霍尔效应原理及其应用与发展
霍尔效应的现象原理及应用
霍尔效应的现象原理及应用1. 霍尔效应的基本概念霍尔效应是指在垂直于载流方向的磁场中通过一块导电材料时，会在材料的一侧产生电势差的现象。
这个现象是由美国科学家爱德华·霍尔于1879年发现的。
霍尔效应是电子运动与磁场相互作用的结果，是电磁感应的一种形式。
2. 霍尔效应的原理霍尔效应的产生是由于载流电子受到垂直于流动方向的磁场力的影响。
当导电材料中有电流通过时，在垂直于电流方向的磁场作用下，自由电子受到洛伦兹力的作用，发生弯曲，并在材料中形成电流分布不均匀的情况。
由于电流的分布不均匀，导致在材料中的某个侧面产生电势差，即霍尔电势差。
这个电势差与导电材料的电导率、磁场强度以及电流的关系可以通过以下公式表示：$$V_H = R_H \\cdot I \\cdot B$$其中，V H为霍尔电势差，R H为霍尔系数，I为通过导体的电流，B为垂直于电流方向的磁场强度。
3. 霍尔效应的应用霍尔效应具有许多实际应用，以下列举几个常见的应用：3.1 磁场传感器霍尔效应被广泛应用于磁场传感器中。
利用霍尔效应，可以通过测量霍尔电势差来确定磁场强度。
磁场传感器常用于测量磁场的方向和大小，广泛应用于导航、磁条读取、车辆制动系统等领域。
3.2 电流传感器由于霍尔效应与电流大小有关，可以利用这一特性设计电流传感器。
电流传感器可以测量通过导线的电流大小，并将其转化为电压输出。
电流传感器在电力系统、电动车辆以及智能家居等领域起着重要的作用。
3.3 速度测量霍尔效应也可以用于测量物体的速度。
一种常见的应用是在计算机硬盘驱动器中，利用霍尔传感器来测量磁盘的旋转速度。
通过测量旋转磁场产生的霍尔电势差，可以确定磁盘的旋转速度。
3.4 开关霍尔效应也可以用于设计开关。
当磁场与霍尔传感器接触时，产生的电势差可以触发开关动作。
这种开关常用于电子设备中的接近传感器、磁性门锁等。
3.5 电流变送器霍尔效应可用于制造电流变送器，用于将测量电流转换为标准电信号输出。
论述霍尔效应的原理及应用
论述霍尔效应的原理及应用1. 霍尔效应的原理霍尔效应是指在一个导体中，当有电流通过时，垂直于电流方向的磁场作用下，会在导体两侧产生电压差。
这种现象被称为霍尔效应，其原理可以用以下几点解释：•首先，当电流通过导体时，导体内部的电子发生偏移，使得导体的一侧带正电荷，而另一侧带负电荷。
•其次，在磁场的作用下，电子会受到洛仑兹力的作用，从而发生偏转。
这个力作用的方向与电荷、电流和磁场的方向有关。
•最后，这种电子的偏转导致在导体两侧形成电子密度的差异，进而形成电压差。
霍尔效应的数学表达式为：$$V_H = B \\cdot I \\cdot R_H$$其中，V H为霍尔电压，B为磁感应强度，I为电流，R H为霍尔系数。
2. 霍尔效应的应用霍尔效应的发现和应用，对现代电子和磁学领域有着重要的贡献。
以下是一些霍尔效应的应用：2.1 磁场测量通过测量霍尔电压，可以间接地测量磁场的强度。
当将霍尔元件放置在磁场中时，磁场的强度越大，霍尔电压也会随之增加。
这种特性可以用于磁场传感器、磁力计和磁场测量设备中。
2.2 电流测量霍尔效应也可以用于电流的测量。
通过测量霍尔电压和已知的霍尔系数，可以计算出通过导体的电流大小。
这种测量方法被广泛应用于电流表、电子设备和电力系统中。
2.3 位置检测利用霍尔效应，可以实现对物体位置的检测。
在某些应用中，将霍尔元件放置在移动物体的位置上，当物体经过时，由于磁场的变化导致霍尔电压发生变化，从而可以检测物体的位置。
2.4 速度测量基于霍尔效应，可以测量物体的速度。
当物体运动时，通过测量霍尔电压的变化，可以推断出运动物体的速度。
这种方法在汽车、飞机、自动化系统中得到广泛应用。
2.5 开关控制霍尔效应也可以用于开关的控制。
当将霍尔元件与磁铁结合使用时，当磁铁靠近或远离霍尔元件时，由于磁场的变化，霍尔电压也会发生变化。
利用这一特性，可以实现磁敏开关和磁感应控制。
以上只是霍尔效应应用的一些例子，实际上，霍尔效应还在各个领域有着广泛的应用，例如：电动车、计算机硬盘、交通信号灯等。
霍尔效应的原理和实际应用
霍尔效应的原理和实际应用1. 霍尔效应的基本原理霍尔效应是指当电流通过一片材料时，垂直于电流和磁场方向的电势差产生的现象。
这个效应由美国物理学家爱德华·霍尔于1879年首次发现和描述。
霍尔效应的基本原理可以归纳为以下几点：•高斯定律：磁感应强度的切线积分等于通过封闭曲面的磁通量除以该曲面的反面积。
•洛伦兹力：电荷在磁场中受到的力与电荷的速度和磁感应强度的乘积成正比。
•霍尔电流：电流通过导体时，由于相互作用，电荷会聚集在导体的一侧，产生一个电势差。
基于以上原理，当电流通过一片材料时，垂直于电流方向施加一个磁场，就会产生垂直于电流和磁场的电势差。
这个电势差称为霍尔电压，常用符号为VH。
2. 霍尔效应的公式霍尔电压（VH）与电流（I）、磁感应强度（B）、导体材料的特性有关。
霍尔效应的公式可以表示为：VH = RHBID其中，RH是霍尔系数，表示导体材料的本征特性；B是磁感应强度；I是电流；D是导体的厚度。
3. 霍尔效应的实际应用霍尔效应在现实生活中有着广泛的应用，以下列举了其中几个重要的应用领域：3.1 汽车工业霍尔效应被广泛应用于汽车工业中的转速测量和位置检测。
其原理是利用霍尔传感器测量转子旋转产生的磁场变化来检测发动机转速和位置。
这种测量方法因为具有高精度、快速响应和无接触的特点，因此在汽车电子系统中得到了广泛应用。
3.2 磁存储器霍尔效应在磁存储器中起着重要作用。
由于霍尔效应能够测量磁场的强度和方向，因此可以用来读取和写入磁存储器中的数据。
这种应用在磁盘驱动器和磁带等存储设备中非常常见。
3.3 传感器技术霍尔效应传感器已经广泛应用于各种测量和控制系统中。
例如，霍尔传感器可以用来测量电流、磁场、速度和位置等物理量。
它们具有体积小、重量轻、灵敏度高、响应快和可靠性好等优点，被广泛应用于工业自动化、航空航天、医疗设备等领域。
3.4 电子设备霍尔效应在电子设备中也有着一定的应用。
例如，霍尔开关可以用来控制电路的开关状态，这种开关具有无触点、可靠性高和寿命长的特点，被广泛应用于电路保护和电源管理等领域。
霍尔效应原理
霍尔效应原理霍尔效应原理是指在导体中通过存在磁场时，垂直于电流方向和磁场方向的方向上会产生一种电势差现象，这个现象被称为霍尔效应。
霍尔效应主要应用于传感器、磁场测量和电流测量等领域。
本文将详细介绍霍尔效应的原理、应用和发展。
一、原理1. 基本概念霍尔效应是由物理学家愛德溫·赫爾（Edwin Hall）在1879年首次发现的。
在一块导体中，正如导体移动的电荷体现为电流一样，霍尔效应是电流运动所引起的电荷堆积所产生的电势差。
这种电势差与导体垂直方向上的磁场大小和电流大小有关。
2. 工作原理当一个导体上有电流通过时，电子会受到洛伦兹力的作用而偏转。
洛伦兹力使电子在一侧堆积，另一侧产生电荷的亏损。
这种电势差的产生导致了电子的漂移，最终达到电势差平衡，同时垂直方向也会产生Hall电压（霍尔电压）。
霍尔电压与洛伦兹力的大小和电子漂移的速度成正比，与导体上的电流和磁感应强度成正比。
二、应用霍尔效应在电子技术和传感器领域有着广泛的应用。
1. 传感器基于霍尔效应的磁场传感器广泛应用于测量和检测领域。
通过检测电势差和磁场的大小，可以测量磁场的强度和方向。
这种传感器可以用于车辆导航、位置检测和磁性材料的测试等。
2. 电流测量霍尔效应也可用于测量电流的大小。
通过将电流通过一个导线并使其与磁场垂直，可以测量电流大小。
这种电流传感器常用于电子设备、电机控制和电力系统中。
3. 锁相放大器霍尔效应的原理被应用于锁相放大器。
锁相放大器是一种用于测量弱信号的仪器。
通过将霍尔元件置于电路中，可以实现对信号的放大和检测，从而提高系统的灵敏度和精度。
三、发展随着技术的发展，霍尔效应的应用越来越广泛，同时也出现了一些改进和发展。
1. 高精度磁场传感器目前，磁场传感器不仅能够测量磁场的大小，还可以提供更高的精度和稳定性。
这些传感器不仅应用于物理磁场测量，还广泛用于生物医学、地质勘探与导航等领域。
2. 三维测量近年来，研究人员还开发出了用于进行三维磁场测量的霍尔传感器。
霍尔效应实验原理
霍尔效应实验原理霍尔效应是一种基于自然界中存在的霍尔电场的物理现象。
这个效应被发现于19世纪60年代，它的原理可以被广泛应用于测量电流、磁场和材料特性等领域。
本文将介绍霍尔效应的实验原理，并解释其应用和实验步骤。
一、实验原理霍尔效应是指当在导体中通过电流时，如果该导体处于磁场中，则会在导体两侧产生电位差。
这个电位差被称为霍尔电压，它与电流、磁场以及材料特性之间存在一定的关系。
实验中，我们使用一块具有霍尔效应的导体样品，将其置于一个磁场中，并通过导体施加一定大小的电流。
随着电流通过导体，霍尔电场会导致在导体两侧产生电势差。
这个电势差可以通过使用霍尔电势差测量装置进行测量，并由此得出霍尔系数和导体的特性。
二、实验设备和材料为了进行霍尔效应实验，我们需要准备以下设备和材料：1. 一块具有霍尔效应的导体样品（例如硅片）；2. 磁场产生器（例如电磁铁）；3. 不锈钢夹持器用于在样品上施加电流；4. 霍尔电势差测量装置（例如霍尔电压计）；5. 电流源（例如直流电源）；6. 笔记本电脑或数据记录仪。
三、实验步骤下面是进行霍尔效应实验的基本步骤：1. 将导体样品固定在一个稳定的位置，并确保它与磁场产生器之间的距离足够近；2. 使用不锈钢夹持器将电流引线连接到样品上的两个接点；3. 将霍尔电势差测量装置的电极放在样品两侧，并将其连接到笔记本电脑或数据记录仪上；4. 打开磁场产生器，并调节磁场的大小和方向；5. 打开电流源，使一定大小的直流电流通过样品；6. 记录测量装置上显示的霍尔电势差值，并随着磁场和电流大小的变化进行多组实验；7. 根据测量结果，计算出霍尔系数和导体的特性。
四、实验应用和意义霍尔效应的实验可以用于多个应用领域：1. 电流测量：通过测量霍尔电势差，可以准确测量通过导体的电流大小；2. 磁场测量：通过测量霍尔电势差和已知的电流大小，可以计算出磁场的强度和方向；3. 材料特性研究：不同类型的材料具有不同的霍尔系数，通过测量霍尔电势差可以研究材料的特性和性质。
霍尔效应的原理和应用实验
霍尔效应的原理和应用实验1. 引言霍尔效应是指当导体中有电流通过时，在垂直于电流方向与磁场方向的方向上会产生电势差的现象。
这个效应在电子学中有着重要的应用，特别是在传感器和测量领域。
本文将介绍霍尔效应的原理和实验过程，并探讨其在不同应用领域中的具体应用。
2. 霍尔效应的原理霍尔效应的原理可以通过以下几点来解释：•霍尔效应是由于运动电荷在磁场中受到洛伦兹力的作用而产生的。
•当电流通过导体时，电流载流子受到垂直于电流方向和磁场方向的洛伦兹力的作用，导致电流载流子的堆积和偏移。
•霍尔元件中存在一个沿垂直于电流方向的电势差，这个电势差被称为霍尔电压。
3. 霍尔效应的实验为了验证和观察霍尔效应，我们可以进行以下实验步骤：3.1 实验材料和设备•霍尔元件：一种薄片状的半导体材料，通常是块状的晶体硅。
•磁场源：可以通过使用永磁体或电磁体来产生磁场。
•电源：用于提供电流。
•带有示波器功能的电压测量仪器：用于测量霍尔电压。
3.2 实验步骤1.将霍尔元件连接到电路中，确保电流可以通过霍尔元件。
2.将磁场源放置在霍尔元件周围，以确保垂直于电流方向的磁场。
3.使用电压测量仪器测量霍尔电压。
4.改变电流的大小和方向，并记录相应的霍尔电压值。
5.改变磁场的大小和方向，并记录相应的霍尔电压值。
3.3 实验注意事项•在实验过程中，要确保电路连接正确，避免电流和磁场干扰。
•注意保持实验环境的稳定，避免外部干扰。
4. 霍尔效应的应用实验霍尔效应在各个领域都有着广泛的应用，下面列举几个常见的应用实验：4.1 磁场测量通过测量霍尔电压可以得到与磁场强度相关的信息。
可以使用霍尔元件制作磁场传感器，用于测量磁场强度的大小和方向。
4.2 电流测量通过对霍尔元件施加恒定的磁场，可以用霍尔电压来测量通过导体的电流。
4.3 速度测量通过将霍尔元件安装在旋转物体上，可以测量旋转物体的速度。
当物体转动时，霍尔电压的变化与物体的速度成正比。
4.4 位置测量通过将霍尔元件安装在运动物体上，可以测量物体的位置。
霍尔效应总结
霍尔效应总结霍尔效应是由美国物理学家霍尔于1879年发现的一种物理现象，在固体物理学和电子学领域具有重要意义。
它描述了当电流通过一块具有垂直磁场的半导体或导体时，会在器件的侧边产生一种电势差，即霍尔电势，这个现象被称为霍尔效应。
1. 霍尔效应的基本原理霍尔效应的基本原理是基于洛仑兹力的作用。
当电流通过一个导体或半导体时，电子受到磁场力的作用，沿着磁场方向受到一个与电子运动方向垂直的洛仑兹力。
这个洛仑兹力将导致电荷在器件侧边聚集，产生电势差，即霍尔电势。
这样的电势差可以通过引入霍尔电压来测量。
2. 霍尔效应的应用霍尔效应在实际应用中有广泛的用途。
下面将介绍一些典型的应用领域：a. 传感器技术由于霍尔效应可以测量电流和磁场，因此被广泛应用于传感器技术中。
例如，霍尔传感器可以用于测量磁场强度，如地磁场、电机磁场等。
此外，霍尔传感器还可以用于测量电流，如电动车、电机和电力系统中的电流测量。
b. 磁学研究霍尔效应对磁学研究有很大的意义。
通过测量霍尔电势和磁场强度，可以确定材料的磁性。
这对于研究磁性材料的性质和应用潜力非常重要。
c. 半导体器件霍尔效应在半导体器件中也有广泛的应用。
例如，霍尔元件可以用于测量磁场方向和强度，作为指南针或磁力计使用。
此外，霍尔元件还可以用于检测旋转运动，如在电动机中用于测量转速。
3. 霍尔效应的优势和局限性尽管霍尔效应具有广泛的应用前景，但它仍然存在一些优势和局限性。
优势方面，首先是霍尔效应可以对非接触式测量进行电路隔离，这对于高电压和高频率应用非常重要。
其次，霍尔效应传感器具有高灵敏度和快速响应的特点，可以对微小的磁场和电流变化进行准确测量。
此外，霍尔传感器还具有低功耗和稳定性好的特点。
然而，霍尔效应也存在一些局限性。
首先是霍尔效应对温度的敏感性。
在高温环境下，霍尔效应传感器可能会产生较大的误差。
其次，霍尔效应在强磁场下可能会饱和，导致测量结果不准确。
此外，由于霍尔效应受到温度和材料等因素的影响，传感器的精度和可靠性也会受到一定的限制。
霍尔式的原理与应用
霍尔式的原理与应用一、霍尔效应的原理霍尔效应是指当电流通过一块材料时，垂直于电流方向的磁场引发的电场现象。
它基于霍尔效应传感器中的霍尔元件。
1.1 霍尔元件的结构霍尔元件由霍尔片、电流引脚和电压引脚组成。
霍尔片是由半导体材料制成的，具有特殊的性质，可以感测到外部磁场，并将其转化为电场。
1.2 霍尔效应的原理当电流通过霍尔元件时，垂直于电流方向的磁场作用在霍尔片上，使得霍尔片两边形成电势差。
这个电势差称为霍尔电压（Hall voltage），并遵循以下公式：$$ V_H = B \\cdot I \\cdot R_H $$其中，V H为霍尔电压，B为磁场强度，I为电流强度，R H为霍尔常数。
根据霍尔电压的方向，可以判断磁场的方向。
二、霍尔效应的应用霍尔效应广泛应用于各个领域，下面列举几个典型的应用场景。
2.1 速度测量通过安装霍尔传感器，可以测量旋转物体的速度。
当物体上有磁场发生改变时，霍尔传感器可以检测到霍尔电压的变化，并通过计算得到物体的速度。
2.2 位置检测利用霍尔效应传感器的灵敏度，可以用于检测磁体的位置。
当磁体接近或离开霍尔传感器时，磁场的改变会导致霍尔电压的变化，从而可以确定磁体的位置。
2.3 电流测量由于霍尔电压与电流强度成正比，可以通过测量霍尔电压来确定电流的大小。
这在电力系统中非常有用，可以用于实时监测电流是否超过额定值。
2.4 开关检测霍尔传感器可以用作磁性开关的探测器。
当磁场与传感器接近时，霍尔电压将发生变化，可以用于检测物体的接近或离开。
2.5 指南针利用霍尔效应传感器的灵敏度，可以制作电子指南针。
通过测量磁场的方向，可以确定地理方位。
2.6 电动汽车霍尔传感器在电动汽车中有广泛的应用。
例如，用于控制电机速度、测量电池电流、检测车辆速度等。
三、总结霍尔式的原理基于霍尔效应传感器中的霍尔元件，通过测量霍尔电压来检测磁场的变化。
霍尔效应在速度测量、位置检测、电流测量、开关检测、指南针和电动汽车等领域有广泛的应用。
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霍尔效应原理及其应用发展虞金花（08009203）（东南大学自动化学院，南京，211189）摘要：霍尔效应是一种发现、研究和应用都很早的物理现象。
本文通过介绍霍尔效应的原理，讨论它在当今社会各方面的作用，以及对霍尔效应应用的发展做出猜测及其剖析，使读者更好的了解霍尔效应的发展过程及其未来展望。
关键词：霍尔效应；原理；应用；发展Hall Effect and its Application DevelopmentYu Jin Hua(Department of Automation Southeast University, Nanjing, 211189)Abstract: Hall Effect is a kind of discovery, research and application of the early physical phenomena. This paper introduces the principle of Hall Effect, and discusses the roles it plays in today’s society. Besides, it also makes guesses and analysis about the Hall Effect’s development to let readers have a better understanding of the future of Hall Effect.key words: Hall Effect; principle; develop霍尔效应是霍尔(Edwim Herbert Hall，德国物理学家)于1879年在他的导师罗兰的指导下发现的这一效应。
霍尔效应在当今科学技术的许多领域都有着广泛的应用，如测量技术、电子技术、自动化技术等。
近年来，由于新型半导体材料和低维物理学的发展使得人们对霍尔效应的研究取得了许多突破性进展。
冯·克利青发现了量子霍尔效应，为此，冯·克利青获得1985年度诺贝尔物理学奖。
美籍华裔物理学家崔琦、美籍德裔物理学家施特默(H．L．Stormer)和美国物理学家劳克林(R．B．bugh—lin)因在发现分在脚注位置注明作者的个人学术信息.包括作者的姓名，出生年，性别，籍贯。
学历或学位，院系专业。
Email 地址等. 数效应方面所作出的杰出贡献而荣获1998年度诺贝尔物理学奖。
这一领域因两次授予诺贝尔奖而引起了人们广泛的兴趣，而崔琦也成为第六位获得诺贝尔奖的华裔科学家。
1霍尔效应的原理1.1经典霍尔效应1.1.1经典霍尔效应1897 年，霍尔（E.H.Hall）正在马里兰的Johns opkins 大学读研究生。
当时还没有发现电子，也没有人知道金属导电的机理。
他注意到著名的英国物理学家麦克斯韦和瑞典物理学家埃德隆关于一个问题的分歧，于是在导师罗兰(H.A.Rowland)教授的支持下，做实验来验证磁场到底对导线中的电流有没有影响，却发现了一种特殊的现象：如图1 所示，将载流导体板放在磁场中，使磁场方向垂直于电流方向，在导体板两侧ab 之间就会出现横向电势差U 。
这种现象是霍尔首先发现的，因此，称之为霍尔效应，导体板两侧形成的电势差U 称为霍尔电压。
霍尔的发现在当时震动了科学界，许多科学家纷纷转向这一研究领域。
图1 霍尔效应原理霍尔效应可以从运动电荷受到的洛伦兹力得到解释。
实验表明，霍尔电压U 与电流I、磁感应强度B 都成正比，与板的厚度d 成反比。
其公式为：U = K·IB/d （1）（1）式中，K=1/nq为比例常数，称为霍尔系数，它由导体（或半导体）材料的性质所决定。
1.1.2经典霍尔效应误差(1)霍尔电压测量点A和A’难能做到在一个等势面上，从而产生附加电压V0=Isr，r为A、A’所在的两个等势面间的电阻。
图2 等势面的影响（2）由于霍尔效应本身所产生的电场和磁场，而由电磁效应所产生的热电效应和热磁效应等。
改进方法：改变Is和B的方向，取相应V H的平均值。
分别测量由下列四组不同方向的Is和B组合的V AA’(A,A’两点的电势差)+B，+Is V AA’=V1-B，+Is V AA’= -V2-B，-Is V AA’=V3+B，-Is V AA’= -V4然后，求V1、V2、V3、V4的代数平均值：V H=错误！未找到引用源。
1.2量子霍尔效应按经典霍尔效应理论，霍尔电阻RH（RH=U/I=K·B/d= B/nqd）应随B 连续变化并随着n（载流子浓度）的增大而减小，但是，1980 年，克利青在1.5K 极低温度和18.9T 强磁场下，测量金属——氧化物——半导体场效应晶体管时，发现其霍尔电阻RH随磁场的变化出现了一系列量子化平台，即R H=错误！未找到引用源。
(h 为普朗克常数，e为电子电量，N=1,2⋯整数)，这种现象称为整数量子霍尔效应(IQHE)。
1982 年，崔琦和施特默等人在比整数量子霍尔效应更低的温度0.1K 和更强的磁场20T 条件下，对具有高迁移率的更纯净的二维电子气系统样品的测量中，也在一些电阻和温度范围内观测到横向霍尔电阻呈现平台的现象，但极为不同的是，这些平台对应的不是原来量子霍尔效应的整数值而是分数值，即R H=错误！未找到引用源。
( V=错误！未找到引用源。
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)故称为分数量子霍尔效应(FQHE)。
一年后，劳克林用一个波函数对分数量子霍尔效应给出了很好的解释。
2霍尔效应的应用2.1磁场测量利用霍尔公式我们可以知道，只要知道Ug，Kg，Ig等值即可以利用此式计算出磁感应强度B，Ug可用毫伏计测量，Kg，Ig可由相应的仪器测量，因此就很容易的测量出B值，在现实生活中磁感应强度B 的测量电路中用三运放组成感生电压放大器，其中Ag、A2，共同组成第一级结构对称的同相比例运放，有很高的输入电阻以及较低的漂移和失调，A3是差分放大级用于将差分输入转换为单端输出，据放大器各级输入及输出之间的关系，可推知输出电压与Ug之间的关系为：U0=-错误！未找到引用源。
(1+错误！未找到引用源。
)U g(1)又由于U。
=K。
B，那么上式可表示为：U0=-错误！未找到引用源。
(1+错误！未找到引用源。
)K g I c B(2)式中Ic的数值可由毫安表A读取。
通过此装置可以很容易测量出磁感应强度B，并且此装置不仅可以测定恒定磁场的强度，还可以测量交变磁场的强度。
2.2磁流体发电机如图3所示。
平行板间距为d，金属板长为a，宽为b，其问匀强磁场的磁感应强度为B。
通过板间的等离子体流速为v0电阻率为P。
从一侧沿垂直磁场且与极板平行的方向射入板间。
图3 磁流体发电机示意图磁流体发电机采用的导电流体一般是导电的气体(也可以是液态金属)，常温下的气体是绝缘体，只有在很高的温度下。
例如6000K以上，才能电离，才能导电。
当这种气体以很高的速度通过磁场时，就可以实现具有工业实用价值的磁流体发电机。
如图3，当等离子体进入板间时。
其中正离子(速度向右)受向上的洛伦兹力聚集上板，而负离子(速度也向右)受向下的洛伦兹力聚集下板。
使上下两板问产生自上而下的电场。
后续的正(负离子)受向上(下)的洛伦兹力和向下(上)的电场力，也很快达到一种动态平衡。
两板间存在稳定的电势差满足qvB=qU／d U=dvB。
此时两板就相当于一个电源。
电动势E=dvB，内阻r=pd／ab，当然，依此原理可制作测定磁感应度的仪器一磁强计。
2.3测量半导体特性霍尔效应对于诸多半导体材料和高温超导体的性质测量来说意义重大。
设导体中电流方向如图1 所示，如果载流子带负电，它的运动方向和电流方向相反，作用在它上面的洛伦兹力向下，因此，导体上界面带正电，下界面带负电；如果载流子带正电，则导体上界面带负电而下界面带正电。
由此可以看出，只要测得上下界面间霍尔电压的符号就可以确定载流子的符号。
用这种方法就能够测定半导体究竟是P 型还是N 型。
如果载流子已知，则通过测定霍尔系数K，还可算出导体中载流子的浓度n，进而得出载流子浓度受其客观因素影响的情况。
如由Lake Shore公司推出的Lake Shore7500系统，配备专门为7500 设计的IDEAS 软件，操作简单、精确，可用于测量样品的电阻、电阻率、霍尔系数尔迁移率、载波密度和电子特性，能够满足人们多方面的测量需要。
2.4霍尔传感器以霍尔效应原理构成的霍尔元件、霍尔集成电路、霍尔组件通称为霍尔效应磁敏传感器，简称霍尔传感器。
利用霍尔电压与外加磁场成正比的线形关系可做成多种电学和非电学测量的线性传感器。
如控制一定电流时，可以测量交、直流磁感应强度和磁场强度；控制电流电压的比例关系，令输出的霍尔电压与电压乘电流成比例，可制成功率测量传感器；当固定磁场强度大小及方向时，可以用来测量交直流电流和电压。
利用这一原理还可以进一步精确测量力、位移、压差、角度、振动、转速、加速度等各种非电学量。
霍尔传感器在日常和工业生产中应用广泛。
2.4.1生活中的应用在日常生活中，霍尔传感器大多应用于家用电器。
如录音机的换向机构就是使用霍尔传感器检测磁带终点并完成自动换向功能的；录像机中的磁鼓电机常采用锑化铟霍尔元件；洗衣机中的电动机都必须具有正、反转和高、低速旋转功能，主要依靠霍尔传感器检测与控制电动机的转速、转向来实现。
霍尔开关类传感器还用于电饭煲、气炉的温度控制和电冰箱的除霜等方面。
2.4.2工业中的应用霍尔式位移传感器的突出优点是输出变化量大、灵敏度高、分辨力强、质量轻、惯性小、反应速度快，适合作动态位移测试。
如以半导体材料砷化镓霍尔器件与高性能稀土永磁材料构成的小位移传感器及其检测电路可分辨的最小位移变化量可达0.1 μm。
在冶金、化工、超导体的应用以及高能物理（如可控核聚变）试验装置中有许多超大型电流用电设备。
用多霍尔探头制成的电流传感器进行大电流的测量和控制，既可满足测量准确的要求，又不会引起插入损耗，还免除了像使用罗果勘斯基线圈法中需用的昂贵测试装置。
3当今量子霍尔效应新发展通过大量实验和严格理论研究证明，在量子霍尔效应的RH-B 关系曲线中的电阻平台是与h/e2成比例的，而与样品的材料、形状等因素无关。
普朗克常数h和电子电荷e 都是基本物理常数，因此，可以采用量子霍尔电阻的普遍性和很高的测量精确性的特点，将其作为电阻单位欧姆的自然基准。
从1990年1 月1日起，国际计量委员会在世界范围内启用量子化霍尔电准代替原来的实物标准，并给出了国际推荐值RH=h/e2=25812.807Ω。
为此，国际计量局还建立了一套可运输的量子化霍尔电阻装置，到已建立此种自然基准的各个国家实验室进行循环比对。