10.2存储器外部电路
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102存储器外部电路
半导体 集成电路
2019/10/25
存储器外围电路
2019/10/25
TEE8502的总体结构
2019/10/25
2019/10/25
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2019/10/25
外围电路
内层外围电路：功能电路，它是直接控制 存储矩阵工作的功能块。
外层外围电路：工作模式控制电路，它把 把外部信号转换成若干内部控制信号，对 内层外围电路进行控制。
2019/10/25
1.内层外围电路 地址缓冲器 地址译码器 位写入电路 灵敏读放电路 存储管控制栅电平VCG产生电路 存储管源电平VS产生电路
2019/10/25
（1）地址缓冲器
2019/10/25
（4）灵敏读放电路
灵敏放大器的作用一方面要限制D的摆幅， 另一方面要具有较大的放大系数，在较小 负载电容的输出点上得到合适的电平和足 够的电压摆幅，驱动输出缓冲器。
灵敏放大器是影响读出速度的关键。
2019/10/25
（5）存储管控制栅电平VCG产生电路
根据TEE8502 存储矩阵工作原理，擦操作 时VCG应接近21V，写操作时VCG应接近0V， 读操作时VCG应接近3V左右。
2019/10/25
地址缓冲器的功能 把TTL电平转换成MOS电平，并使输出具
有驱动大量地址译码器的能力。 执行工作模式控制
2019/10/25
（2）地2019/10/25
（3）位写入电路
引脚I/O是共用的，因此数据线D和I/O间是 双向信息通路。读出工作时，位读出电路 工作；字节擦写模式时，位写入电路工作。
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存储器外围电路
2019/10/25
TEE8502的总体结构
2019/10/25
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外围电路
内层外围电路：功能电路，它是直接控制 存储矩阵工作的功能块。
外层外围电路：工作模式控制电路，它把 把外部信号转换成若干内部控制信号，对 内层外围电路进行控制。
2019/10/25
1.内层外围电路 地址缓冲器 地址译码器 位写入电路 灵敏读放电路 存储管控制栅电平VCG产生电路 存储管源电平VS产生电路
2019/10/25
（1）地址缓冲器
2019/10/25
（4）灵敏读放电路
灵敏放大器的作用一方面要限制D的摆幅， 另一方面要具有较大的放大系数，在较小 负载电容的输出点上得到合适的电平和足 够的电压摆幅，驱动输出缓冲器。
灵敏放大器是影响读出速度的关键。
2019/10/25
（5）存储管控制栅电平VCG产生电路
根据TEE8502 存储矩阵工作原理，擦操作 时VCG应接近21V，写操作时VCG应接近0V， 读操作时VCG应接近3V左右。
2019/10/25
地址缓冲器的功能 把TTL电平转换成MOS电平，并使输出具
有驱动大量地址译码器的能力。 执行工作模式控制
2019/10/25
（2）地2019/10/25
（3）位写入电路
引脚I/O是共用的，因此数据线D和I/O间是 双向信息通路。读出工作时，位读出电路 工作；字节擦写模式时，位写入电路工作。
手机外围电路详细介绍课件
手机外围电路详细介绍
MICBIOS XMIC
ADC
MICBIOS ADC
若满足1.ADC>1V，2. EIN为低电平。则表示耳机为插入。
Right Left MIC GND
若只插入一半,耳机上MIC的一截就会因为错位而接到手机的GND上，然后XMIC信号 直接连接GND，ADC则为低电平。虽然现在的耳机已经不需要这个动作了，但是手机 研发还是保留了这个信号未删除，以免出现问题。
• CP就是那颗能根据振动调整容值的电容，然后通过后面的场效应管放大信号，C1， C2为虑除900MHZ和1800MHZ影响的滤波电容。
手机外围电路详细介绍
耳机电路
手机外围电路详细介绍
VDD 2.8V
VDD
100K
47K-190K上拉电阻，典 型值为75K
B 压降为0.2-0.3V C
EINT
BB A
• 音频信号都是正弦波 ，AB类放大器末级放大电路一般使用2个功率管，一个工作在 正弦波的正半周，一个工作在负半周，然后合成一个完整的正弦波。
手机外围电路详细介绍
• B类放大器一个管子在正半周工作时，另一个管子“休息”（截止），轮到负半周工作 时，休息的那个工作，原来工作的则休息，轮流使劲。在这种B类工作状态下，每个功 率管都处在导通－－截止－－导通的状态中，都只工作180度。2个180度合成一个360 度的完整波形。它的优点是晶体管是从截止点开始向增大电流方向工作的，放大系数 很高，因此也就省电，效率高，它的缺点是存在非线性失真和交越失真。非线性失真 是晶体管本身固有的，从零电流到电流饱和，晶体管的放大能力不是线性的，只有中 间一段是线性状态优良的，晶体管从零电流开始工作，必定要有一段工作在非线性的 区域内。交越失真是由于2个功率管各管一个180度，在交接处又是互相的非线性工作 区域，在交界处失真较大，互相接不住，产生波形失真
四章外部存储设备
二、IDE光驱的基本结构
外部结构 内部结构
1．外部结构
（1）连接接口 （2）面板 （3）固定盖板 （4）安装螺孔
2．内部结构
（1）光驱固件 （2）光头组件 （3）光头驱动机构 （4）主轴电机 （5）机芯固件 （6）CD托盘组件 （7）电路板
三、光驱的主要技术指标
平均读取时间 数据传输模式 缓存区容量 容错能力 多种光盘格式支持 其他
该接口是早期在IBM PC/XT微机上使用的 硬盘接口，由希捷公司开发，首先使用这 种接口的硬盘为希捷的ST-506及ST-412，由 此得名。ESDI（Enhanced Small Device Interface）接口由迈拓公司在ST-506的基础 上于1983年开发而成。目前这两种接口的硬 盘均被淘汰。
4．平均寻道时间
平均寻道时间是指硬盘在接收到系统指令 后，磁头从开始移动到移动至数据所在的 磁道所花费时间的平均值，是影响硬盘内 部数据传输率的重要参数，单位ms。目前 硬盘的平均寻道时间一般为9ms左右。
5．传输速率
传输速率是指在单位时间内，系统从硬盘 中读写的数据量，该值越大，速度越快。
软驱的机械系统并未密封，如果使用与维 护不当，很容易出现故障，造成软盘数据 的丢失。因此，为了延长软驱、软盘的使 用寿命，保证软盘数据存放正确、可靠， 应正确使用软驱、软盘，并作好日常维护 工作。
1．使用软驱注意事项 2．使用软盘注意事项
第三节 硬盘驱动器
硬盘的分类 IDE硬盘的结构 硬盘的工作参数 硬盘的主要技术指标 IDE硬盘的连接与设置 硬盘的使用与保养 硬盘的常见故障及排除 DM硬盘管理软件的使用 逻辑数据恢复技术简介
2．Nero Burning Rom刻录软件
Nero主窗口
102存储器外部电路-文档资料PPT文档21页
1、不要轻言放弃，否则对不起自己。
2、要冒一次险!整个生命就是一场冒险。走得最远的人，常是愿意 去做，并愿意去冒险的人。“稳妥”之船，从未能糖的咖啡，喝起来是苦涩的，回味起来却有 久久不会退去的余香。
102存储器外部电路-文档资料 4、守业的最好办法就是不断的发展。 5、当爱不能完美，我宁愿选择无悔，不管来生多么美丽，我不愿失 去今生对你的记忆，我不求天长地久的美景，我只要生生世世的轮 回里有你。
6、最大的骄傲于最大的自卑都表示心灵的最软弱无力。——斯宾诺莎 7、自知之明是最难得的知识。——西班牙 8、勇气通往天堂，怯懦通往地狱。——塞内加 9、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。——赫尔普斯 10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。——笛卡儿
Thank you
2、要冒一次险!整个生命就是一场冒险。走得最远的人，常是愿意 去做，并愿意去冒险的人。“稳妥”之船，从未能糖的咖啡，喝起来是苦涩的，回味起来却有 久久不会退去的余香。
102存储器外部电路-文档资料 4、守业的最好办法就是不断的发展。 5、当爱不能完美，我宁愿选择无悔，不管来生多么美丽，我不愿失 去今生对你的记忆，我不求天长地久的美景，我只要生生世世的轮 回里有你。
6、最大的骄傲于最大的自卑都表示心灵的最软弱无力。——斯宾诺莎 7、自知之明是最难得的知识。——西班牙 8、勇气通往天堂，怯懦通往地狱。——塞内加 9、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。——赫尔普斯 10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。——笛卡儿
Thank you
外部存储器
外部存储器
决定硬盘性能的几个重要指标有容量、转速、高速缓存和平均寻道时间等，其意义如下：
容量
转速
高速有500 GB，1 TB， 2 TB，3 TB，4 TB等。
• 转速是决定硬盘内部 数据传输率的决定因 素之一，也是区别硬 盘档次的重要标志。 现在主流的硬盘转速 一般为7200 rpm（转/ 分钟）或更高。
微机原理与接口技术
USB端口 • 负责连接主机，是数据输入和输出的通道。
主控芯片 • 负责各部件的协调管理和各项动作指令的发布。
FLASH（闪存）芯片 • 是保存数据的主体，可长期保存，断电后数据不会丢失。
PCB底板 • 将各部件连接在一起，提供数据处理的平台。
U盘的性能指标主要包括存 储容量、数据读取速率、数据写 入速率、支持接口类型、支持的 操作系统、是否支持分区、加密 功能、数据保存时间等。高端的 还有智能纠错技术（指在数据写 入时，由其内部的数据纠错软件 对写入数据及时巡检并同原始数 据进行核对）。
微机原理与接口技术
外部存储器
1.1 硬盘的结构与主要性能指标
硬盘由具有磁性物质的多个盘片制成，并且这些盘片重叠起来被密封于金属壳体内。磁盘片是硬盘存储 数据的载体，磁盘片的表面为记录面，被划分成若干个不同半径的同心圆，称为磁道。
硬盘驱动器
外部存储器
硬盘是通过磁道上磁性物质的状态来存储信息的。磁盘的每个记录面都有一个磁头，磁头固定在磁头架 上，用来读取或者修改盘片上磁性物质的状态。磁盘片在主轴电机的带动下以很高的速度旋转，磁头通过磁 头架的径向移动实现磁道的选择。
外部存储器
笔记本硬盘最大的特点是体积小巧，其对角线长度一般是2.5英寸（台式机为3.5英 寸），厚度一般为8.5～12.5 mm，重量通常在一百克左右。笔记本硬盘由于受各种因素制 约，其转速通常只有5400 rpm，高速缓存也略少于台式机硬盘，但抗震性能要求更高。
外部存储器PPT文档85页
础 提高每张碟片的容量才能从根本上解决这个问题。目前主流
硬盘的单碟容量大都在80GB以上。
面密度 = 位密度×磁道密度（Mb/平方英寸或Gbit/平方英寸 ）
7.1.3 硬盘的使用
计 硬盘在使用之前必须经过低级格式化、分区和高级格式化
算 三个步骤。
机 硬
1. 低级格式化 一般硬盘在出厂之前都做过低级格式化，低级格式化和操
基 扩充容量满足不断增长的存储容量的需求是不可行的。只有
础 提高每张碟片的容量才能从根本上解决这个问题。目前主流
硬盘的单碟容量大都在80GB以上。
面密度 = 位密度×磁道密度（Mb/平方英寸或Gbit/平方英寸 ）
7.1.3 硬盘的使用
计 硬盘在使用之前必须经过低级格式化、分区和高级格式化
算 三个步骤。
作系统无关。
件 低级格式化的作用：低级格式化的主要作用用以下几种：
技 测试硬盘介质，对已损坏的磁道和扇区做“坏”标记。
术 写入扇区ID，清空扇区内容 ，每一块的开头部分写入一个扇
基 区ID并且清空数据区。
础 设置交错因子
7.1.2 硬磁盘的性能指标
计 1.容量
算 容量永远是硬磁盘最重要的指标,其中单碟容量是硬盘相当
件 的磁粉 二为，如何将磁粉均匀的Coating上去.
技 Media不可有任何污染，全程制造均需在高洁净度的
术 Clean Room内，这也是硬盘机要求需在Clean Room才能 基 拆解的原因。
础
硬盘的内部结构
计 2)磁头组件及磁头驱动机构：
算 机
磁头组件是硬盘中最精密的部位之一，它由读写磁头、传 动手臂、传动轴三部份组成。磁头是硬盘技术中最重要和关 键的一环，它采用了非接触式头、盘结构，加后电在高速旋
基于阻变存储器的逻辑计算电路及外围读写电路设计
基于阻变存储器的逻辑计算电路及外围读写电路设计1. 阻变存储器的原理及应用研究阻变存储器（ReRAM）是一种新型非挥发性存储器，具有极低的功耗和高密度等优势，被广泛应用于各种电子设备中。
本论文首先介绍了阻变存储器的基本原理，主要包括隧穿效应、氧化还原反应等。
然后对其在计算机、物联网、人工智能等领域的应用情况进行了详细的分析。
最后对其未来的研究方向提出了展望，特别是在阻变存储器多位操作、崩溃等方面的研究需要进一步加强。
毕业总结：在本论文的研究过程中，我深入了解了阻变存储器的工作原理，发现其具有广泛的应用前景。
通过深入研究该技术，我对计算机科学领域有了更深刻的理解，并展望了其他新兴技术的发展方向，这对我未来的职业发展和科研工作都将产生积极的影响。
2. 基于阻变存储器的逻辑计算电路设计逻辑计算电路是计算机基本部件之一，对于电脑的性能和稳定性具有重要意义。
基于阻变存储器的逻辑计算电路采用了动态阻值调整技术，可以提高电路的运算速度和能效。
本论文设计了一种基于阻变存储器的逻辑计算电路，提出了随机激活的逻辑计算单元结构，并且采用了方向粗略匹配的电路优化方法。
经过仿真和测试，我们发现该电路具有较高的运算速度和稳定性，能够满足实际应用的需要。
毕业总结：在本论文的研究过程中，我了解了逻辑计算电路的基本原理和设计方法，并得以深刻理解基于阻变存储器的逻辑计算电路的优势和局限性。
通过实践，我不仅提高了自己的设计能力，还深入了解了实际应用中的问题和解决方法。
3. 基于阻变存储器的外围读写电路设计外围读写电路是阻变存储器系统的重要组成部分，用于完成外部数据传输。
本论文设计了一种基于阻变存储器的外围读写电路，主要包括数据传输电路、存储器控制电路和时序控制电路等。
为了提高电路的传输速度和稳定性，我们使用了预取存储技术和反馈控制方法。
实验结果表明，该电路具有高性能和低功耗的特点，可以满足更高规模的数据传输需求。
毕业总结：在本论文的研究过程中，我深入学习了阻变存储器系统的组成和工作原理，并设计了一种高性能的外围读写电路。
微机原理与接口技术：10存储器与存储扩展PPT课件
实例二
ARM Cortex-M微控制器与外部存储 器的连接，采用间接连接方式，通过 MMU进行地址映射和数据传输，实现 多任务处理和内存管理。
05 存储器的应用与发展趋势
嵌入式系统中的存储器应用
1
嵌入式系统中的存储器主要用于存储程序代码、 数据以及运行过程中产生的临时数据。
2
嵌入式系统中的存储器需要具备高速、低功耗、 可靠性和稳定性等特点，以满足实时性和可靠性 的要求。
03
大容量存储技术可以采用分布 式存储、云存储等技术，实现 数据的集中管理和高效利用。
非易失性存储器的应用前景
非易失性存储器能够在掉电或 重启后保持数据不丢失，因此
具有广泛的应用前景。
非易失性存储器可以用于保 存程序代码、配置参数、加 密密钥等重要数据，保证系
统的可靠性和安全性。
非易失性存储器的发展趋势是 不断缩小体积、提高容量和降 低成本，未来有望成为主流的
03 存储器的扩展技术
存储器扩展概述
存储器扩展的概念
01
当微机的内存不足时，可以通过扩展存储器来增加内存容量。
存储器扩展的必要性
02
随着应用程序和操作系统的日益复杂，对内存的需求也在不断
增加，因此扩展存储器是必要的。
存储器扩展的方法
03
可以通过并行扩展和串行扩展两种方法来扩展存储器。
并行扩展技术
只读存储器（ROM）
总结词
ROM是一种非易失性存储器，其数据在制造过程中被写入并永久保存。
详细描述
ROM的存储单元由熔丝、二极管或晶体管等非易失性元件组成。在制造过程中，数据被写入ROM并永久保存， 无法更改。ROM常用于存储固定程序和数据，如计算机的基本输入输出系统（BIOS）。
ARM Cortex-M微控制器与外部存储 器的连接，采用间接连接方式，通过 MMU进行地址映射和数据传输，实现 多任务处理和内存管理。
05 存储器的应用与发展趋势
嵌入式系统中的存储器应用
1
嵌入式系统中的存储器主要用于存储程序代码、 数据以及运行过程中产生的临时数据。
2
嵌入式系统中的存储器需要具备高速、低功耗、 可靠性和稳定性等特点，以满足实时性和可靠性 的要求。
03
大容量存储技术可以采用分布 式存储、云存储等技术，实现 数据的集中管理和高效利用。
非易失性存储器的应用前景
非易失性存储器能够在掉电或 重启后保持数据不丢失，因此
具有广泛的应用前景。
非易失性存储器可以用于保 存程序代码、配置参数、加 密密钥等重要数据，保证系
统的可靠性和安全性。
非易失性存储器的发展趋势是 不断缩小体积、提高容量和降 低成本，未来有望成为主流的
03 存储器的扩展技术
存储器扩展概述
存储器扩展的概念
01
当微机的内存不足时，可以通过扩展存储器来增加内存容量。
存储器扩展的必要性
02
随着应用程序和操作系统的日益复杂，对内存的需求也在不断
增加，因此扩展存储器是必要的。
存储器扩展的方法
03
可以通过并行扩展和串行扩展两种方法来扩展存储器。
并行扩展技术
只读存储器（ROM）
总结词
ROM是一种非易失性存储器，其数据在制造过程中被写入并永久保存。
详细描述
ROM的存储单元由熔丝、二极管或晶体管等非易失性元件组成。在制造过程中，数据被写入ROM并永久保存， 无法更改。ROM常用于存储固定程序和数据，如计算机的基本输入输出系统（BIOS）。
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外层外围电路：工作模式控制电路，它把 把外部信号转换成若干内部控制信号，对 内层外围电路进行控制。
2020/10/7
1.内层外围电路 地址缓冲器 地址译码器 位写入电路 灵敏读放电路 存储管控制栅电平VCG产生电路 存储管源电平VS产生电路
2020/10/7
（1）地址缓冲器
2020/10/7
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（4）灵敏读放电路
灵敏放大器的作用一方面要限制D的摆幅， 另一方面要具有较大的放大系数，在较小 负载电容的输出点上得到合适的电平和足 够的电压摆幅，驱动输出缓冲器。
灵敏放大器是影响读出速度的关键。
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（5）存储管控制栅电平VCG产生电路
根据TEE8502 存储矩阵工作原理，擦操作 时VCG应接近21V，写操作时VCG应接近0V， 读操作时VCG应接近3V左右。
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地址缓冲器的功能 把TTL电平转换成MOS电平，并使输出具
有驱动大量地址译码器的能力。 执行工作模式控制
2020/10/7
（2）地址译码器
行译码器 列译码器
2020/10/7
（3）位写入电路
引脚I/O是共用的，因此数据线D和I/O间是 双向信息通路。读出工作时，位读出电路 工作；字节擦写模式时，位写入电路工作。
2020/10/7
（6）存储管源电平VS产生电路
在写的时候，PLOTOX存储管源接+5V，非 写情况下接地，因此VS产生电路是由WRT 信号控制的推挽电路。
2020/10/7
2.外层外围电路 控制信号缓冲器 电平鉴别电路 片擦信号发生器 字节擦写信号发生器 写禁止/写信号发生器 擦除信号发生器 字节操作信号发生器 读信号发生器 擦写信号发生器
半导体 集成电路
2020/10/7
存储器外围电路
2020/10/7
TEE8502的总体结构
2020/10/7
2020/10/7
2020/10/7
2020/10Βιβλιοθήκη 72020/10/72020/10/7
2020/10/7
外围电路
内层外围电路：功能电路，它是直接控制 存储矩阵工作的功能块。
2020/10/7
1.内层外围电路 地址缓冲器 地址译码器 位写入电路 灵敏读放电路 存储管控制栅电平VCG产生电路 存储管源电平VS产生电路
2020/10/7
（1）地址缓冲器
2020/10/7
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行译码器 列译码器
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（6）存储管源电平VS产生电路
在写的时候，PLOTOX存储管源接+5V，非 写情况下接地，因此VS产生电路是由WRT 信号控制的推挽电路。
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2.外层外围电路 控制信号缓冲器 电平鉴别电路 片擦信号发生器 字节擦写信号发生器 写禁止/写信号发生器 擦除信号发生器 字节操作信号发生器 读信号发生器 擦写信号发生器
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内层外围电路：功能电路，它是直接控制 存储矩阵工作的功能块。