半导体材料第6讲 硅外延生长资料讲解
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硅集成电路工艺——外延(Epitaxy)
❖ 生成成膜原子 ❖ 成膜原子被吸附并生长成膜
A 下平台
台阶
C
扭转 B 位置
上平台
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化学反应过程
❖ 化学反应式：
SiCl4+2H2 SiCl4+ Si(固)
Si(固) +4HCl 2SiCl2(气)
❖ 生长速率与温度的关系 ❖ 生长速率与反应剂浓度的关系 ❖ 生长速率与气体流速的关系 ❖ 衬底晶向等其他影响因素
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外延的作用
❖ 双极型电路：
——解决高频功率器件的较高的击穿电压与较低的集 电极串连电阻之间的矛盾，埋层工艺。
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❖ CMOS电路：
❖ 避免闩锁效应 ❖ 避免硅层中SiOx的沉积 ❖ 硅表面更光滑，损伤最小
G
S
D
p+
G
S
D
n+
p阱 n衬底
闩锁效应(latch-up)示意图
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§7.1 硅气相外延的基本原理
❖ 反应: SiHxCl4-x +H2 ❖ 气体源
Si（固）+HCl（气）
❖ 硅源：SiCl4；SiHCl3；SiH2Cl2；SiH4 （Cl含量越高，反应温度越高，生长速率越慢，薄膜质
量较差）
❖ 氢源：钯管提纯
含杂质气体
钯管（400度）
纯H2
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❖ 外延生长模型：
Chap.7 外延（Epitaxy）
1 外延的基本概念及分类 2 外延的作用及优势 3 外延的基本原理及影响因素 4 外延层的杂质分布 5 选择性外延及SOI技术
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外延的基本概念
❖ 外延的定义:
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化学反应过程
❖ 化学反应式：
SiCl4+2H2 SiCl4+ Si(固)
Si(固) +4HCl 2SiCl2(气)
❖ 生长速率与温度的关系 ❖ 生长速率与反应剂浓度的关系 ❖ 生长速率与气体流速的关系 ❖ 衬底晶向等其他影响因素
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外延的作用
❖ 双极型电路：
——解决高频功率器件的较高的击穿电压与较低的集 电极串连电阻之间的矛盾，埋层工艺。
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❖ CMOS电路：
❖ 避免闩锁效应 ❖ 避免硅层中SiOx的沉积 ❖ 硅表面更光滑，损伤最小
G
S
D
p+
G
S
D
n+
p阱 n衬底
闩锁效应(latch-up)示意图
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§7.1 硅气相外延的基本原理
❖ 反应: SiHxCl4-x +H2 ❖ 气体源
Si（固）+HCl（气）
❖ 硅源：SiCl4；SiHCl3；SiH2Cl2；SiH4 （Cl含量越高，反应温度越高，生长速率越慢，薄膜质
量较差）
❖ 氢源：钯管提纯
含杂质气体
钯管（400度）
纯H2
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❖ 外延生长模型：
Chap.7 外延（Epitaxy）
1 外延的基本概念及分类 2 外延的作用及优势 3 外延的基本原理及影响因素 4 外延层的杂质分布 5 选择性外延及SOI技术
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外延的基本概念
❖ 外延的定义:
05章-硅外延生长解析
5.4 硅外延Байду номын сангаас电阻率的控制
• 尽管外延层中的杂质来源于各方面，但决定外 延层电阻率的主要因素还是人为控制的掺杂剂 的多少；即N气起主导作用(不掺杂的高阻外延 层，如生长很薄，主要由自掺杂决定，如生长 很厚应由SiCl4源的纯度决定。) • 其他杂质分量因变化多端，它们会干扰外延 层电阻率的精确控制，所以在外延时应采取各 种办法来抑制它们，或减少其影响。
• 外延层中总的载流子浓度N总可表示为 N总=N衬底±N气±N邻片±N扩散±N基座±N系统
• N衬底为由衬底中挥发出来的杂质在外延生长时掺入外延层中的 杂质浓度分量。 • N气为外延层中来自混合气体的杂质浓度分量。 • N邻片为外延层中来自相邻衬底的杂质浓度分量。 • N扩散为衬底中杂质经过固相扩散进入外延层中的杂质浓度分量。 • N基座为来自基座的杂质浓度分量。 • N系统为来自除上述因素以外整个生长系统引入的杂质浓度分量。 • 式中的正负号由杂质类型决定，与衬底中杂质同类型者取正号， 与衬底中杂质反型者取负号。
2.外延生长的掺杂
外延用PCl3,ASCl3,SbCl3，AsH3做N型掺杂剂， 用BCl3,BBr3，B2H6做P型掺杂剂
5-4-2 外延中杂质的再分布
• 外延层中含有和衬底中的杂质不同类型的杂 质，或者是同一种类型的杂质，但是其浓度 不同。 • 通常希望外延层和衬底之间界面处的掺杂浓 度梯度很陡，但是由于高温下进行外延生长， 衬底中的杂质会进入外延层，使得外延层和 衬底处的杂质浓度变平
• 两个模型: 气-固表面复相化学反应模型, 气相均质反应模型
5.4 硅外延层电阻率的控制
• 不同器件对外延层的电参数要求是不同的。为 精确控制器件的电阻率，需要精确控制外延层 中的杂质浓度和分布。 • 5-4-l 外延层中的杂质及掺杂 • 1．外延层中的杂质 •
半导体工艺原理---硅外延制备工艺(2013.3.25)(贵州大学)
不仅如此，GaAs等Ⅲ一V族、Ⅱ一Ⅵ族以及其他化 合物半导体材料的气相外延，液相外延，分子束外延，金 属有机化合物气相外延等外延技术也都得到很大的发展，
已成为绝大多数微波、光电器件等制做不可缺少的工艺技
术。 特别是分子束、金属有机气相外延技术在超薄层、超晶 格、量子阱、应变超晶格、原子级薄层外延方面成功的应 用，为半导体研究的新领域“能带工程”的开拓打下了基
列影响因素。
1．SiCl4浓度对生长速率的影响
2．温度对生长速率的影响
3．气流速度对生长速率的影响 4．衬底晶向的影响
硅气相外延生长装置原理图
反应原理：
SiCl4（气体）+2H2 （气体） Si+4HCl （气体）
同时伴随着另一个竞争反应： SiCl4 （气体） +Si SiCl2 （气体） 因此，如果四氯化硅浓度太高，将发生硅的腐蚀而不是硅 的生长。
非选择、低温腐蚀特点，所以可用它做腐蚀抛光剂。 为了控制外延层的电特性，通常使用液相或气相掺杂法。作为 N型掺杂剂的有PCl3,PH3和AsCl3，而作为P型掺杂剂的有BCl3、 BBr3和B2H6等。
硅外延生长设备
硅外延生长设备主要由四部分组成，即氢气净化系统、气体输
运及控制系统、加热设备和反应室。
础。
外延生长的特点
(1)可以在低(高)阻衬底上外延生长高(低)阻外延层。
(2)可以在P(N)型衬底上外延生长N(P)型外延层，直接形成
PN结，不存在用扩散法在单晶基片上制作PN结时的补偿 的问题。 (3)与掩膜技术结合，在指定的区域进行选择外延生长，为 集成电路和结构特殊的器件的制作创造了条件。 (4)可以在外延生长过程中根据需要改变掺杂的种类及浓度， 浓度的变化可以是陡变的，化合物且组分可变的超薄
硅外延
N气，N基座，N系统，杂质不是来源衬底片，因 此称为外掺杂 N扩散，N衬底，N邻片的杂质来源于衬底片，通 称为自掺杂 广义上：外延生长时由衬底、基座和系统等 带来的杂质进入到外延层中的非人为控制 的掺杂称为自掺杂 外掺杂：主要指人为控制的掺杂
5-3-3外延层生长中的自掺杂
造成自掺杂的主要原因
3微缺陷：杂质沾污，特别是Fe和Ni
产生：杂质沾污，Fe、Ni的影响最大 消除： 1 工艺中注意基座及系统的清洁处理 2 采用吸杂技术：利用背面的位错吸收有害杂 质，是外延层中的有害杂质和微缺陷减少
5-4 外延生长的工艺问题
一、外延生长设备
立式：旋转，掺杂均匀性好 圆桶式：不易颗粒沾污、 辐射加热：均匀性好，减少应 力
5-3-2 外延中杂质的再分布
外延层中含有和衬底中的杂质不同类型的 杂质，或者是同一种类型的杂质，但是其 浓度不同。 通常希望外延层和衬底之间界面处的掺杂 浓度梯度很陡，但是由于外延生长是在高 温下进行，衬底中及其他部分的杂质会进 入外延层，使得外延层和衬底之间界面处 的杂质浓度梯度变平
只考虑衬底中杂质扩散进入外延层时： N（x,t）=N1（x,t） ±N2（x,t）
抑制自掺杂
1. 采用低温外延技术和不含卤素的硅源， 2. 应用较稳定的掺杂剂：使用蒸发速度和扩散系数较小 的衬底和埋层掺杂剂 3. 外延前高温加热衬底，使衬底表面附近形成一杂质耗 尽层； 4. 采用背面封闭技术，在背面预先生长高纯的SiO2或多 晶硅封闭后再外延； 5. 采用二段外延生长技术：覆盖—吹气—生长 6. 减压生长技术：使已蒸发到气相中的杂质被抽走 7. 在HCl刻蚀后采用低温吹气的工艺以保证XCl3被带出 系统
三、外延层的表征
表面质量、厚度、晶体缺陷、电学性质 表面质量：光学显微镜、表面扫描激光缺陷计数器 厚度：现代分析天平称重（平均厚度） 红外反射测量技术 层错法（测量特征腐蚀坑边长） 晶体缺陷： 电学性质：四探针法 扩展电阻探针
硅基锗材料的外延生长及其应用
硅基锗材料的外延生长及其应用摘要:硅是最重要的半导体材料,在信息产业中起着不可替代的作用。
但是硅材料也有一些物理局限性,比如它是间接带隙半导体材料,它的载流子迁移率低,所以硅材料的发光效率很低,器件速度比较慢。
在硅衬底上外延生长其它半导体材料,可以充分发挥各自的优点,弥补硅材料的不足。
本文介绍了硅衬底上的锗材料外延生长技术进展,讨论了该材料在微电子和光电子等方面的可能应用,重点介绍了它在硅基高速长波长光电探测器研制方面的应用。
关键词:硅基;锗,外延;光电探测器Epitaxy and application of Ge layer on Silicon substrateHuiwen Nie1, Buwen Cheng2(1.Hunan Chemical Engineering Machinery School, Hunan Industrial Technology College2.State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Instituteof Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083)Abstract: Silicon is the most important semiconductor material and it is irreplaceable in the information industry. But Silicon also has some shortcomings, such as very low luminescence efficiency and low device speed due to the indirect bandgap and low carrier mobility. Growing other semiconductors on Si substrate can take the advantages of the different semiconductors and improve the performance of theSi-based devices and integrated circuits. The progress of Ge growth on Si was introduced in the paper. The application of the Si-based Ge epitaxy layer was discussed, especially the application on Si-based high speed photodetectors operating at long wavelength.Key words: Si-based, Germanium, Epitaxy, Photodetector1引言硅基光电集成将微电子技术和光子学技术进行融合,是微电子技术的继承和发展,是信息技术发展的重要前沿研究领域。
硅的异质外延
•SIMOX技术优点： 制备的硅膜均匀性较好，调整氧离子注入剂量可使厚度 控制在50～400nm的范围。
缺点：但由于需要昂贵的高能大束流离子注入机，还要 经过高温退火过程，所以制备成本很高，价格非常贵。
采用SIMOX技术制备的顶层硅膜通常较薄，为此， 人们采用在SIMOX基片上外延的方法来获得较厚的顶层 硅，即所谓的ESIMOX（Epitaxy SIMOX）技术。但是 厚外延将在硅膜中引起较多的缺陷，因此SIMOX技术通 常用于制备薄硅膜、薄埋氧层的SOI材料。
衬底表面的反应：AL2O3+2HCl+H2=2ALCl↑+3H2O 2H2+Al2O3=Al2O ↑ +2H2O 5Si＋2Al2O3=AL2O ↑ ＋5SiO ↑ +2Al 带来的问题：自掺杂效应(引入O和Al) 衬底被腐蚀，导致外延层产生缺陷，甚至局部长成多晶 SiCl4对衬底的腐蚀大于SiH4,所以SOS外延生长，采用 SiH4热分解法更有利。
Smart—Cut工艺优点
Smart-Cut技术是一种智能剥离技术
将离子注入技术和硅片键合技术结合在
一起 解决了键合SOI中硅膜减薄问题，可以获 得均匀性很好的顶层硅膜 硅膜质量接近体硅。 剥离后的硅片可以作为下次键合的衬底， 降低成本
4.ELTRAN
ELTRAN技术(Epitaxial Layer Transfer) 外延层转移 ，独特之处在于在多孔硅表面上 可生长平整的外延层，并能以合理的速率将 多孔硅区域彻底刻蚀掉 ，该技术保留了外延 层所具有的原子平整性，在晶体形成过程中 也不产生颗粒堆积或凹坑，因此具有比其它 SOI技术更为优越的性能。
SOI技术
SOI硅绝缘技术是指在半导体的绝缘层（如二氧 化硅）上，通过特殊工艺，再附着非常薄的一层 硅，在这层SOI层之上再制造电子器件。 此工艺可以使晶体管的充放电速度大大加快，提 高数字电路的开关 速度。SOI与传统的半导体生 产工艺（一般称为bulk CMOS）相比可使CPU 的性能提高性能25%-35%，降低功耗1.7-3倍。
第五章 ---硅外延生长
外延生长的特点
(1)可以在低(高)阻衬底上外延生长高(低)阻外延层。 (2)可以在P(N)型衬底上外延生长N(P)型外延层，直接形成PN结 ，不存在用扩散法在单晶基片上制作PN结时的补偿的问题。 (3)与掩膜技术结合，在指定的区域进行选择外延生长，为集成 电路和结构特殊的器件的制作创造了条件。 (4)可以在外延生长过程中根据需要改变掺杂的种类及浓度，浓 度的变化可以是陡变的，也可以是缓变的。 (5)可以生长异质，多层，多组分化合物且组分可变的超薄层。 (6)可在低于材料熔点温度下进行外延生长，生长速率可控，可 以实现原子级尺寸厚度的外延生长。 (7)可以生长不能拉制单晶材料，如GaN，三、四元系化合物的 单晶层等。
气相外延法生长Si半导体膜所用原料气体、反应式、生 长温度及所属反应类型
各种硅源优缺点：
SiHCL3,SiCL4 常温液体，外延生长温度高，但是生长速度快，易纯制，使用安 全。是较通用的硅源。 SiH2CL2,SiH4 常温气体， SiH2CL2使用方便，反应温度低,应用越来越广。SiH4 反应温度低，无腐蚀性气体，但是会因漏气产生外延缺陷。
衬底要求
在硅外延中使用的硅衬底是经过切、磨、抛等工艺仔细加工而 成的，外延生长前又经过严格的清洗、烘干，但表面上仍残存 有损伤、污染物及氧化物等。 为了提高外延层的完整性，在外延生长前应在反应室中进行 原位化学腐蚀抛光，以获得洁净的硅表面。常用的化学腐蚀剂 为干燥的HCl或HBr，在使SiH4外延生长时，由于SF6具有无毒和 非选择、低温腐蚀特点，所以可用它做腐蚀抛光剂。 为了控制外延层的电特性，通常使用液相或气相掺杂法。
5—2 硅的气相外延 5－2－1硅外延生长用的原料
气相硅外延生长是在高温下使挥发性强的硅源与氢气发生反应 或热解，生成的硅原子淀积在硅衬底上长成外延层。 对外延片的质量要求：电阻率及其均匀性、厚度及其均匀性、 位错和层错密度等。
半导体材料外延生长精品PPT课件
不同厂家和研究者所生产或组装的MOVPE设备往往是不同的，但 一般来说，都由以下几部分组成：
Ⅱ族金属有机化合物一般使用它们的烷基化合物，如Ga、 Al、In、Zn、Cd等的甲基或乙基化合物：Ga(CH3)3、 Ga(C2H5)3等，
金属有机化合物的名称及其英文缩写
三甲基镓 三甲基铟 三甲基铝 三乙基镓 三乙基铟 二甲基锌 二乙基锌 二甲基镉 二乙基镉
Tri-methyl-gallium TMG．TMGa
卤化物法外延生长GaAs
Ga/AsCl3/H2体系气相外延原理及操作
高纯H2经过AsCl3鼓泡器，把AsCl3蒸气携带入反应室中，它们在 300~500℃的低温就发生还原反应，
4AsCl3 + 6H2 = As4 + 12 HCl 生成的As4和HCI被H2带入高温区(850℃)的Ga源(也称源区)处，As4 便溶入Ga中形成GaAs的Ga溶液，直到Ga饱和以前，As4不流向后 方。
半导体材料
III-V族化合物半导体的外延生长
第七章 III-V族化合物半导体的外延生长
内容提要：
气相外延生长VPE 卤化物法 氢化物法 金属有机物气相外延生长MOVPE
液相外延生长LPE 分子束外延生长MBE
气相外延生长
气相外延生长(vapor phase epitaxy, VPE) 发展较早，主要有以下三种方法： 卤化物法 (Ga/AsCl3/H2体系) 氢化物法 (Ga/HCl/AsH3/H2体系) 金属有机外延法
金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)自20世 纪60年代首次提出以来，经过70年代至80年代的 发展，90年代已经成为砷化镓、磷化铟等光电子 材料外延片制备的核心生长技术，特别是制备氮 化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法。
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形成PN结，不存在用扩散法在单晶基片上制作PN结 时的补偿的问题。 • (3)与掩膜技术结合，在指定的区域进行选择外延生长 ，为集成电路和结构特殊的器件的制作创造了条件。 • (4)可以在外延生长过程中根据需要改变掺杂的种类及 浓度，浓度的变化可以是陡变的，也可以是缓变的。
2020/8/2
外延生长的特点
• 通常使用的硅源是SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3和 SiCL4。
• SiHCl3和SiCl4常温下是液体，外延生长温度高 ，但生长速度快，易提纯，使用安全，所以它 们是较通用的硅源。早期多使用SiCl4，近来使 用SiHCl3和SiH2Cl2逐渐增多。
2020/8/2
• SiH2Cl2在常温下是气体，使用方便并且反应温 度低，是近年来逐渐扩大使用的硅源。
2020/8/2
• 解决办法： • 在电阻率极低的衬底上生长一层高电阻率外
延层，器件制做在外延层上，这样高电阻率的 外延层保证管子有高的击穿电压，而低电阻率 的衬底又降低了基片的电阻，降低了饱和压降 ，从而解决了二者的矛盾。
2020/8/2
外延工艺解决的问题
• 不仅如此，GaAs等Ⅲ一V族、Ⅱ一Ⅵ族以及 其他化合物半导体材料的气相外延，液相外延 ，分子束外延，金属有机化合物气相外延等外 延技术也都得到很大的发展，已成为绝大多数 微波、光电器件等制做不可缺少的工艺技术。
2020/8/2
外延的分类
• 4、按向衬底输运外延材料的原子的方法不同 又分为真空外延、气相外延、液相外延等。
• 5、按相变过程，外延又可分为气相外延、液 相外延、固相外延。
• 对于硅外延，应用最广泛的是气相外延。
2020/8/2
• 硅外延生长技术开始的时候，正是硅高频大功率晶 体管制做遇到困难的时刻。
生长的材料层叫做外延层。 • 根据外延层的性质，生长方法和器件制作方式不同
，可以把外延分成不同的种类。
2020/8/2
外延的分类
• 1、按外延层的性质分类 • 同质外延：外延层与衬底是同种材料，例如在硅上外
延生长硅，在GaAs上外延生长GaAs均属于同质外延 。 • 异质外延：衬底材料和外延层是不同种材料，例如在 蓝宝石上外延生长硅，在GaAs上外延生长GaAlAs等 属于异质外延。
• 2、按器件位置分类 • 正外延：器件制作在外延层上 • 反外延：器件制作在衬底上，外延层只起支撑作用
2020/8/2
• 间接外延是利用化学反应在衬底表面上沉积生 长外延层，广义上称为化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD))。但CVD所生长的薄 膜不一定是单晶，因此严格地讲只有生长的薄 膜是单晶的CVD才是外延生长。这种方法设备 简单，外延层的各种参数较容易控制，重复性 好。目前硅外延生长主要是利用这种方法。
• (1)表面应平整，光亮，没有亮点，麻坑，雾渍和滑 移线等表面缺陷。
• (2)晶体完整性好，位错和层错密度低。对于硅外延 来说，位错密度应低于1000个／cm2，层错密度应低 于10个／cm2，同时经铬酸腐蚀液腐蚀后表面仍然光 亮。
• (3)外延层的本底杂质浓度要低，补偿少。要求原料 纯度高，系统密封性好，环境清洁，操作严格，避免 外来杂质掺入外延层。
• (6) 外延层的厚度应符合要求，均匀性和重复性好。 • (7)有埋层的衬底上外延生长后，埋层图形畸变很小。 • (8)外延片直径尽可能大，利于器件批量生产，降低成本
。 • (9)对于化合物半导体外延层和异质结外延热稳定性要好
2020/8/2
5—2 硅的气相外延生长
• 气相硅外延生长是在高温下使挥发性强的硅源 与氢气发生反应或热解，生成的硅原子淀积在 硅衬底上长成外延层。
• 从晶体管原理来看，要获得高频大功率，必须做到 集电极击穿电压要高，串联电阻要小，即饱和压降要 小。前者要求集电极区材料电阻率要高，而后者要求 集电区材料电阻率要低，两者互相矛盾。
• 如果采用将集电区材料厚度减薄的方法来减少串联 电阻，会使硅片太薄易碎，无法加工。
• 若降低材料的电阻率，则又与第一个要求矛盾，外延 技术则成功地解决了这一困难。
• 特别是分子束、金属有机气相外延技术在超 薄层、超晶格、量子阱、应变超晶格、原子级 薄层外延方面成功的应用，为半导体研究的新 领域“能带工程”的开拓打下了基础。
2020/8/2
外延生长的特点
• (1)可以在低(高)阻衬底上外延生长高(低)阻外延层。 • (2)可以在P(N)型衬底上外延生长N(P)型外延层，直接
• SiH4也是气体，硅烷外延的特点是反应温度低 ，无腐蚀性气体，可得到杂质分布陡峭的外延 层，
• 缺点：1、要求生长系统具有良好的气密性， 否则会因漏气而产生大量的外延缺陷。
• 2、SiH4在高温和高浓度下易发生气相分解而 生成粉末状硅使外延无法进行。
2020/8/2
衬底要求
• 在硅外延中使用的硅衬底是经过切、磨、抛等工艺仔 细加工而成的，外延生长前又经过严格的清洗、烘干 ，但表面上仍残存有损伤、污染物及氧化物等。
• (5)可以生长异质，多层，多组分化合物且组分 可变的超薄层。
• (6)可在低于材料熔点温度下进行外延生长，生 长速率可控，可以实现原子级尺寸厚度的外延 生长。
• (7)可以生长不能拉制单晶材料，如GaN，三、 四元系化合物的单晶层等。
2020/8/2
• 利用外延片制作半导体器件，特别是化合物半导体器 件绝大多数是制作在外延层上，因此外延层的质量直 接影响器件的成品率和性能。一般来说外延层应满足 下列要求：
2020/8/2
第5章 硅外延生长
• 只有体单晶材料不能满足日益发展的各种半导体 器件制作的需要，1959年末开发了薄层单晶材料生长 技术——外延生长。
• 外延生长就是在一定条件下，在经过切、磨、抛等ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
仔细加工的单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层
的方法。 • 由于所生长的单晶层是衬底晶格的延伸，所以所
2020/8/2
外延层应满足的要求
• (4)对于异质外延，外延层与衬底的组分间应突变(要求组 分缓变的例外)并尽量降低外延层和衬底间组分互扩散。
• (5)掺杂浓度控制严格，分布均匀，使得外延层有符合要 求而均匀的电阻率。不仅要求一片外延片内，而且要求同 一炉内，不同炉次生长的外延片的电阻率的一致性好。
2020/8/2
外延生长的特点
• 通常使用的硅源是SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3和 SiCL4。
• SiHCl3和SiCl4常温下是液体，外延生长温度高 ，但生长速度快，易提纯，使用安全，所以它 们是较通用的硅源。早期多使用SiCl4，近来使 用SiHCl3和SiH2Cl2逐渐增多。
2020/8/2
• SiH2Cl2在常温下是气体，使用方便并且反应温 度低，是近年来逐渐扩大使用的硅源。
2020/8/2
• 解决办法： • 在电阻率极低的衬底上生长一层高电阻率外
延层，器件制做在外延层上，这样高电阻率的 外延层保证管子有高的击穿电压，而低电阻率 的衬底又降低了基片的电阻，降低了饱和压降 ，从而解决了二者的矛盾。
2020/8/2
外延工艺解决的问题
• 不仅如此，GaAs等Ⅲ一V族、Ⅱ一Ⅵ族以及 其他化合物半导体材料的气相外延，液相外延 ，分子束外延，金属有机化合物气相外延等外 延技术也都得到很大的发展，已成为绝大多数 微波、光电器件等制做不可缺少的工艺技术。
2020/8/2
外延的分类
• 4、按向衬底输运外延材料的原子的方法不同 又分为真空外延、气相外延、液相外延等。
• 5、按相变过程，外延又可分为气相外延、液 相外延、固相外延。
• 对于硅外延，应用最广泛的是气相外延。
2020/8/2
• 硅外延生长技术开始的时候，正是硅高频大功率晶 体管制做遇到困难的时刻。
生长的材料层叫做外延层。 • 根据外延层的性质，生长方法和器件制作方式不同
，可以把外延分成不同的种类。
2020/8/2
外延的分类
• 1、按外延层的性质分类 • 同质外延：外延层与衬底是同种材料，例如在硅上外
延生长硅，在GaAs上外延生长GaAs均属于同质外延 。 • 异质外延：衬底材料和外延层是不同种材料，例如在 蓝宝石上外延生长硅，在GaAs上外延生长GaAlAs等 属于异质外延。
• 2、按器件位置分类 • 正外延：器件制作在外延层上 • 反外延：器件制作在衬底上，外延层只起支撑作用
2020/8/2
• 间接外延是利用化学反应在衬底表面上沉积生 长外延层，广义上称为化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD))。但CVD所生长的薄 膜不一定是单晶，因此严格地讲只有生长的薄 膜是单晶的CVD才是外延生长。这种方法设备 简单，外延层的各种参数较容易控制，重复性 好。目前硅外延生长主要是利用这种方法。
• (1)表面应平整，光亮，没有亮点，麻坑，雾渍和滑 移线等表面缺陷。
• (2)晶体完整性好，位错和层错密度低。对于硅外延 来说，位错密度应低于1000个／cm2，层错密度应低 于10个／cm2，同时经铬酸腐蚀液腐蚀后表面仍然光 亮。
• (3)外延层的本底杂质浓度要低，补偿少。要求原料 纯度高，系统密封性好，环境清洁，操作严格，避免 外来杂质掺入外延层。
• (6) 外延层的厚度应符合要求，均匀性和重复性好。 • (7)有埋层的衬底上外延生长后，埋层图形畸变很小。 • (8)外延片直径尽可能大，利于器件批量生产，降低成本
。 • (9)对于化合物半导体外延层和异质结外延热稳定性要好
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5—2 硅的气相外延生长
• 气相硅外延生长是在高温下使挥发性强的硅源 与氢气发生反应或热解，生成的硅原子淀积在 硅衬底上长成外延层。
• 从晶体管原理来看，要获得高频大功率，必须做到 集电极击穿电压要高，串联电阻要小，即饱和压降要 小。前者要求集电极区材料电阻率要高，而后者要求 集电区材料电阻率要低，两者互相矛盾。
• 如果采用将集电区材料厚度减薄的方法来减少串联 电阻，会使硅片太薄易碎，无法加工。
• 若降低材料的电阻率，则又与第一个要求矛盾，外延 技术则成功地解决了这一困难。
• 特别是分子束、金属有机气相外延技术在超 薄层、超晶格、量子阱、应变超晶格、原子级 薄层外延方面成功的应用，为半导体研究的新 领域“能带工程”的开拓打下了基础。
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外延生长的特点
• (1)可以在低(高)阻衬底上外延生长高(低)阻外延层。 • (2)可以在P(N)型衬底上外延生长N(P)型外延层，直接
• SiH4也是气体，硅烷外延的特点是反应温度低 ，无腐蚀性气体，可得到杂质分布陡峭的外延 层，
• 缺点：1、要求生长系统具有良好的气密性， 否则会因漏气而产生大量的外延缺陷。
• 2、SiH4在高温和高浓度下易发生气相分解而 生成粉末状硅使外延无法进行。
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衬底要求
• 在硅外延中使用的硅衬底是经过切、磨、抛等工艺仔 细加工而成的，外延生长前又经过严格的清洗、烘干 ，但表面上仍残存有损伤、污染物及氧化物等。
• (5)可以生长异质，多层，多组分化合物且组分 可变的超薄层。
• (6)可在低于材料熔点温度下进行外延生长，生 长速率可控，可以实现原子级尺寸厚度的外延 生长。
• (7)可以生长不能拉制单晶材料，如GaN，三、 四元系化合物的单晶层等。
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• 利用外延片制作半导体器件，特别是化合物半导体器 件绝大多数是制作在外延层上，因此外延层的质量直 接影响器件的成品率和性能。一般来说外延层应满足 下列要求：
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第5章 硅外延生长
• 只有体单晶材料不能满足日益发展的各种半导体 器件制作的需要，1959年末开发了薄层单晶材料生长 技术——外延生长。
• 外延生长就是在一定条件下，在经过切、磨、抛等ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
仔细加工的单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层
的方法。 • 由于所生长的单晶层是衬底晶格的延伸，所以所
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外延层应满足的要求
• (4)对于异质外延，外延层与衬底的组分间应突变(要求组 分缓变的例外)并尽量降低外延层和衬底间组分互扩散。
• (5)掺杂浓度控制严格，分布均匀，使得外延层有符合要 求而均匀的电阻率。不仅要求一片外延片内，而且要求同 一炉内，不同炉次生长的外延片的电阻率的一致性好。