BJT VS FET
二极管种类与作用
二极管种类与作用二极管是一种最基本的电子元件，它有许多种类，不同类型的二极管有不同的结构和用途。
在本文中，我们将详细介绍常见的三种二极管：正向电压放大二极管（BJT），场效应管（FET）和肖特基二极管，以及它们的作用。
1.正向电压放大二极管（BJT）:BJT是最常见的二极管类型之一，也是最早被广泛应用的一种。
它由两个PN结组成，分为NPN型和PNP型。
NPN型的BJT中，中间的P型材料被这两个N型材料夹在中间。
在正向偏置下，电流从基极流向发射极，因此它也被称为NPN型。
相反，PNP型的BJT中，中间的N型材料被这两个P型材料夹在中间。
在正向偏置下，电流从基极流向边沿缘，因此它也被称为PNP型。
BJT的作用是放大电流和电压。
当电流从基极流向发射极时，放大器可以放大该电流，并在集电极上产生一个较大的电压。
这使得BJT非常适用于放大电路，比如音频放大器，射频放大器等。
2.场效应管（FET）:与BJT不同，FET是一种用于放大电流和电压的电压控制型半导体器件。
与BJT相比，FET有一个额外的端口，称为栅极。
FET由衬底、栅极和漏源组成。
FET分为两种类型：N型FET和P型FET。
N型FET中，栅极和漏源之间有一个正向偏置的PN结，这个结区域称为通道。
当在栅极施加一个正电压时，形成的电场将改变PN结的电导率，允许电流从漏源流向衬底。
这也被称为增强型N型场效应管。
相反，P型FET中，通道是经常存在的，施加一个负电压在栅极，阻挡PN结之间的电导率，控制电流的流动。
FET的作用是放大电流和电压。
由于栅极与导电通道之间的电流非常小，因此FET通常具有高输入阻抗和低输出阻抗，使其非常适合用作放大器。
此外，FET还广泛应用于模拟开关和数字逻辑电路。
3.肖特基二极管:肖特基二极管是一种与普通PN结二极管相比具有较快开关速度和低反向恢复时间的二极管。
它由一个金属与硅之间的PN结或金属与半导体之间的接触形成。
肖特基二极管的金属层被称为肖特基。
晶体管与场效应管的比较
模拟电子技术研究性教学论文实验题目：晶体管与场效应管的比较晶体管与场效应管的比较摘要晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。
本文主要对晶体管的两大分类--晶体三极管（BJT）和场效应管（FET）在不同方面做了比较，包括概念定义，结构分类，工作原理，放大比较以及综合应用等。
一方面对晶体三极管和场效应管做了全面的归纳和对比，另一方面对模拟电子技术的学习打好了基础。
关键词：晶体三极管，场效应管，结构，工作原理，放大，应用AbstractTransistor (transistor) is a solid semiconductor can be used for detection, rectification, amplification, switch, power, signal modulation and other functions. This paper mainly compares transistor to transistor (BJT) and field effect transistor (FET) in different aspects , including the definition of the concept, structure, working principle, amplifying comparison ,comprehensive application and so on .Talking about the significance of this thesis ,on the one hand ,it made induction and comparative comprehensive on the transistor and FET, on the other hand, it lay the foundation for electronic technology learning .Keywords: transistor, FET, structure, working principle, amplification, application目录一、基本概念 (3)1.1晶体三极管 (3)场效应管 (3)二、分类及结构 (4)2.1晶体三极管 (4)晶体三极管的分类 (4)晶体三极管的内部结构图 (5)场效应管 (5)结型场效应管 (5)绝缘栅型场效应管 (6)三、工作原理 (6)晶体三极管 (6)三极管的工作原理 (6)三极管的工作原理图 (7)晶体三极管三种大电路对比 (7)场效应管 (8)结型场效应管 (8)绝缘栅型场效应管 (9)场效应管的工作原理图 (10)不同场效应管的特性比较 (10)四、场效应管与晶体管的比较及应用 (11)五、综合应用 (11)六、参考文献 (12)一、基本概念晶体三极管晶体三极管，亦称双极型（Transubstantiationalist,BJT），因其有自由电子和空穴两种极性的载流子参与导电而得名；又因其是三层杂质半导体构成的器件，有三个电极，所以又称半导体三极管，晶体三极管等，简称三极管。
双极功率晶体管与场效应晶体管的比较
双极功率晶体管与场效应晶体管的比较导言：在电子元件领域，功率晶体管被广泛应用于功率放大和开关电路中，而双极功率晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）是其中两种常见的类型。
本文将对这两种晶体管进行比较，包括工作原理、特性和应用等方面。
一、工作原理1. 双极功率晶体管：双极功率晶体管是一种三层晶体管，由两个PN结组成。
在工作过程中，控制电流被注入基极结，通过基极电流来控制负载电流。
当基极电流达到一定的阈值，集电极-发射极之间的电流就会增加。
它可以工作在放大模式和开关模式下。
2. 场效应晶体管：场效应晶体管是一种由栅、源和漏三个极端组成的四层结构。
其中，源极和漏极之间通过栅极电压控制电流流动。
当栅极电压改变时，导电层的宽度也会发生变化，从而影响了电流流动。
它可分为MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极性晶体管）两大类。
二、特性比较1. 工作频率：双极功率晶体管由于涉及较多的电子动量传递过程，因此其最高工作频率相对较低，一般在几百MHz到几十GHz之间。
而场效应晶体管由于操作时只涉及电场效应，因此可实现更高的工作频率，达到几十GHz以上。
2. 控制电流：双极功率晶体管需要基极电流来激活，并且在工作过程中需要消耗一定的功率。
而场效应晶体管的控制电流非常小，在无功耗的情况下可以实现更高的效率。
3. 输入电阻和噪音：双极功率晶体管具有相对较低的输入电阻，因此主要用于对输入电阻较高的传感器和信号源进行放大。
而场效应晶体管具有非常高的输入电阻，适用于对电阻要求较低的应用，例如放大信号源。
4. 开关特性：双极功率晶体管在开关模式下对负载电流的响应速度非常快，具有较高的开关速度。
而场效应晶体管需要时间来响应并建立沟道，其开关速度相对较慢。
三、应用领域1. 双极功率晶体管：双极功率晶体管广泛应用于音频放大器、功率放大器、调制器、开关电源等领域。
晶体管类型和三个极的判断
晶体管类型和三个极的判断一、引言晶体管，作为现代电子工业的核心元件，其类型和极性的判断是电子工程师必须掌握的基本技能。
本篇文章将详细介绍晶体管的类型及如何判断其三个极。
二、晶体管类型晶体管主要有两大类型：双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）。
1.双极型晶体管（BJT）：由三个半导体区域构成，包括两个PN结。
根据结构差异，双极型晶体管又可以分为PNP和NPN两种类型。
在BJT中，电流控制是通过电荷载流子的变化来实现的。
2.场效应晶体管（FET）：由源、栅和漏三个电极构成，主要分为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等类型。
在FET中，电流的控制是通过改变半导体区域的电导率来实现的。
三、晶体管三个极的判断在判断晶体管的三个极时，我们通常基于其工作原理和结构特性进行识别。
以下是具体的判断方法：1.NPN型晶体管：a. 将晶体管放于手掌中，使得基极（B）朝向自己；b. 从基极开始，逆时针方向分别是基极（B）、集电极（C）和发射极（E）；c. 对于PNP型晶体管，则相反，即从基极开始，顺时针方向分别是基极（B）、集电极（C）和发射极（E）。
2.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）：a. 有源区：由于MOSFET 的源极和漏极通常由同一种类型的半导体构成，因此可以通过测量其电阻值进行判断。
源极与漏极之间的电阻值较小；b. 栅极：栅极与源极或漏极之间的电阻值较大；c. 漏极：漏极与源极之间的电阻值较小。
3.绝缘栅双极晶体管（IGBT）：a. 发射极：通常标识有标记的一极为发射极；b. 集电极：将万用表置于测量电阻的适当量程，使万用表的黑表笔接IGBT的任意一脚，红表笔先后分别接其余两脚。
比较两次测量结果，阻值较小的一次测量中，红表笔接的就是集电极；c. 栅极：栅极通常与其它电极相连，如果需要判断，可以通过测量电阻的方法来辨别。
常用场效应管及晶体管参数
常用场效应管及晶体管参数场效应管（FET）和晶体管（BJT）是现代电子设备中广泛使用的两种主要的电子器件。
他们在放大、开关和电路控制等方面起着重要作用。
下面将详细介绍常用场效应管和晶体管的参数。
一、场效应管（FET）的参数1. 空载传导（Idss）：空载传导是指当栅极-源电压为零时的最大漏极-源极电流。
这个参数表示了当栅极完全封闭时，通过FET的最大电流。
2. 门源截止电压（VGS(off)）：当栅极-源电压为零时，FET将完全关闭，不传导漏极电流。
这个参数可以用来确定FET的静态工作点。
3. 饱和电压（VDS(sat)）：饱和电压是指，在给定的栅极-源极电压和栅极电压下，漏极-源极电流达到饱和状态时的漏极-源极电压。
在这个电压下，FET可以传导最大电流。
4. 输入电容（Ciss）：输入电容是指当栅极电压变化时，所需的输入电荷的数量，单位为法拉。
这个参数表示了栅极电压对FET的效果。
5. 输出电导（Drain-to-Source On-Resistance，RDS(on)）：输出电导是指当FET完全开启时，漏极-源极电阻的值。
值越小，FET的效果越好。
二、晶体管（BJT）的参数1. 最大集电极电流（Ic(max)）：最大集电极电流是指晶体管能够承受的最大电流值。
超过这个电流值会导致晶体管损坏。
2. 饱和电流（Ic(sat)）：饱和电流是指当基极电流大到一定程度时，集电极-发射极电流稳定在最大值的状态。
此时，晶体管工作在饱和区，可以作为开关使用。
3. 直流增益（DC Current Gain，hFE）：直流增益是指当基极电流增大时，集电极电流相对于基极电流的放大倍数。
该参数用来描述晶体管的放大能力。
4. 射极漏电流（Iceo）：射极漏电流是指当基极电流为零时，集电极-发射极间的非控制电流。
此时，晶体管处于关闭状态。
5. 输入电容（Cbe）：输入电容是指当基极电压变化时，所需的输入电荷的数量。
这个参数表示了基极电压对晶体管的效果。
三极管和MOS管区别
三极管和MOS管区别
Mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。
或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。
这样的器件被认为是对称的。
三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列出几条：
1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。
BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是跨导gm;
2.驱动能力：MOS管常用来电源开关管，以及大电流地方开关电路;4.BJT线性较差，FET线性较好;
5.BJT噪声较大，FET噪声较小;
6.BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型,所以FET选型和使用都比较复杂;
7.功耗问题：BJT输入电阻小，消耗电流大4.BJT线性较差，FET线性较好;
5.BJT噪声较大，FET噪声较小;
6.BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟
道、P沟道，还有耗尽型和增强型,所以FET选型和使用都比较复杂;
7.功耗问题：BJT输入电阻小，消耗电流大，FET输入电阻很大，几乎不消耗电流;
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制;MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
3.成本问题：三极管便宜，MOS管贵;。
晶体管小信号等效电路
晶体管小信号等效电路
晶体管的小信号等效电路是一种用来分析和计算晶体管放大小信号时性能的简化模型。
在这个模型中，晶体管被看作是一个线性元件，其非线性特性通过在静态工作点附近进行小信号分析来近似处理。
根据晶体管的类型（双极型晶体管（BJT）或场效应晶体管（FET））和配置（共射、共基、共集或者共源、共栅、共漏），小信号等效电路的模型会有所不同。
1.对于双极型晶体管（BJT）：
●共射配置：小信号等效电路通常包括一个输入端的
π型网络，其中包括基极-发射极电阻（re），以及
基极和发射极之间的电容。
输出端包括一个电流源
（gmVbe），其中gm是晶体管的跨导，Vbe是基极-
发射极电压的变化。
●共基配置和共集配置：这两种配置的小信号等效电
路类似于共射配置，但元件的连接方式和参数会有
所不同。
2.对于场效应晶体管（FET）：
●共源配置：小信号等效电路通常包括一个电流源
（gmVgs），其中gm是晶体管的跨导，Vgs是栅极-
源极电压的变化。
电路还可能包括栅极电阻、源极
电阻和漏极电阻。
共栅配置和共漏配置：这两种配置的小信号等效电路类似于共源配置，但元件的连接方式和参数会有
所不同。
在使用小信号等效电路进行分析时，需要先确定晶体管的静态工作点，然后在该工作点附近进行小信号分析。
这种方法可以简化计算，快速得出晶体管在放大小信号时的性能参数，如增益、输入阻抗和输出阻抗等。
有源器件的名词解释
有源器件的名词解释在现代电子学中，有源器件是指能够将能量供应给电路的器件，主要包括晶体管以及一些集成电路。
与之相对的是无源器件，无源器件没有内置能源，主要是指电阻、电容和电感等元件。
一、晶体管（transistor）晶体管是一种半导体器件，是现代电子学的重要组成部分。
它是由三层或两层PN结构组成的。
根据结构的不同，晶体管主要分为普通晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）两种。
1.1 普通晶体管（BJT）BJT有三个电极，即基极、发射极和集电极。
它主要通过控制电流或电压并放大信号。
普通晶体管有两种类型：NPN型和PNP型，它们之间的区别在于掺杂的材料不同。
NPN型中，N区（负掺杂）夹在两个P区（正掺杂）之间，而PNP型中，P区夹在两个N区之间。
普通晶体管的工作原理是：当一个小电流通过基极-发射极之间的结时，它控制着从集电极流出的大电流。
这种特性使得晶体管非常适合用来放大信号。
1.2 场效应晶体管（FET）FET是一种控制型的半导体器件，它由一个输出电流的源极，一个输入电流的栅极和一个载流子的漏极组成。
与普通晶体管不同的是，在FET中没有正负极之分。
FET的工作原理是通过调节栅极电压来控制漏极电流。
当栅极电压变化时，电场的强度也随之变化，从而改变了漏极电流。
因此，FET相比于普通晶体管在一些特殊的应用中具有更好的性能，比如低噪音放大器。
二、集成电路（IC）集成电路是一种将许多电子元件和器件集成在一个单一的芯片上的电子元器件。
它通过在硅片上制造电路，并将各个元件互连在一起，实现各种功能。
2.1 数字集成电路（Digital Integrated Circuit）数字集成电路主要由数字逻辑门电路构成。
它们主要用于处理和操作数字信号，如计算机和数字通信中的处理器、存储器和接口等。
2.2 模拟集成电路（Analog Integrated Circuit）模拟集成电路主要是用来处理和操作连续信号，比如声音、图像和电压等。