电子材料
电子材料知识点总结
电子材料知识点总结一、电子材料的种类电子材料的种类非常多，主要包括金属材料、半导体材料和绝缘体材料三大类。
1. 金属材料金属材料是一种常见的电子材料，其导电性能良好，适用于制造电子设备中的导电线路、电子元件等。
常见的金属材料包括铜、铝、铁等。
2. 半导体材料半导体材料是一种电导率介于金属和绝缘体之间的材料，常见的半导体材料包括硅、锗等。
由于其导电性能可控，可根据需要设计出不同的电子器件，因而被广泛应用于电子领域。
3. 绝缘体材料绝缘体材料是一类导电性很差的材料，其主要作用是绝缘、隔离电路。
常见的绝缘体材料包括玻璃、陶瓷、塑料等。
在电子设备中，绝缘体材料主要用于制造电子设备的外壳、绝缘层等。
二、电子材料的特性1. 导电性导电性是电子材料的一个重要特性，金属材料是最好的导电材料之一，其导电性能优良，适用于制造电子设备中的导电线路、电子元件等。
半导体材料的导电性能可控，可根据需要设计出不同的电子器件。
绝缘体材料的导电性很差，主要用于绝缘、隔离电路。
2. 光电性光电性是一种在光照射下产生电子运动的性质，常见的光电材料有硅和锗等半导体材料。
光电材料主要应用于光电器件领域，如太阳能电池、光电传感器等。
3. 热电性热电性是一种在温度变化下产生电流的性质，常见的热电材料有铋锑合金、硅锗合金等。
热电材料主要应用于制造热电器件，如热电散热器、热电发电器等。
4. 磁性磁性是电子材料的另一个重要特性，磁性材料主要包括铁、镍、钴等金属材料，其主要应用于制造电磁器件，如电磁铁、电磁感应器等。
5. 其他特性除了上述特性外，电子材料还具有许多其它特性，如机械性能、化学稳定性、耐磨性等。
三、电子材料的应用领域电子材料在各种电子设备中都有广泛的应用，主要应用领域包括电子通信、计算机、消费电子产品等。
1. 电子通信电子通信设备是电子材料的一个重要应用领域，其中包括手机、电视、无线网络设备等。
在这些设备中，电子材料主要用于制造电路板、电子元件、天线等。
材料科学中的电子材料的性质和应用研究
材料科学中的电子材料的性质和应用研究电子材料是材料科学领域中最具有发展前景的一个分支，其研究涵盖了从基础性质到应用方面的广泛范围。
电子材料是指在电子设备中使用的材料，其性质和应用研究对于现代电子产业的发展具有不可替代的作用。
电子材料的性质：电子材料的性质与其在电子器件中的应用密切相关。
主要研究对象包括导电性、磁性、光学性能、热性能等方面。
其中，导电性是电子材料中最为重要的性质之一，因为电子元件必需导电才能正常工作。
导电性强的材料可以用作电极、连线等组成电路的构件；而导电性较差的材料则可以用来制造阻值元件和开关器件等。
电子材料的应用：电子材料在电子领域中的应用非常广泛，例如光电显示器、太阳能电池、半导体器件、电容器、磁存储器件等。
其中半导体材料是最具代表性的电子材料之一。
半导体是电子器件中最常用的材料之一，它具有导电性和绝缘性的双重特性，同时也能转换能量。
由此可以制造各类器件，诸如二极管和晶体管、光电器件、光伏器件等。
除了半导体材料，还有其他的电子材料被广泛应用于电子产品中。
例如：1.铜箔：铜箔被广泛用作基板材料，是制造电容器和电路板的关键材料之一。
2.铝陶瓷：铝陶瓷用作制造封装材料和陶瓷电容器材料。
陶瓷电容器主要用作大功率电子设备中的滤波器。
3.导电高分子塑料：导电高分子塑料被广泛应用于电子产品中，例如制造屏幕触控笔、导电粘接线、导电涂层等。
4.钙钛矿太阳能电池：钙钛矿太阳能电池是一种新型的太阳能电池，其性能比传统的硅太阳能电池更出色。
以上是电子材料的一部分应用，它们已经在电子产业中得到了广泛的应用。
电子材料的发展趋势：电子材料的研究将会持续发展，并且在未来扮演重要角色。
在电子材料研究中，两个重要的研究方向是纳米材料和生物材料。
纳米材料：纳米级电子材料已经开始被应用于制造晶体管、传感器、光伏电池、透明导电膜（ITO）等电子部件。
生物材料：生物材料方面的研究则主要针对与电子器件和生物医学结合的有机材料。
电子材料有哪些
电子材料有哪些
电子材料是指在电子器件中使用的材料，主要用于传导电流、储存电荷和控制电磁波等功能。
电子材料的种类繁多，以下是常见的几类电子材料：
1. 半导体材料：半导体材料是电子器件中最重要的材料之一。
常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，它们具有介于导体和绝缘体之间的导电特性。
半导体材料可用于制造集成电路、二极管、晶体管等电子器件。
2. 金属材料：金属材料是传导电流的良好材料，广泛用于电子器件的导线和连接器等部件。
常见的金属材料有铜、铝、金等，它们具有良好的导电性能和机械强度。
3. 绝缘体材料：绝缘体材料在电子器件中主要用于隔离和保护电路，以防止电流泄漏或干扰。
常见的绝缘体材料有陶瓷、塑料等，它们具有较高的绝缘性能和耐热性能。
4. 磁性材料：磁性材料在电子器件中主要用于制造电感器、变压器等磁性元件。
常见的磁性材料有铁、镍、钴等，它们具有良好的磁导性和磁饱和性。
5. 功能性陶瓷材料：功能性陶瓷材料具有特殊的物理和化学性能，可在电子器件中实现特定的功能。
常见的功能性陶瓷材料有铁电材料、压电材料、热敏材料等，它们可用于电容器、传感器、声波过滤器等器件中。
除了上述几类常见的电子材料，还有一些特殊用途的电子材料，如光电材料、导热材料、导电聚合物等，它们在不同的电子器件中起到不同的作用。
总之，电子材料在电子工业中起着至关重要的作用，不同类型的电子材料具有不同的功能和特性，为电子器件的性能和功能提供了基础。
随着技术的不断进步，新型的电子材料也在不断涌现，为电子行业的发展带来了更多的机遇和挑战。
电子信息材料知识点总结
电子信息材料知识点总结1. 电子元器件材料电子元器件是电子设备的核心组成部分，它用于控制电子信号的流动和转换，从而实现各种功能。
电子元器件材料是电子元器件的基础材料，它直接影响到电子元器件的性能和可靠性。
常见的电子元器件材料包括导体、绝缘体、半导体等。
（1）导体材料导体是能够允许电子自由流动的材料，它在电子元器件中用于传输电流。
常见的导体材料包括铜、铝、金等金属材料，它们具有良好的导电性能和机械性能，适合用于制造导线、电极、接线等部件。
（2）绝缘体材料绝缘体是对电子具有很强阻止作用的材料，它在电子元器件中用于隔离电路和保护电子设备。
常见的绝缘体材料包括二氧化硅、氧化铝、聚合物等，它们具有良好的绝缘性能和耐高温性能，适合用于制造绝缘层、密封件、外壳等部件。
（3）半导体材料半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，它在电子元器件中用于制造晶体管、二极管、集成电路等部件。
常见的半导体材料包括硅、锗、砷化镓等，它们具有良好的半导体性能和光电性能，适合用于制造各种电子器件。
2. 半导体材料半导体材料是一类具有半导体性能的材料，它在电子领域中具有重要应用价值。
半导体材料的性能直接决定了电子器件的性能和功能，因此对其进行深入研究具有重要意义。
（1）硅材料硅是一种常见的半导体材料，它在电子器件制造中占据着重要地位。
硅材料具有良好的稳定性、加工性和可靠性，适合用于制造各种集成电路、光伏电池、振荡器等器件。
（2）化合物半导体材料化合物半导体材料是由两种或多种元素化合而成的半导体材料，它具有比硅更优秀的性能和应用潜力。
常见的化合物半导体材料包括砷化镓、硒化锌、氮化镓等，它们在光电子器件、微波器件、光伏器件等领域中有着广泛的应用。
（3）有机半导体材料有机半导体材料是一类新型的半导体材料，它具有良好的柔韧性、可加工性和低成本性，因此在柔性电子器件、有机光电子器件等领域中备受青睐。
常见的有机半导体材料包括聚合物、小分子有机物等，它们在柔性显示器、柔性传感器、有机太阳能电池等领域中有着广泛的应用。
电子功能材料
电子功能材料
电子功能材料是一类具有特殊电学、磁学、光学等性能的材料，广泛应用于电
子器件、光电器件、传感器等领域。
它们的特殊性能使得电子设备在功能和性能上得到了极大的提升，推动了现代电子科技的发展。
本文将对电子功能材料的种类、特性以及应用进行介绍。
首先，电子功能材料可以根据其电学特性分为导电材料和绝缘材料。
导电材料
具有良好的电导性能，能够传导电流，如金属材料、导电聚合物等；而绝缘材料则具有很高的电阻值，不易传导电流，如硅胶、陶瓷等。
这两类材料在电子器件中起到了至关重要的作用，导电材料用于制作电路、电极等部件，而绝缘材料则用于保护电路、隔离电子器件等。
其次，电子功能材料还具有磁学特性，包括铁磁材料、铁氧体材料、磁性半导
体等。
这些材料在电子器件中可用于制作磁存储器件、磁传感器、磁电子器件等，对于信息存储、传感器技术等领域有着重要的应用价值。
此外，光学功能材料也是电子器件中不可或缺的一部分，包括光电导体、光电
子晶体、光电半导体等。
这些材料在光电器件、光通信、光电显示等领域发挥着重要作用，推动了光电技术的迅速发展。
最后，电子功能材料在传感器领域也有着广泛的应用，如敏感材料、传感薄膜、传感聚合物等。
这些材料能够对物理量、化学量等进行敏感检测，用于制作温度传感器、压力传感器、化学传感器等，为各种领域的传感技术提供了重要支持。
总之，电子功能材料在现代电子科技中扮演着重要的角色，其种类繁多、特性
各异，应用范围广泛。
随着科技的不断进步，电子功能材料的研究与应用也将得到进一步的拓展和深化，为电子器件的发展和创新提供更多可能性。
《电子材料》课件
硬磁材料通常用于制造永磁体，如扬声器、耳机、电机和传感器等。
硬磁材料的性能参数包括矫顽力、剩磁和内禀矫顽力等。
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功能材料
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光电子材料是利用光子激发电子产生光电流或光信号的电子材料，在光通信、光电子器件等领域具有广泛应用。
光电子材料主要包括半导体材料、光学晶体、光学玻璃等。它们能够将光能转化为电能或光信号，从而实现高速、大容量的信息传输和处理。
热学性能
机械性能
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电子材料应具备优良的导电性、绝缘性和半导性等电学性能。
部分电子材料需具备特定的光学性能，如透明、反射、吸收等特性。
电子材料应具备良好的热导率和热稳定性，以维持电子元件的正常运行。
电子材料需具备足够的强度、硬度、耐磨性和抗疲劳性等机械性能。
导体材料
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总结词：金属导体是电子材料中的重要组成部分，具有良好的导电性能和广泛的应用。
03
电介质的主要性能指标包括相对介电常数、介质损耗、耐电压强度等。
塑料是常见的绝缘材料之一，具有良好的绝缘性能、加工性能和稳定性。
常用的塑料绝缘材料包括聚乙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯等，被广泛应用于电线电缆、电器设备等领域。
塑料绝缘材料的性能受温度、湿度、紫外线等因素的影响，需采取相应的保护措施。
磁性材料
总结词：半导体是指导电性能介于金属导体和绝缘体之间的材料，具有独特的电学和光学性质。
总结词：除了金属导体和半导体之外，还有一些其他具有特殊性能的导体材料，如石墨烯、碳纳米管等。
绝缘材料
03
01
电介质在电场中能够保持电中性，即不导电，但其中正负电荷的相对位置会发生改变，产生极化现象。
电子材料概述
电子材料的要求和选用原则 纳米电子材料、复合材料等新型电子材料 电子材料的发展动态
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1.3.1 现代社会对电子材料的要求
物质尺度到了纳米级后，由于表面电子能级（费米面）的变化
（Kubo效应）导致了纳米材料具有许多奇特的性能，从而使其具备
奇异性和反常性，能使多种多样的材料改性，用途极为广泛。上述 五种效应是纳米材料的基本特性，它使纳米粒子和纳米固体呈现许 多奇异的物理性质、化学性质；
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纳米材料的基本单元包括：
•零维：纳米尺寸的粒子 •一维：纳米粗细尺寸的棒、管、线 •二维：指空间一维处于纳米尺度，如超薄膜、
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2 量子尺寸效应
当粒子尺寸下降到一定值时，金属费米能级附近的电子能
级由准连续变为离散能级的现象，纳米半导体微粒存在不
连续的最高能级占据分子轨道和最低未被占据的分子轨道 能级的能隙变宽现象均称为量子尺寸效应。
微粒尺寸 量子尺寸效应 特性显著不同。
根据Kubo理论，分立能级的平均间距δ 与颗粒中的电子数N成反比，δ =4EF/3N， 显然当块状金属中电子浓度N很大时，电子能谱可以看作是连续的，当金属颗粒尺 寸减少时，能级δ 将随之增大，这些分立的能级不能按连续的能带论处理。呈现出 量子尺寸效应。
物体的表面积与体积之比称为比表 面积，这个数据对纳米材料的性质 具有重要影响。球形颗粒的表面积 与直径的平方成正比，其体积与直 径的立方成正比，故其比表面积与 直径成反比。随着颗粒直径变小， 比表面积将会显著增大，说明表面 原子所占的百分比将会显著增加。
电子原材料
电子原材料电子原材料是制造电子产品所需的基础材料，包括导电材料、绝缘材料和半导体材料。
这些原材料在电子制造工艺中发挥关键作用，决定着电子产品的性能和质量。
首先，导电材料是电子原材料的重要组成部分。
导电材料具有良好的电导性能，能够有效地传递电流。
常见的导电材料有金属（如铜、铝、银）、导电聚合物（如聚苯乙烯、聚丙烯）、碳纳米管等。
导电材料用于制造电线、电路板、电极等电子器件，保证电子器件的稳定工作。
其次，绝缘材料也是电子原材料中不可或缺的一部分。
绝缘材料具有良好的绝缘性能，能够有效隔离电流，避免电子器件之间的干扰。
常见的绝缘材料有塑料、橡胶、瓷器等。
绝缘材料用于包覆电线、电路板和电子器件的外壳，起到保护和隔离的作用，保证电子器件的安全性和稳定性。
最后，半导体材料是电子原材料中非常重要的一类。
半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的导电特性，能够通过施加外加电压控制电流的流动。
常见的半导体材料有硅、锗等。
半导体材料用于制造晶体管、集成电路和光电子器件等，是现代电子技术的基础。
随着电子产品的快速发展和普及，电子原材料的需求也不断增加。
目前，许多国家和地区都开始加大对电子原材料的研发和生产力度，提高其质量和性能。
同时，为了减少环境污染和资源浪费，绿色电子原材料的研究也成为了重要的方向。
绿色电子原材料指的是对环境友好、可再生、可回收利用的原材料，如生物可降解材料、再生金属等。
绿色电子原材料的应用将有助于减少对有限资源的依赖，保护环境，实现可持续发展。
总之，电子原材料是制造电子产品所需的基础材料，包括导电材料、绝缘材料和半导体材料。
这些材料在电子制造过程中发挥着重要作用，决定着电子产品的性能和质量。
随着电子产品的发展和普及，研发和应用绿色电子原材料也变得越来越重要。
我们有理由相信，在科技的推动下，电子原材料将会越来越先进，为人们的生活带来更多便利。
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资 讯NEWS新材料产业 NO.03 201981美国研究人员在单层半导体上直接形成量子光源美国海军研究实验室(NRL)和空军研究实验室(AFRL)的科学家们已经开发出一种可以在单层半导体材料直接形成量子光源的方法。
单光子发射器(SPEs)或量子发射器是新兴量子技术的关键组成部分，包括计算、安全通信、传感和计量。
传统的发光二极管会同时发射出数十亿的光子，从而形成稳定的光子流。
理想的SPEs不同于传统发光二极管，它每次只发射出一个光子，且每个光子之间都无法区分,这些特性是光量子技术发展不可或缺的。
此外，这些特性的实现需要在一个精确、可重复放置SPEs的材料平台，并可以与现有的半导体芯片制造技术相兼容。
美国海军研究实验室(NRL)的科学家使用原子力显微镜(AFM)在以聚合物薄膜为衬底的二硒化钨（W S e 2）单分子层材料上制造纳米级的凹陷或凹痕。
凹痕附近产生局部化的高应变场，应变场导致WSe 2产生单光子发射态。
空军研究实验室(AFRL)对这种光发射进行时间相关的测量证实了这些单光子的性质。
这些单光子发射器所发出的光子频率高、光谱稳定，符合新兴应用技术的关键要求。
资深科学家兼首席研究员Berend Jonker博士表示，这种量子光源制作方法可以实时设计以及准确的放置单光子发射器，方便与光子波导、空腔和等离子体结构耦合。
同时，纳米级的凹痕技术将使阵列或模式化的量子发射器实现晶圆级别的制造。
（工业和信息化部电子第一研究所）日本科学家研发氮化镓铝基深紫外发光二极管日本东北大学的Kazunobu Kojima从事于量子光学的研究，如光对固态半导体材料的量子效应等。
他与其同事采用多种显微技术来研究氮化镓铝(AlGaN)的结构，试图理解影响其光电效率的原理。
他们在蓝宝石衬底上生长了一层氮化铝（A l N）薄膜，并与其表面形成一个很小角度的偏差，由此制造出了一种基于A l G a N的发光二极管。
接下来，他们在A l N层上生长了一层含有硅杂质的A l G a N。
在此基础上，又在上面生成了3个AlGaN “量子阱”。
“量子阱”是非常薄的层，它将亚原子粒子（电子和空穴）限制在垂直于“量子阱”表面的维度内，而不限制它们在其他维度的运动。
“量子阱”顶部覆盖了一层由A l N和含铝镁杂质的AlGaN形成的电子阻挡层。
微观研究表明，AlN与AlGaN之间存在阶梯式台阶。
这些阶梯式台阶会影响上方“量子阱”层的形状。
富含镓的条纹将底部台阶与它们在上部“量子阱”层中造成的微小畸变连接起来。
这些条纹代表了AlGaN层中电流的微路径。
研究人员说，这些微路径以及“量子阱”层中电子和空穴局部化的强烈运动，似乎是提升发光二极管光电转换效率的原因。
（工业和信息化部电子第一研究所）加州大学研究团队开发了一种高性能的硅量子点锁模激光器最近，加州大学圣巴巴拉分校电子和计算机工程教授John Bowers与其研究团队在硅量子点锁模激光器方面取得了重要的进展。
这种技术不仅可以提高未来数据中心、电信公司和网络硬件产品的数据传输能力，而且具有硅光子的高稳定、低噪声和能源效率等特性。
一般来说，最先进电信基础设施的传输速率和数据容量必须大约每2年翻一番，才能维持高水平的性能。
B o w e r s研究团队在硅衬底上直电子材料资 讯NEWSAdvanced Materials Industry82接生长出多通道、20 k M H z、被动锁模量子点激光器。
这台激光机具有4.1Mbps/s的传输能力，比目前的商业标准超前了10年，目前以太网的数据传输速度达到400 Gbps/s。
这项技术利用的是成熟的波分复用（WDM）技术。
波分复用（WDM）技术使用不同波长(颜色)在一根光纤上传输大量并行信号。
它使我们的通信、娱乐和商业所依赖的快速数据传输成为可能。
Bowers研究团队的这项技术利用了电信、光子学和材料等领域的一些进展，利用量子点激光（一种微小的光源）发射光波，并通过光波来传输数据。
（工业和信息化部电子第一研究所）新技术为新一代柔性电子元件铺平道路英国埃克塞特大学的研究人员开发出一种创新技术，可以帮助创造下一代日常柔性电子产品。
由工程专家组成的团队开创了一种新方法，通过采用高K电介质的原子级薄的二维晶体材料，简化了“范德瓦尔斯异质结”的生产。
虽然范德瓦尔斯异质结的优点显而易见，但复杂生产方法限制了它的发展。
现在，研究团队开发了一种新技术，通过嵌入高K氧化物电介质，使范德瓦尔斯异质结可以实现合适的电压调节、改善性能以及新增功能。
最新研究概述了一种新方法，即仅在范德瓦尔斯器件中嵌入功能纳米级高K氧化物，而不会降低相邻二维材料的性能。
这种新技术允许创建多种基础纳米电子器件和光电器件，包括双栅极石墨烯晶体管，以及垂直发光和检测隧道晶体管。
（工业和信息化部电子第一研究所）科学家利用聚吡咯—铜金属海绵制备能量转换和存储一体化器件近日，中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员李舟课题组和深圳大学化学与环境工程学院副教授周学昌研究团队合作，首次利用聚吡咯-铜金属海绵制备了一种集能量转换和能量存储功能于一体的柔性电子器件。
依据现有的非电沉积法，深圳大学硕士生杨梦嫣制备得到了易形变、密度小的铜金属海绵。
北京纳米能源所博士研究生李喆和助理研究员胡宽通过附载聚吡咯，制备了柔性、稳定的聚吡咯—铜金属海绵，使这种复合海绵具有较稳定的高导电性，为摩擦纳米发电机和超级电容器同时提供了更为优质的柔性电极选择。
他们将聚吡咯—铜金属海绵用在电容器上，与聚乙烯醇—氢氧化钾凝胶组装成三明治结构，得到了一种全固态双电极超级电容器。
一方面利用来自于铜金属海绵内表面较高的双电层电容，另一方面来源于聚吡咯产生的赝电容，实现了电容器结构和性能的优化，有效提高了电容器的稳定性和循环寿命，也增加了界面处的感应电流。
博士研究生邹洋利用聚吡咯—铜金属海绵作为纳米发电机的摩擦层又作为电极层，制备了多孔、质轻的单电极摩擦纳米发电机，并通过材料本身处理，有效提高了纳米发电机的电学输出。
研究人员将以上摩擦纳米发电机和超级电容器组装成一个器件，制得了集能量转换和能量存储功能于一体的柔性电子器件。
该器件在不改变性能的情况下，可被压缩50%或弯曲180°，适用于可穿戴装置。
摩擦纳米发电机产生的2.4V电压的能量能被存储在与其串联的多个超级电容器中，并可驱动LED灯工作。
该研究工作为聚吡咯—铜金属海绵的应用提供了新方向，也为可穿戴电子器件和弹性多功能能量存储复合系统的研制提供了新思路。
（北京纳米能源与系统研究所）我国人工突触模拟忆阻器研究方面取得进展目前，模仿生物神经系统中突触间隙神经递质释放过程与电信号传递处理调控构建的多栅极人造神经元晶体管常表现出高低电阻态的突变。
然而，基于二维材料的2端电阻开关器件通常表现出从高电阻状态到低电阻状态的突变。
为解决上述问题，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员丁古巧课题组与深圳大学电子科学与技术学院副教授韩素婷、深圳大学高等研究院研究员周晔合作，利用新型碳基二维半导体材料C 3N实现了可调突触行为的人工突触模拟忆阻器。
该器件可以实现电阻值随着连续的电压扫描而逐渐变化的典型的忆阻行为。
近常压X射线光电子能谱证实C 3N薄膜中的质子传导过程实现了器件的忆阻特性。
C 3N中大量的晶格氮原子使其成为高质量的质子接受材料。
该忆阻器能实现多种生物突触中的突触可塑性模拟，包括兴奋性突触后电流、双脉冲易化、双脉冲抑制、双脉冲易化转换为双脉冲抑制以及强直后增强等。
该项工作表明，基于质子传导忆阻器的人工突触在进一步构建神经形态计算系统中具有巨大潜力。
同时，该工作也是新型碳基二维半导体材料C 3N应用研究的又一突破。
（中科院上海微系统与信息技术研究所）资 讯NEWS新材料产业 NO.03 201983我国柔性应变敏感材料研究中取得进展最近，中国科学院上海硅酸盐研究所研究员孙静带领的科研团队以M X e n e材料——T i 3C 2T x 为研究对象，通过对T i 3C 2T x 进行材料微结构设计，成功研制了基于T i 3C 2T x 纳米颗粒-纳米片混合网络结构的高性能柔性应变传感器。
利用纳米颗粒-纳米片的协同运动，该柔性应变传感器同时实现了高灵敏度及宽响应范围，在整个应变感应范围内（53%）的灵敏度高于100（G F >178.4），并具有极低的检测限（0.025%）和高循环稳定性等优势，能够精准检测呼吸、脉搏等生理信号。
该研究首次提出了限制式裂纹增值感应新机制，为高性能柔性应变传感器的设计提供了新思路。
（中科院上海硅酸盐研究所）中科院在多铁材料纳米力学性能表征领域取得进展近日，中国科学院深圳先进技术研究院纳米调控与生物力学研究室在多铁材料纳米力学性能表征领域取得新进展，提出了一种能够同时表征多铁纳米材料纳米尺度压电性能和力学性能的技术。
多铁材料是一种同时具有铁弹、铁电、铁磁2种或2种以上序参数耦合的多功能材料。
多铁磁电材料能展现出独特的磁电耦合效应，其在传感器、多态存储、自旋电子器件等领域具有广阔的应用前景。
多铁纳米材料由于能够促进电子器件的多功能化、集成化及微型化，近年来受到广泛的关注和研究。
中国科学院深圳先进技术研究院研究团队提出的局部激励压电力显微技术很好地弥补了这一空白。
该技术将经典的力学理论有机结合起来，在传统的压电力显微技术基础上进行延伸，实现了同时表征多铁纳米材料纳米尺度压电性能和力学性能。
与传统技术相比，该技术具有实验装置简单，能够实现真正意义上的局域微纳尺度测量，且能无损地实现对材料杨氏模量和压电性能的高速、高分辨率成像等优点，这为多铁材料纳米尺度力学性能的表征提供了新思路，具有很好的应用前景。
（中科院深圳先进技术研究院）中国电科成功制备4英寸氧化镓单晶近日，中国电科46所经过多年氧化镓晶体生长技术探索，通过改进热场结构、优化生长气氛和晶体生长工艺，有效解决了晶体生长过程中原料分解、多晶形成、晶体开裂等问题，采用导模法成功制备出高质量的4英寸氧化镓单晶。
但由于氧化镓属于单斜晶系，具有高熔点、高温分解以及易开裂的特性，因此，大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。
中国电科46所制备的氧化镓单晶的宽度接近100m m，总长度达到250m m，可加工出4英寸晶圆、3英寸晶圆和2英寸晶圆。
经测试，晶体具有很好的结晶质量，将为国内相关器件的研制提供有力支撑。
（中国电子材料行业协会）山东天岳碳化硅功率半导体芯片项目开工山东天岳碳化硅功率（SiC）半导体芯片研发与产业化项目正式开工。
碳化硅功率半导体芯片及电动汽车模组研发与产业化项目是济南2019年市级重点项目之一，主要将建设碳化硅功率芯片生产线和碳化硅电动汽车驱动模块生产线各一条。