高通平台充电方案
qc快充原理
qc快充原理
QC快充（Quick Charge）是高通（Qualcomm）推出的一种快
速充电技术，旨在提高手机充电速度并减少充电时间。
该技术利用特殊的充电协议和芯片设计，能够更高效地将电能输送到手机电池中。
QC快充的原理在于增加了充电器的输出电压和电流。
一般的USB充电器供电电压为5V，而QC快充技术使得输出电压可
以提高至9V、12V或更高，大大增加了输送电能的速度。
同时，QC快充还采用了动态电压调节和动态电流调节技术，根
据设备的充电需求智能调整输出电压和电流，以达到最佳充电效果。
除了充电器的设计，QC快充还要求手机内部芯片的支持。
手
机芯片通过与充电器芯片的通信，可以告知充电器充电所需的最佳电压和电流。
这样，在充电过程中，手机芯片和充电器芯片可以实时进行数据传输和调整，从而充分利用充电器提供的电能，提高充电效率。
值得一提的是，QC快充技术并非适用于所有的手机和充电器。
只有支持QC快充协议的设备才能充分享受到快速充电的效果。
如果使用非QC快充兼容设备的充电器，充电速度仍会受限于
标准USB充电的限制。
总之，QC快充通过提高充电器输出电压和电流，配合手机芯
片的调整，实现了更快速的充电效果。
这项技术在现代手机的
普及中起到了重要的作用，使得用户能够更方便、快速地充电并减少等待时间。
高通快充的原理
高通快充的原理
高通快充是高通公司推出的一种快速充电技术，其原理主要基于以下几个方面：
1. 提高电流：高通快充通过增加充电器输出电流的方式，将充电电流从传统的5V提升到了更高的水平，进而提高了充电速度。
高通快充技术支持的最高电流可达20V，相较于传统的
5V充电方式，能够大大缩短充电时间。
2. 动态电压调整：为了适应不同电池容量和类型的设备，高通快充还采用了动态电压调整的技术。
通过不断调整输出电压，使得充电器能够根据设备的需要提供最佳的电压，尽可能快速且安全地给设备充电。
3. 智能芯片控制：高通快充技术中的充电器内部集成了一颗智能芯片，该芯片能够监测和控制充电过程中的各项参数，包括输入电压、输出电流和温度等。
通过对这些参数的实时监测和调整，可以确保充电过程的稳定性和安全性。
总的来说，高通快充的原理是通过提高电流、动态电压调整和智能芯片控制等技术手段，实现快速、高效、安全地给设备充电。
这种技术被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备上，为用户提供更好的充电体验。
qc4.0和qc5.0快充协议参数
快充天天用，但这些快充协议，你真的懂吗？如今我们的生活离不开手机，而手机离不开电。
没电就没手机，很多人会因此而陷入恐慌。
于是手机的电池也就越做越大，甚至后来忘了是OPPO还是VIVO最先提出了“充电5分钟通话2小时”，实际这说的就是快速充电功能。
但正所谓快充天天用，但背后的快充协议，又有多少人真的懂呢？作为一枚已经做了2期关于快充头功率密度横比的创作者，好歹也要先弄懂快充的来龙去脉。
所以我利用做功课之余，特意梳理了这份关于快充协议的科普，希望对各位有所帮助吧。
一、骁龙之火——高通QC快充（Quick Charge）对于安卓手机用户来说，QC快充应该是我们最早接触到的快充协议了。
QC快充的全名是Quick Charge，它是美国高通公司专门为配备Qualcomm骁龙处理器的手机所开发的新一代快速充电技术。
时至今日，QC快充已经发展到了5.0时代，而每一代的QC其实都是截然不同的，以至于许多人都会搞糊涂了。
1、已经作古的QC1.0作为第一代的QC快充，QC1.0发布于2013年，那还是三星Galaxy S4对比HTC One的时代。
但很可惜QC1.0并不是最早的快充协议，因为USB PD1.0早在2012年7月就已经发布了。
在这之前，我们认知当中的手机充电从来都是五福一安——5V电压1A电流，总功率5W。
由于功率=电压x电流，所以想要提高充电的效率，无非就是要么提高电压，要么加大电流。
QC1.0选择的就是借助一个电源管理集成电路（PMIC），当识别到输出端和接收端都能支持QC1.0快充协议时，就会自动把输出电流提高到2A。
因此，QC1.0最高可以提供10W的充电功率，理论上可以让充电效率提高40%，让原本需要4小时的充电缩短到3小时内完成。
2、真正的快充——QC2.0其实QC2.0的发布几乎是跟QC1.0上市是同步的，因为高通早在2013年推出的Qualcomm骁龙800上已经集成了Q C2.0快充方案。
高通快充协议
高通快充协议随着移动设备的普及和功能的不断增强，用户对充电速度的需求也越来越高。
在这样的背景下，高通快充技术应运而生，成为了众多手机厂商的选择。
那么，高通快充协议究竟是什么？它又是如何实现快速充电的呢？首先，我们来了解一下高通快充的原理。
高通快充技术采用了一种名为“Quick Charge”的技术，通过提高充电器输出电压和电流来实现快速充电。
在传统充电方式下，充电器输出电压和电流是固定的，而在高通快充技术中，充电器可以根据设备的需要动态调整输出电压和电流，以实现更快的充电速度。
其次，我们来看一下高通快充协议的具体实现。
高通快充技术在设备端和充电器端都有相应的芯片进行控制。
在设备端，芯片可以根据设备的电池状态和温度等信息向充电器发送请求，要求提供更高的电压和电流。
而在充电器端，芯片则可以根据设备的请求动态调整输出电压和电流，以实现快速充电。
这种双向的通信和动态调整使得高通快充技术能够更好地适应不同设备的充电需求，从而实现更高效的充电效果。
除此之外，高通快充协议还采用了一些安全保护措施，以确保充电过程的安全性。
例如，高通快充芯片可以实时监测充电过程中的温度和电压等参数，一旦发现异常情况，就会立即停止充电，以避免可能的安全风险。
这些安全保护措施有效地保障了用户和设备的安全。
总的来说，高通快充协议通过动态调整充电器输出电压和电流，实现了快速充电的效果。
同时，它还采用了双向通信和安全保护措施，以确保充电过程的高效和安全。
因此，高通快充技术成为了众多手机厂商的选择，为用户带来了更便捷的充电体验。
综上所述，高通快充协议在快速充电、双向通信和安全保护等方面都有着突出的优势，成为了移动设备充电领域的领先技术。
相信随着技术的不断进步，高通快充技术将会为用户带来更加便捷、高效和安全的充电体验。
qc充电协议
qc充电协议QC充电协议，全称是全球快速充电（Qualcomm Quick Charge）充电协议，是由高通公司开发的一种快速充电技术。
该充电协议旨在通过提供高功率充电、智能充电和兼容性能力，为用户带来更便捷、高效的充电体验。
QC充电协议首先关注的是充电速率。
传统的充电方式往往需要较长时间才能将电池充满，而QC充电协议则能够提供更高的功率输出，从而大幅缩短充电时间。
通过QC技术，用户只需要短时间内就能达到较高的电量，大大提高了使用效率。
其次，QC充电协议还具备智能充电功能。
通过与充电器及设备间的通讯，QC可以实时监测电池状态并根据实际情况调整充电功率和充电电压，以充分保护设备和电池的安全。
当设备电池电量较低时，QC技术能够以较高功率充电，而当接近充满时则会自动调整至较低功率，以避免充电引起的热量和损耗问题。
此外，QC充电协议还具备很强的兼容性能力。
由于QC充电技术已逐渐成为行业标准之一，越来越多的设备和充电器支持QC功能。
同时，QC还兼容其他常见的充电方式，例如USB-PD、Apple的PD协议等，使得用户无需额外购买新的充电器和设备就能使用QC充电。
虽然QC充电协议在提高充电速率、智能充电和兼容性等方面带来了很多优势，但同时也带来了一些问题。
首先，高功率的充电会导致设备发热，需要有良好的散热设计来确保设备安全。
其次，由于QC充电协议是由高通公司开发的专有技术，因此只有支持QC功能的设备才能享受到快速充电的便利。
总的来说，QC充电协议是一项具有划时代意义的技术，它改变了传统充电方式的痛点，为用户提供了更便捷、高效的充电体验。
同时，随着越来越多的设备和充电器支持QC功能，QC充电已经成为市场上的主流趋势之一。
相信随着技术的不断演进和发展，QC充电协议将会继续完善，为用户带来更多的便利和惊喜。
qc0快充协议
qc0快充协议
QC0快充协议。
QC0快充协议是高通推出的一种快速充电技术，它可以让用户在短时间内快速
充满手机电量，为用户提供更加便捷的充电体验。
下面我们将介绍一下QC0快充
协议的原理及其优势。
首先，QC0快充协议采用了高效的充电管理技术，能够在保证安全的前提下，
最大限度地提高充电效率。
通过对电压和电流进行精细调控，QC0可以在短时间
内为手机充电，让用户不再为充电时间而担忧。
其次，QC0快充协议还支持多种充电模式，包括常规充电模式和快速充电模式。
在常规充电模式下，QC0可以向普通充电器一样正常充电，而在快速充电模式下，则可以充分发挥QC0的快充优势，让用户在短时间内就能够获得更多的电量。
此外，QC0快充协议还具有智能识别功能，可以根据设备的具体情况进行智能
调整，以达到最佳的充电效果。
无论是充电器还是手机，都可以通过QC0快充协
议进行智能识别，从而实现最佳的充电匹配。
总的来说，QC0快充协议是一项非常实用的快速充电技术，它不仅可以为用户
提供更加便捷的充电体验，还可以在保证安全的前提下，最大限度地提高充电效率。
相信随着科技的不断进步，QC0快充协议将会在未来得到更广泛的应用，为用户
带来更加便利的生活体验。
希望以上内容能够对您有所帮助，如果您对QC0快充协议还有其他疑问或者
需要进一步了解，欢迎随时与我们联系。
高通快充协议
高通快充协议篇一：高通快充方案AUKEY带来的首款双USB QC2.0车充型号为CC-T1，提供有两个USB充电接口，其中USB1为标准的5V 2.4A输出；USB2支持5V 2A、9V 2A、12V 1.5A三档。
两个USB 联合输出最大功率为30W，并且均设计有自动识别技术，避免手机充电过程中遇到兼容问题。
篇二：通用充电器快充协议QC2.0,QC3.0,MTK PE,PE+,充电识别通用USB充电器（快充）说明一、快充的意义：USB得到广泛普及是因为其能够为外围设备供电。
USB孕育于上世纪90年代中期，最初的目的是将外部设备（例如键盘、鼠标、打印机、外置驱动器等）连接至计算机。
随着越来越多的各种便携式设备受到青睐，也同样需要为其供电。
利用数据传输连接器供电的能力使得USB在便携式市场具有直接而显著的优势。
在2007年第一个电池充电规范颁布之前，尝试为电池充电本质上是一种冒险——结果非常难以预测。
2009年4月，全球移动通信系统协会(GSMA)联合OTMP(手机开放组织联盟)17家移动运营商和制造商宣布实施跨行业的通用充电器标准，此标准采纳了USB-IF的micro-USB接口作为手机数据和充电的统一接口，并采纳USB-IF的Battery Charging 规范作为充电规范。
USB-IF公布了BC 1.1版的电池充电规范，到2010年BC1.2版也正式发布。
即使有BC1.2规范可循，有些电子设备制造商仍然为其专用充电器开发定制协议（例如Apple）。
当您将这样的设备连接至完全符合BC1.2规范的充电端口时，可能仍然会产生报错消息：“Charging is not supported with this accessory.”（不支持该附件充电）。
直到目前给智能设备充电（包括手机，平板电脑，蓝牙设备）等，在国际上还没有统一的强制性的标准出台，各个厂家都有着自己的定义，当前以苹果，三星，及其部分国内的安卓机为代表，有着自已的定义的充电规范，存在互不兼容的情况。
快速充电方案
快速充电方案快速充电方案1. 引言如今，移动设备的使用已经成为我们日常生活中不可或缺的一部分。
然而，移动设备的电池续航能力始终是用户关注的一个焦点。
为了解决这一问题，快速充电技术应运而生。
本文将介绍几种常见的快速充电方案，以帮助用户更快捷地充电设备。
2. Qualcomm Quick ChargeQualcomm Quick Charge 是由高通公司开发的一种快速充电技术。
该技术利用高通移动芯片的特性，通过适配器和设备之间的通信，提供更高的电流来加速设备的充电速度。
Quick Charge 技术目前已经发展到第四代，可以提供更快的充电速度和更高的兼容性。
使用 Qualcomm Quick Charge 技术的设备需要配备兼容的充电适配器和充电线。
当充电器检测到连接的设备支持 Quick Charge 技术时，将提供比传统充电方式更高的电流输出。
这意味着用户可以更快地完成设备的充电过程，提高设备的使用效率。
3. USB Power Delivery (USB PD)USB Power Delivery（USB PD）是一种开放的快速充电标准，由USB Implementers Forum（USB-IF）负责制定并维护。
与 Qualcomm Quick Charge 技术不同，USB PD 不局限于特定的芯片厂商，因此可以应用于更多的设备上。
USB PD 充电通过与充电设备进行握手协商，以确定安全和可靠的充电方式。
其中一个关键特性是支持更高的功率输出，高达100W。
这样，用户可以通过单个充电器来快速充电多种类型的设备，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。
另外，USB PD 也支持逆向充电功能，即设备可以通过充电端口向其他设备充电。
这对于一些低电量的设备或紧急情况下非常有用。
4. VOOC 闪充技术VOOC 闪充技术是由中国手机品牌 OPPO 提出的一种快速充电方案。
与传统充电技术相比，VOOC 闪充技术采用更高的电压而不是更高的电流来实现快速充电。
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Qualcomm平台充电总结1．锂离子电池充放电特性1.1. 锂离子电池充电电压的上限必须受控制，一般不超过4.2V。
(视具体情况，一般控制在4.10V－4.35V不等）1.2.单体电池充电电流通常限制在1C以下。
1.3.单体电池放电电流通常控制在3C以下。
1.4.单体电池放电电压通常不能低于2.2V。
电池电量与电压对照曲线2．充电通路晶体管的控制和功率限制外部通路晶体管的控制驱动器包含在了PM IC中；这个驱动的输出可以内部晶体管应用，也可以通过CHG-CTL-N脚供外部应用。
如果需要的话，一般操作时PM IC使用通路晶体管的闭环控制来校准VDD电压，快速充电（恒流充电）时的检测电流（IDET），或者充电最后状态的电池电压。
通路晶体管的阻抗也被增加以用来过流保护。
控制通路晶体管同样允许用来过热保护：PM IC通过电压和电流的测量来监控通路晶体管中消耗的功率。
如果计算出的功率超过设计限制，CHG-CTL-N控制信号就会减小通路晶体管的通路电流。
2.1.通路晶体管的功率消耗限制是可编程的：1）晶体管的消耗功率是使用VCHG（或USB-VBUS）和ISNS-P脚上的电压测量以及基于敏感电阻两端（ISNS-P和ISNS-M脚）电压的电流测量来计算的。
2）可编程的管耗限制（单位为瓦特）为0.4，0.5，0.6，0.75，1.0，1.5，2.0和“无限制”。
这些可编程限制采取一个0.100ohm的敏感电阻。
2.2设计者需要考虑以下几点来帮助减少通路晶体管的功率消耗：1）使用一个只比锂电池最高电压高一点的外部供应电压来使越过通路晶体管的电压最小化。
2）设计充电器电压，使它的输出电压在快速充电期间崩溃，从而减少越过通路晶体管的电压。
恒流充电期间要控制充电电流和通路晶体管管耗，因为这个阶段的充电电流较大，而充电三极管超过一定功率就容易发热甚至烧毁。
所以通常情况下，恒流充电期间，我们都要求充电三极管处于饱和态，Vce很小以降低管耗，只有在usb充电或有特殊要求的wall充电中，才会让充电三极管工作在放大区，这个在5中会有讨论。
2.3.平台限流的影响。
1）如果平台限流大于wall charger额定电流，充电通路三极管状态由pm控制在饱和区（表现为恒流充电期间Vbus电压会被拉低，充电三极管处于饱和态，Vce很小，管耗很小）；2）如果平台限流小于wall charger额定电流，充电通路三极管状态由pm控制在放大区，以提高充电三极管CE极间阻抗，来降低通过的电流（表现为充电Vbus电压不会被拉低，三极管无法进入饱和态，Vce很大——管耗大，发热大）。
3．充电过程解析PM IC提供了支持锂电池充电的线路，它利用了MSM使能的四种技术：涓流充电，恒流充电，恒压充电，脉冲充电。
电池电压，外部供应电压和最大检测电流度量都可以通过一个模拟多路器供MSM使用。
这就使得MSM设备可以监控充电参数，做决策和控制充电过程。
对一个严重消耗的电池充电，先是涓流充电，这种模式可以限制电流并防止VDD 被拉低。
一旦最小电池电压被确定来使用涓流充电了，MSM 设备使能恒流充电来对电池进行快速充电—这种模式有时也叫做快速充电。
当锂电池达到它的目标电压，充电就要通过恒压充电或脉冲充电来完成。
3.1.低电量电池充电流程： 1．涓流恒流恒压 2．涓流恒流 脉冲以下是低电量电池充电过程电流/电压、管耗/电压曲线。
3.2.充电各阶段详解3.2.1.涓流充电：涓流充电器是一个片上可编程的电流源，它从VDD供应电流到VBAT。
涓流充电由MSM使能并使用直到主电池电压达到开始恒流充电的初值，锂电池一般到3.0V。
这个值随电池的型号等有所不同，所以在检测电路中没有一个预先确定的值。
这就需要通过软件来测量和设定（通过MSM HKADC来测量电池电压）。
软件设置的有效涓流充电电流为：0，20，30，40，50，60，70和80MA，其中0MA是用来有效的禁止涓流充电的。
目前使用的qualcomm平台中一般设置涓流充电的电池电压范围为3.4V以下;充电电流为80MA。
3.2.2.恒流充电：PM IC通过打开电池MOSFET和闭环控制通路晶体管来支持恒流充电。
如果外部供应（充电器）没有实施电流限制，闭环通路晶体管控制校准总电流（手机电流加上充电电流）来匹配设计好的值（IMAXSEL）。
MSM监控整个恒流充电的过程。
当电池电压升高并到达它的期望值，充电电流开始减小，这是恒流充电的结束。
软件设置目标值（VMAXSEL）要比期望的最终电压（VBATDET）来得高，以此来克服电池内部的ESR（等效电阻）并达到更快速的充电。
接近恒流充电结束时的V，I曲线一般设置恒流充电的电池电压范围为：3.4V----4.1V(如果考虑到缩短充电时间，可以适当扩大电压范围，如3.4V—4.2V);大部分机型充电电流限制为wall charger700MA 、PC USB500MA。
3.2.3.恒压充电和脉冲充电：（1）恒压充电PM IC和它的软件决定是否和何时进入恒压充电模式。
PM IC支持恒压充电的方式和它支持恒流充电的模式很象：打开电池MOSFET和闭环控制通路晶体管。
但是在这个情况下，要闭环控制校准VBAT电压来匹配设计的值VMAXSEL。
确保最终电池电压的精确度（锂电池1%）。
恒压充电的V，I曲线为了改善充电的电池的最终的精确度，要校准VBAT而不是VDD，从而消除越过电池晶体管的压降。
VBAT是反馈输入，它是通过片上模拟多路器来自动选择的。
VMAXSEL必须设计到期望的最大电池电压。
恒压充电时的VBAT校准恒压充电的结束有两种典型的检测方法：1）用MSM HKADC来监控充电电流和当充电电流下降到一个预先确定的极限值（如完全充电电流的10%）时来结束充电。
2）使恒压充电操作每隔一个预先确定的时间就进行一次。
两种情况下，都不要使充电持续时间太久，否则易损坏电池。
（与电池产商商量取得一个推荐值）如果选项1）被实行了，充电电流会在恒流充电时被测量，然后在恒压充电期间被有规律的监控，直到识别到结束条件。
MSM HKADC在每个的充电电流测量时都有两种读取：1）电池MOSFET关闭（手机电流加充电电流）2）电池MOSFET打开（只有手机电流）无论使用怎样的充电检测技术，软件都必须提供适当的动作来结束充电操作。
（2）脉冲充电实施脉冲充电有两种选择：1）开关电池MOSFET直到电池的开路电压超过设置的VMAXSEL。
2）开关通路晶体管；它能在电池MOSFET被省略的情况下完成脉冲充电。
在这个情况下，手机要汲取最小的电流，因此电池的开路电压可以在通路晶体管关闭期间被精确的测量。
与恒压充电相比，脉冲充电能提供更好的电池电压精确度，能更快达到充满，以及能够消耗更少的晶体管功率。
脉冲充电由MSM控制使能，使用与恒流充电或恒压充电相同的硬件，只是会重复的开关通路晶体管或电池晶体管来充电。
首先，考虑第一种脉冲充电—开关电池mos管。
充电在电池mos管关闭的时候开始，开始充电后，PM IC会对比电池电压VBAT和设计好的极限电压VBATDET。
闭环控制通路晶体管将VDD校准到VMAXSEL。
VMAXSEL值会设得比比期望得到的最终充电电压（VBATDET）高，以产生更高的充电电流和克服它内部的ESR（当锂电池充满时它的ESR变大）。
当电池充电到达VBATDET极限，就使得内部PM计数器T-ON开始计数。
电池晶体管在T-ON溢出前保持关闭（持续对电池充电）。
当电池晶体管打开，充电停止，这时使能另一个内部计数器（T-OFF）。
没有持续充电时电池电压会下降—如果它下降得太快，说明还需要继续充电。
如果它的电压能够保持，则说明充满，充电过程结束，这是脉冲操作的目的之一—重复核对电池的开路电压，停止充电前电池被充满。
电池电压允许在T-OFF间隔时下降。
当T-OFF时间结束时，再次比较电池电压和VBATDET，并且：如果VBAT<VBATDET 重新开始电池充电直到VBAT>VBATDET，然后T-ON计数器重新启动。
在T-OFF结束时，若VBAT<VBATDET，则T-ON和T-OFF循环将一直继续。
如果VBAT>VBATDET 电池晶体管保持打开并增加第三个计数器（T-DONE）。
T-OFF计数器再循环，在每个循环结束时只要VBAT>VBATDET就继续计数。
再每个T-OFF循环结束时重新核对VBAT，保持晶体管打开：如果VBAT<VBATDET 电池电压降到了极限值之下，所以开始重新充电。
T-DONE计数器被清空，电池晶体管关闭，重新充电直到VBAT>VBATDET，接着T-ON计数器开始计数，整个脉冲充电顺序重新开始。
如果VBAT>VBATDET 核对T-DONE计数器。
只要VBAT>VBATDET，T-DONE继续计算T-OFF循环直到它溢出。
这意味着电池已经充满和一个中断已经发送给了MSM设备。
使用一个SW代理来迫使电池晶体管保持打开以保证充电过程被终结。
如果核对时T-DONE还没有溢出，算法的最后循环将继续直到它确实溢出。
当脉冲充电结束后，电池证实（保持充满一段时间）被完全充满。
选项2的算法和选项1是一样的，只是开关的是通路晶体管。
在使用的外部充电器不稳定的情况下，这个是设计的首选项。
脉冲充电电流的定时间隔是可编程的：1）T-ON是打开的时间—充电电流源连接到电池。
有效的设置是62.5，125，250和500MS。
2）T-OFF是关闭的时间—充电电流没有连接到电池。
有效的设置是62.5，125，250和500MS。
3）T-DONE是PM IC要结束脉冲充电前连续的T-OFF间隔数。
PMIC通过中断来报告充电完成。
有效设置是16，32，64和128。
每次通路晶体管（或电池晶体管）打开，电池电压上跳并以指数形式持续上升。
关闭晶体管导致一个立即的下降，伴随着一个指数的衰减。
在脉冲充电的早期，电池电压在T-OFF时间结束前下降到VBATDET之下。
可能上千个脉冲后，电池电压会在VBATDET之上保持若干个T-OFF间隔，但是仍然会在T-DONE溢出前下降到极限值之下。
脉冲充电的V，I曲线脉冲充电使用与其它技术相同的硬件，但是要求合适的软件控制。
片上计数器被设计来定义脉冲时间。
计数器是基于32.768KHZ的晶振计数的。
4．充电过程测试方法具体管耗测试方法：用万用表电流档测试充电线（剪开接上）电流及通路三极管Vce，然后P=I*Uce。
同时可以用万用表实时监控电池电压，这样就能利用得到的数据获得充电过程的电流/电压、管耗/电压曲线。
5．根据不同运营商的要求可适当改变充电方案通常，我们要综合参考运营商要求以及所选用的充电通路三极管参数来设置平台限流和平台功耗限制。