模拟电路习题
模拟电子线路习题总结 专接本用
cc计算题1、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
2、单级放大电路如图：在输入信号的中频段C1、C2、C3对交流短路，已知：V CC=12V、R1=150KΩ、R2=150KΩ、R C=5.1KΩ、R e=2KΩ、R L=10KΩ、β=100、C1=C2=C3=10μF、Cμ=5PF(即C bc) 、f T=100MH Z、V BE=0.7V 、r bb’=200Ω，试求：（1）放大电路的Q点参数；（2）画出交流小信号等效电路，求OiVRRA,,的值；（3）若C2断开，将对Q点，OiVRRA,,产生何种影响？解：①画出直流通路求Q点参数得：12(1)()()CC BQ C E BEQ BQV I R R V I R Rβ=+⋅++++12120.711.3(1)()()100(52)300CC BEQCCC EV V VVV AR R R R Kμβ-+∴===++++++(1)10011.3 1.13EQ BQI I A mAβμ=+=⨯=图3-1(1)()12 1.137 4.09CEQ CC BQ C E V V I R R V V β=-++=-⨯=26(1)100 2.31.13T b e EQ V mVr K I mAβ'=+=⨯=Ω 200 2.3 2.5be bb b e r r r K K ''=+=Ω+=Ω②画出小信号等效电路如图所示，并据此求出A V 、R i 、R 02////150//5//10991322.5C L V be R R R K K KA r Kβ=-=-⨯=-1//150//2.5 2.46i be R R r K K K ===Ω 2//150//5 4.84o C R R R K K K ===Ω③若C 2断开，对Q 点无影响，但则V A ↓、i R ↓、0R ↓（具体计算略，请自行推导）3、请对图3-1中的电路做以下分析：设Q1的参数U BEQ 、β和'bb r 为已知， (1)作出电路的直流、交流通路图；(2)写出Q1的Ic Q 和U CEQ 的表达式； (3)写出电路的R i 、R o 的表达式。
模拟电子复习题
模拟电路复习题 第一章一：填空题1.半导体三极管处在饱和状态时，e 结和c 结的偏置情况是___________2.将PN 结的N 区接电源的正极，P 区接电源的负极，则为PN 结的_______偏置。
3.按照二极管的材料分,可分为________二极管和锗二极管两种。
4.PN 结加正偏导通，加反偏截止，称为PN 结的________________性能。
5.某放大状态的晶体管，知β＝50，测得其I E ＝2.04mA ，忽略穿透电流，则其I B 为________________mA 。
6.PN 结正向偏置时，应该是P 区的电位比N 区的电位________________。
7.N 型半导体是在本征半导体中掺入_______价元素构成的，其多数载流子是_______。
8.某放大状态晶体管，知I B =0.02mA,β=50，忽略其穿透电流，则I E =_________mA 。
9.图示电路中，二极管导通时压降为0.7V ，若U A =0V,U B =3V,则U O 为________。
10.PN 结反向偏置时，应该是N 区的电位比P 区的电位__________11.某放大状态的晶体三极管，当I B =20μA 时，I C =1mA ，当I B =60μA 时，I C =3mA 。
则该管的电流放大系数β值为__________。
12.图示电路，二极管VD 1，VD 2为理想元件出，则U AB 为_________伏。
二：选择题1．PN 结加反向偏置时，其PN 结的厚度将（ ） A ．变宽B ．变窄C ．不变D ．不能确定2．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u 0为（ ）A ．-10VB ．-6VC ．-4VD ．0V3．NPN 型三级管，处在饱和状态时是（ ） A ．U BE <0,U BC <0 B ．U BE >0,U BC >0 C ．U BE >0,U BC <0 D ．U BE <0,U BC >04．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U 1=2.3V ，②脚电位U 2=3V ，③脚电位U 3=-9V ，则可判定（ ） A ．Ge 管①为e B ．Si 管③为e C ．Si 管①为eD ．Si 管②为e5、在N 型半导体中，多数载流子为电子，N 型半导体是（ ） A ）带正电 B ）带负电 C ）不带电 D ）不能确定6、如果在NPN 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（ ）A ）放大状态B ）截止状态C ）饱和状态D ）不能确定7.加在二极管上的正向电压从0.65V 增大10%，流过的电流增大量为（ ） A ）大于10% B ）小于10% C ）等于10% D ）不变 8.半导体三极管的特点是( )A.输入电流控制输出电流B.输入电压控制输出电压C.输入电流控制输出电压D.输入电压控制输出电流 9.实验测得放大电路中半导体三极管的三个电极位分别为U 1=3.2V,U 2=2.5Ｖ,U 3=12Ｖ,则( )A.该管为硅管B.1为基极，2为发射极，3为集电极C.该管为NPN型D.该管为PNP型E.1为集电极，2为基极，3为发射极10.理想二极管构成的电路如题2图，该图是( )A.V截止U=-4V=+4VB.V导通U=+8VC.V截止U=+12VD.V导通U11．某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示，则可判定该管处在（）A．放大状态B．饱和状态C．截止状态D．无法确定伏态12. 对半导体三极管，测得其发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于( )。
模拟电路习题3
习题3一、单项选择题1．画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC应当（）。
A、短路B、开路C、保留不变D、电流源2．有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）。
A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出电阻小3．当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（）。
A、20倍B、-20倍C、-10倍D、0.1倍4．场效应管的工作原理是（）。
A、输入电流控制输出电流B、输入电流控制输出电压C、输入电压控制输出电压D、输入电压控制输出电流5．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）。
A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、共集-共基串联电路6．当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（）。
A、独立信号源开路，负载短路B、独立信号源短路，负载短路C、独立信号源开路，负载开路D、独立信号源短路，负载开路二、填空题1．已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 dB，总的电压放大倍数为。
2．乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫失真。
3．集成运放通常由、中间级、输出级、四个部分组成。
4．三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合，其中能够放大缓慢变化的信号。
5．在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为，为了消除交越失真常采用电路。
6．电压串联负反馈能稳定电路的，同时使输入电阻。
7．某负反馈放大电路的开环放大倍数Ａ=100000，反馈系数Ｆ＝0.01，则闭环放大倍数为。
三、判断题1.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）2.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
（）3.有源负载可以增大放大电路的输出电流。
模拟电路课后习题答案
模拟电路课后习题答案 Final approval draft on November 22, 2020第七章 习题与思考题◆◆ 习题 7-1 在图P7-1所示的放大电路中，已知R 1=R 2=R 5=R 7=R 8=10k Ω，R 6=R 9=R 10=20k Ω：① 试问R 3和R 4分别应选用多大的电阻； ② 列出u o1、u o2和u o 的表达式；③ 设u I1=3V ，u I2=1V ，则输出电压u o ＝解：① Ω=Ω==k k R R R 5)10//10(//213，Ω≈Ω==k k R R R 67.6)20//10(//654 ② 1111211010I I I o u u u R R u -=-=-=，2226525.1)20101()1(I I I o u u u R R u =+=+=， ③ V V u u u I I o 9)1332(3221=⨯+⨯=+=本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理，估算三种比例电路的输入输出关系。
◆◆ 习题 7-2 在图P7-2所示电路中，写出其输出电压u O 的表达式。
解：本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例 电路的输入、输出关系。
◆◆ 习题 7-3 试证明图P7-3中，)(11221I I o u u R R u -=）＋（解：◆◆ 解：◆◆ 解：◆◆ 习题 7-6 试设计一个比例运算放大器，实现以下运算关系：u O =。
请要求画出电路原理图，并估算各电阻的阻值。
希望所用电阻的阻抗在20k Ω至200k Ω的范围内。
解：上图为实现本题目要求的一种设计方案，使5.0)1()5.0(21=-⨯-=⋅=uf uf uf A A A ，即I O u u 5.0=。
本题的意图是在深入掌握各种比例运算电路性能的基础上，采用适当电路实现给定的运算关系。
以上只是设计方案之一。
◆◆ 习题 7-71为阻值在1k Ω~10k Ω之间可调的电位器，R 2=R 3=20k Ω，R 4=R 5=33k Ω，R 6=R 7=100k Ω，试估算电路的输出电压与输入电压之间的比例系数的可调范围。
模拟电路习题集
2．负反馈放大电路产生自激振荡的条件是_C__。
（A ．0＝F A ，B ．1＝F A ，C ．1＝－F A ，D ．∞＝F A） 二. 判断下列说法是否正确，（本大题共 3 小题，每小题3分，总计 9 分 ）1、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。
当某同相放大电路在输入一个正弦信号时产生了频率失真，则输出电压波形将为非正弦（ × ）；输出电压频率与输入电压频率不同（× ）；输出电压相位与输入电压相位不同（ √ ）。
2、判断下列说法的正误，正确画√ ，错误画×。
放大电路的增益带宽积近似为常数是指：1．当晶体管选定后，放大电路的中频增益和带宽的乘积近似为一个常数。
（√ ）2．当晶体管选定后，在信号频率远大于上限截止频率时，放大电路增益与信号频率乘积近似为一个常数。
（ × ）3、判断下列说法的正误。
正确画√ ，错误画×。
由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以图示电路中g R 的大小对中频电压放大倍数几乎没有影响,（√ ）对频率响应特性也几乎没有影响。
（ × ）u V 三. 选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D （本大题共4小题，每小题3分，总计 12 分）1、从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C 、D 填空。
N 型半导体是在纯净半导体中掺入_D__；P 型半导体是在纯净半导体中掺入__C_。
（A ．带负电的电子， B ．带正电的离子， C ．三价元素，如硼等 ， D ．五价元素，如磷等）2、从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C …填空。
某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 8V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 4V （均指直流电压）。
则该放大电路的电压放大倍数为__C_____________。
（A ．80 ， B ．40， C ．－40， D ．20） 3、选择正确答案，用A 、B 、C 、D填空。
电路基础模拟练习题含参考答案
电路基础模拟练习题含参考答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、由欧姆定律R=U/I可知,以下正确的是( )。
A、导体的电阻与电压成正比,与电流成反比B、家在导体两端的电压和流过的电流的比值为常数C、通过电阻的电流越小则电阻越大D、加在导体两端的电压越大，则电阻越大正确答案：A2、电流的单位是( )(填空题)A、AB、VC、ΩD、以上皆正确；正确答案：A3、人体电阻是3000-4000Ω ,流过人体的电流是5mA,问人体电压不能大于()。
A、15VB、18VC、20VD、25V正确答案：C4、节点电位法是以( )为求解对象。
A、节点电位B、支路电阻C、支路电流正确答案：A5、晶体三极管工作在放大状态的条件是( )。
A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结反偏D、以上皆正确正确答案：A6、如果两个正弦交流电的相位差为π那么两者称为( )。
A、反相B、正交C、同相D、以上皆正确E、314tF、100G、sinH、以上皆正确正确答案：A7、电路中主要物理量是( )。
A、电流，电压，电功率B、电压，电功率C、电流，电功率D、以上皆正确正确答案：A8、相位是反映交流电A、快慢B、大小C、位置正确答案：C9、电容器在直流稳态电路中相当于( )。
A、低通滤波器B、高通滤波器C、开路D、短路正确答案：C10、正弦交流电的幅值就是( )。
A、正弦交流电最大值的2倍B、正弦交流电最大值C、正弦交流电最大值的倍D、正弦交流电波形正负之和正确答案：B11、汽车上常用的发电机是( )。
A、单相交流发电机B、三相同步硅整流交流发电机C、直流发电机D、以上皆正确正确答案：B12、在正弦交流电中最大值是有效值的( )倍。
A、√2B、2C、√3D、以上皆正确正确答案：A13、不同标称电压的继电器是否可换用( )。
A、不一定B、可短时C、不可以D、可以正确答案：D14、已知正弦电压在t =0时为220V,其\bM-(?}?j??e?\bI它的有效值为( )。
模拟电路习题及参考答案2
模拟电路习题及参考答案2单项选择题1.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是___。
A、便于设计B、放大交流信号C、不易制作大容量电容D、以上三点综合决定答案：C2.差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的___，共模信号是两个输入端信号的___。
A、差，和B、和，差C、和，平均值D、差，平均值答案：D3.当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为___。
A．20倍B．-20倍C．-10倍D．0.1倍答案：D4.不属于放大电路的极间偶合方式有___。
A、无失真耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合答案：A5.对通用型集成运放输出级的要求叙述不正确的是___。
A、带负载能力强B、最大不失真输出电压尽可能大C、输出级一般为互补电路D、输出级一般为差分放大电路答案：D6.三极管工作于放大状态的条件是___。
A．发射结正偏，集电结反偏B．发射结正偏，集电结正偏C．发射结反偏，集电结正偏D．发射结反偏，集电结反偏答案：A7.场效应管的工作原理是___。
A．输入电流控制输出电流B．输入电流控制输出电压C．输入电压控制输出电压D．输入电压控制输出电流答案：D8.集成运放制造工艺使得同类半导体管的___。
A、指标参数准确B、参数不受温度影响C、参数一致性好D、电路受到保护答案：C9.半导体二极管加正向电压时，有___。
A．电流大电阻小B．电流大电阻大C．电流小电阻小D．电流小电阻大答案：A10.当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的___。
A、0.5倍B、0.7倍C、0.9倍D、1.4倍答案：B判断题1.互补输出级应采用共集或共漏接法。
答案：正确2.若要求一个两级交流放大电路要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，则第一级采用共源电路，第二级采用共集电路。
答案：正确3.温度升高，半导体三极管的共射输出特性曲线下移。
答案：错误4.场效应管放大电路的动态分析和晶体管放大电路一样也是经常采用微变等效电路法。
模拟电路课后习题与解答
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
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第一章半导体器件基础⒈讨论题与思考题⑴ PN结的伏安特性有何特点？⑵二极管是非线性元件,它的直流电阻和交流电阻有何区别？用万用表欧姆档测量的二极管电阻属于哪一种？为什么用万用表欧姆档的不同量程测出的二极管阻值也不同？⑶硅二极管和锗二极管的伏安特性有何异同？⑷在结构上，三极管是由两个背靠背的PN结组成的，那么，三极管与两只对接的二极管有什么区别？⑸三极管是由两个背靠背的PN结组成的，由很薄的基区联系在一起。
那么，三极管的发射极和集电极是否可以调换使用？⑹场效应管的性能与双极型三极管比较有哪些特点？⒉作业题题1.1 在硅本征半导体中掺入施主杂质，其浓度为317dcm10=N，分别求出在250K、300K、350K时电子和空穴的浓度。
题 1.2若硅PN结的317acm10=N，316dcm10=N，求T=300K时PN结的内建电位差。
题1.3流过硅二极管的电流I D=1mA时，二极管两端压降U D=0.7V，求电流I D=0.1mA和10mA时，二极管两端压降U D分别为多少？题1.4 电路如图题1.4中二极管是理想的，tUuωsinmi⋅=：①画出该电路的传输特性；②画出输出电压波形。
题图1.4题1.5题图1.5中二极管是理想的，分别求出题图1.5(a)、(b)中电压U和电流I的值。
(a) (b)题图1.5题1.6 在图题1.6所示电路中，取5-V<U I<5V。
①二极管是理想的，导通电压U D(on)=0.6V，画出传输特性曲线(U I~ U O)；②若二极管的导通电压U D(on)=0.6V，导通电阻R D=100Ω, 画出其传输特性曲线。
题图1.6题1.7一PNP型晶体三极管，其I CBO=10μA。
工作在放大区且I E=3mA时，I C=2.98mA。
若连接成共发射极组态，调整发射结电压，使三极管I B=30μA，则此时的I C为多大？题1.8在图题1.8所示电路中，已知β=100，U I = 5V，V CC=10V，R C=4.66kΩ，U BE(on)=0.7V，试求晶体三极管进入饱和区所需R B的最大值。
题图1.8题1.9两个三极管工作在放大区，看不出它们的型号，测得各管脚的电位分别如题图1.9所示，判断它们是NPN管还是PNP管，是硅管还是锗管，识别管脚并分别标上E、B、C。
题图1.9题1.10题图1.10电路中，测得U E=-0.7V，若三极管β=50，求I E、I B、I C和U C。
题图1.10第二章放大器基础⒈讨论题与思考题⑴为什么放大电路能把小能量的电信号放大到所要求的程度？试说明组成放大电路的基本原则？⑵在阻容耦合放大电路中，耦合电容有何作用？若耦合电容采用电解电容，其极性应如何安排？⑶什么是放大电路的静态分析？静态分析时依据什么电路？⑷什么是放大电路的动态分析？进行动态分析时依据什么电路？⑸放大电路的输出动态范围也可以通过实验的方法测得。
怎样用示波器观察基本共射放大电路的最大不失真输出电压波形？⑹场效应管的工作原理与普通三极管不同，那么场效应管放大电路的偏置电路有何特点？它有几种偏置方式？⑺为提高电压放大倍数和改善电路性能指标，放大电路中往往采用由多个单级放大电路级连而成的多级放大器。
多级放大器有那几种耦合方式？它们各有什么特点和问题？⑻为什么说频率响应是放大器的一项重要性能指标？⒉作业题题2.1单管放大电路与三极管特性曲线如题图2.1(a)、(b)所示。
①用图解法确定静态工作点Q；②当R C由4kΩ增大到6kΩ时，工作点Q将怎样移动？③当R B由200kΩ变为100kΩ时，工作点Q将怎样移动？④当-V cc由-12V变为-6V时，工作点Q将怎样移动？(a) (b)题图2.1题2.2 放大电路如题图2.2(a)所示，三极管的输出特性曲线如题图2.2(b)所示。
用图解法： ① 画出直流负载线并确定工作点Q(设U BEQ =0.7V)；② 画出交流负载线，并确定对应i B 由0~100μA 变化时，u CE 的变化范围，并计算输出正弦电压有效值。
(a) (b)题图2.2题2.3 题图2.3 所示电路中，三极管β=100，='b b r100Ω，UBEQ =0.7V 。
① 求三极管的静态工作点Q ；② 求电压增益A u 、输入电阻R i 、输出电阻R o 。
题图2.3题2.4 题图2.4 所示放大电路中，三极管β=100，U BEQ =0.6V ，C 1、C 2、C e 可视为交流短路。
① 求静态工作点Q ；② 用等效电路法求电压增益A u =u o /u i 、源电压 增益A us =u o /u s ；③ 求输入电阻R i 、输出电阻R o 。
题图2.4题2.5三极管β=100，C 1、C 2可视为交流短路。
① 求集电极直流电流I C 和电位U C ；② 求电压增益A u =i ou u 。
题图2.5题2.6 题图2.6 所示放大电路中，三极管β=100，U BEQ = 0.6V ，='b b r 200Ω。
① 求电压放大倍数A u ；② 求输入电阻R i 、输出电阻R o 。
题图2.6题2.7 在题图2.7 所示放大电路中，已知管子β=50，='b b r 300Ω，UBEQ =0.7V，电容C 1、C 2、C 3可视为交流短路，R s =500Ω。
① 计算电压增益A u1=s o1u u 、A u2=so2u u ，输入电阻R i 、输出电阻R o1、R o2。
② 说明此放大电路的功能。
题图2.7题2.8 在题图2.8所示共集电路中，输出电压通过耦合电容C 3加到R B3的下端，已知='b b r 300Ω，='e r b 1kΩ，g m =100mS ，R B1=R B2=20k Ω，R B3=100k Ω，R E =R L =1k Ω，所有电容可视为短路，c r b '、ce r 可忽略， 求输入电阻R i 。
题图2.8题2.9 题图2.9中FET 的U GS(off) = -2V ，I DSS = 1mA 。
求： ① 为使静态时I DQ = 0.64mA ，源极电阻R 应选多 大？② 电压放大倍数A u ，输入电阻R i ，输出电阻R o ； ③ 若C 3虚焊开路，则A u 、R i 、R o 为多少？题图2.92.10 题图2.10所示放大电路中，场效应管跨导g m =2mS ，=ds r 50k Ω，三极管的β=100，=e r b 1k Ω，ce r =∞，电容C 1、C 2、C 3、C 4可视为交流短路。
① 画出放大器的微变等效电路；②计算放大器的中频电压增益A u =i ou u 、输入电阻R i 和输出电阻R o 。
题图2.10题2.11 已知单管放大器的中频电压增益um A &=-200，f L =10Hz ，f H =1MHz ，试① 画出放大器的渐近伯德图。
② f =f L 和f =f H 时，电压放大倍数的模||u A&和相角φ各为多少？题2.12 单管放大器如题图2.12所示，已知I C =2.5mA ，β=50，C μ=4pF ， f T =50MHz ，='b b r 50Ω，求放大器的下限频率fL 和上限频率f H 。
题图2.12第三章 集成运算放大器⒈ 讨论题与思考题⑴ 在集成电路中广泛使用各种具有很大交流电阻的电流源电路，三极管电流源电路的交流等效电阻与哪些参数有关？如何改进？⑵ 恒流源在集成电路中除作偏置电路外，还可作为放大电路的有源负载，以提高电压增益。
试说明恒流源作负载，对放大器的动态性能有何改善？⑶ 集成运算放大器实际上是一个高增益的多级直接耦合放大电路，直接耦合放大电路存在零点漂移问题。
什么是零点漂移？怎样衡量放大器的零点漂移？ ⑷ 什么是差动放大电路？差动放大电路有何特性？ ⑸ 电流源电路在差动放大电路中起什么作用？⑹ 通常集成运算放大器由哪几部分组成？各部分电路具有哪些主要性能？⑺集成运算放大器技术参数与选择方法？⑻集成运放理想化的条件？⒉作业题题3.1 在题图3.1所示的电路中，T1、T2、T3的特性都相同，且β1=β2=β3很大，U BE1=U BE2=U BE3=0.7V，请计算u1–u2=?题图3.1题3.2对称三极管组成题图3.2所示的微电流源电路，设三极管β相等，U BE=0.6V，V CC=+15V。
①根据三极管电流方程导出工作电流I C1与I C2之间的关系式。
（设漏电流I S1=I S2）②若要求I C1=0.5mA，I C2=20μA，则电阻R、R E各为多大？题图3.2题3.3在题图3.3所示的一种改进型镜像电流源中，设U1=U2=10V，R1=8.6kΩ，R2=4.7kΩ，三个晶体管的特性均相同，且β=50，U BE=0.7V。
求晶体管T2的集电极电位（对地）U C2。
题图3.3题3.4在题图3.4的电路中，设+V CC=+12V，–V EE=–6V，R B=1kΩ，R C=15kΩ，R E=7.5kΩ，R W=200Ω且滑动端位于中点，R L=∞，晶体管T1、T2的特性相同，β=100，r bb’=300Ω，U BE=0.7V。
①求静态电流I CQ1、I CQ2以及集电极静态电位（对地）U CQ1和U CQ2。
②若u i1=20mV，u i2=15mV，且共模电压放大倍数的影响可忽略不计，求两管集电极对地电压u C1（即u A）和u C2（即u B）。
题图3.4题3.5在题图3.5所示的电路中，直流电流表的满偏电流为100μA，电表支路的总电阻为2kΩ，两管的β=50，r bb’=300Ω。
试计算：①当u i=0时，每管的I B、I C各是多少？②为使电流表指针满偏，需加多大的输入电压（直流）？③如果u i=–0.7V，这时会发生什么情况？试估计流过电流表的电流大概有多少？如果u i=2V，又会出现什么情况？流过电流表的电流有变化吗？题图3.5题3.6恒流源式差动放大电路如题图3.6所示，已知三极管的U BE=0.7V，ß=50，r bb’=100Ω，稳压管的U Z=+6V，+V CC=+12V，–V EE=–12V，R B=5kΩ，R C=100kΩ，R E=53kΩ，R L=30kΩ。
①简述恒流源结构的优点；②求静态工作点Q（I BQ、I CQ、U CEQ）；③求差模电压放大倍数A ud；④求差模输入电阻R id与输出电阻R od。
题图3.6题3.7具有镜像电流源的差动放大电路如题图3.7所示。
已知V CC=V EE=15V，R B=10kΩ，R C=100kΩ，R L=150k Ω，R W=0.3kΩ，R=144kΩ，三极管T1~T4特性相同，U BE=0.6V，β=100，r bb’=100Ω，T3管的r ce=100kΩ。