_第4章+光电探测器概述及光电导探测器


参数,是单位入射功率相应的信噪比,并称之 为探测度: D 1 NEP

技 术
• 用NEP的倒数作为衡量探测器最小可探测能力的
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一、光电探测器的特性参数
探测器对变化信号响应快慢的能力。




对周期变化的光强,光电器件的弛豫时间如果 比周期长得多,那么就不能反映光强的变化。


号不会立即到达最大值或下降为零,而是出现 变化缓慢的上升沿和下降沿。上升或下降的时 间就是弛豫时间,或称为响应时间或时间常数 (惰性)。这种弛豫现象表现了光电探测器对 光强变化反应的快慢。


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当光辐射突然照射或消失时,探测器的输出信
技 术
5.响应时间
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一、光电探测器的特性参数
这些上升或下降的时间就表示了器件惰性的大
小。







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衰减弛豫(下降时间)定义为响应值下降至稳 定值的1 e 时所需的时间,此值约为37%。

起始弛豫(上升时间)定义为响应值上升至稳 定值时所需的时间1 1 e,此值约为63%;

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技 术
4. 等效噪声功率和探测率
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一、光电探测器的特性参数



式中A为器件接收面积,Δf为工作带宽。 D越高,探测器的灵敏度越高,性能越好。



为对不同面积和不同工作带宽的器件进行比较 ,因此引入归一化探测率 D* (比探测率),其 值为 D D A f

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技 术
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一、光电探测器的特性参数





线性度——探测器的输出光电流 与输入光的辐射通量成比例的程 度和范围。线性区的下限由暗电 流和噪声等因素决定,而上限通 常由饱和效应可过载决定。



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光照特性——光电流与入射在光电器件上的光照度 之间的关系。

技 术
2.光电特性和光照特性 光电特性——当光电器件上的电压一定时,光电流与 入射在光电器件上的光通量之间的关系。
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技 术
3.光谱特性 光电流或输出电压与入射光波长之间的关系。
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一、光电探测器的特性参数


• 是可测的信号功率最小值; • 是单位信噪比的入射光功率; • NEP越小,探测器越灵敏。

息工程源自探测器无信号输入时,也会有噪声输出。 若假设此有效噪声值是相当功率的输入信号 造成的,则此功率值可作为探测器的噪声水 平的衡量。 IN IN IN IN NEP NEP SI I p P SV Vp P

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可见光波段最灵敏的光电导器件 峰值波长0.52µm,掺铜和氯后向远红外区域延伸 时间常数与入射照度有关(100lx为几十ms) 用于自动控制灯光、自动调光调焦、自动照相机

技 术
常见光敏电阻 1. 硫化镉(CdS)光敏电阻
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二、光电导器件

锑化铟(InSb)光敏电阻 液氮温度(77K)时峰值波长(5µm),刚好在中红外 波段大气窗口3~5µm范围内 响应时间为1µs 室温下长波极限可达7.5µm 4. 碲镉汞(HgCdTe)光敏电阻 是目前所有探测器中性能最优良、最有前途的探测器 对热红外波段8-14 m大气窗口波段的探测更为重要 ,峰值波长为10.6 m,可与CO2激光器的激光波长相 匹配 是由HgTe和CdTe两种材料的晶体混合制造的,由于配 制Cd组分(x量,一般为1.8-0.4)的不同,可得到不 同的禁带宽度,从而制造出波长响应范围不同的Hg1xCdxTe探测器,1-3 m 、3-5 m 、 8-14 m 是近、中和热红外探测器中性能最优良的探测器
2 4 KT f 2 In Gt [1 (2f t ) 2 ]
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温度噪声也具有白噪声的性质。
技 术
Gt
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一、光电探测器的特性参数

原理:光敏电阻阻值对光照特别敏感,是一种典 型的利用光电导效应制成的光电探测器件。当光 照射到半导体材料时,材料吸收光子的能量,使 非传导态电子变为传导态电子,引起载流子浓度 增大,因而导致材料电导率增大。


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光电检测技术
技 术
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光电导探测器





光敏电阻应用实例

光敏电阻偏臵电路

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光电探测器的特性参数
技 术
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第4章 光电探测器概述及光电导探测器
光探测器的物理基础
(a)光电效应
效应
光阴极发射光电子 外光电效应 光电子倍增 打拿极倍增
技 术
实际器件的响应都具有滞后现象(惰性)。
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一、光电探测器的特性参数
噪声N:除探测信号之
技 术
6.探测器的探测能力
u n (t )
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t
一、光电探测器的特性参数


显然,无法用预先确知的时间 函数来描述它。 为了提高信噪比,可 长时间看,噪声电压从零向上 增大信号值或减小噪 涨和向下落的机会是相等的, 声大小。 其时间平均值一定零。所以用 时间平均值无法描述噪声大小。 然而,噪声本身是统计独立的, 所以能用统计的方法来描述。
t0




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光电转换定律 光电探测器的作用是将光辐射能转换成易于测量的电学量, 所以光电探测器实质上是一种光-电转换器件。 考虑能量为的光子入射到光电探测器上所产生的光电流, 如果光子能量大于探测器材料的禁带宽度,在观察时间t内, 它产生的平均光电子数为N,则根据量子理论分析的结果, N与入射的平均光辐射能量成正比,即





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外的测量值。 信噪比:SNR
S N

0
光电探测器的噪声
信号的随机起伏

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白噪声和1/f噪声



通常把噪声这个随机的时间函数进行傅氏频谱分析,得到噪 声功率随频率变化关系,这就是噪声的功率谱s(f)。 根据噪声的功率谱与频率的关系,常见有两种典型情况:一种 是功率谱大小与频率无关的噪声,通常称为白噪声;一种噪声 是功率谱与1/f成正比,称为1/f 噪声。





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e K e e IP P(t ) P h t h

技 术
式中,P(t)是光辐射的瞬时功率。一般来说,它是一个随机量, 如果P(t)在观察时间t内没有明显的改变,则W(t)P(t) t。由此 可得光电探测器输出的平均光电流表达式:
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一、光电探测器的特性参数

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技 术
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一、光电探测器的特性参数

(2)散粒噪声 一种由电子或光生载流子的粒子性所引起的噪声。对于内 光电效应探测器:(1)光生载流子(电子,空穴对)的产生和复合 过程的随机性,每一瞬时通过PN结的载流子数总有微小的不规 则起伏,使探测器的输出电流也随之起伏,引起散粒噪声。(2) 此外,光辐射中光子到达率的起伏在某些探测器光电转换后也 表现为散粒噪声。散粒噪声由下式决定: In2=2eIΔf 式中:I为器件输出平均电流。 可以看出,散粒噪声是与频率无关,与带宽有关的白噪声。 (3)产生—复合噪声 在平衡状态时,载流子产生和复 i 2 4eI ( / c )f 合的平均数是一定的,但其瞬间载流子 n 1 4 2 f 2 2 的产生数和复合数是有起伏的,于是载 如果频率低,满足wτ<<1时, 流子浓度的起伏引起光电器件电导率起 伏。在外加电压下,电导率的起伏使输 2 出电流中带有产生-复合噪声。 n c
P(t )dt

技 术
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一、光电探测器的特性参数


式中P为入射光辐射的平均功率。此式描述了光-电转换的基本 定律。 从光电转换定律可知: ①光电探测器输出的光电流与入射平均光功率成正比,因此, 一个光子探测器可视为一个电流源。 ②由于平均光功率与光电场强度的平方成正比,所以光电探测 器输出的光电流也与光电场强度的平方成正比。也就是说,光 电探测器的响应具有平方律特性。因此,通常称光电探测器为 平方律探测器,或者说,光电探测器本质上是一个非线性器件。



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技 术
学 院
一、光电探测器的特性参数






光电测量系统噪声分类

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一般光电检测系统的噪声可分为三类: (1)光子噪声 包括:A.信号辐射产生的噪声;B.背景辐射产生的噪声。 (2)探测器噪声 包括:热噪声;散粒噪声;产生—复合噪声; 1/f 噪声;温度噪声。 (3)信号放大及处理电路噪声






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无光照时,光敏电阻的阻 值很大,电路中的电流 很小;
有光照时,光生载流子 迅速增加,阻值急剧减 小,在电路中形成电流。
技 术
光敏电阻
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二、光电导器件
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《光电导探测器》课件

《光电导探测器》课件
详细描述
光电导探测器在光通信领域中用于光信号的接收和检测,在光谱分析中用于光 谱仪的光电转换,在环境监测中用于气体和液体的成分分析和浓度测量,在生 物医学中用于医疗诊断和生物分子检测等。
02
CHAPTER
光电导探测器的基本结构
半导体材料
光电导探测器的核心是半导体材料,它们能够吸收光子并产生电子-空穴对。常见的 半导体材料包括硅、锗、硫化铅等。
这些半导体材料具有直接带隙结构,使得它们能够有效地吸收特定波长的光子,产 生光生载流子。
半导体材料的性能决定了光电导探测器的响应速度、光谱响应范围和暗电流等关键 参数。
光敏元件
光敏元件是光电导探测器的核心部分 ,它负责吸收光子并转换为电信号。
光敏元件的形状和尺寸对探测器的性 能有重要影响,例如响应速度、光谱 响应范围和探测率等。
未来发展方向与挑战
交叉学科融合
光电导探测器的发展需要与物理、化学、生物等 多学科交叉融合,开拓新的应用领域。
环境适应性
提高光电导探测器的环境适应性,使其能够在恶 劣环境下稳定工作。
降低成本
通过优化工艺和材料,降低光电导探测器的制造 成本,促进其在民用领域的应用。
THANKS
谢谢
光谱响应
描述光电导探测器在不同波长光下的 响应特性,是决定探测器应用范围的 重要参数。
响应时间与恢复时间
响应时间
光电导探测器从接收到光信号到产生可观测电信号的时间间隔,反映了探测器的反应速 度。
恢复时间
探测器在持续光照下,从最大响应状态回到初始状态所需的时间,影响连续测量时的性 能。
温度稳定性与可靠性
03
CHAPTER
光电导探测器的性能参数
响应度与探测率

光电信号检测光电探测器概述概要课件

光电信号检测光电探测器概述概要课件
光电探测器广泛应用于光通信、光谱分析、环境监测、生物医学 等领域,是光电信号检测中的关键器件。
光电探测器的工作原理
光电探测器的工作原理基于光子与物质相互作用产生电子-空穴对或光生电场效 应,从而将光信号转换为电信号。
具体来说,当光子照射到光电探测器的敏感区域时,光子能量被吸收并产生电子 -空穴对,这些电子-空穴对在电场的作用下分离并形成光电流,从而完成光信号 到电信号的转换。
光电探测器的应用领域不断拓 展,如物联网、智能制造、无 人驾驶等新兴领域,为市场发 展带来更多机遇。
05
光电探测器的挑战与展望
光电探测器的挑战与展望
• 光电探测器是用于检测光信号并将其转换为电信号的器件,广泛应用于光通信、环境监测、安全监控等领域。随着光电子技术的发展,光电 探测器的性能不断提高,应用范围不断扩大。
THANK YOU
感谢聆听
04
光电探测器的市场前景
全球市场情况
光电探测器在全球范围内应用广泛,包括通信、工 业、医疗、安全等领域。
随着技术的不断进步和应用需求的增加,全球光电 探测器市场规模持续增长。
市场竞争激烈,各大厂商在技术研发、产品创新等 方面不断投入,以提高市场份额。
中国市场情况
02
01
03
中国光电探测器市场发展迅速,成为全球最大的光电 探测器市场之一。
光电探测器的分类
01
光电探测器可以根据工作原理、材料、波长响应范围、光谱响应特、光电发射型等;按材料可分为硅基、锗 基、硫化铅等;按波长响应范围可分为可见光、红外、紫外等;按光谱响应特 性可分为窄带、宽带等。
03
•·
02
光电探测器的应用
通信领域的应用
光纤通信
光电探测器在光纤通信中起到至关重要的作用。它们能够将光信 号转换为电信号,使得信息的传输和处理成为可能。

第四章. 光电探测器概述

第四章. 光电探测器概述


光子探测器的特点

波长选择性探测器 探测器的响应率和波长成正比
h 能量E0 o(长波限)
o, P一定时,越短,光子数越少

探测器分类(二)

光热探测器

光热效应:材料吸收光辐射能量后温度升高,可产 生材料的某些物理性质变化;

特点:光热效应和波长无关。

围;

红外光电导探测器:铅盐薄膜类,PbS、PbSe、PbTe 等,可以工作在三个大气窗口(1~3 μ m,3~5 μ m, 8~14 μ m)。

三、光伏特探测器

h 产生条件:本征光伏效应为主,半导体受 光照后产生
电动势;

种类:

结型光伏特探测器;
PIN结光电二极管; 雪崩光电二极管; 肖特基势垒光电二极管。

某一特定波长上每秒钟内产生的光电子数与入 射光量子数之比。
e d e d N h hc
I S / q R hc ( ) N q IS R I ( )
三、其它参数

线性度

描述探测器的光电特性或光照特性曲线输出信号与输 入信号保持线性关系的程度。



方差 D[ N ]
D[ N ] ( N E[ N ])2 p( N )d N


D[ N ] E[ 2 N ] E 2 [ N ]
E[ 2 N ]:噪声的二阶中心矩

几个概念

广义平稳随机过程:光电系统处于稳定状态时,噪声的方差和 数学期望一般不再随时间变化。

电荷耦合器件(CCD)

探测器分类(一)

华中科技大学《光电探测》4光电导探测器

华中科技大学《光电探测》4光电导探测器
1-硫化镉单晶 2-硫化镉多晶 3-硒化镉多晶 4-硫化镉与硒 化镉混合多晶
在可见光区灵敏的几种光敏电阻的光谱特性曲线
在红外区灵敏的几种光敏电阻的光谱特性曲线
几种常用的光敏电阻
紫外 硫化镉(CdS)和硒化镉(CdSe)

敏 电
可见
硫化铊(TiS)、硫化镉(CdS)和 硒化镉(CdSe)

红外 硫化铅(PbS)、碲化铅(PbTe)
光敏电阻常用光电导材料
4.3 光敏电阻的基本偏置电路和噪声
一、基本偏置电路
Rp RL
Vb
IV<Pmax
由电路图:
I Vb RL Rp
VL
RL RL Rp
Vb
当光通量变化时,光敏电阻变化Rp,
电流变化 I:
I I
Vb
RL Rp Rp
I
RL
Vb Rp Rp
Vb RL Rp
Rp (RL
亮态前历效应
指光敏电阻测试或工作前已处于亮态,当照度与工作 时所要达到的照度不同时,所出现的一种滞后现象, 其效应曲线如下图所示。
低照度变为高照度
硫化镉光敏电阻亮 态前历效应曲线
高照度变为低照度
六、光谱特性
相对灵敏度与波长的关系曲线表示。从这种曲线中 可以直接看出灵敏范围、峰值波长位置和各波长下 灵敏度的相对关系。
价格低廉,光谱响应范围宽。
4.1 光敏电阻的工作原理与结构
工作原理:在均匀的具有光电导效应的半导体 材料的两端加上电极便构成光敏电阻。
当光敏电阻的两端加上适当的偏置电压Ubb,即 有电流Ip流过,可以检测到该电流。
电流的大小会 随入射光强度 的变化而变化
光敏电阻的原理图
符号

什么是光的光电探测器和光电导

什么是光的光电探测器和光电导

什么是光的光电探测器和光电导?光的光电探测器和光电导是光电传感器的重要类型,用于检测和测量光信号。

本文将详细介绍光的光电探测器和光电导的原理、结构和应用。

1. 光电探测器(Photodetector)的原理和结构:光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的器件。

它基于光子的能量被半导体材料吸收,激发带载流子,从而形成电流的原理。

最常见的光电探测器类型是光电二极管(Photodiode)和光电倍增管(Photomultiplier Tube),前文已经详细介绍过。

除了这两种常见类型,还有其他一些光电探测器,如光电晶体管、光电场效应晶体管和光电导等。

光电探测器的结构和工作原理与具体的类型有关。

总体而言,光电探测器通常包括光敏元件、电极、引线和封装等部分。

光敏元件是用于吸收光信号并产生电荷载流子的材料,电极用于收集和测量电流,引线用于连接光电探测器与外部电路,封装则是保护和固定光电探测器的外壳。

2. 光电探测器的应用:光电探测器在许多领域有着广泛的应用,包括但不限于以下几个方面:-光通信:光电探测器用于接收光信号,将光信号转换为电信号,并通过电路进行处理和解码,实现光通信的接收端。

-光测量:光电探测器可以用于测量光的强度、波长、频率和相位等参数,用于光谱分析、光度计和光谱仪等。

-光电检测:光电探测器可以用于检测物体的存在、位置和运动等,用于光电开关、光电传感和光电探测等应用。

-光电能转换:光电探测器可以将光能转化为电能,用于太阳能电池板和光伏发电系统等。

3. 光电导(Photoconductor)的原理和结构:光电导是一种能够根据光信号的强度来改变电导率的材料。

光电导的原理是光照射到材料上时,光子的能量被吸收,激发带载流子,从而改变材料的导电性能。

光电导材料通常是半导体材料,如硒化铟(Indium Selenide)、硒化镉(Cadmium Selenide)和硒化铅(Lead Selenide)等。

光电探测器

光电探测器

生电动势的现象称为内光电效应,它多发生于半导体内。
内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应。
光生伏特效应
在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现
象叫光生伏特效应。光生伏特效应可分为:结光电效应和
横向光电效应。基于光生伏特效应的光电器件有:光电池,
p 光敏二极管,光敏晶体管等。 Ec EF Ev o p
常见的光电探测器
光电管
光敏电阻
光电二极 管 四像限光电
探测器
光电池
光电二极管
热释电探测器
光电效应定义及分类
光电探测器件工作的物理基础是光电效应。光电效应 是:物体吸收光能后转化为物体中某些电子的能量,从而 产生电的效应。
光电效应 外光电效应 光电导效应 内光电效应 光生伏特效应
二、外光电效应
在光线的作用下物体内的电子逸出物体表面向外发 射的现象为外光电效应。多发生于金属、金属氧化物等材
光敏电阻的结构: 在一块均匀光电导体两端加上电极,贴在硬质玻璃、 云母、高频瓷或其他绝缘材料基板上,两端接有电极引线, 封装在带有窗口的金属或塑料外壳内。 光敏电阻常做成梳状电极,光 敏面做成蛇形这样既可以保证有较大 的受光面,也可以减小电极之间的距
离,从而既可以减小载流子的有效级
间的渡越时间,也有利于提高灵敏度。
●光控灯 (Optical control lamp)
●光控音乐I.C (Optical control musicI.C)
●电子玩具 (Electronic toy)
●电子验钞机 (Electronic proverbial vlitional)
谢谢!
--+
n
L
++ ++

光电探测器简介演示

光电探测器简介演 示
contents
目录
• 引言 • 光电探测器的基本原理 • 光电探测器的种类与特点 • 光电探测器的性能指标 • 光电探测器的应用案例 • 总结与展望
01
CATALOGUE
引言
什么是光电探测器
• 光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的装置,它利用 了光的能量和物质的相互作用来产生电信号。光电探测器在许 多领域都有广泛的应用,如光学通信、光谱分析、环境监测、 安全监控等。
安全监控
光电探测器可以用于安全监控,例如在机场、银行等场所 的监控系统中,光电探测器可以检测到人员的活动和物体 的移动。
02
CATALOGUE
光电探测器的基本原理
光-电转换原理
光-电转换是光电探测器的基本工作原理,即通过接收光子,将光信号转换为电 信号。
光电探测器中的光敏元件(如光电二极管、雪崩光电二极管等)能够将入射光子 转化为电子-空穴对,这些载流子在外加电场的作用下定向移动,形成电信号输 出。
光电探测器的应用场景
光学通信
光电探测器可以将光信号转换为电信号,从而实现信息的 传输和处理。在光纤通信中,光电探测器是必不可少的器 件之一。
环境监测
光电探测器可以用于监测环境中的光辐射水平,从而对环 境进行评估和管理。例如,它可以用于监测大气污染和海 洋环境中的光辐射水平。
光谱分析
光电探测器可以用于检测物质的光谱特征,从而对物质进 行分析和鉴别。在环境监测和化学分析中,光电探测器也 有广泛的应用。
光电探测器在医疗诊断中的应用
内窥镜
内窥镜结合光电探测器可以实时检测人体内部病变,提高医疗诊断的准确性和 效率。
医学影像
光电探测器在医学影像技术中也有广泛应用,如X光、CT等设备的图像采集和 处理系统中都离不开光电探测器的支持。

光电技术 第4-2节 光电导探测器


所谓短态前历效应是指被测光敏电阻在 无光照条件下放置一段短时间(如三分钟) 后,再在1lx光照下测量它在不同时刻的阻值 (如1秒后的阻值)R1 ,求出此阻值与稳态 时阻值R0的百分比R1/R0,这就是短态前历效 应或暗态前历效应。所谓中态前历效应是将 光敏电阻在无光照条件下存放24小时,在 100lx光照度下放置15分钟,再放在100lx下 测阻值 R2 ,则中态前历效应为(又称亮态前 历效应)。 R2 R1

R1 100%
附:光敏电阻暗态前历效应:
时间s 阻值k
时间s 阻值k
1 6.5 20 5.2
R1/R2
2 6 30 5.2
77 ﹪
5 5.5 60 5.1
10 5.2 90 5.0
15 5.2 120 5.1
Cd S 亮态前历效应:
元件编号 1 2 3 4 5 6 7 8 R1( k) R2( k) 2.74 2.89 5.06 5.24 2.25 2.39 2.42 2.60 1.45 1.48 2.23 2.31 3.58 3.69 5.40 5.62

在弱光下, 1 称直线性光电导。在强光照时 =0.5,在其它光照时,0.5≤ ≤1。 一般,光电流和照度关系曲线如右。在 实际应用范围(0.1~104lux),有可能制造 出 接近于1的光敏电阻,这时应有
I p S gVE g p E
式中 g p S gV 称为光电导 在器件中流过的电流是光电流 I p与暗电流 I d 之 和。
由光电导效应可知,光敏电阻在受到光照或停 止光照时,光生载流子的产生或消失都要经过一段 时间,这就是光敏电阻的响应时间或驰豫时间。它 t 反映了光敏电阻的惰性。 p (t ) p0 exp( ) 此处 是光敏电阻的下降时间。在突然加光照时,

第4章 光电导探测器


α
γ
强光--γ为0.5 弱光--γ为1 γ= 0.5~1--照度指数
弱光--线性(测量) 强光--非线性(控制)
北京理工大学光电学院
α为电压指数,~1 Sg比例系数,与材料有关
《光电技术与实验》
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照度指数γ值 ( α ≈1)
I p = S gU α E γ
logR A − logRB γ= logEB − logE A
4. 频率特性
弛豫特性
ip
Rp0
C0
RL
Ri
Ci
ip
Rp0
RL
Ri
Ci
光电导探测器
输出电路
光电导探测器
输出电路
引入等效电容 总响应时间
未引入等效电容 两个时间
探测器弛豫特性反映在电路 = τ e (Rp0 // Ri //RL ) ⋅ Ci τ= τe = (Rp0 //Ri //RL ) ⋅ (C0 + Ci ) < Rp0Ci << τ c
Δn (∞)=gτ c
北京理工大学光电学院 《光电技术与实验》 11
光照时: 增长率 产生率 复合率 热致产生率
d∆ n ( t ) = g − r [ n0 + ∆n (t ) ] ⋅ [ p0 + ∆p (t ) ] + rn0 p0 dt
光照停止时:
d∆n (t ) = 0 − r [ n0 + ∆n (t ) ] ⋅ [ p0 + ∆p (t ) ] + rn0 p0 dt
北京理工大学光电学院 《光电技术与实验》 1
第4章 光电子发射探测器
4.1 光电导探测器的工作原理 光电导效应、响应过程、结构原理 4.2 光电导探测器的性能参数 4.3 偏置电路及应用

光电探测器概述分析

光电探测器概述分析光敏元件是光电探测器的核心部件,用于将入射的光能量转换为电能。

常见的光敏元件包括光电二极管、光电倍增管、光电导、光敏晶体等。

其中,光电二极管是最常见的光敏元件,由P型和N型半导体材料组成,当光照射到PN结时,产生光生电流。

光电倍增管是一种具有电子增益的光敏元件,它通过二次发射效应实现光电信号的放大。

光电导是一种基于金属-绝缘-半导体(MIS)结构的光敏元件,光照射到MIS结时,产生的电子流被金属电极捕捉,从而产生电信号。

光敏晶体是一种利用光生载流子的非线性效应来实现光电转换的光敏元件,具有高速响应和高灵敏度的特点。

信号处理电路是光电探测器将光信号转换为电信号后进行进一步处理的电路部分。

常见的信号处理电路包括放大电路、滤波电路、模数转换电路等。

放大电路用于增加光电信号的幅度,以提高信噪比和灵敏度。

滤波电路则用于去除杂散信号和噪声,保留感兴趣的频段信号。

模数转换电路则将模拟电信号转换为数字信号,以便进行数字信号处理和分析。

光电探测器的性能参数主要包括灵敏度、响应时间、线性度、噪声等。

灵敏度是指光电探测器对光信号的敏感程度,一般用电流-光功率转换系数和量子效率来描述。

响应时间是指光电探测器从接收到光信号到产生相应电信号的时间间隔。

线性度是指光电探测器输出的电信号与输入光信号之间的线性关系程度。

噪声是指光电探测器输出电信号中的随机波动,通常分为热噪声、暗电流噪声和光电转换噪声等。

在实际应用中,根据需要选择合适的光电探测器。

有选择的因素包括工作波长范围、动态范围、灵敏度要求、响应速度、稳定性等。

比如,在光通信领域,一般选择具有较高灵敏度和快速响应时间的光电探测器;在光谱分析领域,一般需要选择具有较高线性度和低噪声的光电探测器。

总之,光电探测器是一种重要的光电器件,具有广泛的应用前景。

随着科技的不断进步和需求的不断增长,对光电探测器的性能和特性要求也在不断提高,这就需要不断地研发和创新,以满足不同领域的应用需求。

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