模拟电子技术基础复习题
《电子技术基础》复习题(模拟)
一、填空题：1—1—1 半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。
常用的半导体单晶材料是硅和锗，还有部分金属与氧、硫、磷、砷等元素组成的氧化物。
1—1—2 利用半导体材料的某种敏感特性，如热敏特性和光敏特性可制成热敏电阻和光敏元件。
1—1—3 在本征半导体中，自由电子浓度等于空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度小于空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度大于空穴浓度。
1—1—4 半导体中的电流是电子电流与空穴电流的代数和。
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的；少数载流子是由本证激发产生的。
1—1—5 使PN结正偏的方法是：将P区接高电位，N区接低电位。
正偏时PN结处于导通状态，反偏时PN结处于截止状态。
1—1—7 反向电压引起反向电流剧增时的PN结处于击穿状态，该状态是稳压二极管的工作状态，是普通二极管的故障状态。
1—1—9 整流二极管的最主要特性是单项导电性，它的两个主要参数是：最大平均整流电流 和 最高反向工作电压 。
1—1—10 在常温下，硅二极管的开启电压(死区电压)约为0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V ；锗二极管的开启电压(死区电压)约为 0.1 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.3 V 。
1—1—11 理想二极管正向导通时，其压降为 0 V , 反向截止时，其中电流为 0 A 。
这两种状态相当于一个 开关 。
1—1—12 稳压二极管工作时，其反向电流必须在WmanW I I ~min 范围内，才能起稳压作用，并且不会因热击穿而损坏。
1—1—13 发光二极管内部 PN 结 ，当外加适当的正向电压时，N 区的自由电子和P 区的空穴在扩散过程中 复合 ，释放的能量以 光 的形式表现出来。
1—1—14 发光二极管按其发光效率的高低可分为 超高亮度 型 高亮度 型和 普通型。
1—1—15 用万用表及R ×100Ω或R ×1K 档测试一个正常二极管时指针偏转角很大，这时可判定黑表笔接的是二极管阳(正) 极，红表笔接的是二极管 阴（负） 极。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基本概念复习题与答案
《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。
×4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。
×5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
×6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。
√7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
√8、 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
×9、 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。
√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
√ 18、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。
√ 19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。
× 22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术基础试题及答案
(120)1．纯净的半导体叫（）。
掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。
A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。
A．扩散B．漂移C．小D．大3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。
A．双极B．空穴C．单极D．自由电子4．负反馈放大电路的含义是（）。
A．输出与输入之间有信号通路B．电路中存在反向传输的信号通路C．除放大电路之外还有信号通路D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。
A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。
A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。
A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。
A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。
A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。
A．带阻B．带通C．低通D．有源11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。
A．比较B．滤波C．调整(210)1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。
（）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（）5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。
A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。
C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。
D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
《模拟电子技术基础》基本概念复习题及答案
《模拟电⼦技术基础》基本概念复习题及答案《模拟电⼦技术基础》基本概念复习题⼀、判断题1、凡是由集成运算放⼤器组成的电路都可以利⽤“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、凡是运算电路都可利⽤“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、理想运放不论⼯作在线性区还是⾮线性区状态都有v N = v P 。
×4、当集成运放⼯作在闭环时，可运⽤虚短和虚断概念分析。
×5、在运算电路中，同相输⼊端和反相输⼊端均为“虚地”。
×6、在反相求和电路中，集成运放的反相输⼊端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输⼊电流之代数和。
√7、温度升⾼后，本征半导体中⾃由电⼦和空⽳数⽬都增多，且增量相同。
√8、因为N 型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电。
×9、因为P 型半导体的多⼦是空⽳，所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺⼊⾜够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管⼯作在截⽌区时，管⼦两端电压的变化很⼩。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放⼤电路必须加上合适的直流电源才可能正常⼯作。
√ 14、放⼤电路⼯作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放⼤电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、由于放⼤的对象是变化量，所以当输⼊信号为直流信号时，任何放⼤电路的输出都毫⽆变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放⼤作⽤。
√ 18、共集放⼤电路⽆电压放⼤作⽤，但有功率放⼤作⽤。
√ 19、只有电路既放⼤电流⼜放⼤电压，才称其有放⼤作⽤。
× 20、放⼤电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放⼤电路，有电流和功率放⼤作⽤。
× 22、只要是共射放⼤电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
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模拟电子技术基础复习题填空题1.在本征半导体中加入 价元素可形成P 型半导体。
2.PN 结最主要的特性是 。
3.如图1所示，设二极管导通电压D u ＝0.7V ，则电路的输出电压值ou 为 。
4.某个三极管工作在线性放大区，当10B I uA =，测得0.91C I mA =;当20B I uA =时， 1.81C I mA =。
则电流放大系数β＝ ，反向饱和电流CBO I = 。
5.场效应管的三个工作区域为 ， ， 。
6.对共射放大电路来说，发生在输出信号正半周期的失真是 ，发生在输出信号负半周期的失真是 。
7.集成运放输入级均采用 放大电路。
8.如图3示，这是一个 级放大电路。
假设各级均为共射电路，那么电压放大倍数 u A = 或 。
9.由理想运放构成的运算电路如图4示，1u =0.1V ，2u =0.45V ，则输出电压O u = 。
10.为了获得输入电压中的低频信号，应选用 滤波电路。
11.在乙类功率放大器中，由于三极管的死区电压造成的失真称为 。
12.电压比较器中的集成运放工作在 区。
图1图220lgA dBuHz图3图413.稳压管通常工作在状态（A.正向导通；B.反向击穿）。
14.在OCL乙类功放中，若其最大输出功率为1W，则电路中功放管（单管）的集电极最大功耗约为。
15.某放大电路负载开路时，U O=6V，接上3KΩ负载后，U O=4V，说明该放大电路的输出电阻R0= 。
16.正弦波振荡器的振荡条件是。
17.为了避免50Hz电网电压的干扰信号进入放大器，应选用滤波电路。
18.在放大电路中，为了稳定静态工作点，应引入负反馈，为了稳定放大倍数应引入负反馈。
19.互补输出级中的BJT通常采用接法，其目的是为了提高（A.负载能力；B.最大不失真输出电压）。
20.通用型集成运放通常采用耦合方式。
21.双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射极需要加偏置电压，集电极需要加偏置电压；场效应管是控制器件。
22.在运算电路中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。
答案：1． 3 2．单向导电性 3．1.3V4． 90、0.11μA5．可变电阻区恒流区、夹断区6．截止失真饱和失真7.差分 8．三 、43510101110jf jf -⎛⎫⎛⎫++ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭、33510111010jf jf jf -⎛⎫⎛⎫++ ⎪⎪⎝⎭⎝⎭9.0.7V 10.低通 11.交越失真 12.非线性13. 反向击穿 14．0.2W 15. 1.5K 16.1≥F A和πϕϕn B A 2=+17.带阻 18.直流、交流 19.共集、负载能力 20.直接 21.电流、正向、反向、电压 22.线性、非线性选择题1.图示电路中，二极管D A 、D B 的正向压降均为0.6V , 当U A =3V 、U B =0V 时，输出电压U F 为（ ）。
(a)0.6V (b)2.4V(c)3.6V (d)－0.6V2.电路如图所示，若忽略二极管D 的正向压降和正向电阻，则输出电压u O 为（）。
(a) +12V (b) +6V (c) +2V3.某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘栅场效应管型号为（ ）。
(a)P 沟道耗尽型 (b)P 沟道增强型 (c)N 沟道耗尽型 (d)N 沟道增强型DS G4.两级阻容耦合放大电路，第一级为共射极放大电路，第二级为射极跟随器电路，现将第二级也换为共射极大电路，则第一放大电路的电压放大倍数将（ ）。
(a)增大 (b )减小 (c )不变5.在直接耦合放大电路中采用差动式电路结构的主要目的是（ ）。
(a) 提高电压放大倍数 (b )提高输入电阻 (c) 抑制零点漂移D UU UD R – 6V6.电路如图所示，RF 引入的反馈为（ ）。
(a)并联电压负反馈 (b)串联电流负反馈 (c)并联电流负反馈(d)串联电压负反馈7.运算放大器应用电路如图所示，在运算放大器线性工作区，输出电压与输入电压之间的运算关系是（ ） (a)⎰-=t u RC u d 1i o (b)⎰=t u RC u d 1i o (c)dt du RC u i -=o (d)dtdu RC u i =o答案：1.b2.c3.b4.b5.c6.a7.a.判断题1.放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。
2.电路中只要引入负反馈就可以改善电路的性能。
3.现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两极放大电路，其电压放大倍数为10000。
4.集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。
5.直流放大器的特点是能放大缓慢变化的信号以及直流成分的信号。
6.差动放大电路中的发射极电阻越大越好。
7.串联负反馈使输入电阻增大，并联负反馈使输入电阻减小。
8.电压负反馈使输出电阻减小，电流负反馈使输出电阻增大。
9.P 型半导体中的多子是空穴，因此P 型半导体带正电。
10.共集电极放大电路又叫做射极跟随器，指的是输出电流的跟随。
11.因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电12.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
13.三极管的集电级电流C I 是由三极管产生的14.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－110，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数一定为12100。
15.为了稳定静态工作点，应引入直流负反馈。
16.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。
17.运放的共模抑制比c d CMR A AK =。
18.RC 正弦波振荡电路的振荡频率较低，LC 正弦波振荡电路的振荡频Cu i Ru o ∞ R FR 2u O－＋∞+R L R 1u I•+-率较高。
19.在电压比较器电路中，集成运放不是工作在开环状态，就是只引入了正反馈。
20.整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。
答案：1-5 √ √ √ √ × 6-10 √ √ √ × × 11-15 × × × × √ 16-20 × √ √ √ √桥式整流、滤波、稳压电路如图所示， （1）求输出电压U o ；（2）若W7812的片压降U 1-2=3V ，求输入电压U I ；（3）求变压器二次电压U 2。
答案：(1) 12O =U V （2）V 151232=+=U （3）V 5.122.12==I UUU o图示电路中二极管的正向压降忽略不计，已知输入电压u i的波形如图，试画出对应的输出电压u O的和二极管的电压u D波形。
tu u O+u D─V－tu D(V)－－－8由理想运放构成的电路如图，试求(1)写出各电路的iov v A =表达式；（2）说明各电路的运算功能.。
v oR 1R 2R 3v i(a)∞v oR 1R 2R 3R 4v i(b)∞解：(1)图(a)12R R ui u o -= 运算功能为反相输入。
(2) 图(b)344121R R R R R R ui u o +⨯+= 运算功能为减法运算。
比较器电路如图所示，U R V =3，运放输出的饱和电压为±U OM （±12V ），要求：(1)画出传输特性； (2)若V sin 6I t u ω=，试对应画出u O 的波形。
-∞＋＋u I u ORRU Rωt-60ωt-6(1)传输特性 (2) 输出波形- 12 ttu I V/图示电路为单端输入-双端输出差分放大电路，已知β=50，U BE =0.7V ,试(1)计算静态工作点(2)差模电压放大倍数A d =u O /u i 。
解：(1) 静态时A ====⨯⨯⨯-=≈=⨯⨯=≈≈10.4μmA 5052.0V 8.9V )1052.0101015(-mA 52.0A 103.142152CB 3-3C C CC CE 3E EE E βI I I R V U R V I I C (2) 差摸放大倍数44.1751085.2101050K 85.2]52.02651300[]26)1(300[33be B C d E -=⨯⨯⨯-=+-=Ω=Ω⨯+=++=r R R A I r be ββ在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。
①试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？②A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？③若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？+15V解：① A 1组成反相比例电路，A 2组成单值比较器，A 3组成电压跟随器； ② A 1和A 3工作在线性区，A 2工作在非线性区； ③ u O1 = -10V ，u O2 = 12V ，u O3 = 6V 。
在图示电路中，R f 和C f 均为反馈元件，设三极管饱和管压降为0V 。
① 若使闭环电压增益A uf = 10，确定R f = ？ ② 求最大不失真输出电压功率P omax = ？以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少？解：① 10)1(1f uf =+=R R A R f = 90 k Ω ② W 142L2CC omax ==R V P 最大输出时U om = V CC =A uf U im U im = 1.5V。