Silvaco TCAD工艺仿真模块及工艺仿真流程课件
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9 Silvaco TCAD器件仿真模块及器件仿真流程
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impact selb
2.1.4 数值计算方法
• 在求解方程时所用的计算方法 • 参数包括计算步长、迭代方法、初始化策略、迭 代次数等 • 计算不收敛通常是网格引起的
晶格加热时的漂移扩散：
method block newton
迭代次数的设置：
method gummel newton trap maxtrap=10
• 参数文件
X:\ sedatools\ lib\ Atlas\<version_number>.R\ common
• C解释器的模板、数学符号等文件
X:\sedatools\lib\Atlas\<version_number>.R\common\SCI
Page
21
3 总结
第一部分
器件仿真模块
第二部分
• 需要注意的情况
除了精确定义尺寸外也需特别注意网格 电极的定义（器件仿真上的短接和悬空） 金属材料的默认特性 14
Page
2.1.2 材料参数描述
• 材料的参数有工艺参数和器件参数 • 材料参数是和物理模型相关联的 • 软件自带有默认的模型和参数 • 可通过实验或查找文献来自己定义参数
器件仿真流程
第三部分
总结
Page
22
3 总结
• 本课的主要内容
器件仿真模块
器件仿真流程
• 下一课主要内容
ATLAS描述器件结构 DevEdit编辑器件结构
Page
23
欢迎提问
谢谢！
Page
24
Page 18
tonyplot Vt.log
2.2 二极管的例子
• 生成结构
impact selb
2.1.4 数值计算方法
• 在求解方程时所用的计算方法 • 参数包括计算步长、迭代方法、初始化策略、迭 代次数等 • 计算不收敛通常是网格引起的
晶格加热时的漂移扩散：
method block newton
迭代次数的设置：
method gummel newton trap maxtrap=10
• 参数文件
X:\ sedatools\ lib\ Atlas\<version_number>.R\ common
• C解释器的模板、数学符号等文件
X:\sedatools\lib\Atlas\<version_number>.R\common\SCI
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3 总结
第一部分
器件仿真模块
第二部分
• 需要注意的情况
除了精确定义尺寸外也需特别注意网格 电极的定义（器件仿真上的短接和悬空） 金属材料的默认特性 14
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2.1.2 材料参数描述
• 材料的参数有工艺参数和器件参数 • 材料参数是和物理模型相关联的 • 软件自带有默认的模型和参数 • 可通过实验或查找文献来自己定义参数
器件仿真流程
第三部分
总结
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3 总结
• 本课的主要内容
器件仿真模块
器件仿真流程
• 下一课主要内容
ATLAS描述器件结构 DevEdit编辑器件结构
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欢迎提问
谢谢！
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tonyplot Vt.log
2.2 二极管的例子
• 生成结构
Silvaco TCAD 工艺仿真2资料讲解
SVDP注入（s.oxide为屏氧厚度）：
Implant boron dose=1e13 energy=50 tilt=0 s.oxide=0.005
Monte Carlo注入：
Implant boron dose=1e13 energy=300 bca tilt=0 rotation=0
注入损伤：
优化
*
extract name="Tox" thickness oxide \ mat.occno=1 x.val=0
tonyplot quit
2
Silvaco学习
这一讲的安排
介绍各个工艺的参数及其意义 举例说明 这些工艺有：
离子注入，扩散，淀积，刻蚀，外延和抛 光
*
3
Silvaco学习
离子注入
Implant boron dose=1e14 energy=50 unit.damage dam.factor=0.1
*
6ห้องสมุดไป่ตู้
Silvaco学习
离子注入的例子
go athena Line x loc=0.0 spac=0.02 Line x loc=1.0 spac=0.10 Line y loc=0.0 spac=0.02 Line y loc=2.0 spac=0.20 init silicon c.boron=1e16 two.d
命令implant，参数及说明如下：
*
4
Silvaco学习
离子注入的参数及说明
离子注入的几何说明：
注入面：α 表面：∑
仿真面：β Tilt angle：θ Rotation angle：φ
*
5
Silvaco学习
Implant boron dose=1e13 energy=50 tilt=0 s.oxide=0.005
Monte Carlo注入：
Implant boron dose=1e13 energy=300 bca tilt=0 rotation=0
注入损伤：
优化
*
extract name="Tox" thickness oxide \ mat.occno=1 x.val=0
tonyplot quit
2
Silvaco学习
这一讲的安排
介绍各个工艺的参数及其意义 举例说明 这些工艺有：
离子注入，扩散，淀积，刻蚀，外延和抛 光
*
3
Silvaco学习
离子注入
Implant boron dose=1e14 energy=50 unit.damage dam.factor=0.1
*
6ห้องสมุดไป่ตู้
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离子注入的例子
go athena Line x loc=0.0 spac=0.02 Line x loc=1.0 spac=0.10 Line y loc=0.0 spac=0.02 Line y loc=2.0 spac=0.20 init silicon c.boron=1e16 two.d
命令implant，参数及说明如下：
*
4
Silvaco学习
离子注入的参数及说明
离子注入的几何说明：
注入面：α 表面：∑
仿真面：β Tilt angle：θ Rotation angle：φ
*
5
Silvaco学习
SilvacoTCAD器件仿真优秀课件
Silvaco TCAD 器件仿真（三）
Tang shaohua, SCU
*
1
Silvaco学习
这一讲主要内容
材料特性设置 物理模型设置 特性获取 结果分析 从例子hemtex01.in看整个流程
*
2
Silvaco学习
材料参数
状态Material，设置材料参数 材料参数和物理模型的选取有关，常用的
Silvaco学习
特性获取Biblioteka CE击穿特性：impact selb
method trap climit=1e - 4 maxtrap=10
#
solve init
solve vbase=0.025
solve vbase=0.05
solve vbase=0.2
#
contact name=base current
tmun
p0
mup
Tl 300
tmup
*
状态 Mobility Mobility Mobility Mobility
低场迁移率模型中可用户定义的参数
参数
默认值
Mun
1000
Mup
500
Tmun
1.5
Tmup
1.5
11
单位 cm2/Vs cm2/Vs
Silvaco学习
物理模型
推荐的模型 MOSFETs类型：srh，cvt，bgn BJT，thyristors等：Klasrh，klaaug，kla，bgn 击穿仿真：Impact，selb
Solve vgate=0.05 vstep=0.05 vfinal=1.0 name=gate
Solve ibase=1e-6
*
Tang shaohua, SCU
*
1
Silvaco学习
这一讲主要内容
材料特性设置 物理模型设置 特性获取 结果分析 从例子hemtex01.in看整个流程
*
2
Silvaco学习
材料参数
状态Material，设置材料参数 材料参数和物理模型的选取有关，常用的
Silvaco学习
特性获取Biblioteka CE击穿特性：impact selb
method trap climit=1e - 4 maxtrap=10
#
solve init
solve vbase=0.025
solve vbase=0.05
solve vbase=0.2
#
contact name=base current
tmun
p0
mup
Tl 300
tmup
*
状态 Mobility Mobility Mobility Mobility
低场迁移率模型中可用户定义的参数
参数
默认值
Mun
1000
Mup
500
Tmun
1.5
Tmup
1.5
11
单位 cm2/Vs cm2/Vs
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物理模型
推荐的模型 MOSFETs类型：srh，cvt，bgn BJT，thyristors等：Klasrh，klaaug，kla，bgn 击穿仿真：Impact，selb
Solve vgate=0.05 vstep=0.05 vfinal=1.0 name=gate
Solve ibase=1e-6
*
工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD
2017/8/1 2/118
本章内容
使用ATHENA的NMOS工艺仿真 使用ATLAS的NMOS器件仿真
2017/8/1
3/118
本章内容
使用ATHENA的NMOS工艺仿真 使用ATLAS的NMOS器件仿真
2017/8/1
4/118
概述
用ATHENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的
基本操作包括： a. 创建一个好的仿真网格
b. 演示淀积操作
c. 演示几何刻蚀操作 d. 氧化、扩散、退火以及离子注入 e. 结构操作 f. 保存和加载结构信息
2017/8/1 5/118
创建一个初始结构
定义初始直角网格
−
在UNIX或LINUX系统提示符下，输入命令：deckbuild-an&，以 便进入deckbuild交互模式并调用ATHENA程序。这时会出现如下 图所示deckbuild主窗口，点击File目录下的Empty Document， 清空Deckbuild文本窗口；
2017/8/1
12/118
定义初始衬底
由网格定义菜单确定的LINE语句只是为ATHENA仿真结 构建立了一个直角网格系基础。接下来就是衬底区的初始化。 对仿真结构进行初始化的步骤如下：
①
在ATHENA Commands菜单中选择Mesh Initialize…选项。ATHENA网格初 始化菜单将会弹出。在缺省状态下，硅材料为<100>晶向；
10/118
2017/8/1
−
在网格定义窗口中点击insert键，并继续插入第二、第三和 第四个Y方向的网格定义点，位臵分别设为0.2、0.5和0.8， 网格间距分别设 0.01，0.05和0.15，如图所示。
本章内容
使用ATHENA的NMOS工艺仿真 使用ATLAS的NMOS器件仿真
2017/8/1
3/118
本章内容
使用ATHENA的NMOS工艺仿真 使用ATLAS的NMOS器件仿真
2017/8/1
4/118
概述
用ATHENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的
基本操作包括： a. 创建一个好的仿真网格
b. 演示淀积操作
c. 演示几何刻蚀操作 d. 氧化、扩散、退火以及离子注入 e. 结构操作 f. 保存和加载结构信息
2017/8/1 5/118
创建一个初始结构
定义初始直角网格
−
在UNIX或LINUX系统提示符下，输入命令：deckbuild-an&，以 便进入deckbuild交互模式并调用ATHENA程序。这时会出现如下 图所示deckbuild主窗口，点击File目录下的Empty Document， 清空Deckbuild文本窗口；
2017/8/1
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定义初始衬底
由网格定义菜单确定的LINE语句只是为ATHENA仿真结 构建立了一个直角网格系基础。接下来就是衬底区的初始化。 对仿真结构进行初始化的步骤如下：
①
在ATHENA Commands菜单中选择Mesh Initialize…选项。ATHENA网格初 始化菜单将会弹出。在缺省状态下，硅材料为<100>晶向；
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2017/8/1
−
在网格定义窗口中点击insert键，并继续插入第二、第三和 第四个Y方向的网格定义点，位臵分别设为0.2、0.5和0.8， 网格间距分别设 0.01，0.05和0.15，如图所示。
第三讲 Silvaco TCAD 器件仿真 PPT
大家应该也有点累了，稍作休息
大家有疑问的，可以询问和交流
材料特性
材料的参数有工艺参数和器件参数 材料参数是和物理模型相关联的 软件自带有默认的模型和参数 可通过实验或查找文献来自己定义参数
物理模型
物理量是按照相应的物理模型方程求得的 物理模型的选择要视实际情况而定 所以仿真不只是纯粹数学上的计算
工艺级别的网格，这些网格某些程度上不是计算器件参数所必需的。例如在计算如 阈值电压、源/漏电阻，沟渠的电场效应、或者载流子迁移率等等。Devedit可以帮 助在沟渠部分给出更多更密度网格而降低其他不重要的区域部分，例如栅极区域或 者半导体/氧化物界面等等。以此可以提高器件参数的精度。简单说就是重点区域重 点给出网格，不重要区域少给网格。
二、半导体器件仿真软件使用
本章介绍ATLAS器件仿真器中所用到的语句和参数。 具体包括：
1.语句的语法规则 2.语句名称 3.语句所用到的参数列表， 包括类型，默认值及参数的描述 4.正确使用语句的实例
学习重点（1） 语法规则 （2）用ATLAS程序语言编写器件结构
1. 语法规则
规则1： 语句和参数是不区分大小写的。 A=a 可以在大写字母下或小写字母下编写。abc=Abc=aBc
计算方法
在求解方程时所用的计算方法 计算方法包括计算步长、迭代方法、初始化
策略、迭代次数等
计算不收敛通常是网格引起的
特性获取和分析
不同器件所关注的特性不一样，需要对 相应器件有所了解
不同特性的获取方式跟实际测试对照来 理解
从结构或数据文件看仿真结果
了解一下ATLAS
ATLAS仿真框架及模块 仿真输入和输出 Mesh 物理模型 数值计算
例： 命令语句 DOP 等同于 doping， 可以作为其命令简写。 但建议不要过度简单，以免程序含糊不清，不利于将来调用时阅读。
SilvacoTCAD工艺仿真模块及工艺仿真流程PPT课件
go athena line x loc=0.0 spac=0.02 line x loc=1.0 spac=0.10 line y loc=0.0 spac=0.02 line y loc=2.0 spac=0.20
init two.d diffuse time=30 temp=1200 dryo2 tonyplot quit
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2.2.1 初始化的命令及参数
• 命令initialize可定义衬底或初始化仿真
• 衬底参数: material, orientation, , resitivity …
• 初始化仿真： infile导入已有的结构 仿真维度，, two.d … 网格和结构，, scale, flip.y …
主要内容
第一部分 第二部分 第三部分
工艺仿真器介绍 工艺仿真流程 总结
Page 1
第1页/共32页
1 工艺仿真器介绍
第一部分 第二部分 第三部分
工艺仿真器介绍 工艺仿真流程 总结
Page 2
第2页/共32页
3
第3页/共32页
1.1 工艺仿真模块 DeckBuild 集成环境
器真仿刷印电光 器真仿蚀刻和积淀英精 器真仿蚀刻积沉诺卡托蒙
Page 22
第22页/共32页
2.3.2 Diffuse做氧化的例子
氧化时间30分钟，1200度，干氧
diffuse time=30 temp=1200 dryo2
氧化时间30分钟，1000度，氧气流速10sccm
diffuse time=30 temp=1000 f.o2=10
干氧氧化的完整语法：
及能量和不定形材料引起的分离通道影响
init two.d diffuse time=30 temp=1200 dryo2 tonyplot quit
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2.2.1 初始化的命令及参数
• 命令initialize可定义衬底或初始化仿真
• 衬底参数: material, orientation, , resitivity …
• 初始化仿真： infile导入已有的结构 仿真维度，, two.d … 网格和结构，, scale, flip.y …
主要内容
第一部分 第二部分 第三部分
工艺仿真器介绍 工艺仿真流程 总结
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1 工艺仿真器介绍
第一部分 第二部分 第三部分
工艺仿真器介绍 工艺仿真流程 总结
Page 2
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1.1 工艺仿真模块 DeckBuild 集成环境
器真仿刷印电光 器真仿蚀刻和积淀英精 器真仿蚀刻积沉诺卡托蒙
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第22页/共32页
2.3.2 Diffuse做氧化的例子
氧化时间30分钟，1200度，干氧
diffuse time=30 temp=1200 dryo2
氧化时间30分钟，1000度，氧气流速10sccm
diffuse time=30 temp=1000 f.o2=10
干氧氧化的完整语法：
及能量和不定形材料引起的分离通道影响
SilvacoTCAD器件仿真专题培训课件
Silvaco学习
物理模型
推荐的模型
MOSFETs类型：srh，cvt，bgn BJT，thyristors等：Klasrh，klaaug，kla，
bgn
击穿仿真：Impact，selb
例句：
Model bgn fldmob srh
Models conmob fldmob srh auger temp=300 print
GP 特性：
solve vcollector=2 solve vbase=0.0 vstep=0.1 vfinal=2 name=base
contact name=base common=collector solve vbase=0.0 vstep=0.1 vfinal=2 name=base
*
16
Material taun0=1.e-9 taup0=1.e-9 f.conmun=hemtex01_interp.lib material align=0.6
*
8
Silvaco学习
光学参数
在光电特性仿真中材料的光学参数（折射 率实部和虚部）尤为重要。
两种方法可设置材料的光学参数
1、C解释器编写参数文件 2、添加、更改材料的折射率文件内的信息
impact selb material=InGaAs an2=5.15e7 ap2=9.69e7 bn2=1.95e6 \ bp2=2.27e6
impact selb material=InP an2=1e7 ap2=9.36e6 bn2=3.45e6 bp2=2.78e6
material region=1 taun0=5.0e-10 taup0=1.0e-9 vsatn=2.5e7 \ mun0=4000 mup0=200
物理模型
推荐的模型
MOSFETs类型：srh，cvt，bgn BJT，thyristors等：Klasrh，klaaug，kla，
bgn
击穿仿真：Impact，selb
例句：
Model bgn fldmob srh
Models conmob fldmob srh auger temp=300 print
GP 特性：
solve vcollector=2 solve vbase=0.0 vstep=0.1 vfinal=2 name=base
contact name=base common=collector solve vbase=0.0 vstep=0.1 vfinal=2 name=base
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16
Material taun0=1.e-9 taup0=1.e-9 f.conmun=hemtex01_interp.lib material align=0.6
*
8
Silvaco学习
光学参数
在光电特性仿真中材料的光学参数（折射 率实部和虚部）尤为重要。
两种方法可设置材料的光学参数
1、C解释器编写参数文件 2、添加、更改材料的折射率文件内的信息
impact selb material=InGaAs an2=5.15e7 ap2=9.69e7 bn2=1.95e6 \ bp2=2.27e6
impact selb material=InP an2=1e7 ap2=9.36e6 bn2=3.45e6 bp2=2.78e6
material region=1 taun0=5.0e-10 taup0=1.0e-9 vsatn=2.5e7 \ mun0=4000 mup0=200
SilvacoTCAD工艺仿真135页PPT
init two.d tonyplot quit
2019/11/14
16
Silvaco学习
工艺步骤
对具体的工艺进行仿真 这些工艺包括：
Bake，CMP，Deposition，Development，Diffusion， Epitaxy，Etch，Exposure，Imaging，Implantation， Oxidation，Silicidation
可用于模拟离子注入，扩散，刻蚀，淀积，以 及半导体材质的氧化。它通过模拟取代了耗费 成本的硅片实验，可缩短开发周期和提高成品 率。
2019/11/14
2
Silvaco学习
工艺仿真模块
DeckBuild 集成环境
2019/11/14
ATHENA工艺仿真软件 SSuprem4二维硅工艺仿真器
MC蒙托卡诺注入仿真器 硅化物模块的功能
定义衬底:
material,orientation,c.impurities,resitivity …
初始化仿真：
导入已有的结构，infile…
仿真维度，one.d,two.d …
网格和结构，space.mult,scale,flip.y …
2019/11/14
14
Silvaco学习
初始化的几个例子
有助于IDMs，芯片生产厂商以及设计公司优 化半导体工艺，达到速度、产量、击穿、泄漏 电流和可靠性的最佳结合
2019/11/14
4
Silvaco学习
ATHENA工艺仿真软件
分析和优化标准的和最新的隔离流程，包 括LOCOS，SWAMI，以及深窄沟的隔离
在器件制造的不同阶段分析先进的离子注
适当保存结构
2019/11/14
16
Silvaco学习
工艺步骤
对具体的工艺进行仿真 这些工艺包括：
Bake，CMP，Deposition，Development，Diffusion， Epitaxy，Etch，Exposure，Imaging，Implantation， Oxidation，Silicidation
可用于模拟离子注入，扩散，刻蚀，淀积，以 及半导体材质的氧化。它通过模拟取代了耗费 成本的硅片实验，可缩短开发周期和提高成品 率。
2019/11/14
2
Silvaco学习
工艺仿真模块
DeckBuild 集成环境
2019/11/14
ATHENA工艺仿真软件 SSuprem4二维硅工艺仿真器
MC蒙托卡诺注入仿真器 硅化物模块的功能
定义衬底:
material,orientation,c.impurities,resitivity …
初始化仿真：
导入已有的结构，infile…
仿真维度，one.d,two.d …
网格和结构，space.mult,scale,flip.y …
2019/11/14
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Silvaco学习
初始化的几个例子
有助于IDMs，芯片生产厂商以及设计公司优 化半导体工艺，达到速度、产量、击穿、泄漏 电流和可靠性的最佳结合
2019/11/14
4
Silvaco学习
ATHENA工艺仿真软件
分析和优化标准的和最新的隔离流程，包 括LOCOS，SWAMI，以及深窄沟的隔离
在器件制造的不同阶段分析先进的离子注
适当保存结构
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PPT学习交流
6
1.1.3 MC 蒙特卡洛注入仿真器
• 在所有主要的三维结晶方向的离子引导 • 以物理为基础的损伤积累和无定形的影响 • 在无定形区域的随机碰撞 • 二维拓扑影响包括离子遮蔽和反射 • 可以在 200eV-2MeV 的大范围内精确校准能量 • 偏差减少模拟技术可以提升十倍的效率 • 精确计算由损伤，表面氧化，光束宽度变化，注入角度，以及
非均匀网格的例子：
line x loc=0.0 spac=0.02 line x loc=1.0 spac=0.10
line y loc=0.0 spac=0.02 line y loc=2.0 spac=0.20
PPT学习交流
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2.1.3 网格定义需要注意的地方
• 疏密适当（在物理量变化很快的地方适当密一些）
能量和不定形材料引起的分离通道影响
PPT学习交流
7
1.1.4 硅化物模块 的功能
• 适用于钛，钨和铂的硅化物 • 在基片硅中硅化物增强扩散 • 扩散和反作用的有限生长率 • 在硅化物/金属以及硅化物/硅（多晶硅）界面的反作用和边界
运动 • 精确的材料消耗模型 • 硅和多晶硅材料的独立比率
PPT学习交流
• 为印制的图像提供交互式光学PPT学接习近交流校正
10
1.2 可仿真的工艺
• Bake • CMP • Deposition • Development • Diffusion • Epitaxy
• Etch • Exposure • Imageing • Implantation • Oxidation • Silicidation
PPT学习交流
11
1.3 ATHENA输入和输出
ATHENA
PPT学习交流
12
2 工艺仿真流程
第一部分 第二部分 第三部分
工艺仿真器介绍 工艺仿真流程 总结
PPT学习交流
13
2 工艺仿真流程
• 1 建立仿真网格 • 2 仿真初始化 • 3 工艺步骤 • 4 提取特性 • 5 结构操作 • 6 Tonyplot显示
8
1.1.5 精英淀积和刻蚀仿真器
• 以物理为基础的刻蚀和淀积模型 • 带有各向异性性和各向同性刻蚀率的材质回流模型 • 干法刻蚀模式的光束扩散 • 微加载影响 • 由单向的，双向的，半球状的，轨道式的，以及圆锥形源引起
的淀积作用
PPT学习交流
9
1.1.6 光刻仿真器
• 投射，接近，和接触系统
• 模拟非平面的基础构造
• 与光电平面印刷仿真器和精英淀积和刻蚀仿真器集成，可 以在物理生产流程中进行实际的分析。
PPT学习交流
5
1.1.2 SSuprem4
• 实验验证的 Pearson 和 dual-Pearson 注入模型 • 非高斯深度相关的横向注入分布函数 • 扩展的注入矩表，有能量，剂量，旋转和氧化物厚度变化 • 用户定义的或蒙特卡洛提取的注入矩 • 杂质扩散和点缺陷扩散完全复合 • 氧化和硅化增强/延缓的扩散 • 快速的热量减退和瞬态增强扩散 (TED) • 由于导致点缺陷的注入和{311}空隙束而引起的 TED 影响 • 以颗粒为基础的多晶硅扩散模式 • 应力相关的粘性氧化模型 • 分离硅和多晶硅的氧化率系数与掺杂浓度相关性 • 经由 MaskViews 的淀积作用和刻蚀说明 • 外延生长模拟
y1
Note1： 动调整
网格间距会根据loc和Spac自
s4
y2
Note2 ：网格定义对仿真至关重要
Y
s2
x2 X
PPT学习交流
15
2.1.2 网格定义的例子
均匀网格的例子：
line x loc=0.0 spac=0.1 line x loc=1.0 spac=0.1
line y loc=0.0 spac=0.2 line y loc=2.0 spac=0.2
• 相位移位，二元以及局部传动的掩模
• g，h，i，DUV 和宽线源
• 散焦，任意光源形状，空间过滤以及局部相关性影响
• 高数字的孔径模型
• 四级照明模型
• 照明系统失常模型
• 考虑到衍射影响的曝光模型
• 一流的开发模型
• 后曝光烘培模式
• 顶部和底部的抗反射镀膜
• 支持使用 Bossung 曲线和 ED 目录结构的 CD 控制
器真仿刷印电光 器真仿蚀刻和积淀英精 器真仿蚀刻积沉诺卡托蒙
器真仿入注诺卡托蒙 器SS真upr仿em艺4 工 硅 维 二
能功的块模物化硅 ATHEN件A 软 真 仿 艺 工 器真仿艺工料材存闪的进先
1.1.1 ATHENA
• 分析和优化标准的和最新的隔离流程，包括 LOCOS，SWAMI， 以及深窄沟的隔离
• 不能超过上限（20000） • 仿真中很多问题其实是网格设置的问题，要注意
查看报错的信息 • 和网格定义相关的命令和参数还有：
命令，relax；淀积和外延时的dy, ydy等参数
PPT学习交流
17
2.2.1 初始化的命令及参数
• 命令initialize可定义衬底或初始化仿真 • 衬底参数:
• 在器件制造的不同阶段分析先进的离子注入方法——超浅 结注入，高角度注入和为深阱构成的高能量注入
• 支持多层次杂质扩散，以精确预测衬底与邻近材料表面的 杂质行为
• 考虑多重扩散影响，包括瞬态增强的扩散，氧化/硅化加强 的扩散，瞬态激活作用，点缺陷和簇群构造以及材料界面 的再结合，杂质分离，和传输
• 通过 MaskViews 的掩模构造说明，工程师可以有效地分析 在每个工艺步骤和最终器件结构上的掩模版图变动的影响。
PPT学习交流
14
2.1.1 网格定义的命令及参数
• 定义某座标附近的网格线间距来建立仿真网格
line x location=x1 spacing=s1 line x location=x2 spacing=s2
s1
0
x1
line y location=y1 spacing=s3
s3
line y location=y2 spacing=s4
Silvaco TCAD工艺仿真模块及工艺仿真流程
PPT学习交流
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主要内容
第一部分 第二部分 第三部分
工艺仿真器介绍 工艺仿真流程 总结
PPT分 第二部分 第三部分
工艺仿真器介绍 工艺仿真流程 总结
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PP4T学习交流
1.1 工艺仿真模块 DeckBuild 集成环境