金刚石_铜电子封装复合材料的研究状况及展望_赵妍冰

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铜基复合材料的研究的开题报告

铜基复合材料的研究的开题报告

电子封装用金刚石/铜基复合材料的研究的开题报告
一、研究背景
随着电子产品越来越小型化、高集成化和高功率化,对于电子封装
材料的性能要求也越来越高。

因此,研究符合电子封装要求的材料显得
尤为重要。

金刚石作为一种材料,具有极高的硬度和热导率,能够有效地降低
电子元件的工作温度。

而铜作为一种导热性好的金属材料,则可以提升
电子元件的散热效果。

因此,将金刚石和铜两种材料进行复合,可以同
时发挥二者的优势,为电子封装提供更为理想的材料。

二、研究目的
本研究旨在探究金刚石/铜基复合材料的制备工艺,研究其微观结构与物理、化学性能,探索其在电子封装领域的应用前景,为电子封装材
料的研究提供新的思路和方向。

三、研究内容
(1)金刚石/铜基复合材料的制备工艺优化;
(2)金刚石/铜基复合材料的微观结构表征和物理、化学性能测试;
(3)探究金刚石/铜基复合材料在电子封装领域的应用前景。

四、研究方法
(1)利用化学气相沉积法制备金刚石薄膜;
(2)采用微米级球磨法将铜粉末分散于乙醇中;
(3)采用真空热压工艺将金刚石薄膜和铜粉末压制成金刚石/铜基
复合材料;
(4)通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪、热导率测试仪、硬度测试仪等对金刚石/铜基复合材料的微观结构和物理、化学性能进行表征和测试。

五、预期成果
(1)制备出金刚石/铜基复合材料,探究其制备工艺;
(2)表征金刚石/铜基复合材料的微观结构和物理、化学性能;
(3)探索金刚石/铜基复合材料在电子封装领域的应用前景;
(4)撰写开题报告、研究论文等相关文献资料,发表科研成果。

电子封装用金刚石_铜复合材料界面与导热模型的研究进展_邓佳丽

电子封装用金刚石_铜复合材料界面与导热模型的研究进展_邓佳丽

电子封装用金刚石/铜复合材料界面与导热模型的研究进展邓佳丽1,张洪迪1,范同祥1,汝金明2(1 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海200240;2 江苏大学先进制造和现代装备技术研究所,镇江212013)摘要 金刚石/铜复合材料具有高热导率、高强度、热膨胀系数可调的优点,是极具发展潜力的新一代电子封装材料。

针对复合材料两相界面结合较差的问题,目前主要采用添加活性元素在界面处生成碳化物层的方法来改善。

论述了活性元素添加的两种手段,即基体合金化和金刚石表面金属化的研究进展,并归纳了金刚石/铜复合材料导热模型的发展情况,最后提出了金刚石/铜复合材料在界面研究中面临的挑战和其未来努力的方向。

关键词 金刚石/铜复合材料 基体合金化 表面金属化 碳化物 模型中图分类号:TB333 文献标识码:A DOI:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.03.004Recent Progress on Interface and Thermal Conduction Models of Diamond/CopperComposites Used as Electronic Packaging MaterialsDENG Jiali 1,ZHANG Hongdi 1,FAN Tongxiang1,RU Jinming2(1 State Key Laboratory of Metal Matrix Composites,Shanghai Jiao Tong University,Shanghai 200240;2 Institute ofAdvanced Manufacturing and Modern Equipment Technology,Jiangsu University,Zhenjiang 212013)Abstract With the advantages of high thermal conductivity,high strength and tailored coefficient of thermalexpansion,diamond/copper composites are the most potential electronic packaging materials.In order to improve thepoor combination at the interface,scholars tend to use active elements to form carbides at the interface.Matrix allo-ying and diamond surface metallization are two effective ways.The recent progress on these two ways is summarizedand the development of heat transfer models is introduced systematically.In the end,the challenges and future direc-tion regarding to interface study are proposed.Key words diamond/copper composites,matrix alloying,surface metallization,carbide,model 邓佳丽:女,1991年生,硕士,研究方向为铜基复合材料 E-mail:dengjiali@sjtu.edu.cn 范同祥:通讯作者,男,1971年生,博士,教授,研究方向为特种功能金属基复合材料和生物启迪功能材料 Tel:021-54747779 E-mail:txfan@sjtu.edu.cn0 引言随着信息技术的发展,作为其重要支撑的电子制造业已成为各国竞相发展的支柱产业,我国在新时期科技发展纲要中明确把高端芯片和极大规模集成电路制造业列为重大专项。

金刚石在新型电子封装基板中的应用

金刚石在新型电子封装基板中的应用

金刚石在新型电子封装基板中的应用现代微电子技术进展快速,电子系统及设备向大规模集成化、微型化、高效率、高牢靠性等方向进展。

电子系统集成度的提高将导致功率密度上升,以及电子元件和系统整体工作产生的热量加添,因此,有效的封装必需解决电子系统的散热问题。

良好的器件散热倚靠于优化的散热结构设计、封装材料选择(热界面材料与散热基板)及封装制造工艺等。

其中,基板材料的选用是关键环节,直接影响到器件成本、性能与牢靠性。

一般来说,电子封装材料的应用需要考虑两大基本性能要求,首先是高的热导率,实现热量的快速传递,保证芯片可以在理想的温度条件下稳定工作;同时,封装材料需要具有可调控的热膨胀系数,从而与芯片和各级封装材料保持匹配,降低热应力的不良影响。

而电子封装材料的进展轨迹是对这两项性能的不断提高与优化。

新型封装基板材料当然还需要考虑其他性能,譬如具备高电阻率、低介电常数、介电损耗、与硅和砷化镓有良好的热匹配性、表面平整度高、有良好的机械性能及易于产业化生产等特点,所以新型封装基板材料的选择是各国竞相研发的热点。

目前几种常用的封装基板有Al2O3陶瓷、SiC陶瓷、AlN等材料。

早在1929年德国西门子公司成功研制Al2O3陶瓷,但是Al2O3的热膨胀系数和介电常数相对Si单晶而言偏高,热导率也不够高,导致Al2O3陶瓷基片并不适合在高频、大功率、超大规模集成电路中使用。

随之高导热陶瓷基片材料SiC、AlN、SI3N4、金刚石渐渐进入市场之中。

SiC陶瓷的热导率很高,且SiC结晶的纯度越高热导率越高;SiC最大的缺点就是介电常数太高,而且介电强度低,所以限制了它的高频应用,只适于低密度封装。

AlN材料介电性能优良、化学性能稳定,尤其是它的热膨胀系数与硅较匹配等特点使其能够作为很有进展前景的半导体封装基板材料。

但热导率低,随着半导体封装对散热的要求越来越高,AlN材料也有肯定的进展瓶颈。

最后金刚石脱颖而出,金刚石具有很好的综合热物理性能,其室温下的热导率为700~2200W/(m·K),热膨胀系数为0.8×10—6/K,在半导体、光学等方面具有很多优良特性,但单一的金刚石不易制作成封装材料,且成本较高。

《2024年TiB2-Diamond-Cu复合材料的制备及其性能研究》范文

《2024年TiB2-Diamond-Cu复合材料的制备及其性能研究》范文

《TiB2-Diamond-Cu复合材料的制备及其性能研究》篇一TiB2-Diamond-Cu复合材料的制备及其性能研究一、引言随着科技的发展,复合材料因其独特的物理和化学性能在众多领域得到了广泛的应用。

TiB2-Diamond/Cu复合材料作为一种新型的复合材料,具有优异的导电性、导热性以及良好的机械性能,因此在电子封装、热管理以及高功率器件等领域具有巨大的应用潜力。

本文旨在研究TiB2-Diamond/Cu复合材料的制备工艺及其性能,以期为该类材料的实际应用提供理论支持。

二、材料制备(一)材料选择与制备原理TiB2-Diamond/Cu复合材料的制备主要选用TiB2、金刚石和铜等原料。

其制备原理是通过高能球磨、烧结等技术,使TiB2和金刚石粉末均匀分散在铜基体中,从而形成复合材料。

该过程中需要保证各个组分的分散性、界面的结合力以及材料结构的均匀性。

(二)具体制备方法1. 原料准备:选用高纯度的TiB2、金刚石和铜粉作为原料。

2. 混合与球磨:将原料按照一定比例混合后,在高能球磨机中进行球磨处理,使各组分充分混合并达到纳米级分散。

3. 压制成型:将球磨后的混合粉末装入模具中,进行压制成型。

4. 烧结处理:将成型后的材料在高温下进行烧结处理,使各组分紧密结合形成复合材料。

三、性能研究(一)导电性能TiB2-Diamond/Cu复合材料具有优异的导电性能。

通过测量样品的电导率,发现随着TiB2和金刚石含量的增加,电导率呈现出先增后减的趋势。

这主要是由于TiB2和金刚石具有较高的导电性能,而铜基体的导电性能在复合材料中起主导作用。

(二)导热性能TiB2-Diamond/Cu复合材料还具有较高的导热性能。

由于TiB2和金刚石具有优异的导热性能,因此其在复合材料中能够有效地提高整体导热性能。

实验结果表明,随着TiB2和金刚石含量的增加,复合材料的导热性能得到显著提高。

(三)机械性能复合材料的机械性能也得到了良好的提升。

电子封装用金属基复合材料的研究现状

电子封装用金属基复合材料的研究现状

电子封装用金属基复合材料的研究现状摘要:微电子技术的飞速发展也同时推动了新型封装材料的研究和开发。

本文综述了电子封装用金属基复合材料的研究和发展状况,并以A1/SiCp为重点,分析对比了目前国内外的差距,提出了其未来的发展趋势及方向。

关键词:电子封装;金属基复合材料;A1/SiCp 中图分类号:TN305.94 文献标识码:A1引言半导体技术的发展日新月异。

自1958年第一块半导体集成电路问世以来,到目前为止,IC芯片集成度的发展仍基本遵循着著名的Moore定律[1]。

芯片集成度的提高必然导致其发热率的升高,使得电路的工作温度不断上升,从而导致元件失效率的增大。

与此同时,电子封装也不断向小型化,轻量化和高性能的方向发展,二十世纪九十年代以来,各种高密度封装技术,如芯片尺寸封装(CSP),多芯片组件(MCM)及单极集成组件(SLIM)等的不断涌现[2],进一步增大了系统单位体积的发热率。

为满足上述IC和封装技术的迅速发展,一方面要求对封装的结构进行合理的设计;同时,为从根本上改进产品的性能,全力研究和开发具有高热导及良好综合陛能的新型封装材料显得尤为重要。

热膨胀系数(CTE),导热系数(TC)和密度是发展现代电子封装材料所必须考虑的三大基本要素,只有能够充分兼顾这三项要求,并具有合理的封装工艺性能的材料才能适应半导体技术发展趋势的要求。

传统的封装材料很难同时兼顾对上述各种性能的要求,而金属基复合材料(MMC)则恰恰可以将金属基体优良的导热性能和增强体材料低膨胀系数的特陛结合起来[3],获得既具有良好的导热性又可在相当广的范围内与多种不同材料的CTE相匹配的复合材料。

因此,自上世纪九十年代以来,伴随着各种高密度封装技术的出现,电子封装用MMC也同时得到了大力的发展。

1992年4月在美国SANDIEGO举行的TMS年会上对作为电子封装用MMC进行了广泛的讨论[4],一致认为封装材料是MMC未来发展的重要方向之一。

高导热金刚石Cu复合材料研究进展

高导热金刚石Cu复合材料研究进展

高导热金刚石Cu复合材料研究进展
高导热金刚石/铜(Diamond/Copper)复合材料是一种具有高导热性能的材料,由金刚石颗粒和铜基体组成。

这种复合材料结合了金刚石的优异导热性和铜的良好导电性,具有广泛的应用前景。

以下是关于高导热金刚石/铜复合材料研究的一些进展:
1. 制备技术:制备高导热金刚石/铜复合材料的主要方法包括电化学沉积法、热压法、高压高温法和黏结剂法等。

这些方法可以在金刚石颗粒和铜基体之间形成牢固的结合,并实现优异的导热性能。

2. 导热性能:高导热金刚石/铜复合材料具有出色的导热性能,可以达到甚至超过单晶金刚石。

金刚石颗粒的高导热性能和铜基体的良好导电性使这种复合材料能够有效传导热量,具有广泛的热管理应用潜力。

3. 界面热阻:金刚石颗粒和铜基体之间的界面热阻是影响高导热金刚石/铜复合材料导热性能的重要因素。

研究者通过界面改性、介入层和界面强化等方法来减小界面热阻,以提高导热性能。

4. 织构控制:研究者通过优化工艺和添加适当的添加剂,以控制金刚石颗粒在铜基体中的分布和方向,从而改善复合材料的导热性能。

例如,添加剂可以调节金刚石颗粒的尺寸、形状和分散性,以实现更均匀的导热路径。

5. 应用领域:高导热金刚石/铜复合材料在热管理领域有广泛的应用前景,例如半导体封装材料、电子器件散热器、高功率电子器件、激光器冷却器和热电模块等。

总体而言,高导热金刚石/铜复合材料的研究一直是一个活跃的领域。

通过不断优化制备工艺和界面控制技术,希望能够进一步提高复合材料的导热性能,扩大其在热管理应用中的应用范围和效果。

新型电子封装用金刚石/金属复合材料的组织性能与应用

新型电子封装用金刚石/金属复合材料的组织性能与应用

摘要
随着微 电子技 术的高速发展 , 金刚石, 金属 复合材料作为新一代 的电子封装材料 受到 了广泛的重视 , 它与
传统的电子封 装材料相 比, 具有更优异 的性能 , 是未来封装 、 热沉材料最有潜力的发展 方向之一。对金刚石脸 属复合材
料 的性 能 、 制备 工 艺及 应 用发展 进行 了综 述 , 提 出 了未 来 的研 究 开发 方 向。 并
Ke r s y wo d d a n me l c mp sts e e t n cp c a i g, e a— o d c ii i mo d / a t , o o i , lc o i a k g n t r lc n u t t e r h m vy
在微 电子技术高速发展的今天 Байду номын сангаас 芯片的运算速度越来越
Ab t a t sr c W i h a i e eo me t fmir ee to i e h o o y,d a n / tlc mp s e sa n w e e a t t er p d d v lp n c o lcr n c tc n l g h o i mo d me o o i sa e g n r - a t
电子封装材料的发展大体可以分为三代。 第一代是传统
电子封 装材 料 , w/uMo u环 氧树 脂等 ; 二代 是热 导 如 c、 / 、 C 第 率在 304 0 ( K) 间 的电子 封装 材料 , 究应 用较 多 0~ 0W/ m・ 之 研 的是 S/1 ip 1 ip u 复 合材 料 ;第 三代 是热 导 率 i 、 C/ 、 C/ 等 A S A S C 在 40 m・ 以上 的复 合材料 ; 0 w( K) 主要 以 高热导 率 的碳纳 米

金刚石_铜复合材料的制备及其性能研究

金刚石_铜复合材料的制备及其性能研究

太原理工大学硕士研究生学位论文金刚石/铜复合材料的制备及其性能研究摘要随着电子元器件电路集成规模日益提高,电路工作产生的热量也相应升高,对与集成电路芯片膨胀系数相匹配的封装材料的热导率提出了更高的要求。

本论文以制备高热导率封装材料为目的,以金刚石颗粒、Cu粉、CuTi合金粉末和W靶材作为原材料,分别利用放电等离子体烧结工艺、无压渗透工艺以及金刚石表面镀W后放电等离子体烧结制备Cu/金刚石复合材料,利用X射线衍射分析仪(XRD)研究材料成分、采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合材料的组织特征,并且采用激光闪射热导率测试仪测试了复合材料的热导率,着重研究了材料成分对Cu/金刚石复合材料热导率的影响。

本文首先采用无压渗透法制备Cu-Ti/金刚石复合材料。

首先将酚醛树脂和金刚石颗粒混合压制并置于真空烧结炉内800℃碳化处理得到孔隙度为50%的金刚石压坯。

然后将Cu粉和一定质量分数的Ti粉进行均匀混合后对碳化后的金刚石预制体进行包埋熔渗,冷却后得到Cu-Ti/金刚石复合材料。

实验结果表明,当Ti含量低于10wt%时,Cu合金液不能自发渗入多孔金刚石预制体中。

当Ti含量大于10wt%时,Cu-Ti/金刚石复合材料中存在界面层。

随着Ti含量的增加,Cu-Ti/金刚石复合材料致密度从83.2%逐渐增大至89.4%,金刚石颗粒与Cu基体之间的界面层厚度从0.8µm逐渐增大至4µm。

随着基体中Ti含量的增加,复合材料的热导率先增大后减小。

当Ti的质量太原理工大学硕士研究生学位论文分数为15%时,Cu/金刚石复合材料的热导率达到最大值为298W/ (m·K)。

采用扩散不匹配模型对复合材料的理论卡皮查热阻进行理论估算,将所得结果带入Hasselman-Johnson模型对不同Ti含量下制备的Cu-Ti/金刚石复合材料的理论热导率进行计算可知,当Ti含量为15wt%时,复合材料的实际热导率可以达到理论热导率的82%。

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应用。 综上所述, 传统的电子封装材料不能适应大规 迫切需要研制具有高热导 模集成电路的发展需要, 率且与芯片相匹配的热膨胀系数、 有一定强度且价 格适中的新型电子封装材料。 Zweben[3]指出, 电子封装复合材料在今后主要 PMC ( 树 有四个发展方向: MMC ( 金属基复合材料 ) 、 ) 、 CMC ( ) 、 CCCs ( 碳/ 脂基复合材料 陶瓷基复合材料 碳复合材料) 。 MMC 具有以下特点: ( 1 ) 金属的热导率较高, 复合材料能保证良好的 导热性; ( 2 ) 单一的金属或合金的热膨胀系数过高 , 但通 过改变增强体的种类、 体积分数和热处理工艺等条 件, 可制备出不同热膨胀系数的复合材料 ; ( 3 ) 复合材料的密度较低, 力学加工性好, 制备
素的合金镀层对复合材料热导率的影响。 研 究 发 Cu0. 5B 金刚石镀层可使复合材料获得 99. 3% 现, 1% Cr 的镀 的相对密度和相对较高的热导率, 而 Cu层效果不明显。这是因为 0. 5% B 的加入使金刚石 表面发生碳化反应, 加强了界面结合, 而 1% Cr 的加 使金刚石和基体 入会使金刚石表面产生大量气泡,
表1 Table 1 材料 Al2 O3 BeO AlN Si GaAs Al Cu Mo W Kovar Invar 热膨胀系数 /10 - 6 ·K - 1 6. 50 6. 80 4. 20 4. 10 5. 80 23. 00 17. 00 5. 00 4. 45 5. 90 1. 60 常用封装材料的性能指标 热导率 / W· ( m · K ) 20 250 250 150 39 230 400 140 168 17 10
Research Status and Prospect of CD / Cu Composite for Electronic Packaging Material
ZHAO Yanbing, LIU Keming, LU Deping, YANG Bin
( 1. State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, University of Science and Technology Beijing, Beijing China; 100083 , 2. Institute of Applied Physics,Jiangxi Academy of Sciences,Nanchang Jiangxi 330029 ,China) Abstract : With the rapid development of electronic information technology,electronic instrument is develfunctionalization,and traditional electronic packaging material can oped miniaturization,portable,multinot meet the need of modern integrated circuit package. Diamond / Cu ( CD / Cu ) composite as new electronic packaging material has the characteristics of high thermal conductivity,controllable thermal expansion coefficient,lower density,etc. In recent years,it becomes hotspot of research. This article outlines the preparation technology and excellent performance of the CD / Cu composite for electronic packaging. And the development of CD / Cu composite for electronic packaging is also reviewed. Key words: electronic packaging material; CD / Cu composite; thermal conductivity
表2 Table 2 牌号
[6 ] -6
运用磁控溅射法在金刚石颗粒表面镀铜合金, 并采用粉末冶金技术制备 C D / Cu 复合材料。发现添 人 当金刚石颗粒体积分数为 80% 时复合材料 加 Co 后, 的热导率达 570 W / ( m·K) 。
[13 ] 夏扬、 宋月清等人 采用 SPS 方法制备 C D / Cu 复合材料, 研究了金刚石表面镀铜和碳化物形成元
-6 2200 W / ( m· K ) , 热膨胀系数为 0. 8 ˑ 10 / K。 由 于人工合成金刚石技术已很成熟, 其生产成本也大
塑料封装具有价格较低、 质量较轻、 绝缘性能好 等优点。但由于其导热性能差、 耐高温性差、 电性能 和热膨胀系数匹配一般, 气密性不好, 不适用于航空 航天、 军事工程所用的高功率电子产品 。 陶瓷材料有许多优点, 例如高频特性、 绝缘性能 热膨胀系数低、 气密性好、 化学性能稳定, 以及良 高、 好的综合性能, 但是热导率相对较低, 限制它在大功 率集成电路中的应用。 Ag、 Al、 Cu、 W、 Mo 等。 Al 密度 金属材料有 Au、 低, 导热率较好, 容易加工, 成本低, 但其热膨胀系数 较大; Au 和 Ag 的热膨胀系数也较大, 且成本较高, Mo 具有较高的热导率, 不适于广泛应用; W、 但密度 高, 成本较高; 铁镍合金 ( Invar ) 和铁钴镍合金 ( Kovar) 合金具有与半导体芯片相匹配的热膨胀系数, 良好的可焊性, 但热导率较低, 密度高, 也不能广泛
幅度下降, 使人造金刚石在复合材料中的大规模应 用成为可能。 Cu 具有优良的导热性能、 高熔点、 良好的加工 性和导电性, 以及较低的成本, 符合电子封装基体材 。 Cu 料的使用性能要求 但是 的热膨胀系数很高, 为 17 ˑ 10 - 6 / K, 将金刚石和 Cu 复合制备成金刚石 / 铜 复合材料 ( 以下用 C D / Cu 表示 ) , 具有高的导热性。 通过改变 C D 和 Cu 体积百分含量可以有效控制复合 镀覆性和加工性。 本文概述了 材料的热膨胀系数、 C D / Cu 复合材料的制备工艺及国内外研究状况, 并 对其未来发展方向进行了展望。 2 C D / Cu 复合材料的研究状况 C D / Cu 复合材料被称为 Dymalloy[5]。1995 年,
Performance index of common packaging materials 密度 / g·cm - 3 3. 9 2. 9 3. 3 2. 3 5. 3 2. 7 8. 9 10. 2 19. 3 8. 3 8. 1
工艺成熟, 生产成本较低。 MMC 因其兼具金属基体和增强体性能的优点, 成为新型电子封装材料的首选。 1 . 2 金刚石强化金属基电子封装复合材料的研究 对于 MMC 来说, 作为增强相颗粒的热导率应该 比基体高才有可能使电子封装复合材料的热导率提 高。考虑到金属基体的热膨胀系数较大, 增强颗粒 才有可能将复合材 的热膨胀系数只有比金属的小, 料的热膨胀系数降下来。 金刚石是一类热导率高、 热膨胀系数低的非金属材料。人工合成的金刚石颗 [4 ] 粒一般 情 况 下 ( 在 25 ħ 时 ) 其 热 导 率 为 600
热处理技术与装备
第 34 卷
热应力损坏; ( 3 ) 良好的密封气密性, 能抵御外界的高温、 高 湿、 腐蚀、 辐射等不良环境对电子器件的影响 ; ( 4 ) 综合的力学性能, 封装材料对电子元器件起 到支撑保护作用; ( 5 ) 良好的加工成型和焊接性能, 便于复合材料 的加工成型; ( 6 ) 尽可能低的密度, 对于航空航天领域的封装 材料, 需减轻质量, 便于携带; ( 7 ) 尽可能低的成本。 1. 1 各类电子封装材料的优劣比较 传统的电子封装材料包括塑料封装材料、 陶瓷 [2 ] 、 。 Zweben 分析了 封装材料 金属或合金封装材料 常见封装材料的性能指标, 如表 1 所示。
·材料研究·
第 34 卷第 6 期 2013 年 12 月
热处理技术与装备 RECHULI JISHU YU ZHUANGBEI
No. 6 Vol. 34 , Dec, 2013
金刚石 / 铜电子封装复合材料的研究状况及展望
1
电子封装材料概述
要求
[1 ]

电子封装是指将构成电子器件的各个部件按规 定的要求, 实现合理的布置、 组装、 键合、 连接、 与环 境隔离的操作工艺。 要求封装材料有高的热导率, 低的热膨胀系数, 良好的机械支撑、 物理保护、 电气 连接、 散热防潮、 外场屏蔽、 尺寸过渡以及稳定元件 。 参数等作用 理想的电子封装材料须满足以下基本
1 2 2 赵妍冰 , 刘克明 , 陆德平 , 杨

1
( 1. 北京科技大学新金属材料国家重点实验室 , 北京 100083 ; 2. 江西省科学院应用物理研究所, 江西 南昌 330029 ) 要: 随着电子信息技术的迅速发展, 电子仪器向小型化、 便携化、 多功能化方向发展, 传统的电子 封装材料已经不能满足现代集成电路电子封装的要求 。 金刚石 / 铜复合材料作为新型电子封装材 摘 料, 具有高的热导率、 可控的热膨胀系数、 较低的密度等特点, 近年来成为研究的热点。 本文概述了 金刚石 / 铜复合材料的制备工艺及优良性能 , 并对其未来应用进行了展望。 关键词: 电子封装材料; 金刚石 / 铜复合材料; 热导率 003106 中图分类号: TG139 文献标志码: A 文章编号: 1673 - 4971 ( 2013 ) 06-
第6 期
赵妍冰等: 金刚石 / 铜电子封装复合材料的研究状况及展望
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