最新半导体器件基础测试题
第1章测试题第1章半导体基础
第1章半导体基础 测试题 班级 学号 姓名第一题 单项选择题（每题2分）1．要形成N 型半导体，可以在本征半导体中加入（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）三价硼元素 （D ）五价磷元素2．场效应管是（ ）控制器件。
（A ）电流 （B ）电压 （C ）电磁 （D ）电场3．要形成P 型半导体，可以在本征半导体中加入（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）五价磷元素 （D ）三价硼元素4．某三极管的I E =1mA ，I B =20μA ，则I C =（ ）。
（A ）0.98 mA （B ）1.02 mA （C ）0.8 mA （D ）1.2 mA5．在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于（ ）。
（A ）掺杂工艺 （B ）杂质浓度 （C ）温度 （D ）晶体缺陷6．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
（A ）杂质浓度 （B ）温度 （C ）掺杂工艺 （D ）电压7．二极管的电流方程是（ ）。
（A ）u S e I （B ）T U u S e I / （C ）)1(/-T U u S e I （D ）)1(/T U u S e I -8．半导体中的载流子为（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）正离子 （D ）电子和空穴9．PN 结外加正向电压时，其空间电荷区将（ ）。
（A ）变窄 （B ）基本不变 （C ）变宽 （D ）视掺杂浓度而定10．当绝对温度零度时，本征半导体的导电能力（ ）。
（A ）相同金属 （B ）相同绝缘体 （C ）相同室温下的半导体 （D ）视制作材料而定11．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）。
（A ）稳压二极管与负载电阻串联 （B ）稳压二极管与负载电阻并联。
（C ）限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联 （D ）以上都可以12．与双极型晶体管相比，场效应管不具有的特点是（ ）。
（A ）放大作用大 （B ）输入阻抗高 （C ）抗辐射能力强 （D ）功耗小13．下列对场效应管的描述中，不正确的是（ ）。
半导体基础知识单选题100道及答案解析
半导体基础知识单选题100道及答案解析1. 半导体材料的导电能力介于（）之间。
A. 导体和绝缘体B. 金属和非金属C. 正电荷和负电荷D. 电子和空穴答案：A解析：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
2. 常见的半导体材料有（）。
A. 硅、锗B. 铜、铝C. 铁、镍D. 金、银答案：A解析：硅和锗是常见的半导体材料。
3. 在纯净的半导体中掺入微量的杂质，其导电能力（）。
A. 不变B. 减弱C. 增强D. 不确定答案：C解析：掺入杂质会增加载流子浓度，从而增强导电能力。
4. 半导体中的载流子包括（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 质子和中子答案：C解析：半导体中的载流子有电子和空穴。
5. P 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：B解析：P 型半导体中多数载流子是空穴。
6. N 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：A解析：N 型半导体中多数载流子是电子。
7. 当半导体两端加上电压时，会形成（）。
A. 电流B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A解析：电压作用下，半导体中有电流通过。
8. 半导体的电阻率随温度升高而（）。
A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B解析：温度升高，载流子浓度增加，电阻率减小。
9. 二极管的主要特性是（）。
A. 单向导电性B. 放大作用C. 滤波作用D. 储能作用答案：A解析：二极管具有单向导电性。
10. 三极管的三个电极分别是（）。
A. 基极、发射极、集电极B. 正极、负极、地极C. 源极、漏极、栅极D. 阳极、阴极、控制极答案：A解析：三极管的三个电极是基极、发射极、集电极。
11. 场效应管是（）控制器件。
A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。
12. 集成电路的基本制造工艺是（）。
A. 光刻B. 蚀刻C. 扩散D. 以上都是答案：D解析：光刻、蚀刻、扩散都是集成电路制造的基本工艺。
半导体器件试题
第八章 半导体器件 一、单项选择题1、当 温 度 升 高 时，半 导 体 的 导 电 能 力 将（ ）。
(a) 增 强 (b) 减 弱 (c) 不 变2、电 路 如 图 所 示， 输 入信 号u i = 6sin ωt V 时， 二 极 管D 承 受 的 最 高 反 向 电 压 为（ ）。
(a) 3 V (b) 6 V (c) 9 V5k Ωu O3、整 流 电 路 如 图 所 示，已 知输 出电 压 平 均 值 U O 是18 V ， 则 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 U 2 是（ ）。
(a) 40 V(b) 20 V (c) 15 V(d) 12.7 Vu O+-4、在电 感 电 容 滤 波 电 路 中，欲使滤波 效 果 好， 则 要 求（ ）。
(a) 电 感 大 (b) 电 感 小 (c) 电 感 为 任 意 值5、已 知 某 晶 体 管 的 I CEO 为 200μA ， 当 基 极 电 流 为 20μA 时， 集 电 极 电 流 为1mA ，则 该 管 的 I CBO 约 等 于 （ ）。
(a) 8 mA (b) 10 mA (c) 5μA (d) 20μA 6、二 极 管 接 在 电 路 中， 若 测 得 a 、b 两 端 电 位 如 图 所 示，则 二 极 管 工 作 状 态 为（ ）。
(a) 导 通 (b) 截 止 (c) 击 穿-6.3V D7、整 流 电 路 如 图 所 示，输 出电 流 平 均 值I O mA =50，则 流 过 二 极 管的 电 流 平 均 值I D 是（ ）。
(a)I D =50 mA(b)I D =25 mA(c)I D=12.5 mA~u O8、整 流 滤 波 电 路 如 图 所 示， 二 极 管 的 导 通 角 （ ）。
(a) 等 于180︒(b) 小 于 180︒(c) 大 于 180︒～Du O+-9、电 路 如 图 1 所 示， 二 极 管 D 为 理 想 元 件，U u =3V,i =6sin ωt V ， 则 输 出 电 压 u O 的 波 形 为 图2 中（ ）。
半导体器件基础测试题
半导体器件基础测试题第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
半导体器件行业标准与规范考核试卷
B.表面贴装技术会增加电路的体积
C.表面贴装技术会影响器件的电性能
D.表面贴装技术主要用于焊接插件式元器件
17.以下哪种材料常用于制作半导体器件的绝缘层？（）
A.硅
B.硅氧化物
C.铝
D.砷化镓
18.关于半导体器件的制造过程，以下哪个环节主要用于去除表面的杂质？（")
A.双极型晶体管
B.场效应晶体管
C.二极管
D.晶闸管
12.在半导体器件的制造过程中，以下哪种工艺主要用于制作PN结？（）
A.离子注入
B.化学气相沉积
C.光刻
D.蚀刻
13.以下哪个单位用于表示半导体器件的功率密度？（）
A. W
B. mW
C. W/cm²
D. W/mm²
14.关于半导体器件的可靠性测试，以下哪个说法是错误的？（）
C.行业标准与国家、国际标准无关
D.行业标准是为了确保半导体器件的质量和兼容性
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
1.半导体器件的主要特性包括以下哪些？（）
A.体积小
B.耐高压
C.寿命长
D.效率高
2.以下哪些是典型的硅基半导体器件？（）
A. N阱CMOS
B. P阱CMOS
C.双极型晶体管
D. NMOS
7.以下哪种材料主要用于制作光电器件？（）
A.硅
B.砷化镓
C.硅锗
D.铝
8.关于半导体器件的封装，以下哪个说法是正确的？（）
A.封装主要起到保护内部电路的作用
B.封装会影响器件的电性能
C.封装材料必须是导体
半导体基础知识习题
半导体基础知识习题一、填空题1．半导体是一种导电能力介于________与__________之间的物质，最常用的半导体材料有__________和___________。
2．N型半导体中多数载流子是_________，P型半导体中多数载流子是_________。
3．PN结的正向接法为：P区接电源______极，N区接电源______极。
4．PN结具有____________性能，即加正向电压时，PN结_______；加反向电压时，PN结_________。
二、判断题( )1．半导体的导电能力随外界温度、光照或掺入杂质不同而显著变化。
( )2．P型半导体中多数载流子是空穴且带正电。
( )3．在半导体内部，只有电子能传导电流。
三、选择题1．半导体内的载流子是（）。
A．空穴B．自由电子C．自由电子与空穴2.半导体少数载流子产生的原因是（）。
A．外电场B．掺杂C．热激发3．PN结最大的特点具有（）。
A．不导电性 B．单向导电性 C．双向导电性4．煤气报警器中使用的半导体器件是利用了半导体的（）。
A．光敏特性B．气敏特性C．热敏特性5．当温度升高时，半导体电阻将（）。
A．增大B．减少C．不变四、问答题1．半导体材料有那些特性？2．Ｐ型半导体与Ｎ型半导体中的多数载流子各是什么？参考答案半导体基础知识一、填空题1．导体，绝缘体，硅，锗2．电子，空穴3．正，负4．单向导电，导通，截止二、判断题1．（√）2．（√）3．（×）三、选择题1．(C) 2．(B) 3．（B） 4．（B ） 5．(B)四、问答题1．答：半导体物质的重要特性是：（1）导电能力介于导体和绝缘体之间；（2）在温度低到绝对零度且没有外界的能量激发时，相当于绝缘体。
（3）掺杂性和热激发性。
2．答：P型半导体中多数载流子为空穴。
N型半导体中多数载流子为自由电子。
3．答：当P型半导体和N型半导体结合在一起时，在其交界面两侧，由于电子和空穴的浓度相差悬殊，所以在N区中的多数载流子电子向P区扩散；同时，P区的多数载流子也要向N区扩散，当电子和空穴相遇时，将发生复合而消失，于是，在交界面两侧形成一个由不能移动的正负离子所组成的空间电荷区，也就是PN结。
半导体器件的功率集成电路考核试卷
A. 智能化 B. 集成度的提高 C. 材料创新 D. 超越摩尔定律的技术发展
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1. 在半导体材料中，导电性主要由______和______两种载流子决定。
2. 功率集成电路中，MOSFET的开关速度主要受到______和______的影响。
13. 在半导体器件中，以下哪种结构可以有效降低开关速度？（ ）
A. 隧道二极管 B. 耿氏二极管 C. PIN二极管 D. 齐纳二极管
14. 以下哪个参数与功率集成电路的热稳定性直接相关？（ ）
A. 结温 B. 电流 C. 频率 D. 电压
15. 在功率器件的驱动电路中，以下哪个功能是必须的？（ ）
1. 电子 空穴
2. 栅极电容 开关时间
3. 电压 电流
4. 材料热导率 封装形式
5. 效率 可靠性
6. 曝光 显影
7. 优化布局 使用散热器
8. 屏蔽 电路布局
9. 降压 升压
10. 宽禁带材料 高集成度
四、判断题
1. √
2. ×
3. √
4. ×
5. ×
6. √
7. ×
8. ×
9. ×
10. ×
五、主观题（参考）
10. 在半导体器件的制造过程中，以下哪些步骤涉及到光刻技术？（ ）
A. 光刻胶涂抹 B. 曝光 C. 显影 D. 热处理
11. 以下哪些因素会影响功率集成电路的效率和可靠性？（ ）
A. 电压波动 B. 温度变化 C. 杂波干扰 D. 元器件老化
12. 在设计功率器件的驱动电路时，以下哪些功能是常见的？（ ）
半导体物理基础与器件原理考核试卷
4. 二极管的主要参数包括正向电压和________。
答案：
5. 晶体管的工作状态包括________、饱和和截止。
答案：
6. 场效应晶体管（FET）的输入阻抗比双极型晶体管（BJT）的输入阻抗________。
答案：
7. LED的发光颜色取决于其材料的________。
答案：
8. 太阳能电池的转换效率受到________、材料类型和环境温度等因素的影响。
3. BJT基于电子和空穴的复合与扩散，FET基于电场控制载流子流动。BJT适用于模拟放大，FET适用于数字开关和模拟放大，FET输入阻抗高，开关速度快。
4. 太阳能电池通过光生伏特效应将光能转换为电能。效率受材料类型、表面纹理、环境温度影响。提高效率可通过优化材料、设计表面纹理、使用太阳能跟踪系统等。
11. BD
12. ABCD
13. ABC
14. ABC
15. ABCD
16. ABCD
17. ABC
18. ABCD
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1. 本征
2. 掺杂浓度、温度
3. 反向；正向
4. 反向饱和电流
5. 放大
6. 高
7. 禁带宽度
8. 材料类型、结构设计
9. 光刻胶
10. 与
A. FET有一个栅极，BJT没有
B. BJT有一个基极，FET没有
C. FET的源极和漏极可以互换，BJT不行
D. BJT使用PN结，FET使用金属-半导体结
13. 在MOSFET中，当栅极电压低于阈值电压时，器件处于（ ）状态。
A. 导通
B. 截止
C. 饱和
D. 反向导通
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第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N 型半导体是在本征半导体中加入下列 ___________ 物质而形成的。
A 、电子；B 、空穴；C 、三价元素；D 、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是A 、掺杂的工艺；B 、杂质的浓度:C 、温度；D 、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是 _______________ 。
A 、发射结正偏、集电结反偏； B 、发射结正偏、集电结正偏; C 、发射结反偏、集电结正偏；D 、发射结反偏、集电结反偏;4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是 _____________________ 。
A 、发射结正偏、集电结反偏； B 、发射结正偏、集电结正偏; C 、发射结反偏、集电结正偏；D 、发射结反偏、集电结反偏;5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是 A 、发射结正偏、集电结反偏； C 、发射结反偏、集电结正偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其 A 、一 12V ； B 、一 6V ； C 、+6V ；D 、+12V 。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是 __________________ 。
A 、运用它的反向特性；B 、锗管使用在反向击穿区；C 、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D 、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是 _______________________ A 、 用万用表的R X 100或R X 1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; B 、 用万用表的R X 10K 的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C 、 用万用表的R X 100或R X 1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转;D 、用万用表的R X 10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转;9、电路如下图所示，则 A 、B 两点的电压正确的是 ________________B 、发射结正偏、集电结正偏; D 、发射结反偏、集电结反偏;AB 两端的电压是 _____________A、U A=3.5V , U B=3.5V , D 截止;n-JkB、U A=3.5V, U B=1.0V , D 截止；C、U A=1.0V, U B=3. 5V , D 导通;D、U A=1.0V , U B=1. 0V, D 截止。
10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法是_________________________ 。
A、稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负极；B、稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正极；C、稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源的低电位。
D、稳压管是反向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的低电位，负极接电源的高电位。
11、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，则下列四种变化中正确的是________________________A、U— U4T |W— |R—U R—UH；B、U U O I W J T I R U R U O J;C、U ff U O J T I W J T I R ff U R ff U O J；D、U ff U O J T I W J T I R J T U R J T U O J。
12、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的是________________________A、三极管具有电压放大作用；B、三极管具有功率放大作用；C、三极管具有电流放大作用；D、三极管具有能量放大作用。
13、对于二极管来说，下列说法中错误的是A、二极管具有单向导电性；C、二极管具有箝位功能；14、对于三极管的输入特性，下列说法正确的是A、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与B、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与C、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与D、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与15、下图中两只二极管的导通状态是__________A、D1、D2 导通；B、D1、D2截止; B、二极管同样具有放大作用;D、二极管具有开关等功能。
Ube之间的关系；Uce之间的关系；Ic之间的关系；Ie之间的关系；3VC 、D 1导通、D 2截止； D 、D 1截止、D 2导通。
16、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 A 、U AO =15V ; B 、U AO =12V ; C 、U AO = -15V ;D 、U AO = -12 V 。
17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 A 、U AO =15V ； B 、U AO =12V ； C 、U AO = -12V ；D 、U AO = 0V 。
，23、对于3AG11C 三极管的型号，下列说法正确的是 A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管； B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管； C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管;EH18、 下图中二极管为理想二极管，则输出电压是A 、U AO =6V ;B 、U AO = £V ;C 、U AO = -12V ;D 、U AO =12V 。
19、 金属导体的电阻率随温度升高而 ______ ,半导体的导电能力随温度的升高而 ______C 、升高/降低；D 、降低/升高20、下列是 PN 结两端的电位值，使 PN 结导通的是 _______________________ A 、 P 端接+5V , N 端通过一电阻接+7V ; B 、 N 端接+2V , P 端通过一电阻接+7V ; C 、 P 端接一3V , N 端通过一电阻接+7V ; D 、P 端接+1V , N 端通过一电阻接+6V 。
21、电路如图所示，R=1K Q ,设二管导通时的管压降为 0.5V ，则电压表的读数是 ______A 、0.5V ; C 、3V ;22、如图所示, B 、15V ; D 、以上答案都不对。
£6V设输入信号U i 为正弦波，幅值为1V ,二极管导通时正向电压降— 0.6V , 关于输出信号U 0波形的说法，正确的是 _________________ A 、 输出电压值的范围介于 B 、 输出电压值的范围介于 C 、 输出电压值的范围介于 -0.6V — +0.6V 之间; -0V — +0.6V 之间； -0.6V — 0V 之间；D 、输出电压值的范围介于 0V — 1V 之间。
-----Ik -4——fl24、对于3DD80C 三极管的型号，下列说法正确的是 ________________ 。
A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管；B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管；C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管;25、对于3DG12C 三极管的型号，下列说法正确的是 ____________________ 。
A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管；B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管;C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管26、对于3AD30B 三极管的型号，下列说法正确的是 _____________________ 。
A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管； B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管; C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管27、场效应管属于 ____________ 控制型器件，晶体三极管则属于 A 、电压/电流；B 、电流/电压；C 、电压/电压;28、电路其如图所示， D 为理想二极管，则 u o 为。
A 、3V ；B 、6V ；C 、-3V ；D 、-6V 。
29、电路如下图所示，已知 Rb=10K Q, Rc=1K Q, Ec=10V ,晶体管的 3 =50 Ube=0.7V ，当 Ui=OV 时， 三极管处于 ______________________________ 。
A 、截止状态；B 、放大状态；C 、饱和状态；D 、击穿状态。
、判断下列说法是否正确，用“ V ”和“ X ”表示判断结果填入空内。
(1 )在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
()(3) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
()(4 )处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
()(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 R GS大的特点。
()(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
()_________ 控制器件。
D 、电流/电流P 型半导体。
()三、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压~~——?D 2 V*R\\ 认斗四、已知稳压管的稳压值 U z = 6V ，稳定电流的最小值 I zmin = 5mA 。
求下图所示电路中U °i和U O2各为多少伏。
2-<?+%(a)4-五、作图分析题1、电路如图所示，已知U i = 10sin® t（v），试画出U i与U O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
o--------------- ---------d2、电路如图（a）所示，其输入电压U II和U i2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D =0.7V。
试画出输出电压U O的波形，并标出幅值。
6U何。