技改项目汇总表(五大工程)-1112

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序 号
项目名称
支持领域和重点内容（带具体技术指标）
实施目标
到 2015 年第一代电力电子器件国内市场份额达到80% ；第 二代器件中 IGBT 产品国内市场份额超过20% ；第三代器件 研发取得进展，批量生产 SiC 二极管。到 2016年，第一代 器件在轨道交通、输变电系统、新能源等高端领域实现普 遍国产替代，国内市场份额超过 90% ；第二代器件的IGBT 形成系列化，国内市场份额超过 50%。第三代器件的 SiC MOSFET、SiC IGBT产品实现小批量生产。 到2015年，可满足大部分照明、LED小间距超大屏和LCD背 光源的技术需求，蓝光（白光）功率 LED器件批量生产的 发光效率达到 140lm/W ；半导体照明（光源和灯具）的销 售收入比重占照明总体销售收入的 15%。到2016 年，蓝光 （白光）功率LED器件批量生产的发光效率达到150lm/W， 可基本满足照明、LED小间距超大屏和LCD背光源的技术需 求；半导体照明（光源和灯具）的销售收入比重占照明总 体销售收入的18%。 到 2016 年 形 成 10G 、 40G 高 速 光 电 器 件 大 规 模 生 产 能 力 （ 20000 只以上），布局 100G 光电器件，实现规模化生产 （ 200 万只以上）。硅基光电子器件性能达到世界领先水 平。
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高端电子元件产品
1.高精度、超小型片式阻容感元件。精密片式薄膜固定电阻器。阻值范围： 1608 ： 4.7 Ω ～ 500K Ω ； 2012 ： 4.7 Ω ～ 1M Ω ； 3216 ： 4.7 Ω ～ 2M Ω ；阻值精 度：0.1%；电阻温度系数：±25ppm/℃。 2. 片式 PTC 正温度系数热敏电阻器。阻值范围： 100 Ω ～ 3K Ω ；电阻温度系 数：1000～3000ppm/℃；温度系数偏差：±10%。 3.01005 超 微 型 片 式 电 容 器 。 尺 寸 精 度 ： 0.4 ± 0.02 × 0.2 ± 0.02 × 0.2 ± 0.02 ；标称电容量： 1pF -47pF （ C0G ）、 100pF-1000pF （ X7R ）、 1200pF0.01μ F（X5R）。 4. 高端微型叠层片式电感器。产品尺寸： 0.6mm × 0.3mm × 0.3mm ；电感量： 1.0nH-10nH ；谐振频率： 2.9GHz-8.0GHz ；额定电流： 150mA~250mA ；直流电 阻：0.7Ω （max） 5.高性能光纤光缆及光无源器件。光分路器等光无源器件；塑料光纤等新一 代传输光纤；光纤传感器器件；支持光纤光缆生产关键设备和配套材料研发 。
实施目标
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传感器及关键材料
突破半导体敏感材料、复合功能材料等机理，解决敏感材 料生产技术瓶颈，形成批量供应能力。提高MEMS工艺技术 、介质隔离封装工艺、薄膜传感器制备工艺等水平，重点 突破表面微机械加工技术、晶片键合技术、微机械组装技 术等，形成高端传感器大生产线和稳定生产制备能力。重 点提升红外传感器、巨磁传感器、光纤传感器等工艺水 平，形成大批量产线能力。
针对三网融合、下一代移动通信、新型显示、物联网、新 能源等战略性新兴产业的应用需求，集中力量突破核心、 关键元件的技术瓶颈，提升产业配套能力，推动基础电子 元件向高性能、复合化、智能化方向发展。
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序 号
项目名称
支持领域和重点内容（带具体技术指标）
实施目标
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锂离子电池及关键材料
1.新型锰酸锂、磷酸铁锂、三元材料等锂离子电池，重点突破比能量密度和 循环寿命瓶颈。 2.下一代锂硫电池、锂空气电池，研究一致性、安全性控制工艺，极片工艺 突破锂离子电池行业关键技术瓶颈，实现电池、材料、设 和结构设计，突破电池成组技术、系统管理、监测控制技术和可靠性技术。 备和应用等上下游产业链加强合作，提升本土锂离子电池 3. 高性能锂离子电池隔膜材料：抗高电压 >4.35v ；穿刺力 >700g/20m ； 120 产品竞争力，有效提升技术含量高的产品比重。 ℃,1h热收缩率<1%，150℃,30min热收缩率横向<0.5%，纵向<3%；孔隙率>45% 。 1.电极活性炭材料：比表面积＞ 1500㎡ /g；克容量＞ 110F/g；循环寿命＞50 万次；大批量生产稳定性高。 2. 锂离子超级电容器用电解液：电导率≥ 6mS/cm ；纯度≥ 99.5% ；游离酸≤ 50ppm；水分≤20ppm，规模化生产可用于3V以上。 3.高性能功率型超级电容器：比功率≥ 8,000W/kg；比能量≥ 10Wh/kg；循环 寿命≥50万次。 4.高性能能量型超级电容器：比能量≥ 25Wh/kg；比功率≥ 3,000W/kg；循环 寿命≥30000次。 5.电子电路用高温长寿命超级电容器： 2.5V、 3000小时高温浮充条件下，容 量保持在初始值70%以上，内阻保持初始值300%以下。 6.超级电容器集成应用开发：轨道交通能量回收系统、电网削峰填谷储能系 统、小型车辆启停系统。
电子信息产业创新发展工程重点方向汇总表
序 号 项目名称 支持领域和重点内容（带具体技术指标） 实施目标
合计：6个专题25个方向 一、集成电路先导技术基础能力建设
在 3-5 年内将“集成电路先导技术研究院”打造成为中国 依托先进的12英寸集成电路生产线和先导研发平台，建设开放式的面向未来 IC先导技术的研发基地和验证平台，完成先进逻辑及存储 集成电路 先导 技术 基础 的基础工艺技术国家级研究院，重点支持 20-14-10纳米等先进逻辑技术基本 器工艺技术研发，并支持该工艺技术在集成电路制造企业 能力建设 工艺、3D NAND等先进存储器工艺技术、SoC制造技术，包括各种嵌入式存储 的量产。在5-10年内在IC行业形成具有与国际同步的研发 器等、国产设备和材料的验证、相关配套IP的研发与验证以及CoT服务等。 能力和自主创新实力的研发队伍。建立起完善的知识产权 保护体系。
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序 号
项目名称
支持领域和重点内容（带具体技术指标）
1.关键敏感元件和传感器： （1）硅压阻压力敏感元件：利用硅膜片特性制备敏感元件，量程从0-100kpa 至0-60mpa工作温度-55至125℃，实现表压、绝压测量。 （2）红外热成像及温度敏感元件：采用MEMS工艺及PVD和IAD技术对Ge、Si、 ZnS等红外材料进行气相沉积。 （3）光纤传感器：光纤陀螺、光纤加速度传感器、光纤压力传感器，解决高 电压、大噪声、高温、强腐蚀等问题。 （4）多功能复合式红外气体传感器：采用多功能复合式红外热电堆，测量温 度可达1400℃，精度±1，响应时间≤2s。 （ 5 ） 巨 磁 传 感 器 ： 尺 寸 在 1mm2 尺 度 以 内 ， 测 角 精 度 达 到 0.05 ° 的 磁 阻 （AMR）和巨磁电阻（GMR）传感器。 （6）图像识别传感器：采用不同波长红外（中、远、近红红外）光发生器， 制备通过内置滤光片接收红外波段反射图像的红外图像识别传感器模块。 （7）智能化复合型传感器：微硅电容传感器、微硅质量流量传感器等 2.重要敏感材料： （1）磁性材料：非晶态磁性材料、磁阻薄膜材料（(FeNi、NICo)、热敏磁性 浆料等，重点满足各种坐标传感器、磁场传感器等高灵敏度、高稳定性和可 靠性及微型轻量化需求。 （2）传感器用半导体材料：可控禁带宽度材料，用于高精度半导体热敏、气 敏传感器及半导体霍尔元件等。 （3）复合功能材料：生物敏感材料、金属复合功能敏感材料、陶瓷复合材料 等。 3.传感器关键工艺技术： （1）MEMS工艺技术。结合微电子技术和微加工技术等工艺，批量生产具备微 型化、数字化、复合功能等特征的各种传感器。 （2）研发介质隔离封装工艺技术。通过硅-硅、硅-玻璃键合工艺形成介质隔 离腔体，利用微熔工艺，完成敏感元件与金属和非金属等壳体融合的组合封 装，实现与被测介质完全隔离检测。 （3）基于MEMS工艺技术的简易封装工艺技术。采用TO系列金属封装、各种陶 瓷结构、塑封体等封装结构形式，满足机械支撑强度大、环境保护好和电气 连接方便等要求。
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二、平板显示产业链创新 TFT-LCD演进技术（LTPS、Oxide）及AMOLED技术导入量产 1.生产线建设：支持LTPS和Oxide大规模生产，突破AMOLED背板、蒸镀等关键 后，年产能分别达到 500 万平方米、40 万平方米。中小尺 工艺技术，实现AMOLED面板量产。 寸薄膜晶体管液晶显示（ TFT-LCD ）面板制造关键材料本 2.关键材料：高世代玻璃基板等关键材料。 土化配套率达到60%，大尺寸TFT-LCD以及AMOLED面板制造 3.关键设备：5.5代及以上蒸镀、成膜等关键设备。 关键材料本土化配套率达到30%。
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超级电容器
实现电极活性炭、电解液等关键原材料的国产化，实现千 吨级产品生产稳定化生产。开发出高性能功率型超级电容 器、高性能能量型超级电容器、电子电路用高温长寿命超 级电容器的关键技术及产品，突破集成应用技术开发，在 未来 2-3 年内实现超级电容器在轨道交通、家用车辆以及 电网储能等重点领域的批量应用。
实施目标
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关键电子材料
建立电力电子器件用硅外延片的工艺规范、利用SPC 等方 法，提高外延片批次稳定性和一致性。突破减压外延、等 电子掺杂等关键工艺，实现该类型材料国产化。实现高性 能、低成本的覆铜板产品稳定质量的产业化。批量生产出 水平的高性能磁性材料，满足新能源汽车电机日益小型化 、轻型化、高性能化发展的需求。突破功能陶瓷材料及陶 瓷基板、压电晶体材料、真空电子器件用关键材料、高性 能焊接材料在成型、烧结、表面处理、等关键核心技术， 实现中高端产品的产业化生产。
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平板显示产业链
三、重点电子元器件和材料跃升
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支持领域和重点内容（带具体技术指标）
1. 电子级高纯多晶硅：纯度达到11N以上，成本达到或接近太阳能级多晶硅。 2 2. 电力电子器件用高阻厚层硅外延材料：不均匀性 <1% ，缺陷密度 <1个 /cm ，满足 600V以上VDMOS和1000V以上IGBT的使用要求。 3. 集成电路用大尺寸硅外延材料：实现材料无COP缺陷、金属杂质含量<1011/cm2，满 足90nm以下线宽集成电路要求。 4. IC封装用高性能覆铜板：具有高耐热性、高尺寸稳定性、高电气绝缘性、优异介电 性能、以及良好的机械性能。 5. 高性能磁性材料。（ 1 ）稀土：最大磁能积（ BH） max≥ 35MGOe，工作温度≥250 ℃，综合磁性能≥75，抗压强度≥600MPa。（2）铁氧体：矫顽力Hcb=4300±150Oe， 最大磁能积 (BH)max=5.4 ± 0.2MGOe ，抗弯强度＞ 0.5 × 108N/m2 ，抗 压强 度＞ 6.9 × 108N/m2, 抗拉强度＞0.2×108N/m2。 6. 高容电子陶瓷材料。（ 1 ）氧化锆：粒径＜ 100nm ，老化速率＜ 3% （ 140 ℃ /20 小 时），烧结温度≤1380℃，烧结密度≥6.00g/cm3，纯度≥99.9wt%。（2）钛酸钡：纯 度不小于99.9%，粒度分布（CV%）≤25%。（3）介质瓷粉粉：平均粒径≤0.3μ m，适 合于制作介质层厚度1-2μ m MLCC，配方粉介电常数≥4000。 7.陶瓷基板材料。（1）超小型片阻用氧化铝陶瓷基板：抗折强度≥274MPa；表面粗糙 度Rz≤0.003mm。（2）高热导率氮化铝陶瓷基板：密度≥3.30 g/cm3；表面粗糙度≤ 0.6μ m；翘曲度≤0.05 mm/25.4mm；热导率（20℃）≥190 W/m •K ；抗弯强度≥ 310 MPa。（3）高反光率LED用陶瓷基板：导热率(R.T.)≥20W/（m•K）；翘曲度≤0.002 mm/mm。 8.压电晶体材料：声表器件用4-6英寸石英晶体基片。 9.真空电子器件用材料。（1）高热导率材料和复合材料，毫米波大功率衰减材料，微 晶高纯Al2O3陶瓷及其焊接用材料；（2）真空开关管用低截流值（≤3A或更低）、大 容量、高电压、抗熔焊的触头材料；（3）大批量稳定、可靠、一致性良好的金属化陶 瓷壳和波纹管。 10.电子焊接材料。低银、免清洗无铅、无卤素锡焊料系列化产品；适应高温（约1000 ℃）、中温（700℃左右）、低温（400℃左右）系列化产品；电子用粘接剂（有机、 无机类）。