三极管原理全总结
三极管的工作原理
三极管的工作原理引言概述：三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
它的工作原理是基于PN结的导电性能和控制电流的特性。
本文将详细介绍三极管的工作原理，匡助读者更好地理解这一电子元件的运作机制。
一、PN结的形成1.1 PN结的概念：PN结是由P型半导体和N型半导体直接接触形成的结构。
1.2 PN结的电性：PN结的两侧形成电场，使得P区和N区的电子和空穴在结附近被吸引，形成电势垒。
1.3 PN结的导电性：当PN结处于正向偏置时，电子从N区向P区挪移，空穴从P区向N区挪移，导致PN结导通。
二、三极管的结构2.1 三极管的构造：三极管由三个掺杂不同的半导体层组成，分别是发射极、基极和集电极。
2.2 三极管的符号表示：三极管的符号表示为一个箭头指向基极，箭头指向基极的一侧是发射极，另一侧是集电极。
2.3 三极管的工作方式：三极管通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。
三、三极管的工作原理3.1 放大作用：当基极电流增加时，集电极和发射极之间的电流也增加，实现信号的放大。
3.2 开关作用：三极管可以被用作开关，当基极电流为零时，三极管处于截止状态，不导通；当基极电流增加时，三极管处于饱和状态，导通。
3.3 稳压作用：三极管可以用作稳压器，通过控制基极电流来实现对电路中电压的稳定。
四、三极管的应用领域4.1 放大器：三极管广泛应用于放大电路中，如音频放大器、射频放大器等。
4.2 开关：三极管可用作开关，控制电路的通断，如数字电路、计算机内部电路等。
4.3 稳压器：三极管可以用作稳压器，保护电路中的其他元件不受过高电压的影响。
五、三极管的发展趋势5.1 集成化：随着技术的不断进步，三极管正向着微型化、集成化的方向发展，以适应电子设备的小型化趋势。
5.2 高频化：三极管的工作频率不断提高，适合于更高频率的应用领域，如通信领域。
5.3 多功能化：未来的三极管可能会具有更多的功能，不仅可以实现放大、开关、稳压等功能，还可能具有更多的应用场景。
三级管电路工作原理及详解
三级管电路工作原理及详解一、引言三极管是一种常用的半导体器件，广泛应用于各种电路中。
它具有放大信号、开关控制和稳压等特性，是现代电子设备中不可或缺的元件之一。
本文将深入探讨三极管电路的工作原理和详解，以帮助读者更好地理解和应用三极管。
二、三极管基本概述三极管是由三个不同掺杂的半导体材料组成，常用的有NPN型和PNP型两种。
其中，NPN型三极管中央是N型半导体，两侧是P型半导体；PNP型三极管中央是P型半导体，两侧是N型半导体。
三极管的结构决定了它具有双向导通的特点。
三、三极管的工作原理3.1 NPN型三极管工作原理1.充电过程：–基极与发射极之间施加正向电压。
–发射极和基极之间形成正向偏压。
–发射极注入少量电子到基区。
2.放电过程：–基极电压接近零。
–发射区的少数载流子都陷于基区。
–收集区电流几乎是零。
3.放大过程：–基极电压逆向偏置。
–发射极和基极之间形成反向偏压。
–基极电流引起发射极电流的增加，形成放大效应。
3.2 PNP型三极管工作原理1.充电过程：–基极与发射极之间施加负向电压。
–发射极和基极之间形成负向偏压。
–发射极抽取少量电子从基区。
2.放电过程：–基极电压接近零。
–发射区的少数载流子都陷于基区。
–收集区电流几乎是零。
3.放大过程：–基极电压逆向偏置。
–发射极与基极之间形成反向偏压。
–基极电流引起发射极电流的减小，形成放大效应。
四、三极管的应用三极管由于其特性，在电子电路中有广泛的应用。
以下是几个常见的应用场景： 1. 放大器：使用三极管可以放大微弱的信号，使之变得可用于其他电路。
2. 开关控制：三极管可以作为开关，控制电路的通断。
3. 稳压器：利用三极管的特性，可以设计稳压电路，保持输出电压的稳定性。
4. 正弦波发生器：三极管可以用于正弦波发生器的设计，产生各种频率的信号。
五、三极管的优缺点5.1 优点•体积小、重量轻，便于集成和组装。
•功耗低，效率高。
•放大范围宽，稳定性好。
三极管工作原理及详解
三极管工作原理及详解三极管是一种半导体器件，也被称为双极型晶体管。
它是由三个不同掺杂的半导体材料（P型、N型和P型）构成的。
三极管主要有三个区域，分别是发射区（Emitter）、基极区（Base）和集电区（Collector）。
三极管的工作原理是基于PN结和两个PN结之间的正偏压。
在三极管中，发射区被正向偏置，基极区与发射区之间的PN结是正向偏置的，而基极区与集电区之间的PN结是反向偏置的。
在正向偏置下，发射区和基极之间形成强烈的电子流。
三极管的工作原理可以通过以下过程来解释：1.关闭状态：当没有外部电压时，三极管处于关闭状态。
这时，发射区和基极之间的PN结是反向偏置的，导致电子无法通过这个结。
同时，基极区和集电区之间的PN结也是反向偏置的，阻止电流通过结。
2.开通状态：当在发射区和基极之间施加一定的正偏压时，发射区与基极之间的PN结将变得导电。
这时，电子从N区进入P区，然后重新组合成空穴进入基极区。
由于基极区非常薄，电子容易通过这个区域，这导致电子流从发射区进入基极区。
3.放大状态：在开通状态下，当电子进入基极区时，它们在基极区中会重新复合成空穴。
然而，由于基极区非常薄，复合的速度非常慢。
因此，大部分电子通过基极区，进入集电区而没有复合。
这样，发射区的电子流被放大，从而实现电流的放大功能。
总结起来，三极管的工作原理可以归结为以下三个步骤：1）施加正向偏压，使发射区和基极之间的PN结导电；2）电子从发射区进入基极区；3）电子在基极区中重新组合成空穴，并通过集电区。
除了电流放大功能之外，三极管还有其他重要的应用。
例如，它可以用于开关电路、放大电路和振荡电路。
在开关电路中，三极管可以用来控制开关的打开和关闭。
在放大电路中，三极管可以利用小信号输入来放大电流或电压。
在振荡电路中，三极管可以通过反馈来产生振荡信号。
总而言之，三极管是一种基本的半导体器件，其工作原理基于PN结和正向偏压的使用。
通过电子的流动和复合，三极管可以实现电流的放大和控制，从而为电子器件带来许多应用。
三极管工作原理及详解
e UC>UE≥UB
e
UC<UE≤UB
三极管状态判断小结
工作状态 发射结电压 集电结电压
放大 截止
正向 反向
反向 反向
饱和 倒置
NPN型 c b
正向 反向
PNP型 c b e UC≥UB<UE
正向 正向
判断饱和状态时的引脚
UBE正向导通: 硅管约0.7V, 锗管大约0.2V
饱和时三极管的管压被称作为
三极管状态判断小结
工作状态 发射结电压 集电结电压
放大 截止
正向 反向
反向 反向
判断截止状态时的引脚
饱和 倒置
NPN型 c b
正向 反向
PNP型 c b
正向 正向
对一般的NPN管电路： UC=+UCC，UE=0V，UB≤0V UCE=+UCC 对一般的PNP管电路： UC= -UCC，UE=0V，UB≥0V UCE= -UCC
I BS U CC 5 25μA βRC 100 2k
+Ucc
Rb c b e
Rc
因为IB>IBS，所以三极管处在饱和状态
• 例2. NPN型接法如下。UBE=0.7V，分析电路 中三极管处于何种工作状态
（c）Rb=30kΩ, Rc=2.5kΩ, β=35, Ucc=5V,Ui=0V或3V
倒置
三极管状态判断小结
1.以电压判断三极管工作状态
工作状态 发射结电压 集电结电压
放大 截止 饱和 倒置 NPN型 c
正向 反向 正向 反向
反向 反向 正向 正向 PNP型 c b e UC<UB<UE
判断放大状态时的引脚
UBE正向导通,压降： 硅管大约0.7V 锗管大约0.2V
三极管原理全总结
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１、三极管的正偏与反偏:给PN结加的电压和ＰN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。即当P区（阳极)电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。例如NＰN型三极管,位于放大区时，Ｕc＞Uｂ集电极反偏，Uｂ>Ｕe发射极正偏。总之，当ｐ型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。
截止区:Ub＜=Ｕce且Uce>Ube
放大区:Ube>Uｏn且UCE>=Ube,即Uｃ>Ub＞Ｕe。
饱和区:Uｂｅ＞Uoｎ且Uce<Ubｅ
NＰN型三极管导通时（饱和状态)ce间电压约为０．3V，ＰNP型三极管饱和导通条件Ve>Vb,Vc>Vb,eｃ间电压也约等于０.３V。ＮPN型三极管截止时只需发射极反偏即可，ＰNP型三极管与NPN型三极管截止条件相同。
(3)截止区:发射结反偏，集电结反偏。由于两个PＮ结都反偏,使三极管的电流很小,Iｂ≈0,Ic≈0，而管压降Ucｅ却很大。这时的三极管c、e极相当于开路。可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量
如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和，放大,截止状态?用电压表测基极与射极间的电压Ube。
共射极电路的电流放大系数为β,共基极电路的电流放大倍数为α。α的值小于1但接近于1,而β的值则远大于１(通常在几十到几百的范围内)，所以Ic>>Ib。由于这个缘故，共射极电路不但能得到电压放大,还可得到电流放大,致使共射极电路是目前应用最广泛的一种组态。
4、三极管用于开关电路的原理
三极管原理全总结
1、三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。
即当P区（阳极）电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。
例如NPN型三极管，位于放大区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue发射极正偏。
总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。
NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC<VB<VE。
2、三极管的三种工作状态：放大、饱和、截止（1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。
对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。
放大条件：NPN管：Uc>Ub>Ue；PNP管：Ue>Ub>Uc。
（2）饱和区：发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。
即饱和导通条件：NPN管：Ub>Ue,Ub>Uc，PNP型管：Ue>Ub,Uc>Ub。
饱合状态的特征是：三极管的电流Ib、Ic 都很大，但管压降Uce 却很小，Uce≈0。
这时三极管的c、e 极相当于短路，可看成是一个开关的闭合。
饱和压降，一般在估算小功率管时，对硅管可取0.3V，对锗管取0.1V。
此时的，iC几乎仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用。
（3）截止区：发射结反偏，集电结反偏。
由于两个PN 结都反偏，使三极管的电流很小，Ib≈0，Ic≈0，而管压降Uce 却很大。
这时的三极管c、e 极相当于开路。
可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态？用电压表测基极与射极间的电压Ube。
三极管原理通俗
三极管原理通俗
三极管原理通俗易谨的说法是，它像一个水坝，有两个阀门。
小阀门受大阀门控制。
当小阀门开启一点点水流
就缓缓流下:如果小阀门开大一点，水流就变得汹涌;:如果小阀门关上了，水就不会流动了。
三极管放大电路的基本构成：
1,发射区向基区注入电子:当基极电压大于发射极电压时，基极电源将电子从发射区吸引到基区，当基极电流增大时，基区的电子数量增多，电子从发射区向基区的注入量也增大。
2.电子在基区扩散和复合:进入基区的电子在靠近基极的区域会扩散开来，并有可能与集电极附近的空六复合。
3.集电极收集电子:随若基极电流的增大，进入基区的电子数量增多,但只有很少一部分电子能够到达集电极。
当基极电流增大到一定程度时，集电极的电压增大到足以将扩散到集电区的电子吸引到集电极。
4.输出信号:当集电极收集到电子后，集电极的电位降低，产生输出信号。
输出信号的大小取决于基极电流的大小和比例常数。
5.反馈作用:当三极管放大电路的输出信号对输入信号产生影响时，就称为反馈作用。
反馈作用可以使电路的增益减小或使电路的输出波形失真。
总之。
三极管是一种电流控制元件，可以通过控制其电流大小来实现对电路的控制和调节作用。
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三极管npn的工作原理
三极管npn的工作原理
NPN三极管是一种常用的双极型晶体管，在电子器件中应用广泛。
它由三个掺杂不同类型的半导体材料构成，分别是N 区（负电荷载流子区）、P区（正电荷载流子区）和N区（负电荷载流子区）。
NPN三极管的工作原理如下：
1. 开关状态：当无外加电压时，NPN三极管处于关闭状态，没有电流流过。
此时，基区没有电流通过，无法使集电极和发射极之间产生足够的电压来放大输入信号。
2. 放大状态：当在基极和发射极之间施加一个电压时，基区会形成电流，这个电流也称为基电流。
当基电流足够大时，它会将NPN三极管推至工作状态，这时集电极和发射极之间存在较大的电压差，从而形成放大效应。
通过调节基电流的大小，可以调整NPN三极管的放大倍数。
具体工作过程如下：
1. 输入：将输入信号（例如电压或电流）加到基极，通过控制基电流的大小来控制NPN三极管的放大倍数。
2. 放大：当正向偏置电压（例如外加电压）施加到集电极和发射极之间时，电子从发射极流向基极，同时由于浓度差异，少数载流子空穴从基极进入集电极，形成电流放大效应。
3. 输出：输出信号从集电极取出。
总之，NPN三极管的工作原理是基于控制基电流从而控制集电极和发射极之间的电压差，以实现信号放大的效果。
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1、三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。
即当P区（阳极）电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。
例如NPN型三极管，位于放大区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue发射极正偏。
总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。
NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC<VB<VE。
2、三极管的三种工作状态：放大、饱和、截止（1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。
对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。
放大条件：NPN管：Uc>Ub>Ue；PNP管：Ue>Ub>Uc。
（2）饱和区：发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。
即饱和导通条件：NPN管：Ub>Ue,Ub>Uc，PNP型管：Ue>Ub,Uc>Ub。
饱合状态的特征是：三极管的电流Ib、Ic 都很大，但管压降Uce 却很小，Uce≈0。
这时三极管的c、e 极相当于短路，可看成是一个开关的闭合。
饱和压降，一般在估算小功率管时，对硅管可取0.3V，对锗管取0.1V。
此时的，iC几乎仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用。
（3）截止区：发射结反偏，集电结反偏。
由于两个PN 结都反偏，使三极管的电流很小，Ib≈0，Ic≈0，而管压降Uce 却很大。
这时的三极管c、e 极相当于开路。
可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态？用电压表测基极与射极间的电压Ube。
饱和状态 eb有正偏压约0.65V左右,ce电压接近0V.放大状态 eb有正偏压约0.6V,ce电压大于0.6V小于电源电压.截止状态 eb电压低于0.6V,ce电压等于或接近电源.在实际工作中，可用测量BJT各极间电压来判断它的工作状态。
NPN型硅管的典型数据是：饱和状态Ube=0.7V，Uce=0.3V；放大区Ube=0.7V；截止区Ube=0V。
这是对可靠截止而言，实际上当Ube<0.5V时，即已进入截止状态。
对于PNP管，其电压符号应当相反。
截止区：就是三极管在工作时，集电极电流始终为0。
此时，集电极与发射极间电压接近电源电压。
对于NPN型硅三极管来说，当Ube在0～0.5V 之间时，Ib很小，无论Ib怎样变化，Ic都为0。
此时，三极管的内阻（Rce）很大，三极管截止。
当在维修过程中，测得Ube低于0.5V或Uce接近电源电压时，就可知道三极管处在截止状态。
放大区：当Ube在0.5～0.7V 之间时，Ube的微小变化就能引起Ib的较大变化，Ib随Ube基本呈线性变化，从而引起Ic的较大变化（Ic=βIb）。
这时三极管处于放大状态，集电极与发射极间电阻（Rce）随Ube可变。
当在维修过程中，测得Ube在0.5～0.7V之间时，就可知道三极管处在放大状态。
饱和区：当三极管的基极电流（Ib）达到某一值后，三极管的基极电流无论怎样变化，集电极电流都不再增大，一直处于最大值，这时三极管就处于饱和状态。
三极管的饱和状态是以三极管集电极电流来表示的，但测量三极管的电流很不方便，可以通过测量三极管的电压Ube及Uce来判断三极管是否进入饱和状态。
当Ube略大于0.7V后，无论Ube怎样变化，三极管的Ic将不能再增大。
此时三极管内阻（Rce）很小，Uce低于0.1V，这种状态称为饱和。
三极管在饱和时的Uce 称为饱和压降。
当在维修过程中测量到Ube在0.7V 左右、而Uce低于0.1V 时，就可知道三极管处在饱和状态。
截止区：Ub<=Uce且Uce>Ube放大区：Ube>Uon且UCE>=Ube，即Uc>Ub>Ue。
饱和区：Ube>Uon且Uce<UbeNPN型三极管导通时（饱和状态）ce间电压约为0.3V，PNP型三极管饱和导通条件Ve>Vb,Vc>Vb，ec间电压也约等于0.3V。
NPN型三极管截止时只需发射极反偏即可，PNP型三极管与NPN型三极管截止条件相同。
4、三极管用于开关电路的原理两个PN结都导通，三极管导通，这时三极管处于饱和状态，即开关电路的“开”状态，这时CE极间电压小于BE极间电压。
两个PN结均反偏，即为开关电路的“关”状态，三极管截止。
5.三极管构成放大器有三种电路连接方式共射极放大器，发射极为公共端，基极为输入端，集电极为输出端。
共集极放大器，集电极为公共端，基极为输入端，发射极为输出端。
共基极放大器，基极为公共端，发射极为输入端，集电极为输出端。
6、PNP管和NPN管的用法a.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择NPN。
b.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择PNP。
c.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择NPN。
d.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择PNP。
NPN基极高电压，极电极与发射极短路(导通).低电压，极电极与发射极开路.也就是不工作。
PNP基极高电压,极电极与发射极开路，也就是不工作。
如果基极加低电位，集电极与发射极短路（导通）。
7、晶体三极管是一种电流控制元件。
在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻(在三极管的集电极与电源之间接一个电阻)转变为电压放大作用。
共射极电路的电流放大系数为β，共基极电路的电流放大倍数为α。
α的值小于1但接近于1，而β的值则远大于1（通常在几十到几百的范围内），所以Ic>>Ib。
由于这个缘故，共射极电路不但能得到电压放大，还可得到电流放大，致使共射极电路是目前应用最广泛的一种组态。
8、三极管在电路的应用由于单片机的输出电流很小，不能直接驱动LED，需要加装扩流电路，最简单的就是加装一个射极跟随器（共集电极电路）足以驱动LED了。
射极跟随器的发射极接负载，集电极接地，基极接单片机IO口。
共射极接法和共集电极接法的区别共集、共基、共射指的是电路，是三极管电路的连接状态而不是三极管。
所谓“共”，就是输入、输出回路共有的部分。
其判断是在交流等效电路下进行的。
在交流通路下，电源正极相当于接地。
哪一个极接地，就是共哪个极电路。
共集电极电路----三极管的集电极接地，集电极是输入与输出的公共极；共基极电路----三极管的基极接地，基极是输入与输出的公共极；共发射极电路----三极管的发射极接地，发射极是输入与输出的公共极。
8.1、NPN管在电路中的应用区别很大。
首先，你的图有些问题，在B极、E或C极回路上必须要有限流电阻，不然会烧元件或者拉低电压的。
Q1应该是共集电极电路吧，Q2算共射电路。
此处输入电压3V3代表3.3V。
一般情况不使用Q1电路，都使用Q2电路。
Q1电路中，随着Q1的导通，E极电压上升，升到E极电压上升到3V（锗管）或2.6V（硅管）时，Q1的BE结电压开始减小，使Q1欲退出饱和状态，如此Q1的电压就钳在3V或2.6V左右，Q1的输出电压相对较低，不可能超过3V（按锗管算，BE也得0.3V的压降）。
因为Ube=0.7V（硅管）/0.3V（锗管）。
Q1电路无法进入饱和状态?如果Q1进入饱和状态,电流Ic增大,集电极本来就有限流电阻R,Ic*R>Vcc-Ie*Rled? Rled为LED的电阻。
Q2电路简单，只要BE电压达到0.3V（锗管）或0.7V（硅管），Q2饱和导通，5V电压就加于负载。
负载电压不受B极驱动电压的影响。
综上所述：NPN管（高电平导通）采用共集电极接法时输出电压较低，采用共射极接法时输出电压相对较高。
8.2 PNP管在电路中的应用两种接法各有用途，不能说哪种更好左边是共发射极接法，右边是共集电极接法，由于发射极和基极间的电位只差0.7V，大致可看成Ve=Vb，因此又叫做射级跟随器。
当目的是要驱动一个数字量器件（如继电器/蜂鸣器）时，左边的共射电路是最标准的用法：T1要么截止要么饱和导通，导通时T1上的压降很小，电源电压几乎都落到负载B1上，T1相当于一个开关。
采用右图的射随接法继电器/蜂鸣器虽也能工作，但因三极管不会饱和，使得负载得不到接近电源的电压，反而要使三极管的功耗增大，是值得注意的。
左图：拉低T1的基极电平使其导通（限流电阻不可省），T1即饱和，Vce 仅约0.2V。
右图：拉低T2的基极电平（假设为0.3V），T2虽导通但无法完全饱和，因导通的条件是Vbe（实际应为Veb）上有0.7V，所以T2的Vce（实际应为Vec）=0.3+0.7=1V。
可见左右两种电路在三极管c-e上的压降不同，右图三极管的功耗要大于左图，负载上得到的电压则较低。
综上所述，PNP管（低电平导通）采用共集电极接法时无法进入饱和状态，采用共射极接法时饱和压降低。
所以在电路中不管是PNP管还是NPN管一般采用共射极接法，即集电极接负载；共集电极接法（又称射级跟随器）有电流放大而无电压放大。
如果把三极管当开关用，负载最好接在集电极（不管是NPN还是PNP管），这样接导通时饱和压降小一点。
接在集电极作负载的是电压放大，接在发射极做负载的是电流放大。
不管是NPN还是PNP三极管负载可以接在集电极也可以接在发射极，至于哪种接法要根据放大电路的要求来定，负载接在集电极的叫共射放大电路，具有电压放大作用，另一种负载接在发射极的称共集电极放大电路，具有电流放大作用，具有高输入阻抗，低输出阻抗的特点，同样是一种放大电路又称阻抗匹配电路。
8.3 一般典型用法是三极管基极接单片机IO口（P0-P3）。
三极管的集电极电流（Ic）小可以更容易进入饱和状态。
三极管的饱和电流由C极负载决定,这里说的是e极上无电阻的情况. 一般说负载大是指电流大,也就是电阻小。
怎么使三极管进入饱和状态？（此处NPN三极管基极接单片机IO口，发射极接地，集电极通过负载接5V电源）答案：增加基极电流，使基极电流乘以放大倍数大于集电流。
因为三极管放大倍数有离散性,所以计算时要用你所用一三极管中可能的最小放大倍数。
用最小放大倍数算,放大倍数较大的管子上去也能用,只是饱和深度深些,多少影响点响应速度。
用最大放大倍数算,放大倍数较小的管子上去就不能保证饱和。
如果单片机输出电流不够就要加放大级。
假如发射极直接接地而不串联电阻，如果三极管是NPN管，单片机IO口输出高电平，则加在三极管的电流会过大而烧毁三极管。