晶体硅太阳电池组件优化设计

通过双辐照度方法[5]测量的额定功率为185W的组件的串联电阻大约为0.64Ω 。 这个数值与上述理论计算值大小接近，但是稍大于理论值，与通常的太阳电 池组件测试设备测量的串联电阻大约1Ω 的数值相比有比较大的差别。 文献[2]比较了几个不同功率组件的测量串联电阻和理论计算串联电阻之间 的差别，见图2。如图所示，随着组件功率的下降，实际测量值与理论计算 值之间的差别增加。这表明，太阳电池组合过程中太阳电池I-V特性曲线的 不匹配产生了附加的串联电阻。不匹配的现象越严重，所引入的附加串联电 阻越大，匹配损失越大。当太阳电池效率低下时，太阳电池I-V特性之间的 差别比较大，从而带来的串联电阻损失比较大。随着太阳电池效率的增加， 太阳电池组合对太阳电池组件串联电阻增加的影响要下降，因为高效率的太 阳电池的I-V特性之间的差别比较小。
（5）
• 串联电阻损失
在实际的生产过程中，通常制作的组件的实际输出功率要低于所使用的 太阳电池的额定总功率。原因在于，太阳电池组件的制造过程产生的串 联电阻损失。文献[2]专门讨论了这个问题。 根据测量和计算，例如，一个185W的晶体硅太阳电池组件，串联电阻的 各个分项值分别为： 1、太阳电池自身的串联电阻 = 325.4 mΩ 2、互联条串联电阻 = 218.2 mΩ 3、互联条与电池电极的接触电阻 = 3.3mΩ 4、汇流带串联电阻 = 38.4mΩ 5、接线盒内接点串联电阻 = 20 mΩ 6、连接电缆串联电阻 = 9.2 mΩ 7、连接器串联电阻 = 10 mΩ 其串联电阻的总和为：Rs = 625mΩ ，由此产生的功率损失为16W，占185W 组件输出功率的8.7%。其中，组件生产过程中增加的串联电阻为：R0 = 299mΩ ，增加的功率损失为7.5W，占185W组件输出功率的4.1%。
图1. 玻璃花型形成的阴影
图1中的深色斑点是玻璃压花在组件内部形成的阴影。这些阴影对照射到 太阳电池表面上的光的均匀性产生了不良的影响，必然影响到太阳电池 的转换效率。
提高太阳电池组件的光学增益，另一个重要的方面是减少太阳电池 组件对光线的反射。在垂直入射时，在两个透明介质分界面上的反射率R 由下式[4]决定：
晶体硅太阳电池组件的优化设计
孔凡建
江苏辉伦太阳能科技有限公司（210032）
• 光路优化和光学增益
文献[1]于2003年发表，讨论了晶体硅太阳电池组件的光学增益问题。文 献中记载的实验证明，好的光学匹配可以使光学增益达到5.75%。但 是，坏的光学匹配，也可以几乎不发生光学增益。怎样提高光学增益， 是太阳电池组件制造过程中的一个重要技术。
A
B
36.0
53.5
92.6
73.4
56.6
19.9
98.5
79.3
没有灌胶
灌胶
其中，Td为安装在盒体内中心位置的二极管的表面温度；Tm为盒盖表面该 二极管正上方m点的温度，也是盒盖表面的最高温度；Tj是二极管结温。
在实际的应用中，我们可以发现，接线盒烧毁的原因大多不是二极管烧 毁，而是插接式结构接线盒的二极管插座烧毁，如图4所示。这表明，处 于工作状态的二极管经常的发热和冷却，使得二极管插脚的接触电阻逐 渐增大，最终打火并烧毁接线盒。而焊接的二极管管脚则不会产生这样 的问题。
0 d 4n 3
其中：λ 0是所选择的中心波长；n3是SiN膜的折射率。
（2）
以n2代表EVA的折射率，n4代表Si材料的折射率。对于满足（2）式的SiN 减反射膜，太阳电池组件中太阳电池表面对波长为的光的反射率可以表 达为[4]：
2 n 2 n4 n3 R 0 n n n2 4 3 2 2
49.24
显然，安装接线盒A的组件的实际工作温度要高于安装接线盒B的组件的 实际工作温度。因此，对于同等测试功率的组件，安装接线盒A的组件的 实际工作输出功率要低于安装接线盒B的组件的实际工作输出功率。
• 组件寿命的保证
对于正常生产过程生产的组件，我们最关心的质量问题是：是否可以保 证10年衰降10%以内，25年衰降20%以内。如果组件的工作温度过高， 必然影响到EVA的老化过程，加速EVA的老化。即使对于接线盒这样局 部的高温状态，EVA的局部快速老化，也将影响到EVA与玻璃之间的黏 结力。这个影响，对于组件25年的寿命保证是一个未知因素。 TPE结构的背板，是由氟塑料薄膜、PET薄膜、EVA三层材料复合形成的， 在抵抗紫外线辐射能力上存在弱点。在太阳电池组件中，TPE背板的迎光 面没有氟材料的保护。当阳光从组件的正面照射进入组件后，在电池片 的间隔处，大约80%的紫外线透过玻璃和EVA进入背板，直接照射到背板 的EVA和PET薄膜上。在长期的紫外线的照射下，PET会逐渐脆化龟裂。这 将严重地威胁到组件的使用寿命。
（3）
如果忽略二次反射，忽略各层介质对光的吸收，忽略玻璃的压花和太阳 电池绒面效果，太阳电池组件表面的总反射率可以表达为：
2 n n n 0 n1 1 2 1 R 0 1 1 n1 n 2 n 0 n1
图2. 串联电阻随组件功率的变化
0.7
0.66 0.68
串联电阻理论计算值的拟合曲线 串联电阻实际测量值的拟合曲线
0.6
0.62 0.64
1 182W 11
21 184W 31
41 186W 51
61 188W 71
• 接线盒的影响
不同形式的接线盒对太阳电池组件的可靠性和输出功率都产生重要的影响。 文献[3]专门讨论了不同接线盒对二极管工作温度的影响。实验表明，体积 小的接线盒对二极管的散热效果好，灌装有传导介质（硅胶）的接线盒 对二极管的散热效果好。 文献[3]分别分析了接线盒内部的热传递过程，指出：热对流仅仅发生在以 空气为介质的接线盒中，所散发的热量大约占二极管总散发热量的 5.6%--8.1%，对二极管温度的影响很小；热辐射所散发的热量大约占二 极管总散发热量的15%--20%；在接线盒内部，对二极管散热最重要的是 热传导。因此，热传导介质的导热特性对二极管散热的影响最大。而空 气属于不良的热传导介质。
2 2 2 n n n 2 2 n n n n n ' 0 1 5 1 1 2 1 2 4 3 R0 1 1 1 2 2 n n n 2 n n n2 n4 n3 0 1 5 1 2
参考文献（略）
• 感谢各位！
图4
接线盒烧毁的典型事例
完好的二极管
不同形式的接线盒对组件实际输出功率的影响主要表现在组件实际工作 温度的差别。使用两个185W的晶体硅太阳电池组件，如图5所示，在日光 下测量组件接线盒安装位置的温度。测试条件和结果见表2和表3。
61.3℃
58.4℃
50.1℃
49.8℃
58.8℃
59.1℃
50.4℃
2 2 2 n n n 1 2 4 3 2 n n n 4 3 2
（4）
Байду номын сангаас
如果玻璃表面镀膜，膜的折射率为n5，假设玻璃压花的减反射比为η 1， 太阳电池绒面的减反射比为η 2，则（4）式可以修改为：
50.1℃
图5
组件A（左）和组件B（右）接线盒安装位置实际工作温度测量
表2：实验条件/不同接线盒对组件实际工作温度的影响
接线盒形式 组件测试功率 光照时间 组件短路电流 换算阳光辐照度 风力
A 180.2W 10 min 0.86 A 165 W/m2 1级
B 179.8W
环境温度
37 ℃
组件前表面 接线盒安装 位置 各点温度 ℃
平均温度
55.8 56.8 57.6 57.6 56.4 56.4 56.8 59.4 59.8 61.8 55.4 56.6 59.6 59.2 53.6 52.8 56.6 56.4 56.1 56.7 57.07
49.8 49.6 49.8 49.8 49.6 49.8 49.8 49.6 47.8 48.4 48.1 48.8
图3
接线盒A（左）和接线盒B（右）的外形尺寸
文献[3]给出的实验结果证实了上述结论。在25℃恒温环境中，使用直流 恒流电源给接线盒中的二极管通5A电流，如图所示的接线盒A和接线盒B 之间的比较见表： 表1 5A电流5小时实验结果
编号
Tm（℃） Td（℃） Δ T=Td－Tm（℃） Tj（℃）
备注
na nb R 2 na nb
2
（1 ）
其中：na和nb分别是两个介质的折射率。已知空气的折射率n0 = 1，如果 组件玻璃的折射率n1 = 1.45，则在空气玻璃界面的反射率为3.4%。为了减 少这个折射，光伏玻璃表面往往制作成绒面，可以使反射降低到2%以下。 在晶体硅太阳电池表面，一般都镀有SiN减反射膜。为了使太阳电池表面 的反射率最小，SiN膜的几何厚度d一般满足：
• 讨论
实际生产结果表明，太阳电池组件的组合过程并不一定要造成功率损失， 在某些条件下可以获得增益。目前影响太阳电池组合效果的主要原因是 串联电阻损失，在156mm太阳电池上表现非常明显。对于一般的两条主 栅线的156mm太阳电池，组合后的正常损失大约是2%。如果将主栅线 的数量改变为3条，可以克服这个问题。 行业内对于接线盒的误解是十分深的，而实际的实验数据完全与感官上 的理解不同。另一个重要的问题是接线盒材料可能对环境的影响。实际 上，小型接线盒所使用的材料的数量远远少于大接线盒，更有利于环境 保护。 接线盒内二极管的损毁，已经不是一个简单的修理就能够解决的问题。 这涉及到产品的安全，可能引起火灾，并威胁到人身安全。而且发生此 类问题的组件必须为客户全部更换。