IGBT
车规级IGBT简介
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定制化服务
针对不同车型和不同能源系统的需求，提供定制 化的车规级IGBT解决方案将成为行业的重要发展 方向。
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车规级IGBT的挑战与解决方案
技术挑战
01
02
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高可靠性要求
车规级IGBT需要在高温、 高湿、高震动的环境下长 时间稳定工作，对可靠性 和稳定性要求极高。
快速开关响应
车规级IGBT需要具备快速 的开关响应速度，以满足 车辆控制系统对动力和制 动性能的需求。
车规级IGBT简介
汇报人： 2024-01-04
目录
• IGBT的基本介绍 • 车规级IGBT的特点 • 车规级IGBT的应用 • 车规级IGBT的市场前景 • 车规级IGBT的挑战与解决方
案
01
IGBT的基本介绍
IGBT的定义
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合晶体管，由金属-氧化 物-半导体场效应管（MOSFET）和双极晶体管（BJT）组合 而成。
IGBT的优点
01
02
03
04
高速开关能力
IGBT具有快速的开关速度， 能够实现高频率的开关转换。
低通态压降
在导通状态下，IGBT的通态 压降较低，能够降低能源损耗
。
耐高温性能
IGBT能够在高温环境下稳定 工作，适用于高温环境下的应
用。
可靠性高
IGBT的结构简单，可靠性高 ，寿命长。
02
车规级IGBT的特点
优化设计
通过优化设计和制程工艺，提高车规级IGBT的开关响应速度和 效率。
降低成本
通过优化供应链管理和规模化生产，降低车规级IGBT的材料成 本和研发成本。
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IGBT工作原理
IGBT工作原理概述：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）是一种高压高功率开关器件，广泛应用于电力电子领域。
本文将详细介绍IGBT的工作原理、结构和特点。
一、IGBT的结构：IGBT由N型沟道MOSFET和双极晶体管BPT组成。
其结构包括P型衬底、N 型沟道、P型基区、N型漏极、N+型源极、N+型漏极、P+型栅极和金属接触等部分。
IGBT的结构使其具备了MOSFET的低功耗特点和BPT的高电压承受能力。
二、IGBT的工作原理：1. 关态（关断状态）：当IGBT的栅极电压低于阈值电压时，栅极与沟道之间的PN结处于反向偏置，形成一个绝缘层，导致沟道中没有电流流动。
此时，IGBT处于关断状态，电流无法通过。
2. 开态（导通状态）：当栅极电压高于阈值电压时，栅极与沟道之间的PN结正向偏置，绝缘层消失，电流可以流经沟道。
此时，IGBT处于导通状态。
3. 开关过程：在IGBT导通状态下，当控制电压施加在栅极上时，栅极与沟道之间的PN结会形成一个导电通道，这样电流就可以通过IGBT。
当控制电压从高电平变为低电平时，导电通道会被关闭，电流无法通过IGBT。
三、IGBT的特点：1. 高压承受能力：IGBT能够承受较高的电压，通常可达数千伏。
2. 低导通压降：IGBT导通时的电压降低，能够减小功率损耗。
3. 高开关速度：IGBT具有较快的开关速度，能够实现高频率开关。
4. 低驱动功率：IGBT的驱动电流较小，能够降低功耗。
5. 可靠性高：IGBT具有较高的可靠性和较长的寿命。
四、应用领域：IGBT广泛应用于电力电子领域，主要用于高压高功率的开关电源、变频器、逆变器、电力传输、电动车辆、风力发电、太阳能发电等设备中。
总结：IGBT是一种高压高功率开关器件，具有高压承受能力、低导通压降、高开关速度、低驱动功率和高可靠性的特点。
通过控制栅极电压，可以实现IGBT的开关功能。
IGBT工作原理
IGBT工作原理概述：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高功率开关器件，广泛应用于工业电力电子领域。
它结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降，具有低开关损耗和高开关速度的优点。
本文将详细介绍IGBT的工作原理。
1. IGBT结构：IGBT由P型衬底、N型衬底和P型上层构成。
其中，N型衬底被分为N+区和N-区，P型上层被分为P+区和P-区。
N+区和P+区分别作为漏极和源极，N-区和P-区形成P-N结，是IGBT的主导电流区域。
2. IGBT工作原理：当IGBT的栅极施加正向电压时，栅极结与源极结之间形成正向偏置，使N-区的空间电荷区域扩展，导致P-N结区域的电导增加。
此时，IGBT处于导通状态，漏极和源极之间形成低阻抗通路，电流可以流过。
3. IGBT关断过程：当IGBT的栅极施加负向电压时，栅极结与源极结之间形成反向偏置，使N-区的空间电荷区域收缩，导致P-N结区域的电导减小。
此时，IGBT处于关断状态，漏极和源极之间形成高阻抗断路。
为了加速IGBT的关断过程，通常会在栅极上施加负向脉冲。
4. IGBT的三个工作区域：IGBT的工作可以分为三个区域：饱和区、过渡区和截止区。
- 饱和区：当栅极电压高于临界电压时，IGBT处于饱和区。
此时，漏极和源极之间的电阻很低，电流可以自由流动。
- 过渡区：当栅极电压在临界电压附近时，IGBT处于过渡区。
此时，漏极和源极之间的电阻会逐渐增加，电流流动受到一定限制。
- 截止区：当栅极电压低于临界电压时，IGBT处于截止区。
此时，漏极和源极之间的电阻非常高，电流无法流动。
5. IGBT的优点：- 低导通压降：IGBT的导通压降比MOSFET低，可以减小功率损耗。
- 高开关速度：IGBT的开关速度比BJT快，可以提高系统响应速度。
- 高输入阻抗：IGBT的输入阻抗比MOSFET高，可以减小驱动功耗。
- 高耐压能力：IGBT可以承受较高的电压，适合于高压应用场景。
IGBT工作原理
IGBT工作原理概述：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）是一种高性能功率半导体器件，常用于控制和调节高电压和高电流的电力电子应用中。
本文将详细介绍IGBT的工作原理及其相关特性。
一、IGBT结构IGBT由三个主要部分组成：N型电流扩散层、P型基区和N型绝缘栅区。
它的结构类似于MOSFET和双极晶体管的结合体，具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通压降特性。
二、IGBT工作原理1. 关断状态：当IGBT的栅极电压为0V时，处于关断状态。
此时，N型电流扩散层和N型绝缘栅区之间形成了反向偏置的PN结，阻止了电流的流动。
2. 开通状态：当给IGBT的栅极施加正向电压时，即使很小的电压也能引起电流的流动。
在开通状态下，栅极电压控制导通电流的大小。
3. IGBT的导通过程：当栅极电压高于临界电压时，电流开始从N型电流扩散层注入到P型基区，形成NPN型双极晶体管。
由于双极晶体管的放大作用，电流迅速增加。
同时，由于N型绝缘栅区的存在，栅极电压控制了电流的大小。
因此，IGBT具有较低的导通压降。
4. IGBT的关断过程：当栅极电压降低到临界电压以下时，电流开始减小。
在关断过程中，IGBT的关断速度取决于去除电荷的速度。
通常，通过施加负向电压或短路栅极电压来加快关断速度。
三、IGBT的特性1. 高输入阻抗：由于IGBT的栅极绝缘层，其输入电流极小，因此具有高输入阻抗。
这使得IGBT可以被各种控制电路轻松驱动。
2. 低导通压降：IGBT的导通压降较低，这意味着在导通状态下能够减小功率损耗，提高效率。
3. 大功率承受能力：IGBT能够承受较高的电压和电流，适用于高功率应用，如变频器、电力传输、电动车等。
4. 快速开关速度：IGBT具有较快的开关速度，可以实现高频率的开关操作，适用于需要频繁开关的应用。
5. 温度依赖性：IGBT的导通压降和关断速度受温度影响较大。
电力电子半导体器件(IGBT)
c. 栅分布锁定：是因为绝缘栅旳电容效应，造成在开关过程中个别先开通或 后关断旳IGBT之中旳电流密度过大而形成局部锁定。
——采用多种工艺措施，能够提升锁定电流，克服因为锁定产生旳失效。
4．开关时间与漏极电流、门极电阻、结温等参数旳关系：
5．开关损耗与温度和漏极电流关系
（三）擎住效应
IGBT旳锁定现象又称擎住效应。IGBT复合器件内有一种 寄生晶闸管存在，它由PNP利NPN两个晶体管构成。在NPN晶 体管旳基极与发射极之间并有一种体区电阻Rbr，在该电阻上， P型体区旳横向空穴流会产生一定压降。对J3结来说相当于加 一种正偏置电压。在要求旳漏极电流范围内，这个正偏压不大， NPN晶体管不起作用。当漏极电流人到—定程度时，这个正偏 量电压足以使NPN晶体管导通，进而使寄生晶闸管开通、门极 失去控制作用、这就是所谓旳擎住效应。IGBT发生擎住效应后。 漏极电流增大造成过高旳功耗，最终造成器件损坏。
在使用中为了防止IGBT发生擎住现象:
1．设计电路时应确保IGBT中旳电流不超出IDM值； 2．用加大门极电阻RG旳方法延长IGBT旳关断时间，减小重加
dVDS/d t。 3．器件制造厂家也在IGBT旳工艺与构造上想方设法尽量提
高IDM值，尽量防止产生擎住效应。
（四）安全工作区 1．FBSOA：IGBT开通时正向偏置安全工作区。
4．开关特征：
与功率MOSFET相比，IGBT 通态压降要小得多，1000V旳 IGBT约有2~5Ｖ旳通态压降。这 是因为IGBT中N－漂移区存在电 导调制效应旳缘故。
IGBT十大品牌简介
品牌一：XX品牌
品牌概述
XX品牌是全球知名的电力电子 元器件制造商，专注于IGBT模
块的研发、生产和销售。
技术实力
XX品牌拥有先进的芯片制程技 术和封装工艺，其IGBT模块在 可靠性和性能方面均处于行业 领先水平。
应用领域
广泛应用于风电、光伏、轨道 交通、智能电网、电机节能等 领域。
在新能源领域，IGBT是光伏逆变器和风电变流器的核心器 件，用于实现能源的转换和优化。在轨道交通领域，IGBT 用于驱动列车电机，实现高效、稳定的运行。在智能电网 领域，IGBT用于无功补偿和有源滤波等应用，提高电网的 稳定性和可靠性。在电动汽车领域，IGBT是电机控制器的 重要组成部分，直接影响车辆的性能和能效。
市场份额
在全球IGBT市场中占据重要地 位，是业内公认的领导品牌之
一。
品牌二：XX品牌
品牌概述
XX品牌是一家德国知名的电力电子元器件制造商，其IGBT模块在欧 洲市场具有较高的知名度和市场份额。
技术实力
XX品牌拥有先进的IGBT芯片制程技术和模块封装工艺，其产品在可 靠性和性能方面表现优异。
应用领域
广泛应用于工业自动化、电机驱动、新能源等领域。
市场份额
在欧洲市场占据主导地位，同时在全球范围内也拥有广泛的客户基础 。
IGBT市场现状与前景
总结词
随着新能源和电动汽车市场的快速发展，IGBT市场需求持续增长，未来市场前景广阔 。
详细描述
目前，全球IGBT市场主要由几家知名企业占据，如英飞凌、富士电机、三菱电机等。 这些企业通过持续的技术创新和产品升级，不断提高IGBT的性能和可靠性，满足市场 的不断增长的需求。同时，随着新能源和电动汽车市场的快速发展，IGBT的应用领域
IGBT基本参数详解
IGBT基本参数详解IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是绝缘栅双极型晶体管，是一种低开关损耗的高功率半导体开关设备，广泛应用于发电机、变电站、驱动电机等高功率电器中。
IGBT基本参数是选择IGBT的重要基础，本文将详细解释IGBT的基本参数。
1. 标记符号解释在讲解IGBT基本参数之前，首先了解一些标记符号的意义是非常重要的。
以下是常见的标记符号解释：•VCEO：开关管封装存放温度的最大值•VCE：集电极 / 引出极 / 集电极接地之间的最大电压•IC：集电极电流•Tj：晶体管结温度•Tstg：存储温度范围•VGE：栅极与发射极电压•IGT：栅极驱动电流•VCC：IGBT的电源电压•ISC：短路电流•tSC：短路恢复时间•tF：关断时间•tR：开启时间2. 关键参数解释接下来将分别讲解IGBT的一些关键参数。
2.1 集电极-发射极最大电压（VCE max）集电极-发射极最大电压是指可以承受的最大反向电压。
当集电极接地时，此参数也称为最大集电极电压。
切记不要超过规定的最大值，否则会引起永久性损坏。
2.2 集电极-发射极饱和电压（VCE sat）集电极-发射极饱和电压是指晶体管开启状态下的最大电压降。
此参数是晶体管开启状态中非常重要的参数，可以用于计算电流过载保护电路的选型。
2.3 集电极电流（IC max）集电极电流是指开启状态下晶体管允许传输的最大电流。
晶体管当前通过的电流不应大于此值，否则晶体管将受到损坏。
2.4 晶体管结温（Tj）晶体管结温是指晶体管内部的结温度。
此参数影响晶体管的寿命和可靠性，需要在设计应用电路时考虑。
2.5 栅极-发射极的阈值电压（Vth）栅极-发射极的阈值电压是指当晶体管允许传输的最小电压。
超过此电压将导致晶体管开启。
2.6 栅极驱动电流（IGT）栅极驱动电流是指栅极的驱动电流。
在实践中，IGBT的公称电流应为最低驱动电流的2-4倍。
通俗易懂讲解IGBT的工作原理和作用
通俗易懂讲解IGBT的工作原理和作用IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即绝缘栅双极晶体管，是一种常用的功率半导体器件，具有高电压、高电流和高开关速度的特点。
它广泛应用于交流调速、电源逆变、电机驱动等领域，具有重要的作用。
本文将通俗易懂地介绍IGBT的工作原理和作用。
一、IGBT的工作原理IGBT是由N沟道型MOS（Metal Oxide Semiconductor）场效应晶体管与PNP型双极晶体管组成。
它结合了MOSFET和双极晶体管的优点，在导通时具有较低的导通压降，而在关断时具有较高的击穿电压。
其工作原理如下：1. 导通状态：在IGBT导通状态下，当控制电压Ugs大于门极阈值电压Uth时，N沟道型MOSFET处于导通状态，形成通道，电流可以从集电极到源极流动。
由于N沟道型MOSFET的导通电阻较小，因此导通时的压降很小。
2. 关断状态：当控制电压Ugs小于门极阈值电压Uth时，N沟道型MOSFET无通道，不导电，IGBT进入关断状态。
此时，通过控制电压Uce（集电-发射极电压）可以实现IGBT的关断。
由于PNP型双极晶体管的存在，即使在较高的Uce下，IGBT也能承受较高的电压。
IGBT的工作原理可以用一个自锁开关的例子来解释。
N沟道型MOSFET相当于自锁开关的门锁，控制门锁的状态可以实现导通和关断；PNP型双极晶体管相当于自锁开关的钥匙，即使是在关断状态下，只要插入钥匙（提供较高的Uce），开关仍然可以打开。
二、IGBT的作用IGBT作为一种高性能的功率开关器件，其作用主要体现在以下几个方面：1. 电流调节：IGBT能够调节高电压和高电流，广泛应用于交流调速和电源逆变等领域。
在交流调速中，IGBT可以根据输入信号的变化，控制电机的转速和输出功率。
2. 电源逆变：IGBT可实现DC/AC逆变，将直流电源转换为交流信号，用于交流电源转换、逆变焊机等领域。
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电磁炉的工作原理与维修及IGBT管型号和主要参数第一单元电磁加热原理电磁炉是一种靠电磁场加热食物的灶具。
我们知道：家用电器中的变压器工作时，铁芯会发热，如图1所示。
为防止发热过多，浪费电能，铁芯用导磁率高的硅钢片叠压而成，以减小涡流的热效应。
理论和实践证明：涡流与磁感应强度成正比，与交流电频率的平方成正比。
因此，电磁炉要达到一定的热交换功率，必须有能产生高磁感应强度的交变磁场线圈，还必须提高交流电的频率以提高涡流功率。
一般情况下，流过电磁炉线圈的交流电频率在15KHZ——30KHZ之间。
电磁炉的工作原理是：当线圈中通过高频电流时，线圈周围产生高频交变磁场，在高频交变磁场的作用下，铁质锅底中产生强大的涡流，锅底迅速释放出大量的热量，达到加热目的，其工作示意图如图2所示。
为了能在线圈中形成15KHZ——30KHZ的高频电流，电磁炉中设有变频电路，就是将整流滤波后的直流电变换高频交流电，其电路原理简图如图3所示。
当220V交流电经DB1桥堆整流、L1和C1滤波后，形成+300V左右的直流电压，经线圈L2加到IGBT的漏极上，当开关脉冲高电平到达IGBT的栅极时，IGBT导通，内阻很小，电流由DB1的“+” -- L1-- L2 --IGBT漏极--源极--地---DB1的“—”极，把电能转化成磁能储存在加热线圈中。
当开关脉冲低电平到达IGBT的栅极时，IGBT截止，由于L2线圈中的电流不能突变，只能通过C2放电，即给C2充电，把磁场能转化成电场能，随后电容C2又向L2放电，如此周而复始，形成谐振，直到下一个开关脉冲高电平到达IGBT的栅极时，又重复上述过程。
L2线圈产生的高频磁场，于是在铁质平底锅底便产生了强大的涡流，锅底迅速发热，加热结圈中的电磁能转化成为热能。
常用的几种加热器具对照表：加热器具液化器炉普通电饭锅（电炒锅）电磁炉加热方式气体燃烧加热（热传导）电流通过电阻后发热（热传导）电磁感应，锅自身发热效率40%——50%50%——60%高于80%有无有害气体有无无安全系数低中高缺点效率低、安全性差效率低电路复杂第二单元电磁炉特殊元器件介绍一、陶瓷板：陶瓷板是微晶陶瓷板的简称。
主要作用是承载加热锅。
处于加热锅底下面。
二、加热线圈：加热线圈又称为发热线圈，但它不发热，而是高频谐振回路中的一个电感，严格地说是称为高频谐振线圈。
外形为圆盘形，是由多股漆包线绞合后以同心圆方式由内到外绕27~33匝而成，中心安装有感温器支架用以安装热敏电阻，加热线圈的下面安装有多根磁条，用以会聚磁力线，减少磁力线外泄，如图所示。
元件好坏的判别一、绝缘栅型场效应管（或IGBT）好坏的简易判别方法1、原理图3、判断极性将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，将黑表笔固定接在某一电极上，另一表笔（红表笔）分别接其它两只管脚，若阻值均为无穷大，对调用红表笔固定接在这一电极（原黑表笔接的那只管脚）上，另一表笔（黑表笔）分别接其它两只管脚，若阻值均为无穷大，则固定不动的那只表笔接的那只管脚为栅极。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为漏极（D）；黑表笔接的为源极（S）。
4、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D），红表笔接IGBT 的源极（S），此时万用表的指针指在无穷处。
用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。
此时即可判断IGBT 是好的。
注意：若进第二次测量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
附图IGBT 绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。
IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。
从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。
IGBT的特点:1.电流密度大.2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
3.低导通电阻。
.4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。
5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%.代换ICBT时应注意的几个问题：由于IGBT管工作在高电压、大电流状态，工作温度高，易损坏，据不完全统计，在电磁炉故障维修中，IGBT 管损坏占80%以上，而各厂家采用的IGBT管型号繁杂，有的厂家还把IGBT管型号标注打磨掉，因此，维修中不得不考虑IGBT的代换。
代换时应注意以下二点：1、IGBT管的主要参数宜大不宜小，2000W以下的电磁炉可选用最大电流为20A—25A的IGBT管，2000W 或2000W以上的电磁炉可选用最大电流为40A的IGBT管。
2、应区分IGBT管内是否含有阻尼二极管，内含有阻尼二极管的IGBT管可代换不含阻尼二极管的IGBT 管，若用不含阻尼二极管的IGBT管代换内含有阻尼二极管的IGBT管时，应在新更换的IGBT管的漏极和源极之间并接一只快速恢复二极管，如图所示。
部分快速恢复二极管的型号及主要参数如表所示。
电磁炉常用IGBT管型号和主要参数二、DB1整流桥堆好坏的测量1、整流桥堆原理图2、好坏的测量方法一：用万用表R*1K档，黑表笔接“—”端，红表笔接“+”端，阻值在30K左右；对调表笔测量时，指针不动，表明该桥堆是好的。
方法二：1）、用表R*1K档，黑表笔接其中的一个“~”端，红表笔接“+”端，阻值在10K左右；再用黑表笔接其中的另一个“~”端，红表笔接“+”端，阻值在10K左右；以上两次测量，在对调表笔后测量时，指针不动。
2）、然后用黑表笔接“—”端，红表笔分别接两个“~”端时，阻值均在10K左右；以上两次测量，在对调表笔后测量时，指针不动。
则表明此桥堆是好的。
方法三：更好的方法是在线路板上直接测量（断电测量），用R*1档，方法同上，但阻值不同而已。
三、二极管好坏的判别1、原理：二极管的单向导电性。
2、判别方法：用万用表R*1K档，黑表笔接P区（极），红表笔接N区，阻值10K左右，当对调表笔测量时阻值为无穷大，则表明该二极管是好的，否则坏的（指硅管）。
1.1 电磁加热原理电磁灶是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。
在电磁灶内部，由整流电路将50/60Hz的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHz的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器皿(导磁又导电材料)底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。
458系列筒介458系列是由建安电子技术开发制造厂设计开发的新一代电磁炉,介面有LED发光二极管显示模式、LED数码显示模式、LCD液晶显示模式、VFD莹光显示模式机种。
操作功能有加热火力调节、自动恒温设定、定时关机、预约开/关机、预置操作模式、自动泡茶、自动煮饭、自动煲粥、自动煲汤及煎、炸、烤、火锅等料理功能机种。
额定加热功率有700~3000W的不同机种,功率调节范围为额定功率的85%,并且在全电压范围内功率自动恒定。
200~240V机种电压使用范围为160~260V, 100~120V机种电压使用范围为90~135V。
全系列机种均适用于50、60Hz的电压频率。
使用环境温度为-23℃~45℃。
电控功能有锅具超温保护、锅具干烧保护、锅具传感器开/短路保护、2小时不按键(忘记关机) 保护、IGBT温度限制、IGBT 温度过高保护、低温环境工作模式、IGBT测温传感器开/短路保护、高低电压保护、浪涌电压保护、VCE 抑制、VCE过高保护、过零检测、小物检测、锅具材质检测。
458系列须然机种较多,且功能复杂,但不同的机种其主控电路原理一样,区别只是零件参数的差异及CPU程序不同而己。
电路的各项测控主要由一块8位4K内存的单片机组成,外围线路简单且零件极少,并设有故障报警功能,故电路可靠性高,维修容易,维修时根据故障报警指示,对应检修相关单元电路,大部分均可轻易解决.二、原理分析特殊零件简介2.1.1 LM339集成电路LM339内置四个翻转电压为6mV的电压比较器,当电压比较器输入端电压正向时(+输入端电压高于-入输端电压), 置于LM339内部控制输出端的三极管截止, 此时输出端相当于开路; 当电压比较器输入端电压反向时(-输入端电压高于+输入端电压), 置于LM339内部控制输出端的三极管导通, 将比较器外部接入输出端的电压拉低,此时输出端为0V.2.1.2 IGBT绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。
IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。
从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。
IGBT的特点:电流密度大, 是MOSFET的数十倍2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
3.低导通电阻。
在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。
4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。
5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。