二极管参数符号及意思
二极管及三极管电路符号大全
二极管及三极管符号大全图二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结极间电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数;在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流正向测试电流;锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流；硅整流管;硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流平均值,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IFAV---正向平均电流IFMIM---正向峰值电流正向最大电流;在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流;发光二极管极限电流;IH---恒定电流;维持电流;Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流浪涌电流Io---整流电流;在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IFov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IRAV---反向平均电流IRIn---反向直流电流反向漏电流;在测反向特性时,给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流;IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流反向浪涌电流Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流反向测试电流;测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向整流电流;在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流;在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值品质因素δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFTAV---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率;硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率;在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RFr---正向微分电阻;在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性;在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rsrs----串联电阻Rth----热阻Rthja----结到环境的热阻Rzru---动态电阻Rthjc---结到壳的热阻rδ---衰减电阻rth---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降正向峰值电压VF---正向压降正向直流电压△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VFAV---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压反向直流电压VRM---反向峰值电压最高测试电压VBR---击穿电压Vth---阀电压门限电压VRRM---反向重复峰值电压反向浪涌电压VRWM---反向工作峰值电压Vv---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压信号电压或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压稳流二极管VL---极限电压CT---势垒电容Cj---结极间电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数;在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流正向测试电流;锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流；硅整流管;硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流平均值,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IFAV---正向平均电流IFMIM---正向峰值电流正向最大电流;在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流;发光二极管极限电流;IH---恒定电流;维持电流;Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流浪涌电流Io---整流电流;在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IFov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IRAV---反向平均电流IRIn---反向直流电流反向漏电流;在测反向特性时,给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流;IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流反向浪涌电流Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流反向测试电流;测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向整流电流;在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流;在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值品质因素δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率。
二极管的主要参数
二极管的主要参数正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。
反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。
结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。
最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
2.常用二极管（1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。
通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。
2.常用二极管（1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。
通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。
2）检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
（3）开关二极管在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。
开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。
4）稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。
二极管的结构及符号
二极管的结构及符号二极管（Diode）是一种最简单的半导体器件，它由P型半导体和N型半导体组成。
其结构一般可以分为结型二极管和功率二极管两种。
结型二极管的结构是P型半导体和N型半导体直接连接而成。
在过渡层，即P区和N区共同形成一个p-n结。
P区和N区之间为过渡层（即p-n结）。
该结构常用于一般用途的低功率电子元件中。
结型二极管的符号如下：P N──►┼─►┼─►┼─►┼─►Anode CathodeP型半导体被称为阳极（Anode），N型半导体被称为阴极（Cathode），箭头的方向表示电流的流向，即从阳极到阴极流动。
结型二极管可以理解为一种电流方向只允许单向流动的电阀，它只能在阳极到阴极方向上导通，当反向电压加到二极管上时，它将处于截止状态。
功率二极管是一种结构相对较为复杂的二极管，其主要特点是具有高压、大电流、高频率的特点。
功率二极管的结构是在结型二极管的基础上加入了内部层接触电极，使得正向电流能够更加容易地流动。
功率二极管的符号如下：│──────────────┼───►┼───►┼────┼│ C K其中，C和K分别代表控制端（Control）和阴极端（Cathode）。
与结型二极管不同的是，功率二极管在符号上加入了附加的箭头表示控制电流的方向。
功率二极管可广泛应用于电源、开关电路等高功率领域。
除了上述两种常见的二极管结构外，还有许多其他类型的特殊结构的二极管，以满足不同领域应用的需求。
例如，肖特基二极管由金属和半导体部分组成，具有高电压、大电流的特点，适用于高频电路的检波和混频电路等。
锗二极管是早期使用的一种材料，但由于其耐压能力和稳定性较差，现已被硅二极管所取代。
总结一下，二极管是一种由P型半导体和N型半导体组成的半导体器件。
结型二极管和功率二极管是两种常见的结构，其符号中P和N分别代表P型和N型半导体，通过箭头的方向指示电流的流动方向。
二极管在电子领域具有广泛的应用，不同类型的二极管可用于不同的场合，满足不同的需求。
常用二极管三极管参数大全
常用二极管三极管参数大全一、常用二极管参数1.直流正向电压降（Vf）：指二极管正向导通时的电压降，也称为前向压降，一般常用的正向电压降为0.6V或0.7V。
2. 最大正向电流（Ifmax）：表示二极管正向工作时的最大电流，超过该电流可能会损坏二极管。
3. 最大反向电压（Vrmax）：指二极管反向工作时最大允许的电压，超过该电压可能会导致二极管击穿。
4. 最大反向电流（Irmax）：表示二极管反向工作时的最大允许电流，超过该电流可能会损坏二极管。
5. 最大耗散功率（Pdmax）：表示二极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致二极管过热损坏。
6.负温度系数（TK）：指二极管在正向工作时，正向电流随温度升高而减小的程度，一般单位为%/℃。
7. 正向电导（Gon）：指二极管正向工作时的导通电导，一般单位为S（西门子）或mA/V。
8.反向电容（Cj）：指二极管反向偏置条件下的电容，一般单位为pF（皮法）。
9. 反向延迟时间（trr）：指二极管正向导通结束到反向电流消失的时间。
10.导通角（θF）：指二极管在正向导通状态下的导电角，即Ⅲ象限导通角。
二、常用三极管参数1. 最大漏极源极电压（Vceo）：表示三极管漏极与源极之间的最大电压，超过该电压可能会导致击穿。
2. 最大集电极电流（Icmax）：表示三极管集电极最大允许的电流，超过该电流可能会损坏三极管。
3. 最大发射极电流（Iemax）：表示三极管发射极最大允许的电流，超过该电流可能会损坏三极管。
4. 最大功率（Pmax）：表示三极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致三极管过热损坏。
5. 最大反向电压（Vrmax）：指三极管反向工作时最大允许的电压，超过该电压可能会导致击穿。
6. 最大反向电流（Irmax）：表示三极管反向工作时的最大允许电流，超过该电流可能会损坏三极管。
7. 输入电容（Cin）：指三极管输入端的电容，一般单位为pF（皮法）。
8. 输出电容（Cout）：指三极管输出端的电容，一般单位为pF（皮法）。
各种二极管符号及作用
各种二极管符号及作用二极管是一种常见的电子器件，广泛应用于电路中。
它具有电流只能单向通过的特性，常用于整流、检波、稳压、开关等电路中。
下面将详细介绍各种二极管的符号及作用。
1.正向导通二极管（正向二极管）：正向导通二极管的符号为一个三角箭头指向一条直线。
它由P型半导体和N型半导体组成，P区称为阳极，N区称为阴极。
当外加正向电压时，两个半导体之间的势垒会被压低或消除，形成导电通道，电流可以顺利通过。
所以正向导通二极管主要用作整流器、放大器等电路中。
2.反向截止二极管（反向二极管）：反向截止二极管的符号为一个三角箭头指向一条直线，并且箭头与直线相连。
它同样由P型半导体和N型半导体组成，但是当外加反向电压时，两个半导体之间的势垒会增大，阻断电流流动。
所以反向截止二极管主要用作保护电路中的组件，防止过电压损坏其他器件。
3.发光二极管（LED）：发光二极管的符号与正向导通二极管相似，但在箭头顶部加了两条斜线，表示发光。
发光二极管在正向导通时会发出可见光或红外线，常用于指示灯、显示屏、数码管等场景中。
4. 齐纳二极管（Zener二极管）：齐纳二极管的符号与正向导通二极管相似，但在箭头上加了一个斜杠。
齐纳二极管是一种特殊的二极管，主要用于稳压电路中。
当反向电压达到其中一特定电压值时，齐纳二极管会出现反向击穿现象，即通过漏电流来维持固定电压输出。
因此，齐纳二极管可以用来实现稳定的电压源。
5. Schottky二极管：Schottky二极管的符号与正向导通二极管相似，但箭头底部加了一个横线。
Schottky二极管由金属与半导体的接触形成，具有快速开关速度和低导通压降的特性。
它广泛应用于高速开关电路、电源转换器、射频调制解调器等场景中。
6.多层结二极管（TPD）：多层结二极管的符号使用两个三角箭头，一个指向上方，一个指向下方，两个三角箭头之间有一个横线连接。
多层结二极管由多个PN结级联而成，可以在高电压条件下工作。
二极管参数符号及意义
二极管参数符号及意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。
硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(A V)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流。
维持电流。
Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(A V)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
二极管的符号判别参数和分类
二极管的符号判别参数和分类一、二极管的符号和判别二极管是一种电子器件，用于将电流限制在单一方向上。
它有一个正极（阳极）和一个负极（阴极），可以作为整流器、开关、信号调整器等多种应用。
```------/\\/------```二极管的正极（阳极）用一个竖线表示，而负极（阴极）用一个三角形表示。
箭头指向的方向表示了电流流动的方向。
二极管的判别可以通过以下几个方面进行：2.使用万用表进行测试：-使用万用表的二极管测试档，将测试引线接到二极管的两端。
-当二极管连接正确时，万用表显示正常的导通状态，电流从正极（阳极）流向负极（阴极）。
-如果显示为导通状态，但电流方向相反，说明二极管连接反了，需要重新接线。
-如果万用表显示为不导通状态，则二极管可能是损坏的。
1.二极管的参数-额定电压（VRRM）：二极管能够承受的最大反向电压。
-最大连续工作电流（IF(AV)）：二极管所能承受的最大平均电流。
-最大脉冲工作电流（IFM）：二极管所能承受的瞬时最大电流。
-正向压降（Vf）：在正向条件下，二极管所产生的电压降。
-反向漏电流（IR）：在反向条件下，二极管中的漏电流。
- 反向恢复时间（trr）：当二极管从正向工作状态切换到反向状态时，恢复到正常的反向状态所需要的时间。
2.二极管的分类-硅二极管：这是最常见和广泛使用的二极管类型。
它具有较高的工作温度范围，高耐压能力和高速性能，通常用于整流、开关和放大器等电路中。
-锗二极管：它具有更低的正向压降和更高的工作频率，但较低的耐压能力。
它通常用于低功率应用，如收音机、无线电等。
-快恢复二极管：它的反向恢复时间较短，能够更快地从正向工作状态切换到反向状态，通常用于高频和高速应用。
-肖特基二极管：它具有较低的正向压降和较快的开关速度，广泛应用于功率电子器件和高频电路中。
-隧道二极管：它的特殊结构使电子能够以隧道效应穿越势垒，具有负阻特性，通常用于高频振荡器和高速开关等应用。
总结：二极管是一种电子器件，用于限制电流在单一方向上流动。
半导体二极管参数符号及其意义
半导体二极管参数符号及其意义半导体二极管参数符号及其意义（上）CT---势垒电容 Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）---正向平均电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR（AV）---反向平均电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
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半导体二极管参数符号及其意义
CT---势垒电容
Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电IDR---晶闸管断态平均重复电IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。
测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---最大正向（整流）电流。
在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流。
在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数；电容比
Q---优值（品质因素）
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PM---额定功率。
硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Pomax---最大输出功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率。
在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
RF（r）---正向微分电阻。
在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。
在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/ RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RE---射频电阻
RL---负载电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth----热阻
R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r δ---衰减电阻
r(th)---瞬态电阻
Ta---环境温度
Tc---壳温
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间
Tj---结温
Tjm---最高结温
ton---开通时间
toff---关断时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间
ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
a---温度系数
λp---发光峰值波长
△ λ---
光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压
VB2B1---基极间电压
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VEB---饱和压降
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压
VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF（AV）---正向平均电压Vo---交流输入电压
VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压
Vn---中心电压
Vp---峰点电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
V（BR）---击穿电压
Vth---阀电压（门限电压）VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压V v---谷点电压
Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
av---电压温度系数
Vk---膝点电压（稳流二极VL ---极限电压。