用霍尔效应测量磁场分布-四川大学
霍耳效应法测量磁场
霍耳效应法测量磁场实验指导1.实验内容:2.测定霍耳器件的霍耳灵敏度、霍耳系数和载流子浓度3.测量电磁铁磁极气隙间磁感应强度的横向分布实验步骤:..1.实验系统的连接、初始设置与参数记录（1）分别连接好实验仪上“I S输入”、“I M输入”、“V H、Vσ输出”端与测量仪面板“Is输出”、“I M 输出”、“V H、Vσ输入”端之间的导线；开机前将“I S调节”、“I M调节”旋钮逆时针方向旋到底。
（2）将霍耳元件位置调整到电磁铁气隙内中心附近（其水平位置标尺为0.0mm处）,记录仪器电磁铁线圈上的标签上的励磁常数α值(其数值按1 KGS/A＝0.1T/A单位换算成T/A值记录)。
（3）将实验仪上霍耳元件电流换向开关“K1”、励磁电流换向开关“K3”均掷向正向位置, “VH、Vσ”输出开关和测量仪面板上的“VH、Vσ”选择开关均选在VH位置。
2.霍耳灵敏度测量操作（1）接通实验测试仪电源, 调节励磁电流使IM＝0.500A；（2）调节霍耳元件工作电流, 分别使IS＝0.50mA、1.00mA、1.50mA、2.00mA、2.50mA、3.00mA, 测量记录各IS值下电流换向开关“K1”和“K3”分别在“++”、“+-”、“--”、“-+”四种组合方式下的霍耳电压V1、V2、V3、V4, 数据记录表格如下：..3.电磁铁磁极气隙间磁感应强度的横向分布测量保持励磁电流IM＝0.500A, 霍耳元件工作电流IS＝3.00mA, 分别测量记录霍耳探头水平位置处在x ＝0.0mm、10.0mm、20.0mm、23.0mm、26.0mm、29.0mm、32.0mm、35.0mm、38.0mm、41.0mm等处时, 电流换向开关“K1”和“K3”分别在“++”、“+-”、“--”、“-+”四种组合方式下的霍耳电压V1、V2、V3、V4, 数据记录表格如下：1. 实验数据处理指导:表一中, 各KHi 值不确定度计算式为： 其中： 01.0%8.0+⨯=∆S S I I mA ； 001.0%8.0+⨯=∆M M I I A 2/)m V 01.0%5.0(+⨯=∆H H V V2. 计算出表一中6个KH 值的平均值 、及其不确定度的A 类分量 值和不确定度B 类分量 值, 再合成为 值。
利用霍尔效应测量磁场实验报告
利用霍尔效应测量磁场实验报告嘿，大家好！今天咱们聊聊一个有趣的话题——霍尔效应和它怎么帮助我们测量磁场。
霍尔效应可不是个什么高大上的词，其实它就像是你在超市里逛的时候，突然发现了一块打折的巧克力，兴奋得差点儿跳起来的那种感觉。
简单来说，霍尔效应就是当电流通过导体，置于一个磁场中时，导体的横向会产生一个电压。
这个小小的电压就能告诉我们磁场的强弱，简直是“雷声大，雨点小”的好帮手。
在实验开始之前，咱们得准备一些器材。
准备一块薄薄的半导体材料，像是石墨烯那种，真是个好玩意儿。
接着是一些电线、直流电源，还有一个可以测量电压的仪器。
别忘了磁铁哦！你知道的，磁铁就像是孩子们的玩具，总能吸引到小朋友们的目光。
在这次实验中，磁铁可是主角，得让它发挥出色。
好啦，准备工作就绪，咱们开始吧！先把半导体放在磁铁的旁边，电流从一端流入，哇，瞬间就像开了个小派对一样，电子们欢快地舞动起来。
然后，咱们测量一下横向产生的电压。
哇，看看！电压上升了，这就像你在看电影时，发现情节越来越紧张，心情也跟着高涨起来。
咱们换个磁铁，试试不同的磁场强度。
这时候，电压又有了变化。
你想啊，就像是在调味料一样，盐多了就咸，糖多了就甜，磁场的强度改变了，电压也跟着变动。
这种变化让人感受到科学的魅力，就像是在解开一个个小谜题，真是让人心跳加速。
咱们还可以通过公式来计算磁场的强度。
公式看起来有点复杂，但其实就像做数学题，慢慢来，总能找到答案。
这时候，脑子里得想着“耐心是美德”这句话，慢慢理清楚关系。
把测得的电压和电流代入公式，就能得出磁场的强度。
哇，心中那个小小的成就感，简直像喝了杯提神的咖啡，整个人都清醒了。
实验过程中，总有一些小插曲，哈哈。
有一次，磁铁没粘住，半导体差点儿摔下来，吓得我心里“咯噔”一下。
不过，没关系，科学本来就是要试错的嘛，关键是要勇于尝试。
每一次小意外都是学习的机会，就像生活中的小波折，让我们更加成熟。
整理实验数据的时候，咱们得分析一下结果。
大学物理利用霍尔元件测磁场
V R 的正负仅与B的方向有关，而与I 的方向无关。
（4）不等电势效应引起的电势差
由于制造上困难及材料的不均匀性，3、4两点实际上不可能在同一条等势线上。因此，即使未加磁场，当I 流过时，3、4两点也会出现电势差
TH—H霍尔效应实验测试仪
TH— 型H `S
霍尔测效试应仪 螺线管磁场
+
VH、VO(mv)
功能切换
IS、IM(A)
+
IS 输
S
H
IM
输
出
出
-
VH、VO输入
IS调节
测量选择
IM调节 -
调零
IS
IM
杭州天科技术实业有限公司
杭州天煌电器设备厂
工作电流
励磁电流
实验目的 实验原理 实验仪器 实验内容和步骤 报告要求 阅读材料 三、实验仪器
大学物理利用霍尔元件测磁场
实验目的 实验原理 实验仪器 实验内容和步骤 报告要求 阅读材料 一、实验目的
了解产生霍尔效应的物理过程 学习用霍尔元件测量长直螺线管的轴向磁场分布 学习“对称测量法”消除负效应的影响，测量试样的VH—IS 和VH—IＭ曲线 确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率
实验目的 实验原理 实验仪器 实验内容和步骤 报告要求 阅读材料 z
（1）实验仪双刀开关倒向“VH”，测试仪功能选择置于“VH” IM=0.5A,测绘VH—IS 曲线．
IS/mA
1.00 1.50 2.00
V1/mV V2/mV V3/mV V4/mV VH=(V1-V2+V3-V4)/4 /mV +B,+Is -B,+Is -B,-Is +B,-Is
利用霍尔效应测磁场实验报告
六、实验误差分析
1、系统误差
实验仪器本身的精度限制，如电源输出的稳定性、电表的测量精度等。
磁场的不均匀性，可能导致测量的磁场值与实际值存在偏差。
2、随机误差
读数误差，在读取电表数据时，由于人的视觉和反应时间等因素，可能会产生一定的误差。
实验环境的干扰，如电磁场的干扰等。
｜01｜50｜25｜－24｜245｜
｜பைடு நூலகம்2｜50｜48｜－47｜475｜
｜03｜50｜72｜－71｜715｜
｜04｜50｜96｜－95｜955｜
根据实验数据，计算霍尔系数RH。由于VH＝RHIB，所以RH＝VH／（IB）
以第一组数据为例，RH＝245×10^－3／（01×50×10^－3）＝49×10^－3（m³/C）
三、实验仪器
霍尔效应实验仪、直流电源、毫安表、伏特表、特斯拉计。
四、实验步骤
1、连接实验仪器
将霍尔效应实验仪的电源、毫安表、伏特表等按照正确的方式连接好。
确保连接线路牢固，接触良好。
2、校准仪器
使用特斯拉计对实验仪器进行校准，确保测量磁场的准确性。
3、测量霍尔电压
接通电源，调节电流I为某一固定值。
改变磁场B的大小，测量不同磁场下对应的霍尔电压VH。
eEH＝e（v×B）
设导体的宽度为b，厚度为d，则霍尔电压VH＝EHb＝（v×B）bd
又因为电流I＝nevbd，其中n为单位体积内的电子数，所以v＝I／（nebd）
将v代入霍尔电压的表达式，可得：
VH＝IB／（ned）
令RH＝1／（ned），称为霍尔系数，则VH＝RHIB
通过测量霍尔电压VH、电流I和导体的几何尺寸b、d，就可以计算出磁场B的大小。
用霍尔效应法测磁场
然后求
、 、 和
的
代数平均值
V1 − V2 + V3 − V4 VH = 4
实验内容与步骤
� 霍尔输出特性测量 测绘元件的UH—IS曲线 测绘元件的UH—IＭ曲线 � 测出螺线管轴线的磁感觉强度的分布 UH—x 曲线。
霍尔效应实验仪
IS是给霍尔片加电流的换向开关， IM是励磁电流的换向开关。
霍尔效应测试仪
fe F e
I
v�
E E
b
霍尔系数 1 / nq 霍尔电阻
VH B RH = = ∝B I nqd
d
5.霍尔电压
的测量方法
根据副效应产生的机理可知，采用电流和磁场换向的 对 称测量法，基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。 即在规定了电流和磁场正、反方向后，分别测量由下列四 组不同方向的 和 组合的 （ 、 两点的电位差）即：
实验思考 答案
3.形成机制 以载流子为正电荷为例说明 出现电荷积累 洛仑兹力大小为 f = qυB 使载流子漂移 从而 上端积累了正电荷 下端积累了负电荷
� •洛仑兹力使载流子横向漂移 设载流子速度为 υ
� B
B
VH
ffLm Fe I
v
E
b
d
•洛仑兹力与电场力平衡V 载流子不再漂移
H
上下两端形成电势差
� 由于电荷的积累，形成静电场－霍尔电场 EH
� B
B
电荷受电力 Fe = qEH
VH
ffLm
fe F eIv�b源自当 qEH = qυB 时
电势差为
VH = EH b
E E d
= υBb
4.霍尔系数 霍尔电阻 由电流强度的定义有
I = nqdb υ
用霍尔效应测磁场-大学物理实验精品
实验中遇到的问题与解决方案
仪器故障
部分学生在实验过程中发现仪器出现故障，如电压表或电流表读数异常。经过检查，发现 是线路连接问题或仪器自身故障。解决方案是及时向教师报告问题，并按照教师的指导重 新连接线路或更换仪器。
数据波动
部分学生在测量霍尔电压时发现数据波动较大，影响实验结果的准确性。经过分析，发现 是测量过程中存在干扰因素。解决方案是在测量过程中尽量减少干扰，如关闭其他电器设 备，确保测量环境的安静。
利用霍尔元件在磁场中产生的霍尔电压来测量磁 场强度，具有较高的精度和灵敏度。
磁阻法
利用磁阻效应测量磁场强度，具有较高的灵敏度 和分辨率。
磁场测量的应用
地球磁场测量
地球自身存在磁场，通过测量地球磁场可以研究地球的构造和地 球物理学的基本问题。
磁力勘探
利用磁场测量技术探测地下矿藏、石油等资源，具有高效、无损的 特点。
磁性材料研究
通过测量不同材料的磁学性质，研究磁性材料的物理特性和应用前 景。
05
实验结果分析
数据处理与误差分析
数据处理
对实验测得的数据进行整理、计算和绘图，得出霍尔元件的霍尔系数和载流子 浓度。
误差分析
根据测量原理和实验操作，分析可能存在的误差来源，如温度变化、电路噪声、 测量仪器误差等。
实验结果与理论值比较
有关。
霍尔效应的应用
磁场测量
利用霍尔效应可测量磁场的大 小和方向，广泛应用于电机、
发电机、磁记录等领域。
电流测量
通过测量霍尔电压可间接测量 电流强度，具有高精度、无接 触等优点。
半导体技术
利用霍尔效应可研究半导体的 载流子性质，如载流子类型、 浓度和迁移率等。
传感器技术
大学物理实验讲义实验12 用霍尔效应法测量磁场精编版
实验16 用霍尔效应法测量磁场在工业生产和科学研究中，经常需要对一些磁性系统或磁性材料进行测量，被测磁场的范围可从~1015-310T （特斯拉），测量所用的原理涉及到电磁感应、磁光效应、热磁效应等。
常用的磁场测量方法有核磁共振法、电磁感应法、霍尔效应法、磁光效应法、超导量子干涉器件法等近十种。
一般地，霍尔效应法用于测量10~104-T 的磁场。
此法结构较简单，灵敏度高，探头体积小、测量方便、在霍尔器件的温度范围内有较好的稳定性。
但霍尔电压和内阻存在一定的温度系数，并受输入电流的影响，所以测量精度较低。
用半导体材料制成的霍尔器件，在磁场作用下会出现显著的霍尔效应，可用来测量磁场、霍尔系数、判断半导体材料的导电类型（N 型或P 型）、确定载流子（作定向运动的带电粒子）浓度和迁移率等参数。
如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量电测、自动控制和信息处理等方面，如测量强电流、压力、转速等，在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更为广阔的应用前景。
了解这一富有实用性的实验，对于日后的工作将有益处。
【实验目的】1. 了解霍尔效应产生的机理。
2. 掌握用霍尔器件测量磁场的原理和基本方法。
3. 学习消除伴随霍尔效应的几种副效应对测量结果影响的方法。
4.研究通电长直螺线管内轴向磁场的分布。
【仪器用具】TH-H/S 型霍尔效应/螺线管磁场测试仪、TH-S 型螺线管磁场实验仪。
【实验原理】1. 霍尔效应产生的机理置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场方向垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，载流体的两侧会产生一电位差，这个现象是美国霍普斯金大学二年级研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应，所产生的电位差称为霍尔电压。
特别是在半导体样品中，霍尔效应更加明显。
霍尔电压从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
实验二十二霍尔效应测量磁场
实验二十二霍尔效应测量磁场
霍尔效应是指当导体（通常是金属或半导体）中有电流流过时，如果将一个垂直于电流方向的外加磁场加入，则在导体两侧会产生一定的电势差（称为霍尔电势），这种现象就是霍尔效应。
利用霍尔效应可以测量磁场强度。
下面是关于霍尔效应测量磁场实验的分析与总结：
实验原理：
当一块导体（霍尔元件）被垂直于磁场放置时，磁场会对电子的运动轨迹产生影响，导致电子在导体中积累，并产生电势差。
这个电势差称为霍尔电势（VH），霍尔电势与磁场强度（B）、电流强度（I）、导体材料和几何尺寸有关。
霍尔电势的大小可以通过测量导体两端的电压差来确定。
实验步骤：
1.将霍尔元件放置在磁场中心。
2.将电流通过霍尔元件。
3.测量霍尔电势，可以通过连接外部电压表来测量电势差。
4.改变磁场强度或电流强度并重新测量霍尔电势。
5.记录数据并进行数据处理。
实验总结：
1.霍尔效应可以用来测量磁场强度，它是一种简便、快速、精度高的磁场测量方法。
2.实验中需要注意的是，霍尔元件必须垂直于磁场，否则测量
结果会产生误差。
3.实验中需要选择合适的电流强度和测量范围，以保证测量结果的准确性和稳定性。
4.实验过程中需要进行数据处理和分析，以获得更加准确的测量结果。
5.霍尔效应不仅可以用于磁场测量，还可以用于其他领域的研究，如半导体物理、热电测量等。
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用霍尔效应测量磁场分布霍尔效应是美国科学家霍尔于1879年发现的。
由于它揭示了运动的带电粒子在外磁场中因受洛伦兹力的作用而偏转，从而在垂直于电流和磁场的方向上将产生电势差的规律，因此该效应在科学技术的许多领域（测量技术、电子技术、自动化技术等）中都有着广泛的用途。
现在霍尔效应产品已经在自动化和信息技术中得到了广泛地应用。
特别是在用计算机进行四遥（遥测、遥控、遥信、遥调）监控的一些现代化设备中，应用磁平衡和磁比例式原理研制的霍尔电压传感器、霍尔电流传感器和霍尔开关量传感器进行静电（直流）隔离，实现了直流电压高精度的隔离传送和检测，直流电流高精度的隔离检测和监控量越限时准确的隔离报警。
从而在我国引起了许多科技人员对霍尔效应、霍尔元件以及应用霍尔效应的实用知识和实用技术的关注。
本实验通过研究霍尔电压与工作电流的关系，霍尔电压与磁场的关系以及消除霍尔效应的副效应的方法，从实验中认识霍尔效应，为在自动检测、自动控制和信息技术中应用霍尔效应打下一个良好的基础。
1897年，霍尔设计了一个根据运动载流子在外磁场中的偏转来确定在导体或半导体中占主导地位的载流子类型的实验。
在研究通有电流的导体在磁场中的受力时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。
在半导体材料中，霍尔效应比在金属中大几个数量级，引起人们对它的深入研究。
霍尔效应的研究在半导体理论的发展中起到了重要的推动作用。
直到现在，霍尔效应的研究仍是研究半导体性质的重要实验方法。
利用霍尔系数和导电率的联合测量，可以用来研究半导体的到点机构、散射机构，并可以确定半导体的一些基本参数，如半导体材料的导电类型、载流子浓度、迁移率大小、禁带宽度、杂质电离能等。
【实验目的】（1）掌握霍尔元件的工作原理。
（2）学习用霍尔元件测量磁场的原理和方法。
（3）学习用霍尔元件测绘载流圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场分布。
（4）学习用霍尔元件测绘螺线管磁场分布。
【实验原理】霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。
对于（图15-1）所示的半导体试样，若在X 方向通以电流I ，在Z 方向加磁场B ，则在Y 方向即试样A 、A '电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力H eE 与洛仑兹力eVB 相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有：H eE eVB = （15-1）其中,H E 为霍尔电场，V 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
设试样的宽为b ，厚度为d ，载流子浓度为n ，则S I neVbd = （15-2）由（15-1）、（15-2）两式可得：1S S H H H I BI B V E b R ne d d==⋅= （15-3）即霍尔电压H V （A 、A '电极之间的电压）与S I B 乘积成正比，与试样厚度d 成反比。
比例系数1H R ne=称为霍尔系数，它是反映材料的霍尔效应强弱的重要参数。
霍尔器件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换元件。
对于成品的霍尔器件，其中H R 和d 已知，因此在实用上就将（15-3）式写成H H S V K I B = （15-4）其中HH R K d=，称为霍尔器件的灵敏度（其值由厂家给出），它表示该器件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。
（15-4）式中的单位取S I 为mA 、B 为KGS （4110GS T -=），H V 为mV ，则H K 的单位为mV/(mA ⋅KGS)。
根据（15-4）式，因H K 已知，而S I 由实验给出，所以只要测出H V 就可以求得未知磁感应强度BHH SV B K I =（15-5） 【实验仪器】HLD-HRC-II 型霍尔测量磁场综合实验仪图15-1 半导体样品霍尔效应示意图1、可调移动尺0-170 mm和霍尔元件组成2、螺线管和亥姆霍兹线圈3、霍尔电压、霍尔电流、励磁电流换向开关【仪器介绍】主机单元１、I M电流0-1 A电流输出及显示,主要用于螺线管和亥姆霍兹线圈２、I S电流0-10 mA电流输出及显示,主要用于霍尔元件工作电流,３、V H电压0-200 mV电压显示,主要用于霍尔元件测量电压附件单元1、可调移动尺0-170 mm和霍尔元件组成2、螺线管和亥姆霍兹线圈3、霍尔电压、霍尔电流、励磁电流换向开关【预习思考题】1如果磁场不恰好垂直于霍尔片，对测量结果有何影响？2为什么制备霍尔元件的材料通常是半导体而不是金属？【注意事项】1、测绘B→X曲线时，螺线管口附近磁场强度变化大，应多测几点。
2、单线圈、双线圈和螺线管不要长时间通过大电流，以免线圈发热。
3、不要将I M电流输出接入霍尔片上，以免霍尔元件烧坏。
【实验内容与步骤】注：开机前以及开始任何实验分项前请务必把所有旋钮旋至最小位置。
（一）霍尔及螺线管磁场分布实验实验前将I S调节旋钮、I M调节旋钮调为零，将电源与附件相连，开机预热10分钟，。
实验一、测V H—I S曲线将实验装置（霍尔电压、霍尔电流、励磁电流的切换开关，投向“+”），将霍尔元件调在螺线管磁场中心。
I M电流为0.5A，测V H—I S曲线，数据汇入下表中。
表1： I M ＝0.5A ， X 约取80mm ，I S 取值（1.00～4.00）mAS I / mAV 1/mVV 2/mV V 3/mV V 4/mV 12344H V V V V V +++=/mV+I S +B +I S -B -I S -B -I S +B 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0对实验数据进行作图分析。
实验二、测V H —I M 曲线将实验装置（霍尔电压、霍尔电流、励磁电流的切换开关投向“+”，将霍尔元件调在磁场中心，I S 电流为3mA ，测V H —I M 曲线，数据汇表中。
表2：I S ＝3mA ，X 约取80mm I M 取值：0.1～0.6A ，I M /A V 1/mVV 2/mV V 3/mV V 4/mV 12344H V V V V V +++=/mV+I S +B +I S -B -I S - B -I S + B 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6实验三、螺线管磁场分布测量将实验仪器（霍尔电压、霍尔电流、励磁电流的切换开关投向“+”），调节移动尺0=X ,取M I 电流为0.5A ，I S 电流3mA ，测B →X 的曲线表3： I M 取值：0.5A ，I S 取值3mA ，X 取0~190mmX （mm ）V 1/mVV 2/mV V 3/mV V 4/mV 12344H V V V V V +++=/mV+I S +B +I S -B -I S - B -I S + B 0 10 (190)将螺线管中心的B 值与理论值进行比较，求出相对误差。
（需考虑温度对H V 值的影响）螺线管口附近磁场强度变化大，应多测几点 （二）、亥姆霍兹线圈磁场描绘实验实验前将I S 调节旋钮，I M 调节旋钮调为零，将电源与附件相连，开机预热10分钟， 实验一、单线圈磁场描绘实验前将（霍尔电压、霍尔电流、励磁电流的切换开关投向“+”），单线圈1描绘。
调节移动尺X=0-100mm 表1：（取I M电流为0.5A，I S电流3mA），测B→X的曲线。
X（mm）V1/mV V2/mV V3/mV V4/mV12344HV V V VV+++=/mV +I S+B+I S-B-I S- B-I S+ B1020……100实验前将（霍尔电压、霍尔电流、励磁电流的切换开关投向“+”），单线圈II描绘。
表2：调节移动尺X=70-160mm（取I M电流为0.5A，I S电流为5m A）测B→X的曲线X V1/mV V2/mV V3/mV V4/mV12344HV V V VV+++=/mV +I S+B+I S-B-I S- B-I S+ B7080……160实验二、亥姆霍兹线圈磁场描绘实验前将（霍尔电压、霍尔电流、励磁电流的切换开关投向“+”），双线圈描绘。
表3：调节移动尺X=0-100 mm（取I M电流为0.5A，I S电流为5m A，测B→X的曲线。
X V1/mV V2/mV V3/mV V4/mV12344HV V V VV+++=/mV + I S+B+ I S-B- I S-B- I S+B1020……100【思考题】1试分析温度的变化对实验结果的影响2 若已知霍尔器件的性能参数，采用霍尔效应法测量一个未知磁场时，测量误差有哪些来源？【参考文献】[1]王植恒,何原,朱俊.大学物理实验[M].北京:高等教育出版社,2008:34-42[2]黄建群.大学物理实验[M].成都:四川大学出版社,2005:1-7。