【CN110085584A】ESD防护薄膜晶体管及ESD防护结构【专利】
用于静电防护的晶体管结构及其制造方法[发明专利]
![用于静电防护的晶体管结构及其制造方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/23604aa5e518964bce847c6f.png)
专利名称：用于静电防护的晶体管结构及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：王炜槐,陆阳
申请号：CN202010010844.X
申请日：20200106
公开号：CN111192871A
公开日：
20200522
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：公开一种用于静电防护的晶体管结构及其制造方法，晶体管结构包括：衬底和形成于所述衬底上部的掺杂区；形成于所述衬底表面的多个场氧化层；形成于所述掺杂区上部的依次隔开的第一N型阱区、P型阱区和第二N型阱区；形成于所述衬底表面上的且覆盖部分所述P型阱区的第一多晶硅层和第二多晶硅层；分别形成于所述第一N型阱区和所述第二N型阱区中的第一N+区域和第一P+区域；以及形成于所述P型阱区中的第二N+区域、第二P+区域和第三N+区域，位于所述第一N型阱区和所述P型阱区之间的第一漂移区的长度大于位于所述第二N型阱区和所述P型阱区之间的第二漂移区的长度。
使得器件能保持良好的正向和反向工作特性，且静电防护能力极强，鲁棒性高。
申请人：杰华特微电子(杭州)有限公司
地址：310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室
国籍：CN
代理机构：北京成创同维知识产权代理有限公司
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一种ESD防护结构[实用新型专利]
![一种ESD防护结构[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/133c1aa4e518964bce847cc2.png)
专利名称：一种ESD防护结构专利类型：实用新型专利
发明人：田鹏,黄永正
申请号：CN201721648003.1申请日：20171201
公开号：CN207491459U
公开日：
20180612
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型涉及一种ESD防护结构，包括：电源组件、PCB主板以及底座，所述的电源组件、PCB主板均安装到所述的底座上，所述的底座具有沿上下方向延伸的固定柱，所述的电源组件、PCB主板支撑在所述的固定柱上并通过紧固件固定，所述的电源组件与所述的紧固件之间设置有绝缘组件进行间隔。
本实用新型在用以排除静电的紧固件固定处增加绝缘组件进行间隔，隔绝紧固件与电源组件之间的表面接触，恢复单纯固定PCB主板结构的作用，避免静电排除时，引发信号干扰的问题，减少干扰因素，达到较佳静电排除的目的。
申请人：研华科技(中国)有限公司
地址：215316 江苏省苏州市昆山市汉浦路600号
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910357615.2
(22)申请日 2019.04.29
(71)申请人 深圳市华星光电半导体显示技术有
限公司
地址 518132 广东省深圳市光明新区公明
街道塘明大道9-2号
(72)发明人 肖翔 韩佰祥
(74)专利代理机构 深圳市德力知识产权代理事
务所 44265
代理人 林才桂 王中华
(51)Int.Cl.
H01L 27/02(2006.01)
H01L 29/417(2006.01)
H01L 29/786(2006.01)
(54)发明名称ESD防护薄膜晶体管及ESD防护结构(57)摘要本发明提供一种ESD防护薄膜晶体管及ESD 防护结构。
所述ESD防护薄膜晶体管包括：基板、设于所述基板上的有源层、设于所述有源层及基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上并与所述有源层相对的栅极、设于所述栅极及栅极绝缘层上的层间绝缘层以及设于所述层间绝缘层上的间隔分布的源极及漏极；所述源极具有数个第一静电释放尖端，所述漏极具有分别正对所述数个第一静电释放尖端的数个第二静电释放尖端，通过在源极和漏极上设置正对的静电释放尖端，使得ESD防护薄膜晶体管同时具有薄膜晶体管释放和尖端释放两种静电释放路径，能够提升静电释放效率，防止线路炸伤，
保证产品良率。
权利要求书2页 说明书4页 附图4页CN 110085584 A 2019.08.02
C N 110085584
A
权 利 要 求 书1/2页CN 110085584 A
1.一种ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的有源层
(2)、设于所述有源层(2)及基板(1)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上并与所述有源层(2)相对的栅极(4)、设于所述栅极(4)及栅极绝缘层(3)上的层间绝缘层(5)以及设于所述层间绝缘层(5)上的间隔分布的源极(6)及漏极(7)；
所述源极(6)具有数个第一静电释放尖端(60)，所述漏极(7)具有分别正对所述数个第一静电释放尖端(60)的数个第二静电释放尖端(70)。
2.如权利要求1所述的ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，所述源极(6)和漏极(7)均为U 形；
所述源极(6)具有2个分别位于所述源极(6)的两端部的第一静电释放尖端(60)，所述漏极(7)具有2个分别位于所述漏极(7)的两端部的第二静电释放尖端(70)。
3.如权利要求1所述的ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层(2)的材料为非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。
4.如权利要求1所述的ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，贯穿所述述层间绝缘层(5)及栅极绝缘层(3)设有第一过孔(81)及第二过孔(82)，所述源极(6)及漏极(7)分别通过所述第一过孔(81)及第二过孔(82)与有源层(2)的两端接触。
5.如权利要求1所述的ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，所述源极(6)与所述栅极(4)至少部分交叠形成第一耦合电容(C1)，所述漏极(7)与所述栅极(4)至少部分交叠形成第二耦合电容(C2)，以通过所述第一耦合电容(C1)或第二耦合电容(C2)的作用向所述栅极(4)传递电压，导通所述ESD防护薄膜晶体管进行静电释放。
6.一种ESD防护结构，其特征在于，包括信号线(100)、公共电压线(200)及ESD防护薄膜晶体管(T)；
所述ESD防护薄膜晶体管(T)包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的有源层(2)、设于所述有源层(2)及基板(1)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上并与所述有源层(2)相对的栅极(4)、设于所述栅极(4)及栅极绝缘层(3)上的层间绝缘层(5)以及设于所述层间绝缘层(5)上的间隔分布的源极(6)及漏极(7)；
所述源极(6)具有数个第一静电释放尖端(60)，所述漏极(7)具有分别正对所述数个第一静电释放尖端(60)的数个第二静电释放尖端(70)；
所述源极(6)及漏极(7)分别电性连接所述信号线(100)和所述公共电压线(200)。
7.如权利要求6所述的ESD防护结构，其特征在于，所述源极(6)和漏极(7)均为U形；
所述源极(6)具有2个分别位于所述源极(6)的两端部的第一静电释放尖端(60)，所述漏极(7)具有2个分别位于所述漏极(7)的两端部的第二静电释放尖端(70)。
8.如权利要求6所述的ESD防护结构，其特征在于，所述有源层(2)的材料为非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。
9.如权利要求6所述的ESD防护结构，其特征在于，贯穿所述述层间绝缘层(5)及栅极绝缘层(3)设有第一过孔(81)及第二过孔(82)，所述源极(6)及漏极(7)分别通过所述第一过孔(81)及第二过孔(82)与有源层(2)的两端接触。
10.如权利要求6所述的ESD防护结构，其特征在于，所述源极(6)与所述栅极(4)至少部分交叠形成第一耦合电容(C1)，所述漏极(7)与所述栅极(4)至少部分交叠形成第二耦合电容(C2)，以通过所述第一耦合电容(C1)或第二耦合电容(C2)的作用向所述栅极(4)传递电
2。