光电隔离器6N137原理及典型用法
6n137 中文资料 应用电路 pdf 6n137 封装图 6n137 管脚说明
6n137 中文资料 应用电路 pdf 6n137 封装图 6n137 管脚说明6n137中文资料 应用电路 pdf 6n137 封装图 6n137 管脚说明用：6N137/HCPL2601，HCPL2611，HCPL2630，HCPL2631是高速光电耦合器6n137的内部结构原理如下图所示，信号从脚2和脚3输入，发光二极管发光，经片内光通道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后 导通，经电流-电压转换后送到与门的一个输入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。
当 输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时，输出高电平，但这个逻辑高是集电极开路的，可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。
型号：单通道： 6N137 ， HCPL2601 ， HCPL2611 双通道： HCPL2630 ， HCPL2631 高速10MBit / s 的逻辑门光电引脚图原理如上图所示，若以脚2为输入，脚3接地，则真值表如附表所列，这相当于非门的传输，若希望在传输过程中不改变逻辑状态，则从脚3 输入，脚2接高电平。
真值表 功能（正逻辑） Inp ut 输入 Enabl e 使能Output 输出H H L LHHH L HL L HH NC LL NC H绝对最大额定值（Ta= 25 ℃除非另有说明）：Symbol符号Parameter 参数Value 数值Units单位TSTGStorage Temperature 贮藏温度-55 to +125℃TOPROperating Temperature 操作温度-40 to +85℃TSO L Lead Solder Temperature 焊料温度260 for 10sec℃EMITTER 发送端IF DC/Average Forward 直流/平均正向单通道50mA Input Current 输入电流双通道(每通道)30VE Enable Input Voltage Not to Exceed VCC by morethan 500mV单通道 5.5VVR Reverse Input Voltage 反向输入电压每个通道 5.0VPI Power Dissipation 功耗单通道100mW 双通道(每通道)45DETECTOR 接收端VCC(1minutemax)Supply Voltage 电源电压7.0VIO Output Current 输出电流单通道50mA 双通道(每通道)50VO Output Voltage 输出电压每个通道7.0VPO Collector Output 集电极输出单通道85mW Power Dissipation 功耗双通道(每通道)60建议操作条件：Sym bol符号Parameter 参数最小最大Units单位IFL Input Current Low Level 输入电流，低电平025μAIFH Input Current High Level 输入电流，高电平*6.315mAVCC Supply Voltage Output 供电电压，输出 4.55.5VVEL Enable Voltage Low Level 使能电压，低电平00.8VVEH Enable Voltage High Level 使能电压，高电平 2.0VCCVTA工作温度范围-40+85℃N Fan Out (TTL load)扇出期( TTL负载)8电学特性（Ta=0至70 ，除非另有规定）单独的组件特征：Symbol 符号Parameter 参数测试条件最小典型最大单位VF Input Forward Voltage输入正向电压IF = 10mA1.8VTA=25℃1.41.75BVR Input Reverse BreakdownVoltage 输入反向击穿电压IR = 10μA 5.0VCIN Input Capacitance 输入电容VF = 0 f = 1MHz6pFΔV F / ΔT A Input Diode TemperatureCoefficient 输入二极管温度系数IF = 10mA-1.4mV/℃DETECTOR 接收端ICC H High Level Supply Current高电源电流VCC = 5.5V IF= 0mA VE =0.5V单通道710mA双通道1105ICC L Low Level Supply Current低电平电源电流单通道VCC=5.5V IF =10mA913mA双通道VE = 0.5V1421IEL Low Level Enable Current低电平使能电流VCC = 5.5V VE = 0.5V-.8-1.6mAIEH High Level Enable Current高电平使能电流VCC = 5.5V VE = 2.0V-.6-1.6mAVEH High Level Enable Voltage高电平使能电压VCC = 5.5V IF = 10mA 2.0VVEL Low Level Enable Voltage低电平使能电压VCC = 5.5V IF = 10mA(3).8V开关特性 (TA= -40℃ to +85℃ VCC= 5V IF= 7.5mA 除非另有说明)：Symbol 符号AC Characteristics交流特性测试条件最小典型最大单位TP HH Propagation DelayTime to Output HIGHLevel传递延迟时间到高电平输出RL=350ΩCL=15pF(4)(Fig.12)TA=25℃204575ns10TP HL Propagation DelayTime to Output LOWLevel传递延迟时间到低电平输出TA = 25℃(5)254575nsRL = 350Ω CL = 15pF (Fig. 12)10|T PHL TP LH |Pulse WidthDistortion 脉宽失真(RL = 350Ω CL = 15pF (Fig. 12)335nstr Output Rise Time(10–90%)输出上升时间( 10-90 ％ )RL = 350Ω CL = 15pF(6)(Fig. 12)50nstf Output Rise Time(90–10%)输出上升时间( 90-10 ％ )RL = 350Ω CL = 15pF(7)(Fig. 12)12nstE LH Enable PropagationDelay Time toOutput HIGH Level允许传播延迟时间到高电平输出IF = 7.5mA VEH = 3.5V RL = 350ΩCL =15pF(8)(Fig. 13)20nstE HL Enable PropagationDelay Time toOutput LOW Level 允许传播延迟时间到低电平输出IF = 7.5mA VEH = 3.5V RL = 350ΩCL =15pF(9)(Fig. 13)20ns|C MH |Common ModeTransient Immunity(at Output HIGHLevel) 共模瞬态抑制比(输出高电平)TA=25℃|VCM| =50V(Peak) IF=0mA VOH(Min.)= 2.0V RL =350Ω(10)(Fig.14)6n137HCPL26301000V/μsHCPL2601 HCPL263150001000|VCM| = 400V HCPL261110001500V/μs|C ML |Common ModeTransient Immunity(at Output LOWLevel) 共模瞬态抑制比(输出低电平)RL = 350ΩIF =7.5mA VOL (Max.)=0.8V TA = 25℃(11)(Fig. 14)6n137HCPL26301000HCPL2601 HCPL263150001000|VCM| = 400V HCPL261110001500电气特性（续）转移特性(TA = -40 to +85℃ 除非另有说明)Symbol 符号DC Characteristics 直流特性测试条件最小典型最大Unit单位IO H HIGH Level Output Current高输出电流VCC = 5.5V VO =5.5V IF = 250μAVE = 2.0V(2)100μAVO LOW Level Output Current 低VCC = 5.5V IF = .350.6VL电平输出电流5mA VE = 2.0V ICL= 13mA(2)IF T Input Threshold Current 输入阈值电流VCC = 5.5V VO =0.6V VE = 2.0VIOL = 13mA35mA隔离特性（Ta= -40 ℃至+85 ℃ ，除非另有说明. ）：Symbo l 符号Characteristics 特性测试条件最小典型最大Unit单位II -O Input-Output Insulation LeakageCurrent 输入输出绝缘泄漏电流相对湿度 = 45%TA = 25℃ t = 5sVI-O = 3000VDC(12)1.*μAVI S O Withstand Insulation Test Voltage 经受绝缘测试电压)RH < 50% TA =25℃ II-O ≤2μA t = 1min.(12)2500VRMSRI -O Resistance (Input to Output)电阻(输入输出VI-O =500V(12)1012ΩCI -O Capacitance (Input to Output)电容(输入输出)f = 1MHz(12)0.6pF测试电路和波形 tPLH tPHL tr and tf测试电路tEHL和tELH测试电路的共模瞬态抗扰度光藕隔离器6N137典型应用如图1所示，假设输入端属于模块I，输出端属于模块II。
6N137中文
6N137光耦合器是一款用于单通道的高速光耦合器，其内部有一个850 nm波长AlGaAs LED和一个集成检测器组成，其检测器由一个光敏二极管、高增益线性运放及一个肖特基钳位的集电极开路的三极管组成。
具有温度、电流和电压补偿功能，高的输入输出隔离，LSTTL/TTL兼容，高速(典型为10MBd)，5mA 的极小输入电流。
特性：①转换速率高达10MBit/s;②摆率高达10kV/us;③扇出系数为8;④逻辑电平输出;⑤集电极开路输出;工作参数：6N1376N137光耦合器的真值如表1所示：需要注意的是，在6N137光耦合器的电源管脚旁应有—个0.1uF的去耦电容。
在选择电容类型时，应尽量选择高频特性好的电容器，如陶瓷电容或钽电容，并且尽量靠近6N137光耦合器的电源管脚；另外，输入使能管脚在芯片内部已有上拉电阻，无需再外接上拉电阻。
6N137光耦合器的使用需要注意两点：第一是6N137光耦合器的第6脚Vo输出电路属于集电极开路电路，必须上拉一个电阻；第二是6N137光耦合器的第2脚和第3脚之间是一个LED，必须串接一个限流电阻6N137的内部结构原理如下图所示，信号从脚2和脚3输入，发光二极管发光，经片内光通道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后导通，经电流-电压转换后送到与门的一个输入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。
当输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时，极开路的，可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。
型号：单通道： 6N137 ，双通道： HCPL2630高速10MBit / s引脚图原理如上图所示，若以脚2为输入，脚3接地，则真值表如附表所列，这相当于非门的传输，若希望在传输过程中不改变逻辑状态，则从脚3输入，脚2接高电平。
真值表功能（正逻辑）绝对最大额定值（Ta= 25 ℃除非另有说明）：建议操作条件：电学特性（Ta=0至70 ，除非另有规定）单独的组件特征：开关特性 (TA= -40℃ to +85℃, VCC= 5V, IF= 7.5mA 除非另有说明)：电气特性（续）转移特性(TA = -40 to +85℃ 除非另有说明)隔离特性（Ta= -40 ℃至+85 ℃ ，除非另有说明. ）：测试电路和波形 tPLH, tPHL, tr and tf测试电路tEHL和tELH光藕隔离器6N137典型应用如图1所示，假设输入端属于模块I，输出端属于模块II。
6N137光电隔离器原理及典型用法
6N137光电隔离器原理及典型用法6N137的结构原理如图1所示，信号从脚2和脚3输入，发光二极管发光，经片内光通道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后导通，经电流一电压转换后送到与门的一个输入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。
当输入信号电流小于触发阂值或使能端为低时，输出高电平，但这个逻辑高是集电极开路的，可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。
图1 6N137结构原理图图2 6N137使用方法6N137简单的结构原理原理如图2A所示，若以脚2为输入，脚3接地，则真值表如附表所列，这相当于非门的传输。
若希望在传输过程中不改变逻辑状态，则从脚3输入，脚2接高电平。
6N137真值表输入使能输出H H LL H HH L HL L H隔离器使用方法如图2B所示，假设输入端属于模块Ⅰ，输出端属于模块Ⅱ。
输入端有A、B两种接法，分别得到反相或同相逻辑传输，其中RF限流电阻。
发光二极管正向电流0-250μA ,光敏管不导通；光二极管正向压降注12-1.7V，正向电流6.5-15mA,光敏管导通。
若以B方法联结，TTL电平输入，VCc1为5V时，RF可选500欧姆左右。
如果不加限流电阻或阻值很小，6N137仍能工作，但发光二极管导通电流很大,对VCC1有较大冲击，尤其是数字波形较陡时，上升、下降沿的频谱很宽，会造成相当大的尖峰脉冲噪声，而通常印刷电路板的分布电感会使地线吸收不了这种噪声，其峰-峰值可达100mV以上,足以使模拟电路产生自激，A/D 不能正常工作。
所以在可能的情况下,RF应尽量取大。
输出端由模块Ⅱ供电,VcC2=4.6-5.5V。
VOC2（脚8）和地（脚5）之间必须接一个0.1μF高频特性良好的电容，如瓷介质或钮电容，而且应尽量放在脚5和脚8附近。
这个电容可以吸收电源线上纹波，又可以减小光电隔离器接受端开关工作时对电源的冲击。
6N137中文详解详解
6N137光耦合器是一款用于单通道的高速光耦合器，其内部有一个850 nm波长AlGaAs LED和一个集成检测器组成，其检测器由一个光敏二极管、高增益线性运放及一个肖特基钳位的集电极开路的三极管组成。
具有温度、电流和电压补偿功能，高的输入输出隔离，LSTTL/TTL兼容，高速(典型为10MBd)，5mA的极小输入电流。
特性：①转换速率高达10MBit/s;②摆率高达10kV/us;③扇出系数为8;④逻辑电平输出;⑤集电极开路输出;工作参数：最大输入电流，低电平：250uA 最大输入电流，高电平：15mA 最大允许低电平电压(输出高)：0.8v 最大允许高电平电压：Vcc 最大电源电压、输出：5.5V 扇出(TTL负载)：8个(最多) 工作温度范围：-40°C to +85°C典型应用：高速数字开关，马达控制系统和A/D转换等6N137光耦合器的内部结构、管脚如图1所示。
6N137光耦合器的真值如表1所示：6N137光耦合器的真值表输入使能输出H H LL H HH L HL L HH NC LHNC L需要注意的是，在6N137光耦合器的电源管脚旁应有—个0.1uF的去耦电容。
在选择电容类型时，应尽量选择高频特性好的电容器，如陶瓷电容或钽电容，并且尽量靠近6N137光耦合器的电源管脚；另外，输入使能管脚在芯片内部已有上拉电阻，无需再外接上拉电阻。
6N137光耦合器的使用需要注意两点：第一是6N137光耦合器的第6脚Vo输出电路属于集电极开路电路，必须上拉一个电阻；第二是6N137光耦合器的第2脚和第3脚之间是一个LED，必须串接一个限流电阻。
6n137的内部结构原理如下图所示，信号从脚2和脚3输入，发光二极管发光，经片内光通道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后导通，经电流-电压转换后送到与门的一个输入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。
6N137中文资料
6N137中文资料概述6N137是一款具有高输出截止速度和高电流传输能力的光耦合器。
其内部结构包括一个红外发光二极管和一个高速光敏二极管。
6N137的主要特点是具有高速响应、低功耗、免磁屏蔽、高隔离电压和长寿命等优点。
这些特点使得6N137广泛应用于各种测量、控制、通信等领域。
功能特点•具有高达10 Mbps的数据传输速度。
•高达1 mA的输出电流。
•高达10 kV的隔离电压。
•通过红外光传输信号，具有免磁屏蔽的优点。
•宽工作温度范围，可在-40℃至+100℃的温度下正常工作。
•长寿命，可达10万小时以上。
引脚功能6N137一共有8个引脚，其中1号和2号为光敏输入端口，3号为非常重要的共阳极输出端口，其余引脚作为电源与反馈引脚。
下图为6N137的引脚示意图：1. Anode (A)2. Anode (A)3. Cathode (-), Output (O)4. Ground5. Vcc (+)6. Feedback7. NC (Not Connected)8. NC (Not Connected)应用场景由于6N137具有高速响应、低功耗、高隔离电压和长寿命等优点，因此其应用范围非常广泛，以下是其常见应用场景：工业控制6N137可以作为输出接口，用于将PLC（可编程逻辑控制器）隔离。
由于工业控制设备需要承受更高的工作环境和噪声，所以6N137高隔离能力和免磁屏蔽的特点可以保证其信号的可靠性。
数字信号传输由于6N137具有高达10 Mbps的数据传输速度，可用于数字信号隔离与传输，广泛应用于数码显示、传感器接口电路等。
模拟信号隔离6N137也可用于模拟信号隔离，将输入信号隔离后，输出的信号不会受到过渡现象的干扰，保证输出的准确性。
其他领域6N137还可以应用于电力系统、通讯系统中，作为隔离器和信号放大器，以提高系统的稳定性和准确性。
总结以上就是6N137中文资料的介绍，6N137是一款性能稳定、速度快、隔离电压高、寿命长的光耦合器，被广泛应用于控制、测量、通信和电力等领域。
6N137应用电路
6N137应用电路6N137的内部结构原理如下图所示，信号从脚2和脚3输入，发光二极管发光，经片内光通道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后导通，经电流-电压转换后送到与门的一个输入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。
当输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时，输出高电平，但这个逻辑高是集电极开路的，可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。
型号：单通道： 6N137 ， HCPL2601 ， HCPL2611双通道： HCPL2630 ， HCPL2631高速10MBit / s的逻辑门光电引脚图原理如上图所示，若以脚2为输入，脚3接地，则真值表如附表所列，这相当于非门的传输，若希望在传输过程中不改变逻辑状态，则从脚3输入，脚2接高电平。
真值表功能（正逻辑）绝对最大额定值（Ta= 25 ℃除非另有说明）：建议操作条件：电学特性（Ta=0至70 ，除非另有规定）单独的组件特征：开关特性 (TA= -40℃ to +85℃, VCC= 5V, IF= 7.5mA 除非另有说明)：电气特性（续）转移特性(TA = -40 to +85℃ 除非另有说明)隔离特性（Ta= -40 ℃至+85 ℃ ，除非另有说明. ）：测试电路和波形 tPLH, tPHL, tr and tf测试电路tEHL和tELH测试电路的共模瞬态抗扰度光藕隔离器6N137典型应用如图1所示，假设输入端属于模块I，输出端属于模块II。
输入端有A、B两种接法，分别得到反相或同相逻辑传输，其中RF为限流电阻。
发光二极管正向电流0-250μA，光敏管不导通；发光二极管正向压降1.2-1.7V（典型1.4V），正向电流6.3-15mA，光敏管导通。
若以B方法连接，TTL电平输入，Vcc为5V时，RF可选500Ω左右。
如果不加限流电阻或阻值很小，6N137仍能工作，但发光二极管导通电流很大对Vcc1有较大冲击，尤其是数字波形较陡时，上升、下降沿的频谱很宽，会造成相当大的尖峰脉冲噪声，而通常印刷电路板的分布电感会使地线吸收不了这种噪声，其峰-峰值可达100mV以上，足以使模拟电路产生自激。
6N137中文
6N137光耦合器是一款用于单通道的高速光耦合器，其内部有一个850 nm波长AlGaAs LED和一个集成检测器组成，其检测器由一个光敏二极管、高增益线性运放及一个肖特基钳位的集电极开路的三极管组成。
具有温度、电流和电压补偿功能，高的输入输出隔离，LSTTL/TTL兼容，高速(典型为10MBd)，5mA的极小输入电流。
特性：①转换速率高达10MBit/s;②摆率高达10kV/us;③扇出系数为8;④逻辑电平输出;⑤集电极开路输出;工作参数：最大输入电流，低电平：250uA 最大输入电流，高电平：15mA 最大允许低电平电压(输出高)：0.8v 最大允许高电平电压：Vcc 最大电源电压、输出：5.5V 扇出(TTL负载)：8个(最多) 工作温度范围：-40°C to +85°C 典型应用：高速数字开关，马达控制系统和A/D转换等6N137光耦合器的内部结构、管脚如图1所示。
6N137光耦合器的真值如表1所示：6N137光耦合器的真值表输入使能输出H H LL H HH L HL L HH NC LL NC H需要注意的是，在6N137光耦合器的电源管脚旁应有—个0.1uF的去耦电容。
在选择电容类型时，应尽量选择高频特性好的电容器，如陶瓷电容或钽电容，并且尽量靠近6N137光耦合器的电源管脚；另外，输入使能管脚在芯片内部已有上拉电阻，无需再外接上拉电阻。
6N137光耦合器的使用需要注意两点：第一是6N137光耦合器的第6脚Vo输出电路属于集电极开路电路，必须上拉一个电阻；第二是6N137光耦合器的第2脚和第3脚之间是一个LED，必须串接一个限流电阻6N137的内部结构原理如下图所示，信号从脚2和脚3输入，发光二极管发光，经片内光通道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后导通，经电流-电压转换后送到与门的一个输入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。
6n137中文资料应用电路pdf6n137封装图6n137管脚说明
6n137 中文资料应用电路 pdf 6n137 封装图6n137 管脚说明<P6n137中文资料应用电路 pdf 6n137 封装图 6n137 管脚说明用：6N137/HCPL2601，HCPL2611，HCPL2630，HCPL2631是高速光电耦合器6n137的内部结构原理如下图所示，信号从脚2和脚3输入，发光二极管发光，经片内光通道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后导通，经电流-电压转换后送到与门的一个输入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。
当输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时，输出高电平，但这个逻辑高是集电极开路的，可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。
型号：单通道： 6N137 ， HCPL2601 ， HCPL2611双通道： HCPL2630 ， HCPL2631高速10MBit / s的逻辑门光电引脚图原理如上图所示，若以脚2为输入，脚3接地，则真值表如附表所列，这相当于非门的传输，若希望在传输过程中不改变逻辑状态，则从脚3 输入，脚2接高电平。
真值表功能（正逻辑）Input 输入Enable使能Output输出H H LL H HH L HL L HH NC LL NC H绝对最大额定值（Ta= 25 ℃除非另有说明）：Symbol符号Parameter 参数Value 数值Units单位TSTG Storage Temperature 贮藏温度-55 to +125 ℃TOPR Operating Temperature 操作温度-40 to +85 ℃TSOL Lead Solder Temperature 焊料温度260 for 10 sec ℃EMITTER 发送端IF DC/Average Forward 直流/平均正向单通道50mA Input Current 输入电流双通道(每通道)30VE Enable Input Voltage Not to Exceed VCC by more than500mV单通道 5.5 VVR Reverse Input Voltage 反向输入电压每个通道 5.0 VPI Power Dissipation 功耗单通道100mW 双通道(每通道)45DETECTOR 接收端VCC (1minutemax)Supply Voltage 电源电压7.0 VIO Output Current 输出电流单通道50mA 双通道(每通道)50VO Output Voltage 输出电压每个通道7.0 VPO Collector Output 集电极输出单通道85mW Power Dissipation 功耗双通道(每通道) 60建议操作条件：Symbol符号 Parameter 参数最 小最大 Units 单位IFL Input Current Low Level 输入电流，低电平 0 250 μA IFH Input Current High Level 输入电流，高电平 *6.3 15 mA VCC Supply Voltage Output 供电电压，输出 4.5 5.5 V VEL Enable Voltage Low Level 使能电压，低电平 0 0.8 V VEH Enable Voltage High Level 使能电压，高电平 2.0 VCC V TA 工作温度范围-40 +85 ℃ NFan Out (TTL load)扇出期( TTL 负载)8电学特性（Ta=0至70 ，除非另有规定） 单独的组件特征：Symbol 符号 Parameter 参数 测试条件最小 典型 最大 单位 VFInput Forward Voltage 输入正向电压 IF = 10mA 1.8VTA=25℃1.4 1.75BVR Input Reverse Breakdown Voltage 输入反向击穿电压IR = 10μA 5.0 V CIN Input Capacitance 输入电容 VF = 0 f = 1MHz 60 pF ΔVF / ΔTA Input Diode Temperature Coefficient 输入二极管温度系数 IF = 10mA-1.4 mV/℃DETECTOR 接收端 ICCHHigh Level Supply Current 高电源电流VCC = 5.5V IF = 0mA VE = 0.5V单通道 7 10 mA双通道 10 15 ICCLLow Level Supply Current 低电平电源电流单通道 VCC=5.5V IF = 10mA 9 13 mA双通道VE = 0.5V14 21IEL Low Level Enable Current 低电平使能电流VCC = 5.5V VE = 0.5V -0.8 -1.6 m AIEH High Level Enable Current 高电平使能电流VCC = 5.5V VE = 2.0V -0.6 -1.6 m AVEH High Level Enable Voltage 高电平使能电压VCC = 5.5V IF = 10mA 2.0 VVEL Low Level Enable Voltage 低电平使能电压VCC = 5.5V IF = 10mA(3) 0.8 V开关特性 (TA= -40℃ to +85℃ VCC= 5V IF= 7.5mA 除非另有说明)：Symbol符号AC Characteristics 交流特性测试条件 最小 典型最大 单位 TPHHPropagation Delay Timeto Output HIGH Level 传递延迟时间到高电平输出RL=350ΩCL=15pF(4)(Fig.12)TA=25℃ 20 45 75 ns100TPHLPropagation Delay Time to Output LOW Level 传递延迟时间到低电平输出TA = 25℃(5) 25 45 75 ns RL = 350Ω CL = 15pF (Fig. 12)100|TPHLTPLH| Pulse Width Distortion脉宽失真(RL = 350Ω CL = 15pF (Fig. 12)3 35 nstrOutput Rise Time (10–90%)输出上升时间( 10-90 ％ ) RL = 350Ω CL = 15pF(6)(Fig. 12) 50 nstfOutput Rise Time (90–10%)输出上升时间( 90-10 ％ ) RL = 350Ω CL = 15pF(7)(Fig. 12) 12 nstELHEnable PropagationDelay Time to Output HIGH Level 允许传播延迟时间到高电平输出 IF = 7.5mA VEH = 3.5V RL = 350Ω CL = 15pF(8)(Fig.13)20 nstEHLEnable PropagationDelay Time to Output LOW Level 允许传播延迟时间到低电平输出IF = 7.5mA VEH = 3.5V RL = 350Ω CL = 15pF(9)(Fig.13)20 ns|CMH|Common Mode Transient Immunity (at OutputHIGH Level) 共模瞬态抑制比(输出高电平)TA=25℃|VCM| =50V (Peak)IF=0mA VOH (Min.)= 2.0V RL = 350Ω(10)(Fig. 14)6n137HCPL263010000V/μs HCPL2601HCPL2631 5000 10000 |VCM| = 400VHCPL261110000 15000V/μs |CML|Common Mode Transient Immunity (at Output LOW Level) 共模瞬态抑制比(输出低电平)RL = 350Ω IF = 7.5mA VOL(Max.)= 0.8V TA = 25℃(11) (Fig. 14) 6n137HCPL263010000HCPL2601HCPL26315000 10000 |VCM| = 400VHCPL261110000 15000电气特性（续）转移特性(TA = -40 to +85℃除非另有说明)Symbol符号DC Characteristics 直流特性测试条件最小典型最大Unit 单位IOH HIGH Level Output Current 高输出电流VCC = 5.5V VO = 5.5V IF =250μA VE = 2.0V(2)100 μAVOL LOW Level Output Current 低电平输出电流VCC = 5.5V IF = 5mA VE =2.0V ICL = 13mA(2).35 0.6 VIFT Input Threshold Current 输入阈值电流VCC = 5.5V VO = 0.6V VE =2.0V IOL = 13mA3 5 mA隔离特性（Ta= -40 ℃至+85 ℃，除非另有说明. ）：Symbol符号Characteristics 特性测试条件最小典型最大Unit单位II-O Input-Output Insulation Leakage Current 输入输出绝缘泄漏电流相对湿度 = 45% TA = 25℃ t= 5s VI-O = 3000 VDC(12)1.0* μAVISO Withstand Insulation Test Voltage 经受绝缘测试电压)RH < 50% TA = 25℃ II-O ≤2μA t = 1 min.(12)2500 VRMSRI-O Resistance (Input to Output)电阻(输入输出VI-O = 500V(12) 1012ΩCI-O Capacitance (Input to Output)电容(输入输出)f = 1MHz(12) 0.6 pF测试电路和波形 tPLH tPHL tr and tf测试电路tEHL和tELH测试电路的共模瞬态抗扰度光藕隔离器6N137典型应用如图1所示，假设输入端属于模块I，输出端属于模块II。
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光电隔离器6N137应用
一、6N137原理及典型用法
6N137的结构原理如图1所示，信号从脚2和脚3输入，发光二极管发光，经片内光通道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后导通，经电流-电压转换后送到与门的一个输入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。
当输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时，输出高电平，但这个逻辑高是集电极开路的，可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。
简单的原理如图2所示，若以脚2为输入，脚3接地，则真值表如附表所列，这相当于非门的传输，若希望在传输过程中不改变逻辑状态，则从脚3输入，脚2接高电平。
隔离器使用方法如图2所示，假设输入端属于模块I，输出端属于模块II。
输入端有A、B两种接法，分别得到反相或同相逻辑传输，其中RF为限流电阻。
发光二极管正向电流0-250uA，光敏管不导通；发光二极管正向压降1.2-1.7V，正向电流6.5-15mA，光敏管导通。
若以B方法连接，TTL电平输入，Vcc为5V时，RF可选500Ω左右。
如果不加限流电阻或阻值很小，6N137仍能工作，但发光二极管导通电流很大对Vcc1有较大冲击，尤其是数字波形较陡时，上升、下降沿的频谱很宽，会造成相当大的尖峰脉冲噪声，而通常印刷电路板的分布电感会使地线吸收不了这种噪声，其峰-峰值可达100mV以上，足以使模拟电路产生自激，A/D不能正常工作。
所以在可能的情况下，RF应尽量取大。
输出端由模块II供电，Vcc2=4.5-5.5V。
在Vcc2（脚8）和地（脚5）之间必须接一个0.1uF高频特性良好的电容，如瓷介质或钽电容，而且应尽量放在脚5和脚8附近。
这个电容可以吸收电源线上的纹波，又可以减小光电隔离器接受端开关工作时对电源的冲击。
脚7是使能端，当它在0-0.8V时强制输出为高（开路）；当它在2.0V-Vcc2时允许接收端工作，见附表。
脚6是集电极开路输出端，通常加上拉电阻RL。
虽然输出低电平时可吸收电路达13mA，但仍应当根据后级输入电路的需要选择阻值。
因为电阻太小会使6N137耗电增大，加大对电源的冲击，使旁路电容无法吸收，而干扰整个模块的电源，甚至把尖峰噪声带到地线上。
一般可选4.7kΩ，若后级是TTL输入电路，且只有1到2个负载，则用47kΩ或15kΩ也行。
CL是输出负载的等效电容，它和RL影响器件的响应时间，当RL=350Ω，CL=15pF时，响应延迟为48-75ns。
注意：6N137不应使用太多，因为它的输入电容有60pF，若过多使用会降低高速电路的性能。
情况允许时，可考虑把并行传输的数据串行化，由一个光电隔离器传送。
二 6N137应用实例
信号采集系统通常是模拟电路和数字电路的混合体，其中模数变换是不可缺少的。
从信号通路来说，AD变换之前是模拟电路，之后是数字电路。
模拟电路和AD变换电路决定了系统的信噪比，而这是评价采集系统优劣的关键参数。
为了提高信噪比，通常要想办法抑制系统中噪声对模拟和AD电路的干扰。
在各种噪声当中，由数字电路产生并串入模拟及AD电路的噪声普遍存在且较难克服。
数字电平上下跳变时集成电路耗电发生突变，引起电源产生毛刺，通常对开关电源影响比线性电源大，因为开关电源在开关周期内不能响应电流突变，而仅由电容提供电流的变化部分。
一般数字电路越复杂，数据速率越高，累积的电流跳变越强烈，高频分量越丰富。
而普通印刷电路的分布电感较大，使地线不能完全吸收逻辑电平跳变产生的电流高频分量，产生电压的毛刺，而这种毛刺进入地线后就不能靠旁路电容吸收了，而且会通过共同的地线或穿过变压器，干扰模拟电路和AD转换器，其幅度可高达几百毫伏，足以使AD工作不正常。
本所研制的机载三通道红外成像扫描仪的数据采集系统，要求信噪比1000，12位量化级别，并行数据传输，数据传输率500KB/s。
要达到上述要求，AD能否达到转换精度是个关键。
在未采用光电隔离器的电路中，虽采取了一系列措施，但因各模块间地线相连，数字电路中尖峰噪声影响仍很大，系统信噪比仅达500.故我们采用6N137将模拟电路及AD变换器和数字电路彻底隔离，电路如图3所示。
电源部分由隔离变压器隔离，减少电网中的噪声影响，数字电源和模拟电源不共地，由于模拟电路一般只有±15V，而AD转换器还需要+5V电源，为使数字电路与模拟电路真正隔离，+5V电源由+15V模拟电源经DC-DC变换器得到。
模拟电路以及AD转换电路与数字电路的信号联系都通过6N137。
逐次比较型AD并行输出12位数据，每一路信号经缓存器后送入6N137的脚3，进行同相逻辑传输至数字电路，输入端限流电阻选用470Ω，输出端上拉电阻选用47kΩ，输出端电源和地间（即6N137的脚8与脚5间）接0.1uF瓷片电容，作为旁路电容以减少对电源的干扰，6N137的使能端接选通信号，使6N137在数据有效时才工作，减少工作电流。
模拟电路和AD转换所需的各路控制信号也通过6N137接收，接法同上，在时序设计中要特别注意6N137约有50ns的延时，与未采用光电隔离器的数据采集电路相比，系统信噪比提高了一倍以上，满足了系统设计要求。