模拟电子技术试题及答案详解

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《模拟电子技术》模拟试题【文后附答案】

《模拟电子技术》模拟试题【文后附答案】

《模拟电子技术》模拟试题【文后附答案】1.晶体三极管处于放大状态时,集电结和发射结的偏置情况为( )。

A 发射结反偏,集电结正偏 B 发射结、集电结均正偏 C 发射结正偏,集电结反偏2.电压跟随器是( )的特例。

A 反相比例运算B 同相比例运算C 加法运算 3.反相比例运算放大电路引入的是( )负反馈。

A 串联电压 B 并联电压 C 串联电流 4.三极管作放大管时一般工作在( )。

A 放大区 B 截止区 C 饱和区5.温度影响了放大电路中的( ),从而使静态工作点不稳定。

A 三极管 B 电容 C 电阻 6.场效应管是( )器件。

A 电流控制B 电压控制C 光电控制 7.差分放大电路是为了( )而设置的。

A 稳定AuB 放大信号C 抑制零点漂移 8.场效应管按性能分为耗尽型和( )。

A 绝缘栅型B 耗尽型C 增强型 9.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均在Uo=( )U2。

A 0.45 B 0.9 C 1.2 10.整流的目是( )。

A 将交流变为直流B 将高频变为低频C 将正弦波变为方波。

11.射极输出器的输出电压与输入电压( )。

A 反相B 同相C 不确定一、单项选择题(共 20 题,每题 2 分,共 40 分)12.直接耦合放大电路存在两个问题是前后级静态工作点相互影响和( )。

A 温度升高 B 零点漂移 C 功率输出增大 13.理想运放同相输入和反相输入的虚短指的是( )这种现象。

A U+ =U- B U+=0 C I+=I- 14.利用二极管的( )可以交流电将变成直流电。

A 放大特性 B 稳压特性 C 单向导电性 15.滤波电路的作用是( )。

A 减小直流电的脉动 B 输出稳定电压 C 整流16.三极管是电流控制器件,三极电流关系为( )和IC=βIB 。

A IC =IB+IE B IE =IB+IC C IB =IE+IC17.根据三极管结构的不同有NPN 和PNP 两种,而根据材料的不同分为( )两种。

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)一、单选题(共100题,每题1分,共100分)1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。

( )A、错误B、正确 ;正确答案:B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在,可断定为电流负反馈。

()A、对 :B、错正确答案:A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。

A、仍为正弦波。

B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案:D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案:C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案:A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。

()A、错B、对 :正确答案:A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。

( )A、正确 ;B、错误正确答案:B8、N型半导体中的多数载流子是()A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案:C9、集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用()A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案:C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。

A、共模B、模拟C、差模正确答案:A11、理想集成运放的输出电阻为()。

A、不定。

B、∞;C、0;正确答案:C12、PN结两端加正向偏置电压时,其正向电流是由()而成。

A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案:D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为()A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案:C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。

2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。

3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。

4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。

5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。

答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。

【2024版】模拟电子技术试题库及答案

【2024版】模拟电子技术试题库及答案
3、PN结正向偏置时,内、外电场方向相反,PN结反向偏置时,内、外电场方向相同。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时,需选用欧姆挡的R×1k档位,检测中若指针偏转较大,可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?
答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大,且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同?其导通和阻断的条件有什么不同?
答:普通二极管根据其单向导电性可知,阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通,反之阻断,可用于整流、钳位、限幅和电子开关;普通三极管在放大电路中起放大作用,在数字电子技术中起开关作用,普通三极管用于放大作用时,只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用,当发射极反偏时就会阻断放大信号通过;用作开关元件时,当发射结和集电结都正偏时,它就会饱和导通,当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时,晶体管就截止,阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件,只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构,有阳极,阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通,即:晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的,还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通(晶闸管一旦导通后,门控极即失去作用);当晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受多大电压,晶闸管都处于阻断状态,或者晶闸管在导通情况下,其主回路电压(或电流)减小到接近于零值时,晶闸管也会自动关断。

《模拟电子技术》模拟题及答案

《模拟电子技术》模拟题及答案

《模拟电子技术》模拟题及答案(本题共5小题, 每小题4分, 共 20 分)一、填空题1.在本征硅中掺入三价杂质元素, 可获得 型半导体, 其多子是 载流子, 少子是 载流子, 不能移动的定域离子带 电。

2.稳压二极管正常工作......区;光电二极管正常工作...... 区;变容二极管正常工作......区;发光二极管正常工作......区, 其导通压降至少应... V 以上。

3.双极型晶体管是以基极小电流控制集电极大电流的器件, 所以称....控制型器件;单极型场效应管则是以栅源间小电压控制漏极大电流的器件, 因之称... 控制型器件。

4.放大电路静态分析的目的是找出合适......., 以消除非线性失真;动态分析的目的是寻求放大电路......., 根据动态分析结果来确定放大电路的适用场合。

5.文氏桥正弦波振荡器主要......网络和集成运放构成..... 构成的。

电路中的正反馈环节起.....作用;电路中的负反馈环节则起.....作用。

6.小功率并联型直流稳压电源的输出电压是.......调整的;串联型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态;开关型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态。

(本题共11小题, 每小题1分, 共11分)二、 判断正、误题 1.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿, 不会损坏二极管。

2.双极型三极管各种组态的放大电路, 输入、输出均为反相关系。

3.本征半导体中掺入五价杂质元素后, 生成N 型半导体, 其多子是自由电子载流子。

..)4.OCL 甲乙类功放采用了单电源供电方式, 其输出大电容起负电源的作用。

..)5.功率放大器中, 甲乙类功放的性能最优良, 高保真较甲类强, 效率较乙类高。

..)6.NPN 型三极管工作在放大状态时, 其发射极电位最低, 集电极电位最高。

..)7.“虚短”和“虚断”两个重要概念, 无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。

模拟电子技术答案详解

模拟电子技术答案详解

某某农业大学网络教育课程考试模拟电子技术试卷注意:答案直接填写在word试卷上,保存后再上传到机考平台,点交卷完成考试。

一、问答题〔每题4分,共24分〕1、PN结是如何形成的?答:在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质〔离子〕是固定不动的 .N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合,载流子消失.因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区 .P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ,N 型半导体一边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散 ,达到平衡. 在PN结上外加一电压 ,如果P型一边接正极 ,N型一边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过.如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,如此空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过.这就是PN结的单向导电性. PN结加反向电压时 ,空间电荷区变宽 ,区中电场增强.反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大.如果外电路不能限制电流,如此电流会大到将PN结烧毁.反向电流突然增大时的电压称击穿电压.根本的击穿机构有两种,即隧道击穿〔也叫齐纳击穿〕和雪崩击穿,前者击穿电压小于0.6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于0.6V,有正的温度系数.PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件.它的电容量随外加电压改变.2、二极管正、负极性的判断方法?答:(1)观察法查看管壳上的符号标记,通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头一端为正极、另一端为负极。

对于点接触型玻璃外壳二极管,可透过玻璃看触针,金属触针的一头为正极。

大学_模拟电子技术模拟试题及参考答案

大学_模拟电子技术模拟试题及参考答案

模拟电子技术模拟试题及参考答案模拟电子技术模拟试题一、填空题(每小题1分,共10分)1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高。

( )2、集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。

( )3、BJT的.值越大,放大能力越强,但在选用BJT时,并不是值越大越好。

( )4、集电极电阻RC的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化,实现电压放大。

因此, RC的值越大,输出电压越高。

( )5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区,则不论输入什么信号,都不会产生非线性失真。

( )6、分压偏置电路的发射极电阻Re越大,工作点稳定性越好。

但Re过大,会使BJT的VCE减小,影响放大器的正常工作。

( )7、射极输出器的输入电流是IB,输出电流是IE,因此,具有较高的电流放大倍数。

( )8、在OTL 功放电路中,输出耦合电容的主要作用是“隔直”,防止直流经负载短路。

( )9、在运放电路中,闭环增益AF是指电流放大倍数。

( )10、只要满足AF=1,a+f=2n这两个条件,就可以产生正弦波振荡。

模拟电子技术模拟试题二、判断题(每小题1分,共10分)1、PN结在外加正向电压的作用下,扩散电流( )漂移电流。

a.大于b. 小于c. 等于2、当环境温度降低时,二极管的反向电流( )a.不变b. 增大c.减小3、测得BJT各极对地电压为VB=4V,VC=3.6V,VE=3.4V,则该BJT工作在( )状态。

a.截止 b.饱和 c.放大4、NPN管工作在放大区时,三个极的电位特征是( )。

a.VCVBVEb.VCVC d.VEVB5、为了减小输出电阻,集成运放的输出级多采用( )电路。

a.共射或共源b.差分放大c.互补对称6、运放的共模抑制比越大越好,因为它越大,表明运放的( )a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强7、希望接上负载RL后,VO基本不变,应引入( )负反馈。

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