第三章晶体硅太阳能电池的基本原理
晶体硅太阳能电池结构及原理
晶体硅太阳能电池的性能特点
晶体硅太阳能电池具有高效率、可靠性和长寿命的特点。它们在各种气候条 件下都能发电，并且能够在户用、商用和工业领域广泛应用。
晶体硅太阳能电池的发展趋势
晶体硅太阳能电池的发展正朝着更高效、更薄、更柔性和更具可持续性的方向发展。新的技术和材料正在被研 发，以提高晶体硅太阳能电池的性能并降低成本。
晶体硅太阳能电池的工作原理
晶体硅太阳能电池通过光电效应将太阳光转化为电能。当光子击中电池的表 面时，它们会激发硅中的电子。这些激发的电子会被电场收集，并沿电池的 电路产生电流。
晶体硅太阳能电池制造过程
晶体硅太阳能电池的制造过程包括多个步骤，如硅晶片的生长、切割和抛光，抗反射涂层的涂覆，电极的薄膜 沉积和加工，以及最终的封装和测试。
晶体硅太阳能电池的市场前景
随着对可再生能源的需求不断增加，晶体硅太阳能电池在未来的市场前景非 常广阔。它们被广泛应用于建筑、交通、通信和电力原理
晶体硅太阳能电池是最常见和广泛应用的太阳能电池类型之一。本节将介绍 晶体硅太阳能电池的基本结构和工作原理，以及其在能源行业的重要性和应 用。
晶体硅太阳能电池的基本结构
晶体硅太阳能电池由多个层次的组件构成，包括抗反射涂层、正极电极、硅 基底、负极电极和保护层。每个组件在电池的工作中扮演着不同的角色，使 得太阳能电能可以高效地转化为电能。
晶硅太阳能电池工作原理
晶硅太阳能电池工作原理
晶硅太阳能电池是一种光电转换装置，利用太阳光的能量直接转化成电能。
具体的工作原理如下：
1. 光吸收：太阳光中的光子进入到晶硅电池中，经过材料的光吸收层，光子能量被吸收。
2. 光生电荷的产生：光子的能量激发了材料中的电子，使其从价带跃迁到导带，形成电荷对（一个正电子和一个负电子空穴）。
3. 电荷分离：电荷对在电场的作用下被分离，正电子向电池的正极移动，负电子向电池的负极移动。
4. 电流输出：正电子和负电子的运动形成了电流，可以通过导线连接器来输出电能供应给外部电路使用。
5. 光子再生：涉及到材料的光子能量的损失或再生，如透射、散射或再吸收过程。
需要注意的是，晶硅太阳能电池的工作原理基于半导体材料的特性，光吸收层一般由p-n结构的硅片构成。
此外，电池的电流输出和电压的大小与光照强度、温度、阴影等环境因素也有关联。
晶体硅太阳能电池工作原理
晶体硅太阳能电池工作原理引言随着环境保护意识的提高和清洁能源的需求增加，太阳能作为一种可再生能源受到广泛关注。
其中，晶体硅太阳能电池作为最常见的太阳能电池类型，被广泛应用于光伏发电领域。
本文将深入探讨晶体硅太阳能电池的工作原理。
二级标题：晶体硅太阳能电池结构晶体硅太阳能电池的结构主要包括P-N结、P型硅层、N型硅层、金属电极和淋银层等组成部分。
三级标题：P-N结P-N结是晶体硅太阳能电池的核心部分，由P型硅和N型硅构成。
P型硅中掺入三价杂质（如硼），形成空穴，而N型硅中掺入五价杂质（如磷），形成自由电子。
P-N结的形成使得P型硅和N型硅之间形成一种电势差。
三级标题：P型硅层和N型硅层P型硅层和N型硅层分别位于P-N结的两侧。
P型硅层中的空穴在P-N结中受到电势差的作用下向N型硅层扩散，而N型硅层中的自由电子则向P型硅层扩散，形成了电子和空穴的浓度梯度。
三级标题：金属电极和淋银层晶体硅太阳能电池中，金属电极位于晶体硅片的上下表面，用于引出电流。
淋银层则用于提高电流的传导效率，减小电阻损耗。
二级标题：晶体硅太阳能电池工作原理晶体硅太阳能电池的工作原理基于光电效应。
三级标题：光电效应光电效应是指当光照射到物质表面时，光子的能量被电子吸收而导致电子获得足够的能量跃迁到导带，从而产生电流。
这是晶体硅太阳能电池转换太阳能为电能的基本原理。
三级标题：光吸收晶体硅太阳能电池中的光吸收主要发生在P-N结附近的薄层区域。
当光线照射到晶体硅中时，光子能量被硅材料中的电子吸收，激发电子从价带跃迁到导带。
三级标题：电荷分离和漂移当光子激发的电子跃迁到导带后，形成了电子空穴对。
由于P-N结形成的电势差，电子和空穴被分离。
电子被N型硅层吸收，而空穴则被P型硅层吸收。
这导致在晶体硅中形成正负电荷分离的电场。
三级标题：电流产生由于电荷分离和漂移的过程，形成了P-N结两侧的正负电荷分布。
这导致了电子从晶体硅底部的金属电极流向顶部的金属电极，形成了电流。
晶体硅太阳能电池的基本原理
3.2.8 晶硅太阳电池的结构
由于半导体不是电的良导体，电子在通过p－n结后如果在半导体中 流动，电阻非常大，损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属， 阳光就不能通过，电流就不能产生，因此一般用金属网格覆盖p－n 结（如图栅状电极），以增加入射光的面积。
另外硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，不能被电池利用。 为此，科学家们给它涂上了一层反射系数非常小的保护膜，将反射 损失减小到5％甚至更小。一个电池所能提供的电流和电压毕竟有 限，于是人们又将很多电池（通常是36个）并联或串联起来使用， 形成太阳能光电板。
太阳能电池的转换：太阳电池接受的最大功率与入射到该电池 上的全部辐射功率的百分比。
η=Im U m/A tP in
Um、Im分别为最大功率点的电压 At为包括栅线面积在内的太阳电池总面积 Pin为单位面积入射光的功率。
在太阳能电池中，受温度影响最大的参数是开路电压。温度的改 变对伏安曲线的影响如下图所示。
+4
+4
+4
硅是四价元素，每个原子的
最外层上有4个电子。
这4个电子又被称为价电子
硅晶体中，每个原子有4个
+4
+4
+4
相邻原子，并和每一个相邻
原子共有2个价电子，形成
稳定的8原子壳层。
+4
+4
+4
当温度升高或受到光的 照射时，束缚电子能量 升高，有的电子可以挣 脱原子核的束缚，而参 与导电，称为自由电子。
3. 复合寿命
希望载流子的复合寿命越长越好，这主要是因为这样做ISC大。 少子长寿命也会减小暗电流并增大VOC。在间接带隙半导体材 料如Si中，离结100µm处也产生相当多的载流子，所以希望它 们的寿命能大于1µs。在直接带隙材料，如GaAs或Gu2S中，只 要10ns的复合寿命就已足够长了。 达到长寿命的关键是在材料制备和电池的生产过程中，要避 免形成复合中心。在加工过程中，适当而且经常进行工艺处 理，可以使复合中心移走，因而延长寿命。
晶硅单结电池-概述说明以及解释
晶硅单结电池-概述说明以及解释1.引言1.1 概述晶硅单结电池是一种基于晶体硅材料制造的太阳能电池，它利用光的能量转化为电能。
晶硅单结电池具有高效转化太阳能的特点，被广泛应用于太阳能发电系统中。
晶硅单结电池的工作原理基于光电效应。
当光线照射到晶硅单结电池的表面时，光子会激发晶体硅中的电子。
这些被激发的电子会从材料中释放出来，并在电场的作用下形成电流。
通过将两个不同掺杂的硅层连接在一起，形成一个p-n结。
当光子通过p-n结时，会产生电子和空穴对，并形成电流。
这样，晶硅单结电池就能将太阳能转化为电能。
制备晶硅单结电池的方法具有一定的复杂性。
首先，需要选择高质量的硅材料作为基底。
然后，通过在硅基底上加热和涂覆一层掺杂层，形成p-n结。
接下来，使用电子束蒸发或物理气相沉积等技术，在硅基底上镀上金属电极，以提供电流的输出通路。
最后，通过对制备好的晶硅单结电池进行分选和封装，保证其性能和稳定性。
晶硅单结电池在太阳能领域具有广泛的应用前景。
它可以作为光伏组件，广泛应用于屋顶太阳能发电系统、太阳能道路照明系统、太阳能灯饰等领域。
由于其高效能转换和长时间稳定工作的特点，晶硅单结电池也被用于航天器、卫星等领域的能源供应。
对于晶硅单结电池的展望，人们正在不断研究改进其制备工艺和提高其转换效率。
还有一些新型太阳能电池技术的出现，如多晶硅电池、钙钛矿太阳能电池等，对晶硅单结电池提出了一些竞争。
然而，晶硅单结电池作为已经商业化和应用广泛的太阳能电池技术，预计仍将持续发展和完善，为人类的清洁能源需求做出更大贡献。
1.2文章结构文章结构部分的内容可以包括以下内容：2. 文章结构本文共分为三个部分，即引言、正文和结论。
2.1 引言部分介绍了本文要讨论的主题——晶硅单结电池，并包含了概述、文章结构和目的三个小节。
2.2 正文部分着重介绍了晶硅单结电池的原理和制备方法，通过对其原理进行深入剖析和对制备方法进行介绍，使读者对晶硅单结电池有一个全面的了解。
晶体硅太阳能电池的工作原理的其他解释
晶体硅太阳能电池的工作原理的其他解释晶体硅太阳能电池是一种常见且广泛使用的光伏设备，其工作原理基于光电效应和半导体物理原理。
通过深入探讨晶体硅太阳能电池的工作原理，我们可以更好地理解它在转换太阳能为电能的过程中的关键步骤和原理。
1. 光电效应：晶体硅太阳能电池的工作原理首先涉及光电效应。
光电效应是指当光子碰撞到某些材料表面时，能量可被传递给材料中的电子，使其脱离原子成为自由电子。
在晶体硅太阳能电池中，硅材料中的原子可以通过光电效应释放出电子。
2. pn结构：为了实现有效的电子抽取和流动，晶体硅太阳能电池采用了pn结构。
pn结构是指半导体材料中有两个区域：n区和p区，它们具有不同的电子导电性质。
在晶体硅太阳能电池中，n区被掺杂有杂质，使其具有过剩的电子，而p区被掺杂有杂质，使其具有过剩的空穴（电荷缺失）。
这种构造使得在pn结的界面上形成电场。
3. 光生电荷的产生：当太阳光照射到晶体硅太阳能电池的表面时，光子会与电池材料相互作用，并传递能量给材料中的电子。
这些能量足以克服能带间隙，使得电子从价带跃迁到导带中。
在导带中，电子和空穴被激发，形成了光生电荷对。
4. 电荷分离和漂移：光生电荷对的形成标志着工作原理中的一个关键步骤。
由于pn结的电场，电子和空穴将被分离到n区和p区。
电子和空穴在各自的区域中受到电场力的作用，向相对高浓度的杂质区域漂移。
这个电荷分离和漂移的过程是为了有效地分离正负电荷并产生电流。
5. 电流输出：经过电荷分离和漂移过程后，电子和空穴将一直向pn结的不同侧面漂移，最终汇集在电池的正负极上。
这样，产生了一个电流，可以通过连接电池的电路来提供电能。
对于晶体硅太阳能电池的工作原理，我认为有几个观点和理解值得关注：光电效应是实现太阳能转化的核心过程，它使得光子的能量可以转化为电子的能量。
深入理解光电效应有助于我们明白为什么只有特定波长的太阳光才能被晶体硅太阳能电池吸收，并促使我们思考如何利用更广泛的光谱范围来提高电池的效率。
晶体硅太阳能电池结构及原理
晶体硅太阳能电池结构及原理1.衬底层：通常采用硅衬底，它是一个薄而坚固的基底，用于支撑整个电池。
2.P-N结：位于衬底层上方的是一个P-N结，它由P型硅层和N型硅层组成。
P型硅层向上注入杂质，使之成为P型半导体，N型硅层向下注入杂质，使之成为N型半导体。
P-N结的形成是通过在硅层中引入不同杂质原子，使得两侧形成不同的杂质浓度，从而形成P-N结。
3.金属网格：位于P型硅层和N型硅层之间的金属网格，通常采用铝作为材料。
金属网格的作用是收集通过P-N结产生的电子和空穴。
4.导电层：覆盖在金属网格上方的是导电层，它通常由透明的氧化锡或氧化铟锡薄膜组成，用于将电流导出。
5.防反射层：位于导电层上方的是防反射层，它通常由二氧化硅薄膜或其他适当的材料制成，用于提高光的吸收效率。
1.吸收光能：当光线照射到晶体硅太阳能电池上时，大部分光线将被引导进入P-N结内部，与P型硅层和N型硅层的杂质原子相互作用。
光能会使杂质原子中的电子被激发，跃迁到更高的能级上，形成自由电子和自由空穴。
2.分离电荷：自由电子和自由空穴会在P-N结内部被分离出来。
由于P型硅层中的杂质原子的排列方式，自由电子将被吸引到N型硅层，并向金属网格中流动，而自由空穴则被吸引到P型硅层，并向另一面流动。
3.电流输出：自由电子和自由空穴的运动形成了电流，这个电流可以通过金属网格和导电层导出。
通过在金属网格和导电层上连接线路，可以将电流输出到外部设备或储存电池中。
总之，晶体硅太阳能电池利用光的能量将其转化为电能。
通过P-N结的形成和光的吸收、电子和空穴的分离，最终形成电流输出。
这种电池结构简单、稳定，且具有较高的转化效率，因此被广泛应用于太阳能发电系统中。
晶体硅太阳能电池资料
晶体硅太阳能电池专业班级：机械设计制造及其自动化13秋*名：***学号： *************报告时间： 2015年12月晶体硅太阳能电池摘要：人类面临着有限常规能源和环境破坏严重的双重压力，能源己经成为越来越值得关注的社会与环境问题。
人们开始急切地寻找其他的能源物质，而光能、风能、海洋能以及生物质能这些可再生能源无疑越来越受到人们的关注。
光伏技术也便随之形成并快速地发展了起来，因此近年来，光伏市场也得到了快速发展并取得可喜的成就。
本文主要就晶体硅太阳能电池发电原理及关键材料进行介绍，并对晶体硅太阳能电池及其关键材料的市场发展方向进行了展望。
关键词：太阳能电池；工作原理；晶体硅；特点；发展趋势前言“开发太阳能，造福全人类”人类这一美好的愿景随着硅材料技术、半导体工业装备制造技术以及光伏电池关键制造工艺技术的不断获得突破而离我们的现实生活越来越近！近20年来，光伏科学家与光伏电池制造工艺技术人员的研究成果已经使太阳能光伏发电成本从最初的几美元/KWh减少到低于20美分/KWh。
而这一趋势通过研发更新的工艺技术、开发更先进的配套装备、更廉价的光伏电子材料以及新型高效太阳能电池结构，太阳能光伏（PV）发电成本将会进一步降低，到本世纪中叶将降至4美分/KWh，优于传统的发电费用。
大面积、薄片化、高效率以及高自动化集约生产将是光伏硅电池工业的发展趋势。
通过降低峰瓦电池的硅材料成本，通过提升光电转换效率与延长其使用寿命来降低单位电池的发电成本，通过集约化生产节约人力资源降低单位电池制造成本，通过合理的机制建立优秀的技术团队、避免人才的不合理流动、充分保证技术上的持续创新是未来光伏企业发展的核心竞争力所在！一、晶体硅太阳能电池工作原理太阳能电池是一种把光能转换成电能的能量转换器，太阳能电池工作原理的基础是半导体PN结的光生伏特效应。
在纯净的硅晶体中，自由电子和空穴的数目相等。
如果在硅晶体中掺入能够俘获电子的硼、铝、镓或铟等杂质元素，就构成了P型半导体，如果在硅晶体中掺入能够释放电子的磷、砷或锑等杂质元素，就构成了N型半导体。
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在 AM1.5 大气质量光谱下的硅太阳能电池，其可能的最大电 流为 46mA/cm2 。实验室测得的数据已经达到 42mA/cm2 ，而商 业用太阳能电池的短路电流在28到35mA/cm2之间。
confidential
开路电压 VOC是太阳能电池能输出的最大电压，此时输出电流 为零。开路电压的大小相当于光生电流在电池两边加的正向偏 压。开路电压如下图伏安曲线所示。
confidential
ΔE n=3 n=2
禁带
N条能级 原子能级 能带
confidential
满带：排满电子的能带 空带：未排电子的能带 未满带：排了电子但未排满的能带 禁带：不能排电子的区域 [1]满带不导电 [2]未满能带才有导电性 导带：最高的满带 价带：最低的空带 电子可以从价带激发到导带，价带中产生空穴，导带中出现电子， 空穴和电子都参与导电成为载流子
confidential
填充因子被定义为电池的最大输出功率与开路 VOC和ISC的乘积的 比值。 短路电流和开路电压分别是太阳能电池能输出的最大电流和最大 电压。然而，当电池输出状态在这两点时，电池的输出功率都为 零。“填充因子”，通常使用它的简写“ FF”，是由开路电压
VOC和短路电流ISC共同决定的参数，它决定了太阳能电池的输出
confidential
导体，在外电场的作用下，大量共有化电子很易获得能量，集体 定向流动形成电流。 绝缘体：在外电场的作用下，共有化电子很难接受外电场的能量 ，所以形不成电流。从能级图上来看，是因为满带与空带之间有 一个较宽的禁带（Eg 约3～6 eV），共有化电子很难从低能级（ 满带）跃迁到高能级（空带）上去。 半导体：的能带结构,满带与空带之间也是禁带， 但是禁带很窄 （Eg 约3 eV以下 )。
+4
+4
+4
空穴
+4
+4
B
负离子
confidential
3.2.5
PN结
半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。
载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动. 在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差， 载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种 运动称为扩散运动。
将一块半导体的一侧掺杂成 P 型半导体，另一侧掺杂成 N
太阳能电池的伏安曲线
M
Im
电池产生 的电能
0
confidential
vm
最大功率点
Pm = IUm = Pmax
M点为改太阳电池的最佳工作点
太阳能电池的伏安曲线
M
Im
电池产生 的电能
0
confidential
vm
短路电流是指当穿过电池的电压为零时流过电池的电流（或者 说电池被短路时的电流）。通常记作ISC。 短路电流源于光生载流子的产生和收集。对于电阻阻抗最小的 理想太阳能电池来说，短路电流就等于光生电流。因此短路电 流是电池能输出的最大电流。
合金：GaxAl1-xAs(x为0-1之间的任意数)
有机半导体 confidential
+4
硅是四价元素，每个原子的 最外层上有4个电子。 这4个电子又被称为价电子 硅晶体中，每个原子有4个 相邻原子，并和每一个相邻 原子共有2个价电子，形成 稳定的8原子壳层。
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
confidential
3.3.1
confidential
3.3.2
太阳电池等效电路
晶体硅太阳电池的等效电路
Rse表示来自电极接触、基体材料等欧姆损耗的串联电阻 Rsh表示来自泄漏电流的旁路电阻 RL表示负载电阻 ID表示二极管电流 confidential IL表示光生电流
根据等效电路
V + IRse IL = I + ID + Rsh
+4
+4
+4
电子是多数载流子，简 称多子; 空穴是少数载流子，简 称少子。 施主杂质 半导体整体呈电中性
多出一 个电子
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出现了一个 正离子
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confidential
P
掺入少量三价杂质元素硼
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+4
+4
空穴是多数载流子， 简称多子; 电子是少数载流子， 简称少子。 受主杂质 半导体整体呈电中性
第三章
晶体硅太阳能电池的基本原理
3.1 太阳电池的分类
按基体材料分 单晶硅太阳电池 多晶硅太阳电池 1. 硅太阳电池 非晶硅太阳电池 微晶硅太阳电池 砷化镓太阳能电池 2. 化合物太阳电池 碲化镉太阳能电池 铜铟镓硒太阳能电池
confidential
3.2 太阳电池的分类工作原理
3.2.1 半导体 太阳电池基本构造：半导体的PN结 导体：铜（106/(Ω· cm)） 绝缘体: 石英（SiO2(10-16/(Ω· cm))） 半导体: 10-4——104/(Ω· cm) 元素：硅（SiO2）、锗（Ge）、硒（Se）等 化合物：硫化镉（CdS）、砷化镓（GaAs）等 半导体
confidential
3.2.7
太阳电池的基本工作原理
光电转换的物理过程： （1）光子被吸收，使PN结的P侧和N侧两边产生电子-空穴对 （2）在离开PN结一个扩散长度以内产生的电子和空穴通过扩散到达空 间电荷区 （ 3 ）电子 - 空穴对被电场分离， P 侧的电子从高电位滑落至 N 侧，空穴 沿着相反的方向移动 （4）若PN结开路，则在结两边积累的电子和空穴产生开路电压
qV nkT I D = I0 e - 1
将p-n结二极管电流方程
+ IRse ) q(VnkT V + IRse - 1 代入上式的输出电流 I = I L - I0 e Rsh
式中q 为电子电量， k 为波尔兹曼常数，T 为绝对温度， n为二极管质量因子。
confidential
17
②
内电场EIN阻止多子扩散，促使少子漂移
空间电荷区变窄 内电场EIN削弱 空间电荷区加宽内 电场EIN增强 阻止 促使
多子扩散
少子漂移
扩散与漂移达到动态平衡形成一定宽度的PN结
EIN
EIN
confidential
3.2.6
光生伏特效应
当光照射p-n结，只要入射光子能量大于材料禁带宽度，就会在结区激 发电子-空穴对。这些非平衡载流子在内建电场的作用下，空穴顺着电 场运动，电子逆着电场运动，最后在 n 区边界积累光生电子，在 p 区边 界积累光生空穴，产生一个与内建电场方向相反的光生电场，即在p区 和 n 区之间产生了光生电压 UOC ，这就是 p-n 结的光生伏特效应。只要光 照不停止，这个光生电压将永远存在。
开路电压是太阳能电池的 最大电压，即净电流为零 时的电压。
confidential
通过把输出电流设置成零，便可得到太阳能电池的开路电压方程：
VOC
nkT I L ln 1 q I0
上述方程显示了 VOC 取决于太阳能电池的饱和电流和光生电流。 由于短路电流的变化很小，而饱和电流的大小可以改变几个数 量级，所以主要影响是饱和电流。饱和电流 I0 主要取决于电池 的复合效应。即可以通过测量开路电压来算出电池的复合效应。 实验室测得的硅太阳能电池在 AM1.5光谱下的最大开路电压能 达到720mV，而商业用太阳能电池通常为600mV。
confidential
3.3.4
影响太阳电池转换效率的因素
1. 禁带宽度 VOC随Eg的增大而增大，但另一方面，ISC随Eg的增大而减小。结果 是可期望在某一个确定的Eg随处出现太阳电池效率的峰值。
2. 温度
随温度的增加，效率 η 下降。 ISC 对温度 T 不很敏感，温度主要对 VOC起作用。 对于Si，温度每增加10C，VOC下降室温值的0.4%，也因而降低约同 样的百分数。例如，一个硅电池在 200C时的效率为20%，当温度升 到 1200C 时，效率仅为 12 ％。又如 GaAs 电池，温度每升高 10C ， VOC 降低1.7mv 或降低0.2%。
confidential
导带 导带 Eg 价带 部分 填充 能带 价带 最高的满带 最低的空带
满带
导体
半导体
confidential
绝缘体
3.2.3
1
杂质半导体
本征半导体
无杂质，无缺陷的半导体 本证载流子：电子、空穴均参与导电
本征半导体中正负载流子数目相等，数目很少
2 掺杂半导体
在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元素后所形成 的半导体
confidential
3.2.8
晶硅太阳电池的结构
confidential
confidential
由于半导体不是电的良导体，电子在通过p－n结后如果在半导体中
流动，电阻非常大，损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属， 阳光就不能通过，电流就不能产生，因此一般用金属网格覆盖p－n 结（如图栅状电极），以增加入射光的面积。 另外硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，不能被电池利用。
confidential
N型半导体 根据掺杂的不同，杂质半导体分为 P型半导体
N型半导体：掺入五价杂质元素（如磷、砷）的杂质半导体
P型半导体：在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼等。
confidential
ED 空带
空带
施主能级
Eg
受主能级
Eg
满带
满带
Ea
confidential