宁波大学3810数字集成电路设计基础考博真题试题2017年
宁波大学2020年《3810数字集成电路设计基础》考博专业课真题试卷
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3810 总分值： 100 科目名称：
Hale Waihona Puke 数字集成电路设计基础一、设计满足下列要求的电路图，要求使用的 MOS 管最少。（15 分）
1．用静态互补 CMOS 电路实现逻辑关系 Y ABD CD ；（8 分）
D cp3 cp1
cp1
cp1
cp2
Q
Q
V(cp1)
V(D)
三、求如图所示的 CMOS 反相器在理想阶跃输入情况下的上升和下降时间。设VTP ,VTN 分别为 PMOS 和 NMOS 的阈值电压， KP , KN 分别表示 PMOS 和 NMOS 的器件跨导。(15 分)
VDD
Vin CL
四、 如图所示是一个 CMOS 版图，采用 0.25um 双阱 CMOS 工艺，NMOS 宽长比 6λ/2λ，PMOS 宽长比 6λ/2λ。（15 分）
数字集成电路设计基础
(N-diffusion)、P+扩散层(P-diffusion)、各类通孔(Vias)；
3) 标明版图尺寸（MOS 管使用指定尺寸，其它版图使用最小尺寸）。
五、设 N 型扩散层（n-diffusion）的方块电阻 Rndiff=2Ω/□，N 型扩散层底部电容（bottomwall capacitance）Cndiff, 为 bot 0.6fF/um2,N 型扩散层侧壁电容（sidewall capacitance）Cndiff, side 为 0.3fF/um，λ=0.25um。计算图示所示的漏极寄生电阻与寄生电容。（20 分）
多晶硅
源极
漏极 16λ
4λ
机械振动 宁波大学 2017年博士研究生考博真题
m
x3 k
m
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2 0
x m k k
平方向的简谐振动 xs a sin t 时，求：
2 (1) 若 k / m ，摆的最大摆角；
xs
θ
m
xs
(2) 系统发生共振时的ω值。（20 分）
k1
5、 右图所示， 已知 m1=2m， m2=m3=m， k1=3k， k2=k3=k，求系统的固有频率及相应的固有振 型。（18 分） 6、用瑞利商方法求右图振动系统的基频。 （12 分）
宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 :
3802
科目名称：
机械振动
1、右图所示单摆，摆杆质量忽略不计。求系统微幅 振动的动力学方程和通解；设摆杆初始偏角为θ0， 初速度为零，求系统的振动。（16 分）
x1 k θ
l m
2、求右图所示振动系统的运动微分方程，并求其 振动解（只考虑欠阻尼情况）。（16 分）
x c m
3、如右图所示，重量为 m 的机器的基座简化 为弹簧和阻尼，地基的振动规律为 Bsinωt，求 机器的振动方程，并求出通解。（18 分）
k
m c
Bsinωt
4、质量为 m 的滑块用两根刚度为 k 的弹簧连接 在基础上， 滑块上有质量为 m、 摆长为 l 的单摆， 如右图所示，设 k / m g / l ，当基础作水
理论力学 宁波大学 2017年博士研究生考博真题
b）（任意轴），（平行轴） d）（任意轴），（该轴） ）并通过（ ）的轴的转动惯量加
刚体对任一轴的转动惯量，等于刚体对与该轴（ 上刚体质量与两轴间距离平方的乘积。 a）(平行)，(重心) c）(平行)，(质心)
b）(相平行)，(形心) d）(相交)，(质心)
4.
动点相对于（ 标系相对于（
）的运动称为相对运动；动点相对于定坐标系的运动称为绝对运动；动坐 ）的运动称为牵连运动。 b）（定坐标系），（定坐标系） d）（动坐标系），（定坐标系） ） 的代数和恒等于零， 则该质点系的质心 （ b)（外力）,（动量）,(动量矩） d)（外力）,（投影）,（速度） ）
C
b
A Q B
、 2. 两船在海上航行速度均为 10kn，A 船航向正北， B 船航向正东。（在航海中为方便起见， 方位表示法是，以北为 0o 顺时针转一周为 360 o ，且一律用三位数表示）。求：A 船上观测 B 船的速度大小（以 kn 表示）与方向并画出速度三角形。
3. 半径为 R 的轮子沿直线轨道滚动，如下图所示。已知某瞬时轮子中心 O 的速度为 v0，加速度 为 a0，设轮子与地面接触没有相对滑动。求 D 点的速度，A 点加速度。
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宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 :
2613
科目名称：
理论力学
三、 计算题：本大题共 4 小题，每小题 14 分，共 56 分。
1. 悬臂吊杆机构如下图所示，均质横梁 AB 长 l=2.5m，重量 P=1kN；绳索 BC 与 AB 倾角 30°， 质量不计。重物 Q=8kN（如图），挂于图示位置 b=2m，求绳索的拉力和铰链 A 的约束反力。
食品化学 宁波大学 2017年博士研究生考博真题
二、问答题（每题 16 分，共 64 分）
1．简述映鱼肉的鲜度？ 2．何谓脂肪自动氧化？在食品贮存及加工中，应采取哪些措施控制脂肪自动氧化的发生？（至 少说出 4 条措施） 3. 水果中果胶存在形式主要有哪 3 种？水果未成熟比较坚硬、成熟后变软而富有弹性、过熟变得 软烂，试解释这一现象？ 4． 结合鱼糜生产实际， 你认为对其加工下脚料可进行哪些方面的开发利用， 请说明研究开发思路。 （至少 2 个产品）
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宁波大学 2017 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码:
3820
科目名称：
食品化学
一、简答题（每题 6 分，共 36 分）
1．利用所学的淀粉糊化和老化知识点，简要说明方便面的制作原理。 2．什么叫环状糊精？它的结构有什么特点？ 3．反映鱼肉蛋白冷冻变性的指标有哪些？ 4．在食品加工中，美拉德反应有哪些有利的作用和不利的影响？（有利和不利各举 2 例） 5．简述甜味理论中 AH/B 生甜团学说的基本要点，并列出四种不同结构类型的甜味剂名称。 6．将下列英文翻译为中文： ① Enzymatic browning； ② Water holding capaticy ； ③ Moisture sorption isotherms
宁波大学半导体物理2014--2020年考博初试真题
(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)下面对于p型半导体形成的MIS结构，说法正确的是（）。
A．强反型时，表面的少子浓度会大于体内的多子浓度；(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)第1页共3页科目代码：3823总分值：100科目名称：半导体物理一、选择题（40分每题2分）1.如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主。
A.本征 B.受主 C.空穴 D.施主2.下列三种结构示意图属于多晶结构的是（）。
A B C 3.电子是带（）电的粒子。
A.正 B.负 C.零 D.准粒子4.当B 掺入Si 中时，它是（）杂质。
A.受主 B.深 C.浅 D.复合中心5.杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。
A.变大，变小B.变小，变大C.变小，变小D.变大，变大。
6.在热力学温度零度时，能量比F E小的量子态被电子占据的概率为（）。
A.大于1/2B.小于1/2C.等于1/2D.等于17.金属和半导体接触分为（）。
A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触8.一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t τ=后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。
A.1/eB.1/2C.0D.2/e9.载流子在电场作用下的运动为（）。
A.漂移运动B.扩散运动C.热运动D.复合运动10.锗的晶格结构和能带结构分别是（）。
A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型C.金刚石型和间接禁带型D.闪锌矿型和间接禁带型11.当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（）。
A.变化量B.常数C.杂质浓度和杂质类型D.禁带宽度和温度12.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。
数字电子技术参考答案17.doc
试卷C 答案一、选择题（每小题2分，共20分）。
1-5 DCACB 6-10 BBAAB二、填空题（每空1分，共20分）。
1、D C B B A F +++=))((2、多谐振荡器 ， 单稳态电路 、 施密特电路3、120.5 01111000.10004、20KHz5、与 ， 或 ， 非6、三态7、逻辑1（或高电平）、 逻辑0（或低电平）、高阻态 8、n n n Q K Q J Q +=+19、高10、采样 、 保持 、 量化 、 编码 。
三、计算证明题（每小题5分，共15分）1、BCD A C B A AD D B A D C B F ++++=D C B +=ABCD2、)(C A C A B C B AC F +++=C B AC +=3、∑∑+=d ABCD F )15,9,3()14,11,8,7,5,1,0()(ABC CD C B D A +++=ABCD四、（20分）时钟脉冲：（1分）CP CP CP CP ===012 输出方程：（1分）nn Q Q Y 21= 驱动方程：（3分）⎪⎩⎪⎨⎧======nn n nn n Q K Q J Q K Q J Q K Q J 2020********次态方程：（3分）⎪⎩⎪⎨⎧===+++n n n n n n Q Q Q Q Q Q 210011112状态图时序图（3分）电路的功能：六进制同步加法计数器。
（1分） 该电路不具有自启动能力。
（1分） 五、（10分）本小题只要求画出波形，每个波形4分，若全对，给4分，若波形错，每个表达式写对，给2分。
六、（15分）设主裁判为变量A ，副裁判分别为B 和C ；表示成功与否的灯为Y ，根据逻辑要求列出真值表。
表达式：ABC C AB C B A m m m Y ++=++=765（2分）卡诺图：（3分）化简后的表达式：（2分）AC AB Y ⋅=+=电路图：（4分）。
宁波大学2604半导体器件2015--2016,2018--2020年考博真题
(答案必须写在考点提供的答题纸上) A. 3 B. 2(答案必须写在考点提供的答题纸上)(答案必须写在考点提供的答题纸上)考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统一、单项选择题：本大题共5小题，每小题5分，共25分。
在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填在题前的括号内。
错选、多选或未选均不得分。
()1.在半导体太阳能电池中，关于暗电流说法正确的是A.没有光照时电流B.由外加偏压产生C.其方向与光电流方向相同D.由光生电压降落在势垒区而产生()D正常工作时，其MOS单元半导体表面所处状态是A.强反型B.多子积累C.深耗尽D.多子耗尽()3.在以下复合跃迁中，非辐射复合跃迁是A.带间复合B.激子复合C.俄歇复合D.不存在()4.与LED量子效率有关的因素有A.结两侧参杂浓度B.结深C.表面反射D.以上都有关()5.太阳能电池工作时，对应P-N结内部处于：A.正偏电压B.反偏电压C.没有电压D.耗尽第1页共2页考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统二问答题(共35分)1.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结的单向导电性。
(10分)2.试述NPN双极型晶体管的四种工作模式。
(15分)3.试述金属-半导体接触：肖特基接触与欧姆接触的各自特点。
(10分)三．计算与推导(共40分)1.计算一硅p-n结在300K时的内建电势，其N A＝1018cm-3和N D＝1015cm-3．(10分)2.一理想晶体管其发射效率为0.999，集基极漏电流为10μA，假设I B=0，请算出由空穴所形成的放大模式发射极电流。
(15分)3.简述评估太阳能电池器件性能的四个基本参数，那些因素会影响太阳能电池器件性能（15分）第2页共2页考试科目:半导体器件科目代码：2604适用专业:微纳信息系统第1页共2页一、判断题（共20分，每题１分）1.（）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。
数字集成电路试题及答案
北京大学信息学院考试试卷考试科目： 数字集成电路原理 考试时间 姓名： 学号：题 号 一 二三四五六七八九 十总分分 数 阅卷人以下为答题纸，共 6 页一、填空1、（4分）CMOS 逻辑电路中NMOS 管是（ 增强 ）型，PMOS 管是（增强）型； NMOS 管的体端接（ 地 ），PMOS 管的体端接（ VDD ）。
2、（8分）CMOS 逻辑电路的功耗由3部分组成，分别是（ 动态功耗 ）、（开关过程中的短路功耗）和（ 静态功耗 ）；增大器件的阈值 电压有利于减小（ 短路功耗和静态 ）功耗。
3、（6分）饱和负载NMOS 反相器的3个主要缺点是：（ 输出高电平有阈值损失 ）,( 输出低电平不是0，与比例因子Kr 相关 ), ( 输出低电平时有静态功耗 ) 。
4、（3分）三态输出电路的3种输出状态是：（ 高电平 ）， （ 低电平 ）和（ 高阻态 ）。
二、（12分）画出实现ABC D C B A Y +++=)(的静态CMOS 电路，如果所有MOS管的导电因子都是K ,分析几个输入同步变化的等效反相器的导电因子（K Neff 和K Peff ），在什么输入状态下电路有最小的低电平噪声容限。
Kneff = 1/(1/3k + 1/k) + k/3 = 3k/4 + k/3 = （13/12）K;Kpeff = 1/(1/3k + 1/k) + k/3 = （13/12）K;当 D = 1 ，A、B、C 同步变化时，上拉通路3个串联的PMOS 管起作用，下拉支路所有NMOS 都起作用，Kneff 最大 ， Kpeff 最小，传输特性曲线在最左边。
三、（12分）分析下面2个电路的逻辑功能，若所有输入高电平都是5V、输入低电平都是0V，电源电压是5V，所有MOS 管的阈值电压绝对值都是0.8V，分析2个电路的输出高、低电平和主要优缺点。
（1） （2） 电路 1） ⎩⎨⎧=======+=VB A VB A Vol B A AB Y 2.4Voh 15Voh 0,0,时，时， ，电路 2） B A B A B A AB Y +=++=，低电平0V ，高电平 4.2V 电路1）结构简单，节省面积，逻辑电平与输入状态相关，驱动能力差，噪声容限小。