光谱工作站的基本操作
开机:打开计算机电源、主机电源,检查
主机面板上status指示灯应该黄灯亮。启
动Windows XP,双击OPUS快捷键,输入
密码后登录,点击OK进入工作站主界面。
测定:首先扫描空白背景;然后扫描样品,即
可得到样品的红外光谱图。基线校正,平滑, 标峰,快速打印谱图。定性时可以检索谱库。 也可以将满意的已知详细信息的化合物添加的 到谱库中。
点击高级数据采集
3.3.3 激光拉曼散射光谱法
Laser Raman spectroscopy,LRS
强度 403 1000 473 423 547
-----间二甲苯
紫外光谱图简单解析
丁省 蒽 萘 菲

多核芳烃的紫外吸收
定性分析-有限的辅助方法
max:化合物特性参数,可作为定性依据;
有机化合物紫外吸收光谱:反映结构中生色团和助色 团的特性;
结构确定的辅助手段;
max , max都相同,可能是同一个化合物;
3.3 紫外、红外吸收 和拉曼散射光谱分析
2011-03

单光束双波长ir传感器原理_理论说明

单光束双波长ir传感器原理_理论说明

单光束双波长ir传感器原理理论说明1. 引言1.1 概述在现代科技发展中,红外传感器已经广泛应用于各个领域。

其中,单光束双波长红外(IR)传感器以其独特的工作原理和优势逐渐得到关注。

单光束双波长IR 传感器利用不同波长的红外辐射与目标物之间的相互作用,通过测量红外波长的变化来实现对目标物性质和状态的检测。

本文将对单光束双波长IR传感器的原理进行深入探讨,并对其在实际应用中的潜力进行分析。

1.2 文章结构本文共分为五个部分:引言、单光束双波长IR传感器原理、理论说明、实验验证与结果分析以及结论与展望。

下面将对每个部分所涵盖的内容进行简要介绍。

1.3 目的本文旨在全面阐述单光束双波长IR传感器的原理和工作机制,并通过理论说明和实验验证来揭示其优势和限制。

同时,我们还将探索单光束双波长IR传感器在不同应用领域中的具体应用情况,并提出一些后续研究的方向和展望。

通过这篇文章,读者将能够全面了解单光束双波长IR传感器的基本原理和应用前景,为相关领域的研究和应用提供一定的指导与参考。

2. 单光束双波长IR传感器原理:2.1 单光束传感器介绍:单光束传感器是一种使用单一光源发射出的光束进行测量的传感器。

它由一个发射器和一个接收器组成,通过测量接收到的光信号的强度或其他特性来获取被测目标物体的信息。

单光束传感器具有结构简单、成本低廉以及易于实施校准等优点,在工业控制、环境监测和安防领域得到了广泛应用。

2.2 双波长原理说明:在IR(红外线)传感器中,双波长原理是指使用两个不同波长的光源进行测量。

这样做的主要目的是提高测量的准确性和可靠性。

通过选择合适的发射波长,可以获得更好的信号-背景(signal-to-background)比例,从而提高传感器对目标物体反射或吸收红外辐射的灵敏度。

另外,采用双波长还可以排除环境噪声对测量结果产生影响的问题。

因为在不同波长下,环境中可能存在不同特性或反射率的干扰光源,通过测量两个波长下的信号差异,可以将环境噪声因素剔除,得到更准确的目标物体信息。

【原创】3.3焦耳定律

【原创】3.3焦耳定律
【答案】 275 V 31.25 W
• 三、身边的电热 • 各种电器在使用中都会放出大量的电热,
有的是利用这些电热,如电熨斗、电暖气、电 烘箱、电热水器等.
• 有的电器并不是利用的它的电热,这种电 热要是散热不及时会造成危害,如电动机、电 视机、电冰箱、电脑等.
小结:作业:P62 2﹑3
1.电功 W UIt
A.P
B.U2/r
C.P2r/U2 D.P-P2r/U2
课堂练习
• 3.一台电风扇,内电阻是20 Ω,接上220 V的 电压后正常工作,消耗的功率是66 W,求:
• (1)电风扇正常工作时通过风扇电动机的电流;
• (2)电风扇工作时,转化为机械能和内能的功 率,电机的效率;
• (3)若接上电源后,扇叶被卡住,不能转动, 此时通过电动机的电流多大?电动机消耗的电 功率和发热功率各是多大?
电流做功的过程,是电能转化为其他形式 能量的过程.
电动机把电能转化为机械能;电解槽把电能 转化为化学能;电热器把电能转化为内能.
在真空中,电场力对电荷做正功时,减少的电势 能转化为电荷的动能;在金属导体中,在电场力作用 下做加速运动的自由电子频繁地与离子碰撞,把定向 移动的功能传给离子,使离子热运动加剧,将电能完 全转化为内能.
• 【解析】 因为串联电路中两灯的电流相等, 所以为了安全使用,电路中的实际电流应等于 两灯中最小的额定电流.
由P=UR2得两灯泡的电阻值分别为 RA=UPAA2=2120002 Ω=484 Ω,RB=UPBB2=222502 Ω=1 936 Ω 由P=IU得两灯泡额定电流分别为 IA=UPAA=120200 A=151 A,IB=UPBB=22250 A=454 A 实际电流:I实=IB=454 A 所以Umax=I实(RA+RB)=454(484+1 936) V=275 V Pmax=I实2(RA+RB)=4542(484+1 936) W=31.25 W.

微机原理与接口技术第1-11章作业答案

微机原理与接口技术第1-11章作业答案

第一章:1.1 为什么需要半加器和全加器,它们之间的主要区别是什么?答:无论是全加器还是半加器均能实现两个一位的二进制数相加,得到相加的和和向高位的进位。

半加器不需要考虑来自低位的进位,而全家器需考虑来自低位的进位。

1.2 用补码法写出下列减法的步骤:(1) 1111(2)-1010(2)=?(2)=?(10)=00001111B+11110110B=00000101B=5D(2) 1100(2)-0011(2)=?(2)=?(10)=00001100B+11111101B=00001001B=9D第二章:2.1 ALU是什么部件?它能完成什么运算功能?试画出其符号。

答:ALU是算术逻辑运算单元的简称,该部件既能进行二进制数的四则运算,也能进行布尔代数的逻辑运算。

符号略!2.2 触发器、寄存器及存储器之间有什么关系?请画出这几种器件的符号。

答:触发器能存储一位的二进制信息,是计算机记忆装置的基本单元。

寄存器是由多个触发器构成的,能存储多位二进制信息。

存储器又是由多个寄存器构成的。

器件的符号略!2.4 累加器有何用处?画出其符号。

答:累加器是由多个触发器构成的多位寄存器,作为ALU运算过程的代数和的临时存储处。

累加器不仅能装入及输出数据外,还能使存储其中的数据实现左移或右移。

符号略!2.6 何谓L门及E门?它们在总线结构中有何用处?答:L门即LOAD控制端,是用以使寄存器接受数据输入的控制门;E门即ENABLE控制端,是三态输出门,用以控制寄存器中的数据输出至总线。

有了L门及E门,就可以利用总线结构,从而使信息传递的线路简单化。

2.10 除地线公用外,5根地址线和11根地址线各可选多少个地址?答:5根地址线可选25=32个地址;11根地址线可选211=2048个地址。

2.12 存储地址寄存器(MAR)和存储数据寄存器(MDR)各有何用处?答:MAR和MDR均是存储器的附件。

存储地址寄存器(MAR)是一个可控的缓冲寄存器,具有L门以控制地址的输入,它和存储器的联系是双态的,存储地址寄存器存放的是索要寻找的存储单元的地址。

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A= c l
4、高聚物结晶形态的研究

聚合物结晶时,在IR光谱中会出现非晶态聚 合物所没有的特定的结晶敏感的吸收带, 被称为晶带。其强度随聚合物结晶度的增 加而增大。
高聚物的结晶度
Ai xc k As
Ai:结晶谱带;As:内标谱带,对结晶不敏感
如:下图为聚乙烯的IR谱图
A730 xc k A2950
聚酰亚胺的透射及 ATR 光谱 (a)透射光谱;(b),(c)薄膜两面 的 ATR 光谱
课后作业



1、写出4-甲基戊烯酮两种同分异构体的分子的结构简式 ,并指出当使用IR和UV两种方法对下列两组样品进行鉴定 时,试问哪种方法更适合? 2、芳香化合物C7H8O的IR谱图有下列波数的谱带3380、 3040、2940、1460、690、740cm-1;没有下列波数的 谱带1736、2720、1380、1182cm-1。请判别该化合物可 能的结构。 3、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丁二烯、聚碳酸酯四种聚合物 在200-400nm的紫外区有吸收吗?为什么?
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
W avenumbers (c m-1)
例:指出以下红外光谱图归属于哪种常见的聚合物,写出 其结构简式并指出其主要的吸收峰。

聚合物为聚丙烯,结构简式:
H C CH3 H2 C
n

2800-3000多重峰,CH3,CH,CH2伸缩振动 叠加;1460,CH2面内弯曲,1378甲基面内 弯曲;841、998和1304与结晶有关。
6、聚合物表面的研究



ATR技术(衰减全反射):使 红外辐射进入样品时发生 全反射,从而测定样品表 面的红外光谱。 一般来说,射穿厚度0.1-5 微米,入射角度30-60. 入射角越大,晶体折射率 越高,穿透深度越小。
从图 中 透射光谱(a)上 可以看出薄膜的主要成分 是由均苯四酸酐和 4,4’二胺基二苯醚缩聚的聚酰 亚胺。从样品正反两面的 ATR 光谱可以清楚地看出, 一面是纯的聚酰亚胺 (b) ,只是其中位于 3000cm-1谱带强度有些不 同。这是因为光线在短波 长处穿透深度较浅的原因。 在薄膜另一侧表面上有薄 的聚四氟乙烯涂层(c) 。
聚甲基丙烯酸甲酯
CH3 C C O H2 C O CH3
1730,C=O; 1150-1268,C-O-C伸 缩振动。
第四节 红外光谱在高分子研究中的应用


1、分析与鉴别高聚物
基团的特征振动频率是鉴别聚合物的基础,聚合物含有的 特征官能团会出现特定的吸收峰,根据这些特征吸收峰的 位置可以确定聚合物的类型。 含羰基聚合物在羰基振动区(1800~1650cm-1)有强吸收 饱和聚烯烃在碳氢键的面内弯曲振动区(1500 ~ 1300cm-1 ) 出现强吸收; 聚醚、聚砜、聚醇类聚合物在碳氧伸缩振动区(1300 ~ 1000cm-1 )出现强吸收; 含取代苯、不饱和双键及含硅和卤素聚合物的最强吸收峰 出现在1000 ~ 600cm-1)区域;
红外光谱中各种化学键的特征频率
光谱区段(cm-1) 4000—3000 3300—2700 2500—1900 1900—1650 1675—1500 1500—1300 1300—1000 1000—650 引起各种吸收的基团 O-H,N-H C-H C ,N,O叁键,共轭双键 -C=O,Ar-H弯曲的倍频及合频 Ar环,C=C,C=N-伸缩 C-H 面内弯曲 C-O,C-F,C-C,Si-O伸缩 C-H面外弯曲,C-Cl伸缩







将样品谱图与已知标准谱图进行对比; 否定法 如果在某个基团的特征频率吸收区找不到 吸收峰,即可判定样品中不存在该基团; 肯定法 根据谱图上强吸收带位置,确定是何基团 ,然后再由较强吸收带的位置确定其它基 团,最终判别聚合物 计算机谱图解析法
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
Abs orbanc e
H2O
C H2
H C C O NH2
3、聚合物分子链构型分析
如:聚丁二烯:顺式-1,4,反式-1,4和1,2-加成的 链构型,即三种几何异构体。
724 cm-1
967 cm-1
911 cm-1和990 cm-1
它们的C=C-H弯曲振动,由于环境不同,在红外 光谱图中出现很大的差异。 顺式-1,4 724 cm-1 反式-1,4 967 cm-1 1,2-加成 911 cm-1和990 cm-1 利用光的吸收定律可以估算聚丁二烯中各种构型的相 对含量。
5、高聚物取向的研究
5、高聚物取向的研究


在红外光谱仪的测量光路中加入一个偏振器 形成偏振红外光谱,是研究高分子链取向的 很好的一个手段。 当红外光通过偏振器后就成为其电矢量上只 有一个方向的红外偏振光。当偏振光通过取 向的高聚物膜(如聚酯)时,若电矢量方向 与—C=O振动的偶极矩方向平行时,则—C=O 谱带具有最大的吸收强度;反之,当垂直时 ,这个振动几乎不产生吸收,这种现象称为 红外二向色性。
例:利用红外光谱区 分:尼龙-6,尼龙-7 和尼龙-8。 -NH-(CH2)5-CO-, -NH-(CH2)6-CO-, -NH-(CH2)7-CO-(CH2)n-基团中C-H 面外弯曲振动(700左右) 随着n的变化而变化,n≥4 时出现分峰。随着n的增大,
吸收逐渐向低波数移动, 只有一个亚甲基的乙基- CH2CH3,在775 cm-1附近有 吸收峰。
2、高聚物反应的研究
O O O C O O C
2
C O
+
CO2
(LDPE)
H
+
nAN
n
H 2C
CH C N
H2 C
H C C
n
N
2、高聚物反应的研究
2240
5
Absorbance
4
3
2
1
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
Wavenumbers
(cm-1)
H C C H2 C N
测试方法:单向拉伸的膜,沿拉伸方向部分取向,将样品放人测试光 路,转动偏振器,使偏振光的电矢量方向先后与样品的拉伸方向平行 和垂直,然后分别测出某谱带的这两个偏振光方向的吸光度,并用 A∥和 A⊥表示,二者比值称为该谱带的二向色性比,即:
R = A∥/A⊥
在原则上讲可以从 0 到∞,但由于样品不可能完全取向,因此只是 在 0.1 到 10 之间。
(INFRARED SPECTROSCOPY)
1.0 0.9
第三章 红外光谱
Байду номын сангаас
0.8
0.7
0.6
Ab so r b a n ce
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
4000
3500
3000
2500
2000 Wavenumbers (cm-1)
1500
1000
500
红外光谱的基本原理
当样品分子受到频率连续变化的红外光照 射时,分子吸收红外光能量,引起具有偶 极矩变化的分子的振动能级跃迁(伴随有 转动能级跃迁),从而形成的分子吸收光 谱称为红外光谱。
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