封装知识
LED封装基础知识
5050 5.0 x 5.0 x 1.6 mm
5630 5.6 x 3.0 x 0.9 mm
3804 3.8 x 1.0 x 0.4 mm
3806 3.8 x 1.2 x 0.6 mm
➢ 五、SMD-LED封装型号尺寸：
SMD-LED特点：
1、体积小； 2、耗电量低； 3、使用寿命长； 4、高亮度、节能环保、坚固耐用牢靠； 5、适合量产、反应快； 6、防震、耐震、坚固耐用牢靠； 6、高解析度、可设计等优点。
3、LED的基本组成：
芯片—— 发光器件 支架/基板/反射盖——固定芯片/电路导通 金线——电路导通形成回路 环氧树脂/硅胶——保护芯片、电路/光学透镜
➢二、LED封装类型：
1 、引脚式封装：
2 、平面式封装：
➢二、LED封装类型：
3、 食人鱼封装：
4 、 SMD封装：
5 、 COB封装：
➢三、LED白光的发光原理：
D23 24.5-26
P : 正极 N: 负极
反向漏电流
半波宽度
最大电流
(IR，μA ) @VR=10V （ Δ λ，nm） （IF，mA） DC
≤2
≤30
30
D24 26-27.5
D25 27.5~29
检验项目 : a. 残金：Pad残金≦1/3 Pad面积；发光区残金≦1/3 Pad面积 b. 电极：Pad不得有脱落、掀金、破损、延伸道不可破损或断线 c. 污染：Pad不可有污染(或光阻剂残留)；发光区不可有污染(或光阻剂残留) d. 晶粒切割：不可伤至发光层、不可伤至Pad、不可有相连晶粒(双胞胎) e. 正反颠倒：不可正反面颠倒(P/N Pad方向需一致)
激发波长和发射波长：荧光粉的激发波 长是获得最大荧光转换效率的LED主波 长；发射波长则是在该激发波长下荧光 的峰值波长。
电子元件封装知识
电子元件封装知识电子元件封装知识元件封装小结电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5二极管：封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管)电源稳压块有78与79系列；78系列如7805，7812，7820等79系列有7905，7912，7920等常见的封装属性有to126h与to126v整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，通常用AXIAL0.4瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。
其中0.1-0.3指电容大小，通常用RAD0.1电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。
通常470uF用RB.3/.6二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，通常用DIODE0.4发光二极管：RB.1/.2集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8贴片电阻 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下：0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是：0402=1.0mmx0.5mm 0603=1.6mmx0.8mm 0805=2.0mmx1.2mm 1206=3.2mmx1.6mm1210=3.2mmx2.5mm 1812=4.5mmx3.2mm 2225=5.6mmx6.5mm零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观与焊点的位置。
电子封装技术相关知识介绍
电子封装技术相关知识介绍引言电子封装技术是微电子工艺中的重要一环，通过封装技术不仅可以在运输与取置过程中保护器件还可以与电容、电阻等无缘器件组合成一个系统发挥特定的功能。
按照密封材料区分电子封装技术可以分为塑料和陶瓷两种主要的种类。
陶瓷封装热传导性质优良，可靠度佳，塑料的热性质与可靠度虽逊于陶瓷封装，但它具有工艺自动化自动化、低成本、薄型化等优点，而且随着工艺技术与材料的进步，其可靠度已有相当大的改善，塑料封装为目前市场的主流。
封装技术的方法与原理塑料封装的流程图如图所示，现将IC芯片粘接于用脚架的芯片承载座上，然后将其移入铸模机中灌入树脂原料将整个IC芯片密封，经烘烤硬化与引脚截断后即可得到所需的成品。
塑料封装的化学原理可以通过了解他的主要材料的性能与结构了解。
常用塑料封装材料有环氧树脂、硅氧型高聚物、聚酰亚胺等环氧树脂是在其分子结构中两个活两个以上环氧乙烷换的化合物。
它是稳定的线性聚合物，储存较长时间不会固化变质，在加入固化剂后才能交联固化成热固性塑料。
硅氧型高聚物的基本结构是硅氧交替的共价键和谅解在硅原子上的羟基。
因此硅氧型高聚物既具有一般有机高聚物的可塑性、弹性及可溶性等性质，又具有类似于无极高聚物——石英的耐热性与绝缘性等优点。
聚酰亚胺又被称为高温下的“万能”塑料。
它具有耐高温、低温，耐高剂量的辐射，且强度高的特点。
塑料封装技术的发展塑封料作为IC封装业主要支撑材料，它的发展，是紧跟整机与封装技术的发展而发展。
整机的发展趋势：轻、小（可携带性）；高速化；增加功能；提高可靠性；降低成本；对环境污染少。
封装技术的发展趋势：封装外形上向小、薄、轻、高密度方向发展；规模上由单芯片向多芯片发展；结构上由两维向三维组装发展；封装材料由陶封向塑封发展；价格上成本呈下降趋势。
随着高新技术日新月异不断发展对半导体应用技术不断促进，所以对其环氧封装材料提出了更加苛刻的要求，今后环氧塑封料主要向以下五个方面发展：1 向适宜表面封装的高性化和低价格化方向发展。
SIP封装知识范文
SIP封装知识范文Session Initiation Protocol (SIP)是一种用于在IP网络上建立、修改和终止通信会话的协议。
它是一种应用层协议，常用于语音通信、视频通信、即时消息和在线游戏等应用中。
SIP的封装是指将SIP消息与网络协议（如TCP、UDP或TLS）结合起来，以便在互联网上进行通信。
封装过程通常包括将SIP消息放入网络包的负载中，并添加用于目的地寻址和错误检测的相关头部和标记。
SIP的封装允许在不同的网络和设备之间进行无缝通信，同时保持消息的完整性和可靠性。
在SIP的封装过程中，消息通常被封装在UDP或TCP包中。
UDP主要用于传输实时通信，如音频和视频，而TCP主要用于传输消息通知和其他带有可靠性要求的通信。
封装过程中，SIP消息作为数据（payload）部分，被放置在UDP或TCP包中的负载（payload）部分，在消息之前会添加一些必要的头部信息。
封装过程中的头部信息包括源和目的地的网络地址、端口号和协议类型等，用于寻址和路由SIP消息。
还有一些可选的头部信息，如会话描述协议（SDP）参数、授权信息和时间戳等，用于提供额外的协议和安全性支持。
此外，SIP的封装还可以使用Transport Layer Security (TLS)来提供安全的通信。
TLS使用公钥加密和私钥解密技术，确保SIP消息在传输过程中的保密性和数据完整性。
当SIP消息到达目的地后，接收方会对消息进行解封装。
解封装过程包括从网络包的负载中提取SIP消息，并对头部信息进行解析和处理。
接收方根据头部信息确定如何处理SIP消息，如建立通话、修改会话参数或终止会话等。
总的来说，SIP的封装是将SIP消息放置在网络包的负载中，并添加相关的头部信息和标记，以便在IP网络上进行通信。
封装过程使得SIP 可以在不同的网络和设备之间进行无缝通信，同时保持消息的完整性和可靠性。
在封装过程中，头部信息提供了寻址、路由和其他协议和安全性支持，以确保SIP消息的正确传输和处理。
集成电路封装知识简介
封装外观尺寸
TSOP II 54LD内部构造 内部构造
A6 A2 DS A5 A7
A5
Items
Thickness (mm) Nominal 1.000 0.127 Alloy 42 0.279 0.100 0.050 0.210 0.254 0.238
Thickness (mils) 39.37 5 A42 11 4 2 8 10 9.37
Die(Chip)
俯视图
Gold Wire L/F Pad Epoxy Inner Lead Die
正视图
工艺流程（前道工艺） 工艺流程（前道工艺）
打线结合(Wire Bonding)
主要工艺参数： • ball shear test • wire pull test • ball bond size • Ball placement • Pad Cractering Test • Loop Height Test • Reject(see PBI reject criteria) 见下页图示 打线后图片 设备与材料： 1. 打线机 2. 金线 3. 劈刀 主要机器参数： 1. 超声波功率 2. 焊接压力 3. 焊接持续的时间 4. 焊接温度
银胶
框架
胶带
固化 传统银胶粘结工艺
加热 固化 胶带粘结工艺
工艺流程（前道工艺） 工艺流程（前道工艺）
晶片粘结(Die Bonding) 银胶 芯片
框架焊盘
Fillet height BLT
Die Tilt
Y2
芯片
主要工艺参数： 1. BLT 2. Die tilt 3. Fillet height 4. Wetting 5. Die placement 6. Die shear
半导体封装制程与设备材料知识简介
封裝型式
Shape
Typical Features
Materia Lead Pitch No of I/O l
Cerami c
1.27, 0.762 mm
(50, 30miles) 2, 4 direction
lead
20~80
Ceramic
1.27,1.016, 0.762 mm (50, 40, 30
(氧化处理)
Depositio n
(沉积)
WireBondin g
(焊线)
Laser mark (激光印字)
Laser Cut & package saw
(切割成型)
Testin g
(测试)
Lithograp hy
(微影)
Wafer Inspection (晶圆检查) 前段結束
Moldin g
(塑封)
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40
Plastic
1.0, 0.8, 0.65 mm 4 direction
lead
88~200
Surface Mount
FPG
Flat Package of Glass
LCC
Leadless Chip
Carrier
lead
18~124
Ceramic 0.5 mm
32~200
SMT (Optional)
Taping (Optional)
Assembly Main Process
Grinding (Optional)
Detaping (Optional)
Wafer Mount
半导体封装制程与设备材料知识介绍
24~32
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
Surface Mount
SOP Small Outline Package
QFP Quad-Flat
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40
Plastic
1.0, 0.8, 0.65 mm 4 direction
lead
88~200
Surface Mount
FPG
Flat Package of Glass
LCC
Leadless Chip
Carrier
封裝型式
Shape
Tester
Digital
Credence
SC312
Digital
Teradyne
J750
Mix-Signal Credence
Quartet one and one+
Mix-Signal HP
HP93000 P600
Mix-Signal HP
HP93000 C400
Mix-Signal Teradyne
Die Attach (上片)
Deposition (沉积)
WireBonding (焊线)
Wafer Inspection (晶圆检查) 前段結束
Molding (塑封)
Laser mark (激光印字)
Laser Cut & package saw Testing
LED封装材料基础知识
封装材料根底知识封装材料主要有环氧树脂，聚碳酸脂，聚甲基丙烯酸甲脂，玻璃，有机硅材料等高透明材料。
其中聚碳酸脂，聚甲基丙烯酸甲脂，玻璃等用作外层透镜材料；环氧树脂，改性环氧树脂，有机硅材料等，主要作为封装材料，亦可作为透镜材料。
而高性能有机硅材料将成为高端封装材料的封装方向之一。
下面将主要介绍有机硅封装材料。
提高封装材料折射率可有效减少折射率物理屏障带来的光子损失，提高光量子效率，封装材料的折射率是一个重要指标，越高越好。
提高折射率可采用向封装材料中引入硫元素，引入形式多为硫醚键、硫脂键等，以环硫形式将硫元素引入聚合物单体，并以环硫基团为反响基团进展聚合那么是一种较新的方法。
最新的研发动态，也有将纳米无机材料与聚合物体系复合制备封装材料，还有将金属络合物引入到封装材料，折射率可以到达1.6-1.8，甚至2.0，这样不仅可以提高折射率和耐紫外辐射性，还可提高封装材料的综合性能。
一、胶水根底特性有机硅封装材料主要成分是有机硅化合物。
有机硅化合物是指含有键、且至少有一个有机基是直接与硅原子相连的化合物，习惯上也常把那些通过氧、硫、氮等使有机基与硅原子相连接的化合物也当作有机硅化合物。
其中，以硅氧键〔0〕为骨架组成的聚硅氧烷，是有机硅化合物中为数最多，研究最深、应用最广的一类，约占总用量的90%以上。
其构造是一类以重复的键为主链，硅原子上直接连接有机基团的聚合物，其通式为R ’〔R R ’ 〕n R 〞，其中，R 、R ’、R 〞代表基团，如甲基，苯基，羟基，H ，乙烯基等；n为重复的键个数〔n 不小于2〕。
有机硅材料构造的独特性：〔1〕原子上充足的基团将高能量的聚硅氧烷主链屏蔽起来；〔2〕无极性，使分子间相互作用力十分微弱；〔3〕键长较长，键键角大。
〔4〕键是具有50％离子键特征的共价键〔共价键具有方向性，离子键无方向性〕。
由于有机硅独特的构造，兼备了无机材料与有机材料的性能，具有外表张力低、粘温系数小、压缩性高、气体渗透性高等根本性质，并具有耐上下温、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐候性、难燃、憎水、耐腐蚀、无毒无味以及生理惰性等优异特性。
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产品防湿等级对应的不同包装要求
LEVEL 1 LEVEL 2 产品在小于30C/85%相对湿度下存放时 包装无特殊要求 相对湿度下存放时,包装无特殊要求 产品在小于 相对湿度下存放时 包装无特殊要求; 产品在30C/60%条件下 年内存放时,包装无特殊要求 产品在 条件下1年内存放时 包装无特殊要求 条件下 年内存放时 但是很多情况下,特别是产品在南方存放时 湿度比较高, 特别是产品在南方存放时,湿度比较高 但是很多情况下 特别是产品在南方存放时 湿度比较高 产品要达到1年的存放期 包装要作适当的防湿措施 年的存放期,包装要作适当的防湿措施; 产品要达到 年的存放期 包装要作适当的防湿措施 在小于30C/60%条件下 包装无防湿措施仅能保存 周, 条件下,包装无防湿措施仅能保存 在小于 条件下 包装无防湿措施仅能保存1周 所以产品如要长时间保存,应该采取密封包装; 所以产品如要长时间保存 应该采取密封包装 应该采取密封包装
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湿气敏感等级和那些因素有关
1.和封装形式有关 湿气敏感度按照封装形式由强到弱的大致顺序为 和封装形式有关,湿气敏感度按照封装形式由强到弱的大致顺序为 和封装形式有关 TQFP\LQFP\QFP\TSSOP\SSOP\SOP\SOT\TO\SDIP\DIP 2.和塑封材料吸水率、粘结力、耐高温性能有关 和塑封材料吸水率、粘结力、 和塑封材料吸水率 3.和导电胶的挥发物、吸水率、粘结力、耐高温性能有关 和导电胶的挥发物、吸水率、粘结力、 和导电胶的挥发物 4.和产品的芯片大小、封装的引线框架基岛大小、封装体内塑封料本身结合面积占塑 和产品的芯片大小、封装的引线框架基岛大小、 和产品的芯片大小 封体面积有关
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如产品已经吸湿怎么办? 如产品已经吸湿怎么办
对产品进行烘烤，烘烤条件一般为: 对产品进行烘烤，烘烤条件一般为 下烘烤192小时 a.)低温器件容器在 ℃+5℃/-0℃,5%RH下烘烤 低温器件容器在40℃ ℃ ℃ 低温器件容器在 下烘烤 小时 如装在塑料管里的SOP产品 如装在塑料管里的 产品 b.)高温器件容器在 b.)高温器件容器在115℃加减5℃下烘烤8小时, 高温器件容器在115℃加减5℃下烘烤8小时 小时, 如装在托盘里的QFP产品 如装在托盘里的 产品
*****所有 所有SOP封装的芯片与基岛面积比最小为 封装的芯片与基岛面积比最小为30%. 所有 封装的芯片与基岛面积比最小为 若低于30%需进行工程风险评估 做MSL考核 需进行工程风险评估(做 考核), 若低于 需进行工程风险评估 考核 除非该封装可靠性的项目已经覆盖该框架的该情况
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产品防湿等级试验流程
*****
产品芯片来 源更换时可 源更换时可 以也按照该 流程做 PRECON的 的 实验,正常后 实验 正常后 再开始批量 生产
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LEVEL 3
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LEVEL3产品防湿标签例子 产品防湿标签例子
注意: 袋内含湿敏器件 1.器件在密封袋内的寿命为：温度＜40℃，湿度＜90%下的寿命是12个月 2.密封袋开封后，需要进行红外回流、气相回流、波峰焊或等效处理的器件 必须按照下列条件进行： a.)工厂条件为温度≤30℃，湿度≤60%时，168小时（若此处空白，参见相邻 的条码标签）内安装 b.) b.)在湿度＜20%的环境下储存 20% 3.若器件符合下列条件，要求安装前烘烤. a.)温度为23加减5度时，湿度指示卡的读数＞10%. b.)不符合2a或2b. 4.若要求烘烤，器件烘烤时间为: a.)低温器件容器在40℃+5℃/-0℃,5%RH下烘烤192小时 b.)高温器件容器在115℃加减5℃下烘烤8小时 口袋密封日期： (若此处空白，参见相邻的条码标签)
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塑料封装是非气密封装
塑料封装属于非气密封装,塑料封装采用的塑封料和导电胶是有一 塑料封装属于非气密封装 塑料封装采用的塑封料和导电胶是有一 定吸水率的材料,其吸水率通常在千分之几到千分之十几左右 其吸水率通常在千分之几到千分之十几左右,产品吸 定吸水率的材料 其吸水率通常在千分之几到千分之十几左右 产品吸 收一定程度的湿气之后,在波峰焊或者红外回流焊时 在波峰焊或者红外回流焊时,湿气在高温下迅 收一定程度的湿气之后 在波峰焊或者红外回流焊时 湿气在高温下迅 速膨胀,从而产生产品内部的界面分层 导致连接线开路、 从而产生产品内部的界面分层， 速膨胀 从而产生产品内部的界面分层，导致连接线开路、芯片损伤 等缺点，严重的造成胶体鼓胀或裂开,即我们常说的 爆米花”效应. 即我们常说的” 等缺点，严重的造成胶体鼓胀或裂开 即我们常说的”爆米花”效应 一般来讲如回风炉温度由240 变成260 240° 一般来讲如回风炉温度由240°C变成260 °C ,则其蒸气压变成原来 2.12倍 的2.12倍. 爆米花”效应不是QFP产品的特有的，SOP、SSOP、TSSOP等产品也 QFP产品的特有的 ”爆米花”效应不是QFP产品的特有的，SOP、SSOP、TSSOP等产品也 因为吸湿经常产生
芯片例如9926等产品的封装 如果铝层表面比较薄或者比较软时,建议可以使用 等产品的封装,如果铝层表面比较薄或者比较软时 对CMOS芯片例如 芯片例如 等产品的封装 如果铝层表面比较薄或者比较软 建议可以使用 EME6600CR或者 或者MP8000CH4来封装产品 避免使用有小的球形硅的塑封料 这样可以 来封装产品,避免使用有小的球形硅的塑封料 或者 来封装产品 避免使用有小的球形硅的塑封料,这样可以 防止铝层压伤
天水华天封装知识交流
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主要内容
1。产品防湿MSL等级与包装 。产品防湿 等级与包装 2。华天科技塑封料和导电胶介绍 。 3。塑封材料限用物质相关内容 。 4。低温焊料回流焊温度曲线 。 5。金线承受电流及电感、电阻 。金线承受电流及电感、 6。热阻的近似计算方法 。 7。塑封产品封装订单 。 8。LDO产品相关 。 产品相关 9。产品品种和产能介绍 。 10. QFN介绍 介绍 11. BGA介绍 介绍
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塑封料和导电胶的选择（ 度回流焊） 塑封料和导电胶的选择（240度回流焊） 度回流焊
1.SSOP 系列： 系列： A) SSOP（150MIL） 的产品 塑封料为 塑封料为GE1030L3 （ ） 的产品,塑封料为 B)其它采用的塑封料：MP8000CH4、GE1030L3 其它采用的塑封料： 其它采用的塑封料 、 常用的导电胶为DAD90 常用的导电胶为 2.TSSOP8 A) 塑封料为：SL7300JC2 MP8000CH4 塑封料为： 芯片例如9926等产品的封装 如果铝层表面比较薄或者比 等产品的封装,如果 对CMOS芯片例如 芯片例如 等产品的封装 如果铝层表面比较薄或者比 较软时 建议可以使用 建议可以使用MP8000CH4来封装产品 避免使用有小的球 来封装产品,避免使用有小的球 较软时,建议可以使用 来封装产品 形硅的塑封料(如 形硅的塑封料 如SL7300JC2,GE1030L3,GE7470GA4等),这样可 等 这样可 以防止铝层压伤,但是可靠性如防湿等级和抗高温性能会有下降 以防止铝层压伤 但是可靠性如防湿等级和抗高温性能会有下降 常用的导电胶为DAD90，对RDSON有要求的 常用的导电胶为 ， 有要求的CMOS产品，建议 产品， 有要求的 产品 WAFER磨至 磨至200~250UM后背银，导电胶采用 后背银， 磨至 后背银 导电胶采用84-1,8352L
塑封料和导电胶的选择（ 度回流焊） 塑封料和导电胶的选择（240度回流焊） 度回流焊
1.DIP 、SIP、ZIP系列： 系列： 、 系列 一般采用KL1000-3A塑封料和 塑封料和DAD90导电胶 一般采用 塑封料和 导电胶 2.ST-7100DXG和KH9200-3T也有使用在 和 也有使用在DIP上 也有使用在 上 3.SDIP64：采用 塑封料和8360导电胶 ：采用MP8000CH4塑封料和 塑封料和 导电胶 4.对产品有应力要求的， 对产品有应力要求的， 对产品有应力要求的 如测试Vref且精度要求高时， 且精度要求高时， 如测试 且精度要求高时 如静态漏电流在1纳安以下 甚至0.2纳安以下 静态漏电流在 纳安以下,甚至 纳安以下 纳安以下 甚至 如测试具体频率且精度要求高时， 具体频率且精度要求高时 如测试具体频率且精度要求高时， 建议采用： 建议采用： KL4500-1 、MP8000AN、MP8000CH4、EME6600CS、EME6600H等 ,要求 、 、 、 等 要求 更高时可以采用做LDO产品使用的塑封料 如GE1030L3等 产品使用的塑封料,如 更高时可以采用做 产品使用的塑封料 等 条件允许时也可以考虑点胶工艺来避免塑封应力造成的参数偏移
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