《模拟电子技术》习题册
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模拟电子技术习题及答案
习题55.1在以下几种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。
（1）从输入信号中提取100kHz～200kHz的信号；（2）抑制1MHz以上的高频噪声信号；（3）有用信号频率为1GHz以上的高频信号；（4）干扰信号频率介于1 kHz～10 kHz；解答：〔1〕带通滤波器；〔2〕低通滤波器；〔3〕高通滤波器；〔4〕带阻滤波器。
5.2在以下各种情况下，应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。
〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰；〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号；〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号；〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。
解：〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空：〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
〔2〕输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。
阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
解答：-20 dB ，-40 dB ，高。
5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。
题图解答：()1v sR C A s sR C =+，j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导输入与输出之间的传递函数，并计算截止角频率H ω。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
模拟电子技术第一章习题
间必须连接 。
14.若两个输入信号电压的大小 ，极性 ，就称为共模输入信号。
15．为消除乙类功放的交越失真，给BJT发射结加一定的 偏压，使Q点上移，摆脱电压的影响。
这时，电路工作在 状态。
16．互补对称功放采用 类型的两个BJT组成推挽输出器，在输入交流信号作用下，两管 工作，为使输出电压波形对称，要求两管的性能 。
17 . 简单的差分放大器双端输出时，对 信号有较强的抑制能力 , 而对 信号有较强的放大作用。
18. 零点漂移产生的因素很多，其中以 变化所引起的漂移最为严重。
19.OCL甲乙类功放电路的最大效率可达_________。
20.某差动放大期电路两输入端的信号为ui1=12mV，ui2=4mV，差模电压放大倍数为Aud=-75，共模电压放大倍数为Auc=-0.5，则输出电压u0为_________。
二、选择题1.晶体二极管具有___________特性。
A.单向导电B.集电极电压饱和C.双向导电D.集电极电流截止2.二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。
锗管为______V伏）。
A.0B.0.3C.0.4D.0.73.二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。
硅管为____V（伏）。
A.0B.0.3C.0.4D.0.74.锗二极管的死区电压为（ ）V。
A.0.5B.0.2C.0.35.PN结外加反向电压时，其内电场（ ）。
A.减弱B.不变 B.增强6.PN结外加正向电压时，其空间电荷区（ ）。
A.不变B.变宽C.变窄7．在检修电子线路时，设管子为NPN型，如果测得U CE=E C V，则说明管子工作在（ ）状态。
A、截止区B、饱和区C、放大区D、过损耗区8．NPN管工作在放大区时，三个极的电位特征是（ ）。
A.VC＞VB＞VEB.VC＜VB＜VEC.VE＜VB＞VCD.VE＞VB＜VC9．PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流（ ）漂移电流。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
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《模拟电子技术》习题册学号姓名班级《二极管》练习1一、填空题1、在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体，加入（）元素可形成P 型半导体。
2、N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
3、PN结上外加电源，其（）极接P区，（）极接N区，这种接法称为正向偏置，简称正偏。
4、多子的运动称为（）运动，少子的运动称为（）运动。
5、给PN结外加正向电压，产生外电场，会（）内电场，打破PN结动态平衡，一方面促进（）的运动，另一方面抑制（）的运动，从而形成较大的正向电流。
6、二极管具有（）特性。
7、按照半导体材料的不同，二极管可以分为（）和（）二极管。
二、简答题1、请问温度影响P型半导体（或N型半导体）多子的浓度吗？2、如何用万用表判断二极管的极性？三、选择题1、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。
A. 增大B. 不变C. 减小四、在下图所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，正向电流在5～15mA 时才能正常工作。
试问：（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R的取值范围是多少？《二极管》练习2一、填空题1、稳压管工作在( )区。
二、分析下图所示各电路，写出其输出电压值，设二极管导通压降为0.7V。
三、电路如下图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u O的波形（设二极管为理想二极管）。
四、电路如下图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通压降为0.7V，试画出ui 与u O的波形。
《二极管》、《三极管》强化练习一、选择题1、本征半导体温度升高以后，（）。
A自由电子增多空穴数基本不变B空穴数增多自由电子数基本不变C自由电子和空穴数都增多数目相同D自由电子和空穴数都不变2、空间电荷区是由（）构成的。
A电子B空穴C离子D分子3、二极管电路如下图所示，设二极管是理想二极管，求出AO两端的电压（）。
A 12B —12C 15D 04、测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示，试分析管子的工作状态。
（）A截止B饱和C放大二、分析题1、如图所示电路中D为理想元件，已知u i = 5sinωt V ，试对应u i画出u o的波形图。
（该题为中南大学考试题）2、如图所示，各三极管β均为50，V U BE 7.0=，试判断它们各工作在哪个区。
(提示：有个别题需要定量分析！)《三极管放大电路》练习11、在下图所示电路中，已知V C C ＝12V ，晶体管的β＝100，'b R ＝100k Ω。
(填空要求：先填文字表达式后填得数。
)（1）当iU ＝0V 时，测得U B E Q ＝0.7V ，若要基极电流I B Q ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和R b ＝≈ k Ω；而若测得U C E Q ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。
（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数uA ＝ ≈ 。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载 后输出电压有效值o U ＝ ＝ V 。
2、在下图所示电路中，已知晶体管的β＝80，r b e ＝1k Ω，iU ＝20mV ；静态时U B E Q ＝0.7V ，U C E Q ＝4V ，I B Q ＝20μA 。
判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）200102043-=⨯-=-uA （ ） （2）71.57.04-≈-=uA （ ） （3）4001580-=⨯-=u A （ ） （4）20015.280-=⨯-=uA （ ） （5）Ω=Ω=k 1k )2020(i R （ ） （6） Ω=Ω=k 35k )02.07.0(i R （ ）（7）Ω≈k 3i R （ ） （8）Ω≈k 1i R （ ）（9）Ω≈k 5o R （ ） （10）Ω≈k 5.2o R （ ）（11）s U ≈20mV ( ) （12）sU ≈60mV ( )3、在上图所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如下图（a ）、（b ）、（c ）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
《三极管放大电路》练习2一、现有基本放大电路如下： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路（1）输入电阻最小的电路是，最大的是；（2）输出电阻最小的电路是；（3）有电压放大作用的电路是；（4）有电流放大作用的电路是；（5）高频特性最好的电路是；（6）输入电压与输出电压同相的电路是；反相的电路是。
二、指出下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法。
三、在下图所示电路中，设某一参数变化时其余参数不变，在表中填入①增大②减小或③基本不变。
r=300Ω。
四、电路如下图所示，晶体管的 ＝100，'bbA 、R i和R o；（1）求电路的Q点、u（2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？《多级放大电路》练习一、选择1、在三种常见的耦合方式中，静态工作点独立，体积较小是（ ）的优点。
A ）阻容耦合 B) 变压器耦合 C ）直接耦合2、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越（ ）。
A) 大 B) 小 C) 和放大倍数无关3、在集成电路中，采用差动放大电路的主要目的是为了（ ）A) 提高输入电阻 B) 减小输出电阻 C) 抑制零点漂移 D) 提高放大倍数 4、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（ ）A) 等于60 B) 等于900 C) 小于900 D) 大于900 二、填空1、三级放大电路中，已知1230u u A A dB ==，320u A dB =，则总的电压增益为 dB ，折合为 倍。
2、在集成电路中，由于制造大容量的 较困难，所以大多采用 的耦合方式。
3、多级放大器的总放大倍数为 ，总相移为 ， 输入电阻为 ，输出电阻为 。
4、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ，而前级的输出电阻也可看作后级的 ，因此一个多级放大器一般由多个单级电路组成，分析时可化为求 的问题，但要考虑 之间的影响。
三、计算：1、如图，设12C E V =，晶体管50β=，300bb r Ω'=，11100b R k Ω=，2139b R k Ω=，16c R k Ω=，1 3.9e R k Ω=，1239b R k Ω=，2224b R k Ω=，23c R k Ω=，2 2.2e R k Ω=，3L R k Ω=，请计算u A 、i r 和o r 。
（提示：先求静态工作点EQ I ，再求be r ）《场效应管》练习一、填空题1、场效应管又称( )极型晶体管，是( )控制型器件。
2、场效应管有三个电极即：( )极、( )极、( )极。
3、结型场效应管有两种即( )结型场效应管与( )结型场效应管。
4、结型场效应管的转移特性曲线是指在一定的( )下，( )和( )之间的关系。
5、结型场应管的输出特性曲线是指在一定的( )下，( )和( )之间的关系。
6、场效应管的输出特性曲线可分为三个区即( )区、( )区和( )区。
7、绝缘栅型场效应管简称( )管。
可分为增强型和( )型。
8、焊接场子效应管时，电烙铁必须( )或( )；焊接时，一般应先焊( ) 极，再焊( )极，最后焊( )极。
9、存放绝缘栅型场效应管时要将（）以防感应电动势使栅极击穿。
二、判断正误（正确的打“√”，错误的打“×”）1、场效应管也称单极性晶体管。
（）2、N沟道MOS管与NPN型晶体管工作原理相同。
（）3、场效应管是电流控制型器件。
（）4、结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。
（）5、场效应管的跨导反映了△VGS对△ID的控制能力。
（）6、开户电压VT是耗尽型场效应管和重要参数。
（）7、场效应管的输出特性曲线有可调电阻区、放大区和饱和区。
（）三、简答题1、结型场效应管的特性用哪两种曲线表示？以N沟道结型场效应管为例画出它们的示意图。
2、已知结型场效应管△VGS =0.1V，gm=100μA。
求△ID。
3、结型场效应管的漏极与源极能否互换？为什么？4、已知某场效应管的输出特性曲线如图所示，试判断：（1）该场效应管的类型？（2）它的夹断电压VGS（off）或开户电压VGS(th)大约是多少？（3）若是耗尽型它的IDSS大约是多少？《三极管和场效应管》综合练习一、单选题1. 场效应管本质上是一个（ ）。
A 、电流控制电流源器件B 、电流控制电压源器件C 、电压控制电流源器件D 、电压控制电压源器件2. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定3. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定4. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。
A. 增强型PMOSB. 增强型NMOSC. 耗尽型PMOSD. 耗尽型NMOS5. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ） 状态。
A. 饱和B. 截止C. 放大D. 无法确定6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。
A. 放大B. 截止C. 饱和D. 无法确定二、判断题1.对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H参数小信号模型替代。
（）2.分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。
（）3.三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。
（）4.三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。
（）5.三极管的C、E两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C、E两个电极互换使用。
（）6.开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
（）7. I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。
（）8.双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。
（）9.双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。
（）10.场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。
（）三、填空题1.工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集电极电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的β约为；α约为。
2.当u gs=0时，漏源间存在导电沟道的称为型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为型场效应管。