4GB DRAM Congifuration on PC

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ReadyFor4GB破解win7支持4G内存恢复到原系统

ReadyFor4GB破解win7支持4G内存恢复到原系统

百度文库- 让每个人平等地提升自我!加了根内存条,升级电脑的内存为4G,而32位win7能支持识别的最大内存为3.25G,这样就有将近1G的内存无法派上用场,实在可惜。

我便从网上下载ReadyFor4GB软件对系统进行破解,成功使32位系统支持4GB内存。

运行一段时间,觉得性能提升并不明显,况且有些软件和驱动好像和这个破解后的系统兼容性不太好,于是我不放心了,想恢复到原系统。

我在网上搜罗许久,并未找到这个破解后恢复原系统的办法,看来只有自己想办法了,当然最好是彻底恢复,不留痕迹。

我分析了一下啊,ReadyFor4GB软件的原理是修改系统内核并另存为新内核,所以系统启动时会出现“Windows 7 x86 [ 128GB with ntkr128g.exe”与“win7”的选项,那么我删掉这个内核,更改启动项就好了呗。

我的方法很简单:1,重启选择“win7”系统进入。

2,点击开始,在搜索框里输入“ntkr128g.exe”,便找到这个程序,位于system32文件夹内,删掉它。

3,在高级系统设置-启动与故障恢复里面设置默认操作系统为“win7”启动与故障恢复4,完成上述设置后,重新启动系统,还会出现系统选择的菜单,我们需要把“Windows 7 x86 [ 128GB with ntkr128g.exe”选项删除。

打开开始,在搜索框输入“msconfig”,查找到后双击运行,在“引导”菜单下选择“Windows 7 x86 [ 128GB with ntkr128g.exe”并按下面删除。

这样,再次重新启动电脑,便一切都正常了,系统重新回到原版的32位win7。

如果一定要充分发挥4G内存的性能,建议安装64位win7系统,采用破解的方法不能保证系统的稳定!111。

MEMORY存储芯片MT29C4G96MAZAPCJA中文规格书

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MM PUDD =× 100R ONPU,max - R ONPU,minR ON,nomMM PDDD =× 100R ONPD,max - R ONPD,minR ON,nom 7.The lower and upper bytes of a x16 are each treated on a per byte basis.8.The minimum values are derated by 9% when the device operates between –40°C and0°C (T C ).Table 124: Weak Mode (48˖) Output Driver Electrical CharacteristicsNotes: 1.The tolerance limits are specified after calibration with stable voltage and temperature.For the behavior of the tolerance limits if temperature or voltage changes after calibra-tion, see following section on voltage and temperature sensitivity.2.The tolerance limits are specified under the condition that V DDQ = V DD and that V SSQ =V SS .3.Micron recommends calibrating pull-down and pull-up output driver impedances at 0.8× V DDQ . Other calibration schemes may be used to achieve the linearity specificationshown above; for example, calibration at 0.5 × V DDQ and 1.1 V DDQ .4.DQ-to-DQ mismatch within byte variation for a given component including DQS_t andDQS_c (characterized).5.Measurement definition for mismatch between pull-up and pull-down, MM PUPD :Measure both R ONPU and R ONPD at 0.8 × V DDQ separately; R ON,nom is the nominal R ON val-ue:MM PUPD =× 100R ONPU - R ONPD R ON,nom6.R ON variance range ratio to R ON nominal value in a given component, including DQS_tand DQS_c:8Gb: x4, x8, x16 DDR4 SDRAM Electrical Characteristics – AC and DC Output Driver Charac-teristicsFigure 239: Alert DriverV OUTAlert driverV SSQR ONPD when R ONPU is off:R ONPD =V OUTI OUTTable 127: Alert Driver VoltageNote: 1.V DDQ voltage is at V DDQ(DC).Electrical Characteristics – On-Die Termination Characteristics ODT Levels and I-V CharacteristicsOn-die termination (ODT) effective resistance settings are defined and can be selectedby any or all of the following options:•MR1[10:8] (R TT(NOM)): Disable, 240 ohms, 120 ohms, 80 ohms, 60 ohms, 48 ohms, 40ohms, and 34 ohms.•MR2[11:9] (R TT(WR)): Disable, 240 ohms,120 ohms, and 80 ohms.•MR5[8:6] (R TT(Park)): Disable, 240 ohms, 120 ohms, 80 ohms, 60 ohms, 48 ohms, 40ohms, and 34 ohms.ODT is applied to the following inputs:•x4: DQ, DM_n, DQS_t, and DQS_c inputs.•x8: DQ, DM_n, DQS_t, DQS_c, TDQS_t, and TDQS_c inputs.•x16: DQ, LDM_n, UDM_n, LDQS_t, LDQS_c, UDQS_t, and UDQS_c inputs.A functional representation of ODT is shown in the figure below.8Gb: x4, x8, x16 DDR4 SDRAM Electrical Characteristics – On-Die Termination Characteristics2.Micron recommends calibrating pull-up ODT resistors at 0.8 × V DDQ . Other calibrationschemes may be used to achieve the linearity specification shown here.3.The tolerance limits are specified under the condition that V DDQ = V DD and V SSQ = V SS .4.The DQ-to-DQ mismatch within byte variation for a given component including DQS_tand DQS_c.5.R TT variance range ratio to R TT nominal value in a given component, including DQS_tand DQS_c.DQ-to-DQ mismatch =R TT(MAX) - R TT(MIN)R TT(NOM)× 1006.DQ-to-DQ mismatch for a x16 device is treated as two separate bytes.7.For IT, AT, and UT devices, the minimum values are derated by 9% when the device op-erates between –40°C and 0°C (TC).ODT Temperature and Voltage SensitivityIf temperature and/or voltage change after calibration, the tolerance limits widen ac-cording to the following equations and tables.˂T = T - T(@ calibration); ˂V = V DDQ - V DDQ (@ calibration); V DD = V DDQTable 129: ODT Sensitivity DefinitionsTable 130: ODT Voltage and Temperature SensitivityODT Timing DefinitionsThe reference load for ODT timings is different than the reference load used for timingmeasurements.Figure 241: ODT Timing Reference Load8Gb: x4, x8, x16 DDR4 SDRAM Electrical Characteristics – On-Die Termination Characteristics。

unified memory controller extended error code

unified memory controller extended error code

unified memory controller extended error code 统一内存控制器扩展错误代码(Unified Memory Controller Extended Error Code)是一种用于统一内存控制器扩展错误代码(Unified Memory Controller Extended Error Code)是一种用于描述统一内存控制器(UMC)故障的编码方式。

这些错误代码可以帮助系统管理员和开发人员诊断和解决与UMC相关的问题。

常见的统一内存控制器扩展错误代码包括:
1. UMC_ERR_NON_FATAL:非致命错误,通常不会影响系统正常运行。

2. UMC_ERR_FATAL:致命错误,可能导致系统无法启动或运行。

3. UMC_ERR_RESET:需要重置UMC以解决问题。

4. UMC_ERR_TIMEOUT:操作超时,可能是由于硬件问题或资源竞争导致的。

5. UMC_ERR_INVALID_PARAMETER:无效的参数,可能是由于输入数据不正确导致的。

6. UMC_ERR_UNSUPPORTED_OPERATION:不支持的操作,可能是由于硬件版本不兼容导致的。

7. UMC_ERR_INTERNAL_ERROR:内部错误,可能是由于硬件故障或驱动程序问题导致的。

要解决这个问题,需要根据具体的错误代码进行排查。

首先检查硬件连接和配置是否正确,然后尝试更新驱动程序或固件。

如果问题仍然存在,可能需要联系制造商或技术支持寻求进一步帮助。

MEMORY存储芯片MT29F4G08ABAEAWP-IT E中文规格书

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Table 153: I DD, I PP, and I DDQ Current Limits; Die Rev. G (0° ื T Cื 85°C) (Continued)Notes: 1.Applicable for MR2 settings A7 = 0 and A6 = 0; manual mode with normal temperaturerange of operation (0–85°C).2.Applicable for MR2 settings A7 = 1 and A6 = 0; manual mode with extended tempera-ture range of operation (0–95°C).3.Applicable for MR2 settings A7 = 0 and A6 = 1; manual mode with reduced temperaturerange of operation (0–45°C).4.I DD6E, I DD6R, I DD6A values are verified by design and characterization, and may not besubject to production test.5.When additive latency is enabled for I DD0, current changes by approximately 0%.6.When additive latency is enabled for I DD1, current changes by approximately +5%(x4/x8),+4%(x16).7.When additive latency is enabled for I DD2N, current changes by approximately 0%.8.When DLL is disabled for I DD2N, current changes by approximately –23%.9.When CAL is enabled for I DD2N, current changes by approximately –25%.10.When gear-down is enabled for I DD2N, current changes by approximately 0%.11.When CA parity is enabled for I DD2N, current changes by approximately +7%.12.When additive latency is enabled for I DD3N, current changes by approximately +1%.13.When additive latency is enabled for I DD4R, current changes by approximately +5%.14.When read DBI is enabled for I DD4R, current changes by approximately 0%.15.When additive latency is enabled for I DD4W, current changes by approximately +3%(x4/x8), +4%(x16).16.When write DBI is enabled for I DD4W, current changes by approximately 0%.17.When write CRC is enabled for I DD4W, current changes by approximately +10%(x4/x8),+10%(x16).18.When CA parity is enabled for I DD4W, current changes by approximately +12% (x8),+12% (x16).19.When 2X REF is enabled for I DD5R, current changes by approximately –14%.20.When 4X REF is enabled for I DD5R, current changes by approximately –33%.21.I PP0 test and limit is applicable for I DD0 and I DD1 conditions.22.I PP3N test and limit is applicable for all I DD2x, I DD3x, I DD4x and I DD8 conditions; that is, test-ing I PP3N should satisfy the I PP s for the noted I DD tests.23.DDR4-1600 and DDR4-1866 use the same I DD limits as DDR4-2133.24.The I DD values must be derated (increased) when operated outside of the range 0°C ื T Cื 85°C:When T C < 0°C: I DD2P, and I DD3P must be derated by 6%; I DD4R and I DD4W must be deratedby 4%; I DD6, I DD6ET, and I DD7 must be derated by 11%.When T C > 85°C: I DD0, I DD1, I DD2N, I DD2NT, I DD2Q, I DD3N, I DD3P, I DD4R, I DD4W, and I DD5R mustbe derated by 3%; I DD2P must be derated by 40%. These values are verified by designand characterization, and may not be subject to production test.25.I PP6x is applicable to I DD6N, I DD6E, I DD6R and I DD6A conditions.Table 154: I DD, I PP, and I DDQ Current Limits; Die Rev. H (0° ื T Cื 85°C)Table 154: I DD , I PP , and I DDQ Current Limits; Die Rev. H (0° ื T C ื 85°C) (Continued)Notes:1.Applicable for MR2 settings A7 = 0 and A6 = 0; manual mode with normal temperaturerange of operation (0–85°C).2.Applicable for MR2 settings A7 = 1 and A6 = 0; manual mode with extended tempera-ture range of operation (0–95°C).3.Applicable for MR2 settings A7 = 0 and A6 = 1; manual mode with reduced temperaturerange of operation (0–45°C).4.I DD6E , I DD6R , I DD6A values are verified by design and characterization, and may not besubject to production test.5.When additive latency is enabled for I DD0, current changes by approximately 0%.6.When additive latency is enabled for I DD1, current changes by approximately +5%(x4/x8),+4%(x16).7.When additive latency is enabled for I DD2N , current changes by approximately 0%.8Gb: x4, x8, x16 DDR4 SDRAM Current Specifications – Limits。

927fatal memory error

927fatal memory error

927fatal memory error(原创实用版)目录1.计算机出现致命内存错误2.错误原因分析3.解决方法4.总结正文一、计算机出现致命内存错误最近,在运行某个计算机程序时,出现了一个让人费解的错误信息:“927fatal memory error”。

这个错误信息意味着出现了致命内存错误,导致程序无法正常运行。

那么,这个错误是如何产生的呢?二、错误原因分析致命内存错误通常是由于以下几种原因导致的:1.内存不足:当计算机分配给程序的内存不足以满足其运行需求时,可能会出现这种错误。

2.内存泄漏:内存泄漏是指程序在运行过程中,未能正确释放已分配的内存。

随着时间的推移,内存泄漏可能导致系统内存耗尽,从而引发致命内存错误。

3.错误使用内存:程序在操作内存时出现错误,例如访问未分配给该程序的内存地址,也可能导致致命内存错误。

4.硬件故障:计算机内存硬件出现故障,可能导致无法正常读写数据,从而引发致命内存错误。

三、解决方法针对上述错误原因,可以尝试以下解决方法:1.增加内存:如果计算机分配给程序的内存不足,可以考虑增加内存条,以扩大系统内存。

2.修复内存泄漏:检查程序代码,找出可能导致内存泄漏的部分,并进行修复。

3.规范内存操作:检查程序代码,确保内存操作符合规范,避免出现未分配内存地址等错误。

4.更换硬件:如果计算机内存硬件出现故障,可以考虑更换内存条。

四、总结当计算机出现致命内存错误时,需要分析错误原因并采取相应的解决措施。

通过调整内存分配、修复内存泄漏、规范内存操作或更换硬件等方法,可以有效解决这一问题。

兄弟 fax-2820 说明书

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昂达 默认内存时序 -回复

昂达 默认内存时序 -回复

昂达默认内存时序-回复【昂达默认内存时序】是指昂达(ADATA)公司生产的内存产品在出厂时所使用的默认时序设置。

内存时序是指内存芯片在执行读写操作时所需要遵循的时间限制和顺序,它直接影响到内存性能与稳定性。

昂达作为一家知名的内存品牌,其默认内存时序设置旨在提供较好的性能和稳定性。

本文将逐步回答关于昂达默认内存时序的相关问题。

第一部分:什么是内存时序?内存时序是指内存芯片在进行读写操作时所需要遵循的时间限制和顺序。

它包括了各个时序参数,如CAS Latency(CL)、RAS to CAS Delay (tRCD)、RAS Precharge Time(tRP)等等。

这些参数决定了内存读写的速度和稳定性。

第二部分:为什么内存时序很重要?内存时序对计算机的性能和稳定性有着直接的影响。

较低的内存时序值表示内存芯片可以更快地完成读写操作,提高了数据的传输速率,从而提升了计算机的整体性能。

同时,合适的内存时序设置也有助于提升系统的稳定性,减少内存错误和崩溃的概率。

第三部分:昂达内存的默认时序设置是什么?昂达默认内存时序设置取决于具体的产品型号和规格。

以目前市场上常见的DDR4内存为例,昂达内存的默认时序设置通常为CAS Latency 16,RAS to CAS Delay 18,RAS Precharge Time 18,以及在刷新周期和命令率等方面也有相应的默认设置。

这些设置旨在提供相对较好的性能和稳定性,同时也能够兼顾功耗和发热等因素。

第四部分:如何修改内存时序设置?对于部分高端用户来说,他们可能希望进一步优化内存性能,或者根据自己的需求来调整内存时序设置。

在这种情况下,可以通过BIOS(基本输入输出系统)来修改内存时序设置。

通常,BIOS提供了类似"Memory Timing"或"DRAM Configuration"等选项,用户可以在这些选项中找到与内存时序相关的参数,并根据自己的需要进行修改。

内存报错解决方法(Memory error resolution)

内存报错解决方法(Memory error resolution)

内存报错解决方法(Memory error resolution)然后关闭并停止Windows管理规范服务。

删除WINNT \ System32 \ WBEM \库文件夹中的所有文件。

(在删除前请创建这些文件的备份副本。

)打开”服务和应用程序”,单击服务,然后打开并启动Windows 管理规范服务。

当服务重新启动时,将基于以下注册表项中所提供的信息重新创建这些文件:hkey_local_machine \软件\微软\ \\”MOFs CIMOM WBEM下面搜集几个例子给大家分析:例一:即浏览器出现”0x0a8ba9ef”指令引用的”0x03713644”内存,或者”0x70dcf39f”指令引用的”0x00000000”内存。

该内存不能为“读”。

要终止程序,请单击”确定”的信息框,单击”确定”后,又出现”发生内部错误,您正在使用的其中一个窗口即将关闭”的信息框,关闭该提示信息后,即解决方法浏览器也被关闭:1、开始-运行窗口,输入“regsvr32 actxprxy .dll”回车,接着会出现一个信息对话框”中的DllRegisterServer actxprxy.dll中成功”,确定。

再依次运行以下命令。

(这个方法有人说没必要,但重新注册一下那些。

DLL对系统也没有坏处,反正多方下手,能解决问题就行。

)regsvr32 Shdocvw.dllregsvr32 OLEAUT32.DLLregsvr32 actxprxy.dll中regsvr32 mshtml.dllmsjava.dll regsvr32regsvr32 browseui.dllregsvr32 urlmon.dll2、修复或升级IE浏览器,同时打上系统补丁。

看过其中一个修复方法是,把系统还原到系统初始的状态下升级到了建议将IE 6。

例二:有些应用程序错误:“0x7cd64998”指令参考的”0x14c96730”内存。

该内存不能为“读”。

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4GB DRAM Configuration on PCP2.隨著DRAM價格越來越低,現在PC所內建的DRAM容量也越來越大,目前Intel 和AMD的Processor架構下PC所能定址的最大Linear Address(Virtual Address)應該是4GB,而配備4GB或4GB以上Physical Address的Customer 也越來越多,但現在Problem來了,為什麼在System Attribute看到的容量和Task Manager上看到的DRAM容量不一樣呢?(這和32Bit或64Bit作業系統可是一點關係也沒有唷!)P3.Physical Address不一定對應User在編寫Program所使用的位址,因為現在一般的OS都使用Virtual Address來定址(因為Virtual Address是Linear Address),但Processor只能讀寫Physical Address。

要維持OS的運作DRAM 並不僅僅被當作Memory使用,有些位址要分配給IO Device和Interrupt Table (包含APIC)。

TOLUD這個Register是由BIOS賦值,內容為OS可單純當作Memory使用的最高Physical Address。

P4.PCI Memory Range佔據了最多的MMIO空間。

SMI觸發後OS會中斷並去讀取0x3000:xxxx的值(BIOS預先設定),而OS讀取到的xxxx就是T-SEG的Offset,所以T-SEG:xxxx就是BIOS跑SMM Code的Address。

APIC全名Advanced Programmable Interrupt Controller,它會增加除了原本存在0到0x3ff 的Interrupt Vector給SW/FW Developer使用。

通常OS會Backup一份BIOS 放在FLASH裡面。

LT是nForce 680i SLI的Starter Edition,全名nForce 680i LT SLI,只Support一個千兆Ethernet且超頻能力也降低,甚至只能相容於DDR2-800的記憶體,但因價格低廉仍有許多Customer願意購買。

P5.nForce i680 SLI是由NVIDIA代工製造的Chipset,可相容於Intel和AMD的Processor。

SLI(Scalable Link Interface)是一種把兩張或更多的VGA Card 合併在一起,以加快PC處理Graphics Data能力的Technology。

它Support 1333MHz Front Slide Bus、DDR2-1200和六顆SATA Disk,它有兩條全速的PCI-e x16 Socket,還有第3條PCI-e x8模式的PCI-e x16 Socket,預計未來用於物理加速。

當nForce i680 SLI偵測到Support LinkBoost的CPU,則Mobo (Motherboard)的PCE-e速度增加25%。

FirstPacket能更有效的分配Network Resource。

DualNet提供兩個千兆的Ethernet,平衡Network的Loading,增加兩倍Bandwidth。

Teaming是DualNet的附屬技術,它可以在一條Network Cable阻塞時靈活的切換到另一條Network Cable以傳輸Data。

TCP/IP的全名叫(Transmission Control Protocol/Internet Protocol),其中TCP可以勉強Mapping到OSI七層模型(Open System Interconnection Reference Model),而Ipv4因為只使用32Bit所以即將被Ipv6(128Bit)所取代。

MediaShield讓OS可Support六顆SATA Disk並Support RAID(Redundant Array Of Independent Disks)0、1、0+1和RATD5,所謂的RAID就是把多個相對便宜的Disk組合起來,讓OS把它們當作一個Disk,常被應用在Server,價格通常比相同大小的單一Disk低。

P6.MMIO的全名是Memory-Mapped I/O,這項Technology可以讓OS在Access 外部IO Device時不須調用IO專用函數,只要用一般Access Linear Address 的方式在MMIO的Scope內就可以R/W外部的IO Device,一般來說PCI Memory Range佔用最多的MMIO Address。

MMIO的範圍被設定為從TOLUD向上延伸到4GB頂點,因為我的電腦只配備1GB的DRAM,所以TOLUD的Value為0x3FFFFFFF,而MMIO的Scope就從0x40000000到0xFFFFFFFF 的3GB。

P7.本圖展現了Intel P45 Chipset的典型MMIO分配,其中特別要注意的是DMI (Desktop Management Interface),它連接了Mobo的North Bridge和Sourth Bridge,管理了大多數的IO Device,因此理所當然的享有最多的MMIO Address。

P8.首先定義一個Concept,MMIO僅僅佔據Virtual Address而不是DRAM,一個DRAM的Bit由一個電晶體和一個電容所組成,它們本身沒有Address,所有的Address都是由OS進行Assign的。

因此在有些IO Device較少的System(如Win Server),Task Manager所顯示的DRAM會較多,這是因為不需要用到這麼多的MMIO Address。

當PC配備超過4GB以上的DRAM時,因為MMIO的Priority大於System Memory,而DRAM又是由下而上老老實實的分佈排列,所以這時就會Produce一個DRAM Hole把Main Memory切成兩個Area,但由於Compatibility的考量MMIO一般都Operate在4GB以下的Virtual Address。

P9.TOM(Top Of Memory)指的是使用者所安裝DRAM的最高Address,TOM Register並不一定代表Total DRAM,因為System Memory中總是存在著一些Hole,所以實際DRAM總量要比TOM所記載的Value要再高一些。

TOM Register之下會有一段1到64KB的DRAM被Manageability Engine所佔用,這些是確確實實被佔用的DRAM(圖中的EP-UMA)。

TOUUD(Top Of Upper Usable DRAM)可在4GB以上到TOM之下經過鑑定後的DRAM Range內Work,由此可見BIOS是可以接受大於4GB的DRAM的。

若安裝了4GB以上的DRAM,則會有一個Reclaim Memory的Mechanism用來回收被MMIO Occupy的Memory。

首先Define一個DECLAIMBASE當作Bottom的Address,接著Define DECLAIMLINIT當作Top Address,其Scope剛好和4GB到TUULD 的MMIO相等,然後這個Reclaim Mechanism會把MMIO Mapping到EP Stolen Base以下的Scope中。

BIOS中Memory Remapping(也有的叫Memory Hole Remapping)就是Control Chipset的Memory Reclaim,只有Switch On這個Option的時候Chipset才會回收與MMIO交叠的Memory。

某些Mobo不一定會Switch On Memory Reclaim,但大多數Mobo都有Switch On。

P10.在Early的OS裡,同一時間只有一個Process在運作,但在現今的OS System 多Task同時Operate已經成為了Basic的Mode,於是Engineer為每Process 都劃定了一塊Area(通常為2GB User Space配2GB Kernel Space,但可調整為3GB User Space配1GB Kernel Space),並給予每個Process一個PID讓它們不會衝突。

但是Process總不能永遠在看不見摸不著的Virtual Address裡Execute,OS會為這個Process用Memory Page Mapping的方式申請Physical Address。

Process的Data不僅僅Store在DRAM裡,它甚至會把較少用到的Data Store在Hard Disk中,不過CPU要R/W Data一定要透過DRAM,所以當CPU要R/W Store在Hard Disk裡的Data時必須把它load到DRAM裡,也就是說如果這台PC配備較多的DRAM,那OS就可以把較多的Data放在Speed 快的DRAM裡,所以Application在DRAM越大的PC Execute越Fast就是這個Reason。

P11.這一張Picture講述的是<記憶體分頁模型>。

Picture的Top是一段32Bit的Linear Address,取它的前10BIT就可以定址一個4KB的Page Directory(Its Address Store in CR3 Register)。

Page Directory裡面的每一個PD Entry都對應到一個Page Table,用Linear Address的Middle 10Bit就可以定址Page Table。

Page Table的Context稱為PT Entry,每一個PT Entry又對應到一個4KB的Page,用Linear Address的最後12個Bit就可以定址它,這個4KB的Page是Virtual Number和Physical Number的Offset,在整個Transform中它是不會變動的。

P12.由上一張投影片看來,要定址4GB Address應該需要4KB(Page Directory)+ 1024 ×4KB(1024個PT Entry,每個PT Entry對應4KB的Page)。

但在Windows 2000的實作中,其實只要4MB(1024 ×4KB)的Physical Address 就可以Mapping到4GB的Linear Address,而Reason就是有一個Page Directory和Page Table的Address Overlap了。

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