PXT2907A 型号
海信HDP2907M图纸
HDP29/34 MST机芯系列原理与维修一、介绍HDP2910系列产品采用MST 5C16方案，运行在海信高清机芯标准平台上。
在功能上可以实现模拟信号的100HZ，60HZ逐行，1250逐行，833增强4种扫描模式，高清信号可以显示1080P/60，1080I/60，1080I/50，720P/60，720P/50和逐行DVD信号。
VGA方式支持640*480/60 800*600/60 1024*768/60（也支持75hz）三种扫描模式。
二、电路原理介绍信号流程(请参考流程框图和电路图)电视射频信号经过高频头A101接收、混频然后送到解码板得三菱带中频放大的N202（M61266）放大、解调后输出TV视频信号和音频信号。
TV视频信号通过切换开关N203 (ST4053)再进入解码板的(N202)M61266解码输出RGB送给N301（MST5C16），而N202（M61266）的音频信号输出则进入N701（TDA7439）。
视频/YC/信号进入解码板后，视频/YC/通过切换开关N203 (ST4053)进入(N202)M61266模拟解码电路处理，解码输出RGB信号给N301（MST5C16），信号在MST5C16进行A/D模数转换，进行倍场或倍频（行频）处理，倍场/倍频处理有四种模式：100Hz隔行、50Hz逐行（1250）、60Hz逐行（P60）、75Hz隔行(833)（加行模式）。
处理后的信号经数模转换后输出RGB模拟信号。
进入N401（TDA9333）进行处理。
TDA9333可以完成亮度、对比度、色度的控制和实现预视放功能，最后将RGB送往CRT驱动板。
（10SW1 11SW2 IN(00)OUT(12TV) IN(05)OUT2(VIDEO2) IN(55)OUT1(VIDEO1)高清信号YUV的处理方式，行频33.75K归一处理。
所有格式的高清标清信号（1080/60P、1080/60I、1080/50I、720/60P、720/50P、480/60P、576/50P、）则通过N301（MST5C16）进行AD 转换，完成行频变换的功能，通过抽行、增加场等处理，将上述高清信号的行频归一为33.75KHZ。
SMD三极管代码大全(有4000多种)
SC59 SOT363 SOT23 SC70 SOT23 SOT323 SC70 SC59 SOT23 SOT363 SOT346 SOT346 SOT346 SC70 SOT346 SOT23 SOT323 SOT346 SOT89 SOT363 SC70 SC59 SOT346 SOT346 SOT346 SC70 SOT23 SOT323 SOT346 SOT89 SOT143 SOT343
11Y 11Y 12 12 12 121 121 122 123 123 12A 12A 12E 12V 12Y 12Y 13 13 13 13 13 131 132 132 133 13A 13A 13E 13s 13s 13t 13V 13Y 13Y 14 14
BZV49-C11 BZV49-C11 MUN5312DW1 DTA123EUA DTA123EKA PZM12NB1 DTC113ZUA PZM12NB2 PZM12NB3 DTC143ZUA MMBD1502A PZM12NB2A ZC2812E PZM12NB BZV49-C12 BZV49-C12 DTA143EUA DTA143EKA DTA143ECA MA4CS103A MUN5313DW1 PZM13NB1 PZM13NB2 DTA123JUA PZM13NB3 MMBD1503A PZM13NB2A ZC2813E BAS125 BAS125W BC846BPN PZM13NB BZV49-C13 BZV49-C13 BAT114-099R DTA114EUA
SOT89 SOT89 SOT363 SC70 SC59 SOT346 SC70 SOT346 SOT346 SC70 SOT23 SOT346 SOT23 SOT346 SOT89 SOT89 SC70 SC59 SOT23 SOT23 SOT363 SOT346 SOT346 SC70 SOT346 SOT23 SOT346 SOT23 SOT23 SOT323 SOT363 SOT346 SOT89 SOT89 SC70
PXT2907A贴片三极管 SOT-89三极管封装PXT2907A参数
A,Nov,2010JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDSOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors PXT2907A TRANSISTOR (PNP) FEATURES z Switching and Linear Amplification z High Current and Low Voltage z Complement to PXT2222A MARKING:p2FMAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)ParameterSymbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltageV (BR)CBO I C =-1mA,I E =0 -60 V Collector-emitter breakdown voltageV (BR)CEO I C =-10mA,I B =0 -60 V Emitter-base breakdown voltageV (BR)EBO I E =-1mA,I C =0 -5 V Collector cut-off currentI CBO V CB =-50V,I E =0 -0.01µA Emitter cut-off current I EBO V EB =-5V,I C =0-0.01µAV CE =-10V, I C =-0.1mA 75V CE =-10V, I C =-1mA 100V CE =-10V, I C =-10mA 100V CE =-10V, I C =-150mA 100 300DC current gain h FE V CE =-10V, I C =-500mA 50I C =-500mA,I B =-50mA -1.6 V Collector-emitter saturation voltage V CE(sat)I C =-150mA,I B =-15mA -0.4 V I C =-500mA,I B =-50mA -2.6 V Base-emitter saturation voltageV BE(sat) I C =-150mA,I B =-15mA -1.3 V Delay timet d 12 ns Rise timet r 30 ns Storage timet s 300 ns Fall timet f V CC =-30V, I C =-150mA, I B1=- I B2=-15mA 65 ns Transition frequency f T V CE =-10V,I C =-20mA, f=100MHz 200 MHzSymbol Parameter Value Unit V CBOCollector-Base Voltage -60 V V CEOCollector-Emitter Voltage -60 V V EBOEmitter-Base Voltage -5 V I CCollector Current -600 mA P CCollector Power Dissipation 500 mW R θJAThermal Resistance From Junction To Ambient 250 ℃/W T jJunction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ 【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】【Label on the Inner Box Label on the Outer BoxQA LabelSeal the boxwith the tapeSeal the boxwith the tapeStamp “EMPTY”on the empty boxInner Box: 210 mm× 208mm×２０３ m m Outer Box: 440 mm× 440mm× 230mmThe top gasket1000×1 PCSLabel on the ReelThe bottom gasketThe file folderPlastic bag。
Intel-PXA270嵌入式处理器
XScale StrongARM
家族系列
ARM7 ARM9
处理器内核
ARM7TDMI， ARM7TDMI-S， ARM7EJS，ARM720T ARM920TDMI， ARM922T，ARM940T
结构
ARM V4T ARM V4T
实验教学平台采用的是PXA270微处理器芯片，它是一款集成了32位Intel ARM9E ARM926EJ-S， ARM946E-S， ARM966EJ-S XScale处理器核，多通信信道，LCD控制器、增强型存储器和 PCMCIA/CF控制器，以及通用I/O口的高度集成的应用微处理器。Intel ARM10E ARM1020E， ARM1022E， ARM1026EJ-S XScale微体系结构提供了一种全新的、高性价比、低功耗且基于 ARM11 ARMV6 ARM1156T2-S，ARM1156T2F-S ARMv5TE体系机构的解决方案，并且还支持16位Thumb指令和DSP扩充 指令。基于XSCale技术的微处理器，可用于手机、便携式终端（PDA）、 ARM1176JZ-S 网络存储设备、骨干网（BackBone）路由器等。
英特尔公司于2003年底推出了性能最为强劲的 PXA27x系列嵌入式处理器，PXA27x系列嵌入式处理器 基于ARMv5E的Xscale核心，最高频率可达624MHz。作 为一款性能极其强劲的嵌入式处理器，配合嵌入式Linux 或Wince操作系统，PXA270理论上可以支持任何媒体格 式，并通过软件升级，支持未来媒体格式。但由于媒体播 放对硬件的极高要求，因此单纯依靠PXA270处理器进行 媒体播放是不现实的，实际测试的结果也不理想。因此， 为了满足PXA270的PMP （MP4）功能，必须外加 2700G多媒体加速芯片，配合PXA270进行视频加速与3D 加速。
MMPQ2907A中文资料
PD - POWER DISSIPATION (W) 1
Power Dissipation vs Ambient Temperature
20 10 5
30 ns
0.75
SOT-6
t r = 15 V
0.5
2
60 ns
0.25
1 10
100 I C - COLLECTOR CURRENT (mA)
30 V
200 Ω
Ω 1.0 KΩ 0 - 16 V 50 Ω
≤ 200ns
FIGURE 1: Saturated Turn-On Switching Time Test Circuit
15 V
- 6.0 V
1 KΩ Ω
37 Ω
1.0 KΩ Ω 0 - 30 V ≤ 200ns 50 Ω
FIGURE 2: Saturated Turn-Off Switching Time Test Circuit
Max
FMB2907A 700 5.6 180 MMPQ2907A 1,000 8.0 125 240
Units
mW mW/°C °C/W °C/W °C/W
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation
元器件交易网
FFB2907A / FMBT2907A / MMPQ2907A
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
60 60 5.0 600 -55 to +150
Units
V V V mA °C
Operating and Storage Junction Temperature Range
ALL常用贴片三极管
131 132 132 133 13A 13A 13E 13s 13s 13t 13V 13Y 13Y 14 14 14 14 14 142 14A 14s 14s 15 15 15 15 15 151 152 153 156 15A 15A 15s 15s 15V 15Y 16 16 16 161 162 163 166 16s 16s 16V 16Y 179 17s
BAS125-07W BFP181T PDTC143ZK PZM18NB1 PZM18NB2 PZM18NB3 PZM18NB BZV49-C18 BZV49-C18 PDTA143ZK DTA115EUA DTA115EKA Typ BC846 A PMBT3904 PXT3904 BC846A BC846AT FMMT3904 MMBT3904 IRLML2402 PMST3904 BC846AW MMBT3904L BC846A BC846A BC846AW PMBT2222 PXT2222 BC846 B BC846B BC846BT FMMT2222 MMBT2222 IRLML2803 PMST2222 BC846BW BC846B BC817UPN BC846B BC846BW FMMT-A20 MMBTA20L IRLML6302 BAP50-05 BC847S PMBTA42 BC846 MMBTA42
Sie Tfk Phi Phi Phi Phi Phi Phi Phi Rho Rho Herst.
S X N C C C C O N N N Base
Phi Phi Zet Mot IR Phi Phi Mot Phi Phi Phi
N N N N F N N N N N N
Phi Phi Zet Mot IR Phi Phi Phi Sie Phi Phi Zet Mot IR Phi Sie
矽普特产品简介
3W，AB 类 1W，AB
类
2W，AB 类
1.8W， AB 类 1W，AB
类
2.7W， AB 类 3W，AB
类 4W，AB
类
5V，THD<10%， 2.6W(ESOP8)， 2.4W(SOP8)，4Ω 5V，THD<10%，
2×2.6W， THD<1%，2×
1.8W，4Ω 5V，THD<10%，
用的典型芯片。 高效率（88%），过热&过流保护，全差
分结构，全桥输出。 高效率（88%），过热&过流保护，超强
抗 EMI 功能。 其他封装的为1.5W（8Ω，5V），无 FM 干扰/防破音功能，超强抗 EMI。兼容
LM4861/LM4871。 超低 EMI，高效率（88%），超低 EMI ， 防破音，差分设计降低了射频干扰，
带64级数字调音量 AB/D 类切换，对 FM 无干扰，6W（2Ω）， 3.6W（3Ω），3W（4Ω），集成反馈电阻，
带64级模拟调音量 AB/D 类切换，对 FM 无干扰，6W（2Ω）， 3.6W（3Ω），3W（4Ω），集成反馈电阻，
带耳机驱动 AB/D 类切换，高效率，短路保护，带
静音功能 AB/D 类切换，对 FM 无干扰，高效率， 集成反馈电阻，带耳机驱动，64级数字
道（双声道）提供4W 平均功率
产品型号 XPT6013 XPT6871 XPT6875 XPT4809
XPT9863
XPT8863
XPT2008
XPT2069
XPT2068 C
XPT4098 XPT4871
F XPT4890 XPT4990 XPT0030 XPT4066 XPT4088 XPT4068 XPT6872
MMBT2907A中文资料
0.5 β = 10 0.4 0.3 0.2 0.1 0
125 °C - 40 °C
400 300 200 100 0 0.1
125 °C
25 °C
25 °C
- 40 °C
0.3
1 3 10 30 100 I C - COLLECTOR CURRENT (mA)
300
1
10 100 I C - COLLECTOR CURRE NT (mA)
20 CAPACITANCE (pF) 16 12
C ib
1
8 4 0 0.1
C ob
0.1
0.01 25
50 75 100 T A - AMBIE NT TEMP ERATURE (° C)
125
1 10 REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
50
元器件交易网
SWITCHING CHARACTERISTICS
ton td tr toff ts tf Turn-on Time Delay Time Rise Time Turn-off Time Storage Time Fall Time VCC = 6.0 V, IC = 150 mA IB1 = IB2 = 15 mA VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA 45 10 40 100 80 3Symbol Parameter