(完整版)单向可控硅的原理及测试
单向可控硅的工作原理
单向可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种常见的半导体器件，用于控制电力设备中的电流。
在本文中，我们将详细介绍单向可控硅的工作原理，包括其结构、特性以及应用。
首先，让我们来了解一下单向可控硅的结构。
它由四个层次的p-n结组成，分别是p-n-p-n结构。
这四个层次的区域分别被称为阴极区、阴极控制极区、阳极控制极区和阳极区。
在正向电压下，当阳极电压高于阴极电压且阴极控制极区的厚度较薄时，单向可控硅处于关断状态，没有电流通过。
当外部施加一个正偏电压作用于阳极，则发生P区中的少数载流子注入，这个少数载流子注入的浓度足够高，使得P区形成导电通道。
在这时，单向可控硅开始导通。
在导通状态下，SCR的两个极之间的电阻非常低，可以通过较大的电流。
然而，单向可控硅通过控制极实现单向的导电，这也是其名称的由来。
如何实现控制极的控制就是单向可控硅的关键点。
通常，我们通过控制极施加一个脉冲信号，该脉冲信号可以从外部电源或者其他电路提供。
这个脉冲信号在满足一定条件下，使得单向可控硅处于导通状态，电流可以流过。
单向可控硅的工作原理可以用一个简单的电路来解释。
假设我们有一个电流源和一个负载电阻，连接到单向可控硅的阳极和阴极。
当施加一个控制信号到单向可控硅的控制极时，单向可控硅将开始导通。
此时，电流流经单向可控硅，通过负载电阻，形成电路闭合。
当控制信号停止或者逆变，单向可控硅将进入关断状态，停止导通。
单向可控硅的特有特性使得它在许多电力控制和电流传导应用中被广泛使用。
例如，在交流电控制中，单向可控硅可以用于控制电平的调整和功率的传递。
它还可以用于电压调整和电流保护等方面。
总的来说，单向可控硅的工作原理是通过控制控制极的脉冲信号来实现单向导通的。
它是一种常见的半导体器件，在电力设备中扮演着重要的角色。
通过对单向可控硅的工作原理的理解，我们可以更好地运用它来控制电流和保护电路。
可控硅如何测量好坏？单向可控硅与双向可控硅怎么区分？
可控硅如何测量好坏？单向可控硅与双向可控硅怎么区分？ 可控硅(Silicon Cont rolled Rect ifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。
它具有体积小、效率高、寿命长等优点。
在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。
它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。
单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
“双向可控硅”：是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。
其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。
一、可控硅的测量方法1、单向可控硅：可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
第一是三个PN结应完好；第二是当阴极和阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极和阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极和阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。
具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极和阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。
电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k挡测阳极和控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上。
用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极和阴极之间的PN结已经损坏。
【2017年整理】mcr100-6单向可控硅
工作原理：电路如下图，220V市电通过灯丝、D3-D7、降压整流后，经过 R7 限流、D2、C3 稳压滤波为电路提供稳定的工作电压。
R4、RG 组成分压电路，白天由于光照 RG 阻值变小，YFA 1 脚电位被拉低，由与非门的逻辑关系可知此时YFA 3 脚输出为高电平，经过 YF2 反相变为低电平，D1 截止后级电路不动作。
晚上光线暗 RG 阻值变大，YFA 1 脚电位升高，如果此时有声音被 MIC 接收，经 C1耦合 T1 放大，在 R3 上形成音频电压，此电压如高于1/2 电源电压，则 YF1 3 脚输出低电平，经YFB反相，4 脚输出的高电平经 D1 向 C2 瞬间充电，使 YFC 输入端接近电源电压，10 脚输出低电平，由YFD 反相缓冲后经 R6 触发可控硅导通，电灯正常点亮。
（此时则由 C3 向电路供电）如此后无声被MIC接收，则 YFA 输出恢复为高电平，C2 通过 R5 缓慢放电，当 C2 电压下降到低于 1/2 电源电压时（按图中参数约一分钟）YFC 反转、 YFD 反转，可控硅（SCR）截止电灯关闭，等待下次触发。
元件选择：MIC 用驻极体话筒， RG 用一般光敏电阻即可，YFA-YFD 用一片低工耗COMS 四与非门电路 TC4011，T1用9014低频管，放大倍数越大灵敏度越高，D1用IN4148，D2是7.5v的稳压管，C2、C3用电解电容、SCR可选用 MCR100-6 1A的单向可控硅，电阻均为 1/8w 炭膜电阻，阻值按图。
D4-D7用IN4007，反向漏电必须小。
电灯的功率不能超过60W。
mcr100管脚排列为从左到右阴极K控制G阳极A判断其好坏用万用表R×1k档测量普通晶体管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻，正常时均应为无穷大（∞）若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值较小，则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。
测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值（实际测量结果较普通二极管的正、反向电阻值小一些），即正向电阻值较小（小于2 kΩ），反向电阻值较大（大于80 kΩ）。
单向可控硅的工作原理
单向可控硅的工作原理在电子电路的世界里，单向可控硅是一种非常重要的半导体器件，它就像是一个神奇的电子开关，能够精确地控制电流的通断。
接下来，让我们一起深入了解单向可控硅的工作原理。
要理解单向可控硅的工作原理，首先得从它的结构说起。
单向可控硅的结构就如同一个三层半导体器件，有三个电极，分别是阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。
阳极和阴极就像是一个普通二极管的两个极，而控制极则是用来控制单向可控硅导通的关键。
当单向可控硅处于截止状态时，也就是阳极和阴极之间没有电流通过。
这时候，即使在阳极上加上正向电压，只要控制极没有触发信号，单向可控硅就像一个紧闭的大门，电流无法通过。
那么，如何让单向可控硅导通呢？这就需要控制极发挥作用了。
当在控制极上加上一个适当的触发电流或者触发电压时，单向可控硅内部的结构会发生变化，就像是打开了一道“门缝”，使得阳极和阴极之间能够有电流通过，从而进入导通状态。
一旦单向可控硅导通，即使撤掉控制极上的触发信号，它也会保持导通状态，就好像一旦门被打开，就不会自动关闭，除非阳极和阴极之间的电流减小到一定程度，或者阳极和阴极之间的电压反向，单向可控硅才会重新回到截止状态。
为了更清楚地说明单向可控硅的导通和截止过程，我们可以通过一个简单的电路来演示。
假设我们有一个电源，一个电阻，一个单向可控硅和一个触发电路。
当电源接通时，由于单向可控硅处于截止状态，电路中没有电流通过电阻。
然后，当触发电路向控制极提供触发信号时，单向可控硅导通，电流开始通过电阻，电阻上会有电压降。
只要电源电压保持不变，并且电流不低于维持电流，单向可控硅就会一直保持导通状态。
如果我们想要单向可控硅重新截止，有两种常见的方法。
一种是减小阳极和阴极之间的电流，比如增大电阻的值，使得电流低于维持电流，单向可控硅就会自动截止。
另一种方法是在阳极和阴极之间加上反向电压，这样也能让单向可控硅回到截止状态。
在实际应用中，单向可控硅的工作原理有着广泛的用途。
可控硅单相
可控硅单相一、什么是可控硅单相可控硅单相是一种电力电子器件，也被称为可控硅晶闸管（SCR）。
它是一种半导体器件，具有单向导电特性，能够控制电流的通断。
可控硅单相起到了电流的整流和调节的作用，广泛应用于交流电控制、电力电子调节以及工业自动化领域。
二、可控硅单相的结构和工作原理可控硅单相由四个层次交错的半导体材料构成，依次为P型半导体、N型半导体、N型半导体和P型半导体。
P型半导体与N型半导体之间存在PN结。
可控硅单相的工作原理基于PN结的导电特性以及PN结反向击穿时的电流控制。
当控制电压施加在可控硅单相的控制端上时，PN结的控制电流将进入基极。
如果控制电流大于可控硅单相的维持电流，PN结将反向击穿，形成导电通路。
这将导致可控硅单相的主电路中的电流流动。
三、可控硅单相的主要特点与优势1.高可靠性：可控硅单相具有较高的可靠性和稳定性，可以在不同的负载和环境条件下工作。
2.较高的控制精度：通过对控制电压的精确控制，可控硅单相能够实现精确的电流调节。
3.高效节能：可控硅单相以其高效的电流整流特性，能够减少能量的损耗，提高系统的能效。
4.可行性强：可控硅单相适用于各种功率范围的应用，从小功率的电子设备到大功率的工业装置。
5.体积小、重量轻：可控硅单相集成度高，体积小、重量轻，适合安装在有限空间内。
四、可控硅单相的应用领域1.交流电控制：可控硅单相被广泛应用于交流电的整流和变频控制。
通过调节可控硅单相的导通时间，可以实现交流电的平滑输出和频率调节。
2.电力电子调节：可控硅单相在电力系统中扮演重要角色，可以用于电网电压和电流的稳定调节、电力负载均衡以及电压互感器的保护和控制等方面。
3.工业自动化：可控硅单相被广泛应用于工业自动化控制系统中，如电机控制、电炉控制等。
通过控制可控硅单相的导通时间，可以精确控制电机速度和加热温度。
4.光伏发电：可控硅单相被用于太阳能光伏发电系统中，作为电流控制器和直流电到交流电的变换器。
可控硅单相
可控硅单相可控硅单相是一种常用的电子元件，具有单向导电性和可控性。
它在电力控制、调节和变换方面都有着广泛的应用。
本文将介绍可控硅单相的基本原理、特点和应用。
一、基本原理可控硅单相是一种半导体器件，由四层交替排列的P型、N型硅材料构成。
它的两端分别连接阳极和阴极，在控制端加上一定电压时，可控硅单相便能够被激活，开始导电。
与之不同的是，当控制端电压降为零时，可控硅单相就会变成一个非常高的电阻，停止导电。
二、特点可控硅单相具有以下特点：1.单向导电性：可控硅单相只能在一个方向上导电，使其具有单向电流特点。
2.电压控制：可控硅单相的导通电流可以通过控制端的电压来实现。
控制电压越高，导通电流就越大。
3.可控性强：可控硅单相具有非常强的可控性，可以在不同的电路中应用。
4.高精度：可控硅单相具有高精度的控制能力，能够实现很高的电压和电流精度。
5.低功耗：可控硅单相的功耗非常低，使用寿命长，并且不易受到外界干扰。
三、应用可控硅单相在工业自动化、电力调节、电机控制等方面都有广泛的应用。
以下是可控硅单相的主要应用领域：1.电力调节：由于可控硅单相具有电压和电流控制的能力，因此在电力控制和调节方面有着广泛的应用。
例如，交流调压器就是利用可控硅单相实现电压调节的。
2.电机控制：可控硅单相可以用来控制电机的启动、停止和转速，可以应用于工业自动化和机器人控制领域。
3.电热控制：可控硅单相可以用来控制电热器的加热功率，从而实现温度控制和恒温控制。
4.光控制：可控硅单相可以用来控制光的强度和颜色，可以应用于照明、显示屏和激光器等领域。
可控硅单相是一种非常重要的电子元件，具有单向导电性和可控性强等特点。
它在电力控制、调节和变换方面都有着广泛的应用。
可控硅原理--检测--击穿分析
一、可控硅击穿原因：1、RC电路只是用于尖峰脉冲电压的吸收（平波作用），RC时间常数应和尖峰脉冲上升沿时间一致，并且要注意电容的高频响应，应使用高频特性好的。
2、压敏电阻本身有反应时间，该反应时间必须要小于可控硅的最大过压脉冲宽度，而且压敏电阻的过压击穿电压值有一定的离散性，实际的和标识的值有一定的误差。
3、击穿的可能性好多种,过电流,过电压.短路,散热不好都会被击穿.RC电路或压敏电阻只是吸收尖峰脉冲电压.和涌浪电压用的有条件.可以增大双向可控硅容量，这能有效减少以上的问题,如果是短路就要查明短路原因二、问题例子：最初使用MOC3061+BT131控制电磁阀，BT131击穿很多；后来将BT131更换成BT136虽然有多改善，但还是偶尔有击穿。
电路图如下实际电路中R56没焊，R55为330欧姆。
电路有RC吸收、压敏电阻保护电路，负载为电磁阀，负载电流最多不超过100mA，按说1A的BT131就已经足够了，但使用4A的BT136还偶尔会坏，是可控硅质量问题，还是我的电路参数有问题？另外，有谁知道可控硅的门极触发电流是怎么计算得来的？在之前的BT131电路中R55、R56的阻值是330欧姆，后来的BT136电路中去掉了R56、R55的阻值还是330欧姆。
是不是这个值太小了，触发电流太大引起的损坏？关于电路图做一下补充：1.电阻R68实际用的是75欧姆2.电容C11用的是103 630V（0.01u）3.压敏电阻R75用的是471V的回答一：对双向可控硅驱动，技术已十分成熟了。
对感性负载，驱动电路不要这样接，有经典的参考电路，请参考相应的资料。
我认为该处应该用ＣＢＢ电容，其特性有利于浪涌的吸收。
如果受体积限制，类似的电路我也这样用。
ＣＢＢ电容回答二：照这个图来做，烧了可控硅那就是你的质量太差了！此电路我用了3年，现在还在用。
左边的电路为恒流，输入5-30V都不会烧坏光耦。
R3一定要用20-50欧以内的电阻，不可以用上百欧的否则可控硅无法完全导通，一直处于调压状态，很容易发热甚至损坏回答三：回答四：其实有一点大家可能都没有注意，就是可控硅的尾缀问题，TW的才是更适合电机类使用的器件！仔细查一下手册看看吧！三、可控硅检测：注：本文中所使用的万用表为指针式，若换为数字式，注意红黑表笔极性正好相反1、判断引脚极性方法一：由双向可控硅的内部结构可知，控制极G与主电极A1之间是由—块P型半导体连接的，两电极间的电阻（体电阻）为几十欧姆，根据公特点就可以方便地判断出各电极来。
简易单向可控硅交流调压器原理图及工作原理介绍
简易可控硅交流调压器原理图及工作原理介绍本文介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器，这可用作家用电器的调压装置，进行照明灯调光，电风扇调速、电熨斗调温等控制。
这台调压器的输出功率达100W，一般家用电器都能使用。
可控硅交流调压器电路原理：电路图如下可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。
从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。
在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C 充电。
当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。
可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过零点时，可控硅自关断。
当交流电在负半周时，电容。
C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其佘的都用功率为1/8W 的碳膜电阻。
D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。
SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系例。
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单向可控硅的原理及测试
可控硅的意思：可控的硅整流器，其整流输出电压是受控的，常与移相或过零触发电路配合，应用于交、直流调压电路。
可控硅是在晶体管基础上发展起来的一种集成式半导体器件。
单向可控硅的等效原理及测量电路见下图1：
A
K
G
P N P N
K
G
G
K
G
A
图1 可控硅器件等效及测量电路
单向可控硅为具有三个PN 结的四层结构，由最外层的P 层、N 层引出两个电极——阳极A 和阴极K ，由中间的P 层引出控制极G 。
电路符号好像为一只二极管，但好多一个引出电极——控制极或触发极G 。
SCR 或MCR 为英文缩写名称。
从控制原理上可等效为一只PNP 三极管与一只NPN 三极管的连接电路，两管的基极电流和集电极电流互为通路，具有强烈的正反反馈作用。
一旦从G 、K 回路输入NPN 管子的基极电流，由于正反馈作用，两管将迅即进入饱合导通状态。
可控硅导通之后，它的导通状态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持，即使控制电流（电压）消失，可控硅仍处于导通状态。
控制信号U GK 的作用仅仅是触发可控硅使其导通，导通之后，控制信号便失去控制作用。
单向可控硅的导通需要两个条件： 1）、A 、K 之间加正向电压；
2）、G 、K 之间输入一个正向触发电流信号，无论是直流或脉冲信号。
若欲使可控硅关断，也有两个关断条件： 1）、使正向导通电流值小于其工作维持电流值； 2）、使A 、K 之间电压反向。
可见，可控硅器件若用于直流电路，一旦为触发信号开通，并保持一定幅度的流通电流的话，则可控硅会一直保持开通状态。
除非将电源开断一次，才能使其关断。
若用于交流电路，则在其承受正向电压期间，若接受一个触发信号，则一直保持导通，直到电压过零点到来，因无流通电流而自行关断。
在承受反向电压期间，即使送入触发信号，可控硅也因A 、K 间电压反向，而保持于截止状态。
可控硅器件因工艺上的离散性，其触发电压、触发电流值与导通压降，很难有统一的标准。
可控硅器件控制本质上如同三极管一样，为电流控制器件。
功率越大，所需触发电流也越大。
触发电压范围一般为1.5V —3V 左右，触发电流为10mA —几百mA 左右。
峰值触发电压不宜超过10V ，峰值触发电流也不宜超过2A 。
A 、K 间导通压降为1—2V 。
主要工作参数有正、反向耐压值和正向平均电流、触发电流（电压）值、维持电流值等。
可控硅器件的检测：
1）、用万用表粗测可控硅的好坏。
用电阻x1k 档，正、反向测量A 、K 之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G 、K 之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。
正、反向电阻值相等或差异极小。
说明可控硅的G 、K 并不像一般三极管的发射结，有明显的正、反向电阻的差异。
这种测量方式是有局限性的，当A 、K 之间已呈故障开路状态时，则无法测出好坏。
有的G 、K 间电阻值极小，也难以判别两控制极是否已经短路。
2）、较为准确的测量方法，是如图1中的右图，为可控硅连接上电源和负载，才能得出好坏的结论。
方法是：将可控硅接入电路，可控硅因无触发信号输入，小灯泡HL1无电流通路不发光；将A 、G 短接一下再断开，可控硅受触发而导通，并能维持导通（灯泡的额定电流应大于100mA ），灯泡一直发光，直到断开电源。
再接通电源时，灯泡不亮。
可控硅器件基本上是好的。
3）、可控硅有以下几种损坏情况：
a 、A 、K 极间短路或断路；
b 、G 、A 极间短路或断路；
c 、三个电极之间的短路。
还有一种损坏情况很让人迷惑（这种状态当然极为少见），用上述1、2种检测方法检测，可控硅是好的，但接到交流电路中，便失去可控整流作用。
故障可控硅在未接受触发信号前，呈开路状态，是对的。
触发电流输入后，可控硅开通了，交流输入的正、负半波都一齐过去了，单向可控硅成了一只“交流开关”！变频器整流电流中，若有这种情况发生，储能电容非喷液了不可。
可控硅的这种损坏情况，不能用短路或击穿来说明了，只能说这只可控硅已经失效——失去整流作用了！
SKKH 72/16Ex3
R
S
T
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图2 变频器主电路的可控三相整流电路
变频器的主电路的整流电路中，往往采用上三臂单向可控硅和下三臂整流二极管组成的三相可控整流电路，以代替充电接触器实现上电瞬间对直流回路储能电容的“软充电”控制。
三相可控整流电路的形式如图2所示。
中功率机型的变频器，整流电路是由三只半控桥模块构成，每只模块内部，含一只整流二极管和一只单向可控硅器件，每只模块有三个主端子：1，交流输入端；2，可控硅整流正电压输出端；3、整流负输出端。
还有两个触发端子，4，控制栅极引出端；5，阴极控制线引出端。
三相整流电路中对可控硅模块的测量方法：]
如果是整机停电状态下，对可控硅模块进行测量，可采用图1中右图的测试电路。
SKKH 72/16Ex3
R
S
T
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图3 变频器主电路的可控硅测试电路1
做一个测试器：由小型6V 电池1块、6V 小电珠1只、万用表的表笔（触碰针）一支和鳄鱼夹2只，可以组装于肥皂塑料盒或其它适宜的壳体中，那么一只高效准确和使用方便的“可控硅测试仪”就制作成功了！
停掉变频器的整机电源，不需将模块从电路中拆下，整机正常连接状态下，即可对可控硅模块进行测试了。
测试步骤如下：
1）、用鳄鱼夹连接任一只可控硅模块的阳极和阴极（注意电池负端的鳄鱼夹连接阴极），触碰针不去触碰可控硅的栅极，小电珠不亮。
（这时若小电珠亮，说明可控硅已经短路或漏电坏掉了。
）；
2）、用触碰针触碰一下可控硅阴极后，小电珠点亮（正常亮度很亮啊）。
拿掉触碰针后，小电珠一直亮。
（此时有两种情况，触碰针与栅极接触时，小电珠亮，拿掉触碰针，小电珠不亮，可控硅内部阴极、阴极间断路损坏；触碰针接触栅极时，小电珠也不亮，可控硅的栅极、阴极出现断路性损坏。
）
3）将一只鳄鱼夹脱开连接，小电珠熄灭；再连接鳄鱼夹，小电珠仍不亮。
直到触碰针触碰一下栅极后，小电珠点亮。
测试结束。
可控硅是好的，测试过程中，通过小电珠异常的亮/灭状态，已将可控硅的损坏状态，明白无误地检测出来了。
分别用鳄鱼夹连接连接另两只可控硅模块的阳级和阴极，对其进行测试，三只可控硅的好坏情况便一目了然了。
这种检测方法最为安全可靠，操作简便。
测试的准确度也较高。
变频器可控硅整流电路的上电检测，检测电路见下图：
拆开此处连接
S
T
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图4 变频器主电路的可控硅测试电路2
为变频器供入380V维修电源（隔离变压器提供），为了测试电压值的方便，可将P、P1端子短接线拆除（也可以不拆），在整流输出的正、负端连接两只灯泡，灯泡的功率值越大越好，用1000W的更好，测试准确度会高一些。
用二极管和电阻串接构成简单的触发电路，串二极管的目的，使可控硅栅极不承受反向电压。
当用“触发电路”短接可控被测试可控硅的阳极和栅极时，会出现以下两种情况：1）、灯泡亮度正常，此时测量灯泡两端的直流电压值，为380×0.45=170V（半波整流值）。
触发电路一直连接也没有问题，1k10W电阻无温升。
连接触发电路，灯泡即显示正常亮度，断开触发电路，灯泡即灭。
说明可控硅模块是好的；
2）连接触发电路，亮度微弱，说明灯泡电流是通过1k10W电阻供给的，电阻有温升，不要长时间连接，以免烧毁。
如果测试灯泡两端的电压，仅为几十伏。
说明模块坏掉，不能被正常触发。
这种测试方法，通过灯泡的亮度来判断可控硅的好坏，准确度还是可以的，但测试上不如第一种方法简便和安全，是带电操作的，一定要注意安全！三只模块也可以一只一只地测量。
同时测量不准的。