第2章 基本放大电路题解
基本放大电路习题(含问题详解)
得电路的电压增益AV为_____。 A. -85.7 B. 78 C. 80 D. 60
则 和RW之和Rb＝≈kΩ;
而若测UCEQ＝6V, 则Rc＝≈kΩ。
（2）若测得输入电压有效值 =5mV时，输出电压有
效值 ＝0.6V， 则电压放大倍数 ＝≈。 图4.3
若负载电阻RL值与RC相等，则带上负载后输出电压有效值 ＝＝V。
4、已知图4.3所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载
10 根据放大电路的组成原则，在下图5所示各电路中只有图_________具备放大条件。
A. a) B. b) C. c) D. d)
图5
11在下图6所示的各放大电路中，能实现正常放大的电路是_________。
图6
12在如图7所示射级偏置电路中，若上偏流电阻Rb1短路，则该电路中的三极管处于______。
用小信号模型可计算Ri为_________。A. 0.852kΩ B. 0.6kΩ C. 10kΩ D. 2.5kΩ
用小信号模型可计算Ro为_________。A. 2kΩ B. 1kΩ C. 1.5kΩ D. 2.5kΩ
19图14所示由PNP型锗三极管组成的共射放大电路的β=150，VCES=0.2V,用H参数小信号模型可求得电压放大倍数为________。 A. -158 B. 78 C. -180 D. 120
A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共极输入特性 D.共基极输出特性
基本放大电路
B .共漏组态）A u比较大，_A uB .共漏组态）定小于1的是_____ ，输B.共漏组态）A大应选用______ ，希望带负载能力强应选用,希望输出电压与输入电压同相应选用题目部分：一、选择题（15小题）（02分）1.从括号内选择正确答案，用A、B、C…填空。
在某双极型晶体管放大电路中，测得U BE（680 20sin t）mV ,i B （50 20sin t）^A,则该放大电路中晶体管的「be ________ （A. 13.6 K Q , B. 34K Q, C. 0.4 K Q D . 1 K Q, E. 10K Q K Q）,该晶体管是_____ 。
（F.硅管，G.锗管）。
（02分）2•从括号内选择正确答案，用A、B、C…填空。
在某双极型晶体管放大电路中，测得U BE（280 20sin t）mV ,i B （40 20sin t）^A,则该放大电路中晶体管的「be __________________ （A. 7 K Q, B . 5 K Q, C . 1 K Q, D . 0.5 K Q E. 14 K Q）,该晶体管是_________ 。
（F.硅管，G .锗管）。
（03分）3•判断下列计算图示电路的输出电阻R o的公式哪个是正确的。
A. R o R eB. R o R e // R L「be r be R bC. R0艮〃 JD. R0 R e // -be b1 1E . R g R e //rbe// Rb1（03分）4.选择正确答案用A、B、C填空。
（A.共射组态， B .共集组态，C .共基组态）在共射、共集、共基三种组态的放大电路中_的电压放大倍数代一定小于1,—的电流放大倍数A一定小于1, ________ 的输出电压与输入电压反相。
（02分）5.选择正确答案，用A、B填空。
（A.共源组态，在共源组态和共漏组态两种放大电路中， ________ 的电压放大倍数输出电阻比较小。
第2章 基本放大电路(1)2.1放大的概念和放大电路的主要性能指标2.2基本放大电路的工作原理
18 33 25 2 - 1 - 35
2.2.4 放大电路的组成原则（P82~P83) 放大电路的组成原则（
一、放大电路的组成原则
1. 晶体管必须偏置在放大区： 晶体管必须偏置在放大区： ——发射结正偏，集电结反偏。 发射结正偏，集电结反偏。 发射结正偏 2. 正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。 正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。 3. 输入信号能通过输入回路作用于放大管。 输入信号能通过输入回路作用于放大管。 4. 输出回路将变化的电流作用于负载。 输出回路将变化的电流作用于负载。
IC IE
（ 略 小 IB） 忽 微 量
**3、输出特性三个区域的特点 、输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=βIB , 且 ∆IC = β ∆ IB
c b N P N e
UC>UB >UE
c b P N P e
UC<UB <UE
V BB − U BEQ + u i iB = Rb
= I BQ
= I BQ
ui + Rb + ib
2 - 1 - 30
iC = β i B
= β ( I BQ + i b ) = I CQ + i c
2 - 1 - 31
u CE = V CC − i C R c
= V CC − ( I CQ + i c ) R c
Ri越大，Ii 就越小，ui就越接近 S 越大， 就越小， 就越接近u
2 - 1 - 12
RO
表征放大电路带负载能力的。 表征放大电路带负载能力的 三、输出电阻 ------表征放大电路带负载能力的。 断开负载后， 断开负载后，向放大电路输出端看进去的等效内 定义为输出电压有效值与输出电流有效值之比 输出电压有效值与输出电流有效值之比。 阻，定义为输出电压有效值与输出电流有效值之比。
02章放大电路基础习题
2-19 直接耦合放大电路能放大（ B ）信号；阻容耦合放大电 路能放大（ C ）信号。
A）直流
B）交，直流
C）交流
2-20 直接耦合与阻容耦合的多级放大电路之间的主要不同点是 （ A）
A）放大的信号不同 B）直流通路不同 C）交流通路不同
2-21 放大变化缓慢的信号应采用（ A ）放大器。
A）直接耦合 B）阻容耦合 C）变压器耦合
A） K1减小， K2不变 C） K1， K2都不变
B） K1不变， K2增大 D） K1， K2都增大
2-18 某共发射极放大器直流负载线和交流负载线的斜率分别 为K1和K2（K1≠K2）如果负载电阻RL增大，则（ B）
A） K1减小， K2不变 C） K1， K2都不变
B） K1不变， K2减小 D） K1， K2都减小
Rb
Rc
图
2-7
c1 +
+ c2
v
Ui
RL
U0
图c是饱和失真。饱和失真是静态工作点位 置偏上造成的。解决办法是增大Rb，使Ib减
ui
小，从而使静态工作点向下移动。
a)
uce1
uce2
o
t
o
to
t
(b)
(c)
例2-5
如图所示的分压式偏置放大电路中， 已Ucc=24V,Rc=3.3kΩ，
Re=1.5kΩ,Rb1=33kΩ,Rb2=10kΩ,RL=5.1kΩ晶体管β=66设Rs=0.
A）确保电路工作在放大区
B）提高电压放大倍数
C）稳定静态工作点
D）提高输入电阻
+UCC
RB RC
C2
C1
+
第二章基本放大电路例题分析
U CEQ I BQ R b1 R b2） U BEQ （ 12 （1 50） 5 . 1 I BQ U CEQ U CEQ （150 150 ） I BQ 0 . 7
解得： IBQ= 0.02 mA UCEQ= 6.7 V
I CQ I BQ 50 0 . 02 1 mA
2 . 79 0 . 6 0 .2 1 .3 1 . 46 mA
=12－(1.5+3.3) 1.46 =5V
I BQ I CQ
1 . 46 50
0 . 029 mA
19
2、求Au、Aus、ri、ro
画出小信号等效电路
rbe 200 （1 ）
200 51 26 1 . 46
Uo R c // R L I b R c // R L Au Ui rbe rbe I b 26 26 rbe 200 1 ） （ rbe 200 1 50 ） （ 1000 Ω IE 1 .5
A u 50 6 // 3 1 100
18
例5
已知β=50
1、求Q。 2、求Au、Aus、ri、ro
解： 1、求Q
U BQ
R b2 R b1 R b2
10 33 10
V CC
12 2 . 79 V
U CEQ V CC R e1 R e2 R c） I EQ （
I EQ
U BQ U BEQ Re
Uo （ R C // R L） Au Ui rbe （1 ） R e1
26 I EQ
1108
模电第四版习题解答
模电第四版习题解答 YUKI was compiled on the morning of December 16, 2020模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
2、基本放大电路
15
2.2.1 放大电路的组成
(1) 直流通路 直流通路：是指静态（ui=0）时，电路 中只有直流量流过的通路。 画直流通路有两个要点： ①电容视为开路 ②电感视为短路 估算电路的静态工作点Q时必须依据直 流通路。
16
2.2.1 放大电路的组成
共射电路直流通路
17
2.2.1 放大电路的组成
45
2.2.3 分压式共发射极放大电路
2、分压式共发射极放大电路分析
B点的电流方程为：
I1 = I 2 + I B
46
为了稳定Q点，通常选择合适的电阻Rb1、Rb2，使 I1>>IB，I1≈I2。
2.2.3 分压式共发射极放大电路
B点的电位
UB ≈
Rb2 VCC Rb1 + Rb2
基极电位UB仅由Rb1、Rb2和VCC决定，与环境温度无关，即当温 度升高时，UB基本不变。
41
2.2.2 放大电路的分析方法
②输入电阻Ri ③输出电阻Ro
将信号源短路，负载开路，在输出端加入测试电压u，产生电流 i，由于ib =0， ibβ =0，u=iRc，则输出电阻
ui ii ( Rb // rbe ) Ri = = = Rb // rbe ii ii
u Ro = = Rc i
42
27
2.2.2 放大电路的分析方法
交流负载线如下图所示
28
2.2.2 放大电路的分析方法
总结： 交流负载线与直流负载线相交于Q点 当负载开路时，交流负载线与直流负载线 重合。 带负载后的电压放大倍数会减小
29
2.2.2 放大电路的分析方法
(3) 静态工作点的选择 三极管是一个非线性器件，有截止区、放 大区、饱和区三个工作区，如果信号在放 大的过程中，放大器的工作范围超出了特 性曲线的线性放大区域，进入了截止区或 饱和区，集电极电流ic与基极电流ib 不再成 线性比例的关系，则会导致输出信号出现 非线性失真。 非线性失真有两类：截止失真和饱和失真
第2章 基本放大电路题解
2.3 画出图P2.3所示各电路的直流通路和交流通路。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
图P2.3解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。
图P2.3所示各电路的交流通路如解图P2.3所示；解图P2.32.4 电路如图P2.4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时U B E Q ＝0.7V。
利用图解法分别求出R L＝∞和R L＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压U o m（有效值）。
图P2.4解：空载时：I B Q＝20μA，I C Q＝2mA，U C E Q＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。
带载时：I B Q＝20μA，I C Q＝2mA，U C E Q＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。
如解图P2.4所示。
解图P2.42.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的β＝80，r b e ＝1k Ω，iU ＝20mV ；静态时U B E Q ＝0.7V ，U C E Q ＝4V ，I B Q ＝20μA 。
判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
图P 2.5（1）200102043-=⨯-=-uA （ ） （2）71.57.04-≈-=uA （ ） （3）4001580-=⨯-=u A （ ） （4）20015.280-=⨯-=uA （ ） （5）Ω=Ω=k 1k )2020(i R （ ） （6） Ω=Ω=k 35k )02.07.0(i R （ ）（7）Ω≈k 3i R （ ） （8）Ω≈k 1i R （ ）（9）Ω≈k 5o R （ ） （10）Ω≈k 5.2o R （ ）（11）s U ≈20mV ( ) （12）sU ≈60mV ( )解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√2.6 电路如图P2.6所示，已知晶体管β＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V C C ＝12V ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.5V 。
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2.3 画出图P2.3所示各电路的直流通路和交流通路。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
图P2.3解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。
图P2.3所示各电路的交流通路如解图P2.3所示；解图P2.32.4 电路如图P2.4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时U B E Q ＝0.7V。
利用图解法分别求出R L＝∞和R L＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压U o m（有效值）。
图P2.4解：空载时：I B Q＝20μA，I C Q＝2mA，U C E Q＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。
带载时：I B Q＝20μA，I C Q＝2mA，U C E Q＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。
如解图P2.4所示。
解图P2.42.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的β＝80，r b e ＝1k Ω，iU ＝20mV ；静态时U B E Q ＝0.7V ，U C E Q ＝4V ，I B Q ＝20μA 。
判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
图P 2.5（1）200102043-=⨯-=-uA （ ） （2）71.57.04-≈-=uA （ ） （3）4001580-=⨯-=u A （ ） （4）20015.280-=⨯-=uA （ ） （5）Ω=Ω=k 1k )2020(i R （ ） （6） Ω=Ω=k 35k )02.07.0(i R （ ） （7）Ω≈k 3i R （ ） （8）Ω≈k 1i R （ ）（9）Ω≈k 5o R （ ） （10）Ω≈k 5.2o R （ ）（11）s U ≈20mV ( ) （12）sU ≈60mV ( )解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√2.6 电路如图P2.6所示，已知晶体管β＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V C C ＝12V ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.5V 。
（1）正常情况 （2）R b 1短路 （3）R b 1开路（4）R b 2开路 （5）R C 短路图P 2.6解：设U B E ＝0.7V 。
则 （1） 基极静态电流V4.6mA 022.0c C CC C b1BEb2BE CC B ≈-=≈--=R I V U R U R U V I（2）由于U B E ＝0V ，T 截止，U C ＝12V 。
（3）临界饱和基极电流 mA 045.0 cCESCC BS ≈-=R U V I β实际基极电流 mA 22.0 b2BECC B ≈-=R U V I由于I B ＞I B S ，故T 饱和，U C ＝U C E S ＝0.5V 。
（4）T 截止，U C ＝12V 。
（5）由于集电极直接接直流电源，U C ＝V C C ＝12V2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β＝80，'bb r =100Ω。
分别计算R L ＝∞和R L ＝3k Ω时的Q 点、uA 、R i 和R o 。
图P 2.7解 2.7 在空载和带负载情况下，电路的静态电流、r b e 均相等，它们分别为Ω≈++=≈=≈--=k 3.1mV26)1(mA76.1 Aμ 22EQbb'be BQ CQ BEQ bBEQCC BQ I r r I I RU R U V I ββ空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为Ω==-≈⋅+≈Ω≈≈=-≈-=≈-=k 593k 3.1308V 2.6 c o bes bebebe b i becc CQ CC CEQ R R A r R r A r r R R r R A R I V U uusu∥β R L ＝5k Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为47115V3.2)(bes bebe'LL c CQ Lc LCEQ -≈⋅+≈-≈-=≈-+=uusuA r R r A r R A R R I R R R U β∥Ω==Ω≈≈=k 5k 3.1c o be be b i R R r r R R ∥2.8 在图P2.7所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图P2.8（a ）、（b ）、（c ）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
图P 2.8解：（a ）饱和失真，增大R b ，减小R c 。
（b ）截止失真，减小R b 。
（c ）同时出现饱和失真和截止失真，应增大V C C 。
2.9 若由PNP 型管组成的共射电路中，输出电压波形如图P2.8（a ）、（b ）、（c ）所示，则分别产生了什么失真？解：（a ）截止失真；（b ）饱和失真；（c ）同时出现饱和失真和截止失真。
2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的β ＝100，r b e =1k Ω。
（1）现已测得静态管压降U C E Q ＝6V ，估算R b 约为多少千欧；（2）若测得i U 和oU 的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少千欧？图P 2.10解：（1）求解R bΩ≈-====-=k 565μA20mA2BQBEQCC b CQBQ c CEQCC CQ I U V R I I R U V I β（2）求解R L ：Ω==+Ω=-=-=-=k 5.1 111k 1 100L Lc 'L be'L i o R R R R r R A U U A u u β2.11 在图P2.10所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。
试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。
故 V 82.32CESCEQ om ≈-=U U UΩ=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。
故V 12.22'LCQ om ≈=R I U2.12在图P2.10所示电路中，设某一参数变化时其余参数不变，在表中填入①增大②减小或③基本不变。
解：答案如解表P2.12所示。
解表P2.12所示r=100Ω。
2.13电路如图P2.13所示，晶体管的 ＝100，'bbA 、R i和R o；（1）求电路的Q点、u（2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？图P 2.13解：（1）静态分析：V7.5)( A μ 101mA1V 2e f c EQ CEQEQBQ e f BEQBQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β动态分析：Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥（2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A 减小，ef 'L R R R A u+-≈ ≈－1.92。
2.14 试求出图P2.3（a ）所示电路Q 点、uA 、R i 和R o 的表达式。
解：Q 点为cBQ CC CEQ BQ CQ c21BEQ CC BQ )1()1(R I V U I I R R R U V I βββ+-==+++-=uA 、R i 和R o 的表达式分别为 32o 1be i be32 , , R R R R r R r R R A u ∥∥∥==-=β2.15 试求出图P2.3（b ）所示电路Q 点、uA 、R i 和R o 的表达式。
设静态时R 2中的电流远大于T 的基极电流。
解: Q 点：BEQc CQ CC CEQ BQ CQ 132BEQ CC 322BQ])1([)(U R I V U I I R R R U V R R R I +-==-+=ββ＋＋∥uA 、R i 和R o 的表达式分别为 4o be1i be4 1 R R r R R r R A u=+==ββ∥2.16 试求出图P2.3（c ）所示电路Q 点、uA 、R i 和R o 的表达式。
设静态时R 2中的电流远大于T 2管的基极电流且R 3中的电流远大于T 1管的基极电流。
解：两只晶体管的静态电流、管压降分析如下：BEQ2BQ2CQ2CEQ2BEQ2BQ2CEQ1BEQ1BEQ1CC 212BQ24CQ2CC CQ2BQ1CQ1CQ23BEQ121BEQ1CC BQ1)(U U U U U U U U U V R R R U R I V U I I I R U R R U V I +==+-+≈-==≈-+-≈－－βuA 、R i 和R o 的表达式分析如下： 4o be132i 21be2422be12be2111R R r R R R A A A r R A r r A u u u u u ====+⋅-=∥∥ βββ2.17 设图P2.17所示电路所加输入电压为正弦波。
试问：图P 2.17（1）1u A =o1U /i U ≈? 2u A =o2U /i U ≈? （2）画出输入电压和输出电压u i 、u o 1、u o 2 的波形； 解：（1）因为通常β＞＞1，所以电压放大倍数分别应为1)1()1(1)1( ee 2ec e be c 1+≈+++=-=≈++-=R r R A R RR r R A be u u ββββ －（2）两个电压放大倍数说明u o1≈－u i，u o2≈u i。
波形如解图P1.17所示。
解图P1.172.18 电路如图P2.18所示，晶体管的 ＝80，r b e=1kΩ。
（1）求出Q点；A 和R i；（2）分别求出R L＝∞和R L＝3kΩ时电路的u（3）求出R o 。
图P 2.18解：（1）求解Q 点：V17.7mA61.2)1(Aμ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ eb BEQ CC BQ ≈-=≈+=≈++-=R I V U I I R R U V I ββ（2）求解输入电阻和电压放大倍数： R L ＝∞时996.0)1()1(k 110])1([ebe ee be b i ≈+++=Ω≈++=R r R A R r R R u βββ∥R L ＝3k Ω时992.0))(1())(1( k 76)])(1([L e be L e L e be b i ≈+++=Ω≈++=R R r R R A R R r R R u∥∥∥∥βββ（3）求解输出电阻： Ω≈++=371beb s e o βr R R R R ∥∥2.19 电路如图P2.19所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。