半导体名词解释
半导体物理名词解释
半导体物理名词解释1.单电子近似：假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。
该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。
2.电子的共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动。
这种运动称为电子的共有化运动。
3.允带、禁带： N个原子相互靠近组成晶体，每个电子都要受到周围原子势场作用，结果是每一个N度简并的能级都分裂成距离很近能级，N个能级组成一个能带。
分裂的每一个能带都称为允带。
允带之间没有能级称为禁带。
4.准自由电子：内壳层的电子原来处于低能级，共有化运动很弱，其能级分裂得很小，能带很窄，外壳层电子原来处于高能级，特别是价电子，共有化运动很显著，如同自由运动的电子，常称为“准自由电子”，其能级分裂得很厉害，能带很宽。
6.导带、价带：对于被电子部分占满的能带，在外电场的作用下，电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去，形成了电流，起导电作用，常称这种能带为导带。
下面是已被价电子占满的满带，也称价带。
8.（本证激发）本征半导体导电机构：对本征半导体，导带中出现多少电子，价带中相应地就出现多少空穴，导带上电子参与导电，价带上空穴也参与导电，这就是本征半导体的导电机构。
9.回旋共振实验意义：这通常是指利用电子的回旋共振作用来进行测试的一种技术。
该方法可直接测量出半导体中载流子的有效质量，并从而可求得能带极值附近的能带结构。
当交变电磁场角频率W等于回旋频率Wc时，就可以发生共振吸收，Wc=qB/有效质量10.波粒二象性，动量，能量P=m0v E=12P2m0P=hk1.间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称为间隙式杂质。
2.替位式杂质：杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称为替位式杂质。
3.施主杂质与施主能级：能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。
它们称为施主杂质或n型杂质。
半导体物理中的名词解释
半导体物理中的名词解释引言半导体物理是研究半导体材料与器件特性及其应用的学科领域。
在这个领域中，涉及了许多专有名词和概念。
本文将对部分半导体物理中的名词进行解释，帮助读者更好地理解和掌握半导体物理的基础知识。
1. 半导体半导体是指在温度较低时具有介于导体和绝缘体之间电导率的物质。
其导电性能可以通过外加电场或温度的改变而变化。
在半导体中，电子的能带结构起着关键作用。
常见的半导体材料包括硅和锗。
2. 能带能带是描述电子能量状态的概念，常见的有价带和导带。
价带是较低能量的电子能级，而导带是较高能量的电子能级。
能带间的能隙是指两个能带之间的能量差异。
3. 底带和势垒底带是指位于能量较低的束缚态能级，例如价带。
势垒是指在能带之间建立的电势差。
在半导体中，势垒可以通过外加电场或杂质掺入来调节。
4. 载流子载流子是指在半导体中参与电荷输运的粒子，包括电子和空穴。
电子的运动带负电荷，而空穴则带正电荷。
在半导体中，载流子的浓度和运动性质对于电导率至关重要。
5. 禁带宽度和掺杂禁带宽度是指价带和导带之间的能隙。
掺杂是通过引入杂质来改变半导体的导电性能。
掺杂可以分为n型和p型掺杂，分别引入电子和空穴作为载流子。
6. PN结和二极管PN结是指将n型半导体和p型半导体相接触形成的结构。
PN结具有整流特性，发挥了二极管的作用。
当正向偏置时，电流可以流过结；而反向偏置时，电流则被阻塞。
7. MOS结和场效应晶体管MOS结是指金属氧化物半导体结。
它是指在绝缘体上形成金属-氧化物-半导体结构。
MOS结构被广泛应用于场效应晶体管中。
场效应晶体管是一种控制门电压来调节电流的半导体器件。
8. 肖特基结和肖特基二极管肖特基结是一种由金属和半导体形成的结。
肖特基结具有快速开关特性和低电压降，被用于高频和高速电子器件。
肖特基二极管是利用肖特基结制成的二极管。
9. 光电效应和光电二极管光电效应是指当光照射到半导体材料时，激发电子从价带跃迁到导带的现象。
半导体技术名词解释题
半导体技术名词解释题1、半导体：半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
2、本征半导体：本征半导体是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体。
3、直接带隙半导体：直接带隙半导体是导带底和价带顶在k空间中处于同一位置的半导体。
4、间接带隙半导体：间接带隙半导体材料导带底和价带顶在k空间中处于不同位置。
5、极性半导体：在共价键化合物半导体中，含有离子键成分的半导体为极性半导体。
6、能带、允带、禁带：当N个原子相互靠近结合成晶体后，每个电子都要受到周围原子势场的作用，其结果是每个N度简并的能级都分裂成N个彼此相距很近的能级，这N个能级组成一个能带。
此时电子不再属于某个原子而是在晶体中做共有化运动，分裂的每个能带都称为允带，允带包含价带和导带两种。
允带间因为没有能级称为禁带。
7、半导体的导带：半导体的导带是由自由电子形成的能量空间。
即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。
8、半导体的价带：价带是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。
9、禁带宽度：禁带宽度是指导带的最低能级和价带的最高能级之间的能。
10、带隙：带隙是导带的最低点和价带的最高点的能量之差。
11、宽禁带半导体材料：一般把禁带宽度E g≥ 2.3 eV的半导体材料归类为宽禁带半导体材料。
12、绝缘体的能带结构：绝缘体中导带和价带之间的禁带宽度比较大，价带电子难以激发并跃迁到导带上去，导带成为电子空带，而价带成为电子满带，电子在导带和价带中都不能迁移。
13、杂质能级：杂质能级是指半导体材料中的杂质使严格的周期性势场受到破坏，从而有可能产生能量在带隙中的局域化电子态,称为杂质能级。
14、替位式杂质：杂质原子进入半导体硅以后，杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称为替位式杂质。
15、间隙式杂质：杂质原子进入半导体以后，杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称为间隙式杂质。
16、施主杂质比晶格主体原子多一个价电子的替位式杂质，它们在适当的温度下能够释放多余的价电子，从而在半导体中产生非本征自由电子并使自身电离。
半导体是什么材料制成的呢
半导体是什么材料制成的呢
在现代科技领域中，半导体是一种至关重要的材料。
但究竟什么是半导体，以及它是由什么材料制成的呢？让我们一起深入探讨这个话题。
什么是半导体？
半导体是一种电导率介于导体和绝缘体之间的材料。
在半导体中，电子的传导并非像金属那样自由，也不像绝缘体中那样几乎不传导，而是介于两者之间。
这种特性使得半导体在电子器件中起着关键作用。
半导体的主要材料
半导体的主要材料包括硅（Silicon）、锗（Germanium）和化合物半导体，如氮化镓（Gallium Nitride）等。
硅
硅是目前应用最广泛的半导体材料之一。
它化学稳定、丰富易得，且具有良好的半导体性能。
硅制成的器件广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
锗
早期的半导体器件中常用到的是锗。
虽然相对比较稀少，但锗的特性使得它在某些特定应用中仍然有所用武之地。
化合物半导体
除了硅和锗以外，化合物半导体也扮演着重要角色。
氮化镓等化合物半导体具有较高的电子迁移率和能隙特性，适用于高频器件和光电器件的制造。
半导体的应用
半导体是现代电子技术的基础。
从智能手机、电脑到通信设备、医疗器械，几乎所有电子产品都离不开半导体器件。
半导体的应用范围涵盖了几乎所有现代科技领域，发挥着不可或缺的作用。
结语
通过对半导体及其主要材料的介绍，我们可以更好地理解这种关键材料在现代科技中的作用和意义。
半导体的不断发展和进步将继续推动科技领域的创新，为人类社会带来更多便利和进步。
第三节 半导体
第三节半导体
半导体是当今电子行业最基础的材料之一，其作用和意义不容小觑。
在此我们将深入探讨半导体的相关知识。
一、什么是半导体？
半导体是指在室温下，其导电性介于导体和绝缘体之间的材料。
有
时也被称为半导体晶体。
二、半导体的种类
从其晶体结构来看，半导体可分为单晶硅、多晶硅、非晶硅、蓝宝石、碳化硅、氮化硅等。
三、半导体的应用
1、集成电路 - 由于半导体表现出了半导体-绝缘体-金属场效应，能
够强制控制流经半导体器件的电流强度和方向，因此可用于制作各种
逻辑、振荡器等集成电路。
2、光电器件 - 利用半导体光电特性制作出的器件，如太阳能电池、发光二极管、激光器等。
3、功率器件 - 利用半导体导电性能和电特性，制作出高变换效率、低损耗、高可靠性的功率电子元器件，如IGBT器件等。
4、传感器 - 利用半导体的光电、温度、湿度、压力等特性制作出的传感器器件。
四、半导体技术的发展趋势
1、晶体管微型化和集成化 - 在实际应用中，需要更高的速度、更小的面积和功耗，因此晶体管制作微型化和集成化是半导体技术的重要趋势。
2、功率器件的高效率和大功率 - 随着人们生活水平的提高，需要更高效、更可靠、更节能的电子设备，因此功率器件的高效率和大功率是半导体技术的趋势。
3、新型材料的开发 - 蓝宝石、碳化硅等新型材料在一定应用领域已得到广泛的应用，半导体技术发展也将趋于多样化。
总而言之，半导体技术因其广泛的应用领域和重要的作用被越来越广泛地关注着，也将成为电子行业长期的研究方向之一。
半导体指的是什么
半导体的定义和特性
半导体是一种电子导体，介于导体和绝缘体之间。
它具有导电性能介于金属和绝缘体之间，其特性使其在电子学领域中具有重要作用。
物理特性
半导体的导电性介于导体和绝缘体之间的主要原因是它的能带结构。
在半导体中，带隙是指电子在价带和导带之间跃迁所需要的最小能量。
当这个能隙很小时，半导体就会更容易地导电，因为较小的能量就足够让电子跃迁到导带中。
此外，半导体的导电性质还取决于掺杂。
掺杂是指在半导体中加入少量其他元素，通过掺杂可以改变半导体的导电性能。
掺杂分为N型和P型，N型半导体中掺入的杂质是能够提供额外自由电子的元素，而P型半导体中掺入的杂质则是能够提供额外空穴的元素。
应用领域
半导体在现代电子学中应用广泛。
例如，半导体器件如二极管、场效应晶体管和集成电路是电子设备的关键组成部分。
二极管可以实现电流的单向导通，场效应晶体管可以控制电流，而集成电路则将多个器件集成到一块芯片上，实现了更高的集成度和更大的功能。
此外，半导体在光电子学领域也有重要应用。
例如，LED（发光二极管）利用半导体材料电子跃迁产生光，广泛应用于照明、显示和通信等领域。
结语
总的来说，半导体是一种在电子学领域中至关重要的材料，其特性使其成为现代电子设备的核心组件之一。
通过对半导体的深入研究和应用，我们可以不断推动电子技术的发展，实现更多创新和应用。
什么是半导体
什么是半导体？
半导体是一种介于导体（如金属）和绝缘体（如塑料）之间的材料。
在半导体中，电子的导电能力介于导体和绝缘体之间，即在一定条件下，半导体可以导电，但在其他条件下则表现为绝缘。
这种特性使得半导体在电子器件中具有重要的应用价值。
半导体的导电性质可以通过外加电场、温度或光照等外部条件进行控制，这种控制能力是现代电子器件的基础。
半导体的导电性主要依赖于两种载流子：电子和空穴。
在纯净的半导体中，电子和空穴的数量相等，因此其导电性较弱。
但通过在半导体中引入杂质或施加外部电场，可以改变电子和空穴的浓度，从而调节半导体的导电性能。
半导体在电子技术中有广泛的应用，包括但不限于：
1. **集成电路（IC）**：半导体晶体管的集成电路是现代电子产品的核心，如微处理器、存储器等。
2. **光电子器件**：半导体的光电特性使其用于光电二极管、激光器、光伏电池等。
3. **传感器**：利用半导体的电阻、电容或光电效应制作的传感器，用于测量温度、压力、光照等物理量。
4. **太阳能电池**：利用半导体材料的光电转换效应制作的太阳能电池，将光能转化为电能。
5. **电子管件**：半导体二极管、三极管等在电路中用于整流、
放大、开关等功能。
6. **发光二极管（LED）**：通过半导体材料的电致发光特性制作的LED，用于照明、显示等。
7. **光伏电池**：半导体材料制成的光电池，可以将光能转化为电能，用于太阳能发电等。
总的来说，半导体是现代电子技术的基础，其特性和应用推动了信息技术、通信技术、能源技术等领域的发展和进步。
半导体相关的名词解释
半导体相关的名词解释引言在当今高科技时代，半导体技术得到了广泛应用，成为现代社会的重要支柱。
然而，对于普通大众来说，半导体技术可能还比较陌生。
因此，本文将为您解释一些半导体相关的名词，帮助您更好地了解这一领域的知识。
一、半导体半导体是指电阻介于导体与绝缘体之间的物质，其电导率介于导体与绝缘体之间。
它的特殊之处在于，其导电性能可以通过施加外加电场或温度的改变而发生显著变化。
半导体材料常用的有硅（Silicon）和锗（Germanium），其在电子学和光电子学等领域具有广泛的应用。
二、PN结PN结是半导体器件中常见的一种结构，由P型（正型）半导体和N型（负型）半导体结合而成。
P型半导体中的“P”代表的是正电荷载体空穴（holes），而N型半导体中的“N”代表的是负电荷载体电子。
PN结的作用是将半导体划分为两个区域，形成电场和不同的导电性质，常用于二极管和晶体管等电子元件中。
三、二极管二极管是半导体器件中最简单也是最基本的一种。
它由PN结组成，电流在正向偏置（即P端为正，N端为负）时能够被导通，而在反向偏置时则能够阻断电流的流动。
二极管常用于电路中的整流和信号检测等功能。
四、晶体管晶体管是一种三端的半导体器件，由PNP或NPN三层结构组成。
它是电子技术领域的重要基石，被广泛应用于放大、开关、模拟信号处理和数字信号处理等电路中。
晶体管的工作原理是利用电场和电子流控制电流的放大和传输。
五、集成电路集成电路是将大量的晶体管、二极管和其他元件集成在一起的电路。
与传统的离散式电路相比，集成电路具有体积小、功耗低和可靠性高的优点。
它是现代电子设备的核心组成部分，广泛应用于计算机、手机、电视等电子产品中。
六、半导体光电子学半导体光电子学是指将半导体材料应用于光电子技术的领域。
在半导体材料中，电子和空穴之间的能级距离较小，因此半导体具有良好的光电转换特性。
半导体激光器、光电二极管和太阳能电池等都是半导体光电子学领域的重要应用。
半导体材料名词解释
第二章1.半导体：电导率介于金属和绝缘体之间的材料称为半导体。
2.本征半导体： 完全纯净的半导体称为本征半导体。
它们是制造半导体器件的基本材料。
3.本征激发： 当T 升高或光线照射时, 产生自由电子空穴对的现象称为本征激发。
4.N 型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。
5.N 型半导体：本征半导体中掺入少量三价元素构成。
6.半导体掺杂：本征半导体中载流子数目极少，导电能力仍然很低。
但如果在其中掺入微量的杂质，所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强。
由于掺入的杂质不同，杂质半导体可以分为N 型和P 型两大类。
7.内建电场：由于N 型半导体中有富裕的自由电子，而P 型半导体中有富裕的自由的空穴，所以当P 型和N 型半导体接触时，P 型半导体中的空穴就会向N 型中扩散，而N 型半导体中的电子向P 型中扩散，结果是P 型端带负电，而N 型端带正电。
因而会形成内建电场，内建电场的方向从N 型端指向P 型端，从而又阻止电子和空穴的扩散。
最后，依靠电子和空穴浓度梯度的扩散和内建电场的电作用达到平衡，在接触面附近形成一个耗尽层，即p-n 结。
第三章1.自由载流子吸收：毫米波和微波2.杂质吸收： 杂质粒子的跃迁3.声子吸收：晶格振动引起4.激子吸收：激子的形成5.带间吸收：价带到导带的跃迁6.自发辐射：原子在没有外界干预的情况下，电子会由处于激发态的高能级E2自动跃迁至低能级E1，这种跃迁称为自发辐射。
7.受激吸收：当原子中的电子处于低能级时，吸收光子的能量后从低能级跃迁到高能级----光吸收。
8.受激辐射：当原子中的电子处于高能级时，若外来光子的频率恰好满足 时，电子会在外来光子的诱发下向低能级跃迁，并发出与外来光子一样特征的光子----受激辐射。
9. 粒子数反转:10. 泵浦（激励）: 闪光灯或另一种激光器以及气体放电激励、化学激励、核能激励。
11. 激光工作物质: 激光器最重要的部分是工作物质，包括激活离子和基质。
什么是半导体？
什么是半导体？一、半导体的基本概念与特性半导体是一类介于导体和绝缘体之间的物质，它具有独特的电导特性。
与导体相比，半导体的电导率较低，但比绝缘体要高。
这种特殊的电导特性使得半导体被广泛应用于电子技术领域。
半导体的电导特性与其内部电子结构密切相关。
在半导体中，价带和导带之间存在一条能隙，称为禁带。
当半导体处于平衡状态时，禁带中没有自由电子或空穴，因此电导效果较差。
然而，当外界施加电场或光照等外界条件时，禁带中的电子可以跃迁到导带或离开价带，形成电流，从而实现电导。
二、半导体器件的应用领域1. 硅片在信息技术领域的应用硅片是半导体器件的重要组成部分，它在信息技术领域扮演着重要的角色。
如今，计算机、手机、电视等现代电子产品中几乎都离不开硅片的应用。
硅片的制造需要经历多道工艺流程，包括晶体生长、晶圆切割、芯片制作等。
通过在硅片上掺杂不同的杂质，可以实现不同的电导特性，从而制造出各种功能各异的半导体器件。
2. 光电子器件的发展与应用半导体的特殊电导特性还使其成为制造光电子器件的理想材料。
例如，光电二极管和激光器等器件通过利用半导体材料吸收或辐射光能来实现电光转换或光电转换。
这些器件在光通信、光储存、显示技术等领域起着举足轻重的作用。
而随着光通信技术的快速发展，半导体光电子器件的应用前景也越来越广阔。
三、半导体技术的发展趋势1. 纳米技术的应用和突破随着科技的进步，纳米技术在半导体领域得到了广泛应用。
通过制造纳米级结构和材料，可以进一步提升半导体器件的性能和功耗。
例如，纳米级材料可以实现更高的载流子浓度，从而提高电导率；纳米级结构可以实现更小的尺寸和更高的集成度，从而提高器件的速度和功能。
2. 多晶硅的发展与突破多晶硅是一种晶体结构较差的半导体材料，但由于其制造成本低廉、制程成熟等优势，仍然是半导体行业的主流材料之一。
随着半导体技术的不断发展，多晶硅材料的质量和性能也在不断提升。
例如，采用多晶硅材料制造的太阳能电池具有较高的转换效率和较低的成本，成为可持续能源领域的重要组成部分。
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1. 何谓PIE PIE的主要工作是什幺答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。
2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义答：8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达工艺。
未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。
4. 我们为何需要300mm答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加倍,芯片数目约增加倍5. 所谓的um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义答：是指工厂的工艺能力可以达到um的栅极线宽。
当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
6. 从>>>> 的technology改变又代表的是什幺意义答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
从-> -> -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。
8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。
其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。
TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。
硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。
9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。
而光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）.10. Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer 其中start oxide 的目的是为何答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si 表面。
②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。
11. 为何需要zero layer答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。
12. Laser mark是什幺用途Wafer ID 又代表什幺意义答：Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。
13. 一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。
②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation）14. 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)②阱区离子注入（well implant）用以调整电性③栅极(poly gate)的形成④源/漏极（source/drain）的形成⑤硅化物(salicide)的形成15. STI 是什幺的缩写为何需要STI答：STI: Shallow Trench Isolation(浅沟道隔离)，STI可以当做两个组件（device）间的阻隔, 避免两个组件间的短路.16. AA 是哪两个字的缩写简单说明AA 的用途答：Active Area, 即有源区，是用来建立晶体管主体的位置所在，在其上形成源、漏和栅极。
两个AA区之间便是以STI来做隔离的。
17. 在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数答：①STI etch（刻蚀）的角度；②STI etch 的深度；③STI etch 后的CD尺寸大小控制。
(CD control, CD=critical dimension)18. 在STI 的形成步骤中有一道liner oxide（线形氧化层）, liner oxide 的特性功能为何答：Liner oxide 为1100C, 120 min 高温炉管形成的氧化层，其功能为：①修补进STI etch 造成的基材损伤；②将STI etch 造成的etch 尖角给于圆化( corner rounding)。
19. 一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤功能为何答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片上形成所需要的组件电子特性，一般包含下面几道步骤：①Well Implant ：形成N,P 阱区；②Channel Implant：防止源/漏极间的漏电；③Vt Implant：调整Vt（阈值电压）。
20. 一般的离子注入层次（Implant layer）工艺制造可分为那几道步骤答：一般包含下面几道步骤：①光刻(Photo)及图形的形成；②离子注入调整；③离子注入完后的ash (plasma(等离子体)清洗)④光刻胶去除（PR strip）21. Poly（多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些答：①Gate oxide(栅极氧化层)的沉积；②Poly film的沉积及SiON(在光刻中作为抗反射层的物质)的沉积）；③Poly 图形的形成(Photo)；④Poly及SiON的Etch；⑤Etch完后的ash( plasma(等离子体)清洗)及光刻胶去除（PR strip）；⑥Poly的Re-oxidation（二次氧化）。
22. Poly（多晶硅）栅极的刻蚀(etch)要注意哪些地方答：①Poly 的CD(尺寸大小控制；②避免Gate oxie 被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.23. 何谓Gate oxide (栅极氧化层)答：用来当器件的介电层，利用不同厚度的gate oxide ,可调节栅极电压对不同器件进行开关24. 源/漏极(source/drain)的形成步骤可分为那些答：①LDD的离子注入（Implant）；②Spacer的形成；③N+/P+IMP高浓度源/漏极(S/D)注入及快速热处理(RTA：Rapid Thermal Anneal)。
25. LDD是什幺的缩写用途为何答：LDD: Lightly Doped Drain. LDD是使用较低浓度的源/漏极, 以防止组件产生热载子效应的一项工艺。
26. 何谓Hot carrier effect (热载流子效应)答：在线寛小于以下时, 因为源/漏极间的高浓度所产生的高电场,导致载流子在移动时被加速产生热载子效应, 此热载子效应会对gate oxide造成破坏, 造成组件损伤。
27. 何谓Spacer Spacer蚀刻时要注意哪些地方答：在栅极(Poly)的两旁用dielectric（介电质）形成的侧壁，主要由Ox/SiN/Ox 组成。
蚀刻spacer 时要注意其CD大小，profile(剖面轮廓)，及remain oxide(残留氧化层的厚度)28. Spacer的主要功能答：①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域;②作为Contact Etch时栅极的保护层。
29. 为何在离子注入后, 需要热处理( Thermal Anneal)的工艺答：①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤;②使注入离子扩散至适当的深度;③使注入离子移动到适当的晶格位置。
30. SAB是什幺的缩写目的为何答：SAB：Salicide block, 用于保护硅片表面，在RPO (Resist Protect Oxide) 的保护下硅片不与其它Ti, Co形成硅化物(salicide)31. 简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些答：①SAB 光刻后（photo），刻蚀后(etch)的图案（特别是小块区域）。
要确定有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方。
②remain oxide (残留氧化层的厚度)。
32. 何谓硅化物( salicide)答：Si 与Ti 或Co 形成TiSix 或CoSix, 一般来说是用来降低接触电阻值（Rs, Rc）。
33. 硅化物(salicide)的形成步骤主要可分为哪些答：①Co(或Ti)+TiN的沉积；②第一次RTA（快速热处理）来形成Salicide。
③将未反应的Co(Ti)以化学酸去除。
④第二次RTA (用来形成Ti的晶相转化, 降低其阻值)。
34. MOS器件的主要特性是什幺答：它主要是通过栅极电压（Vg）来控制源，漏极(S/D)之间电流，实现其开关特性。
35. 我们一般用哪些参数来评价device的特性答：主要有Idsat、Ioff、Vt、Vbk(breakdown)、Rs、Rc；一般要求Idsat、Vbk (breakdown)值尽量大，Ioff、Rc尽量小，Vt、Rs尽量接近设计值.36. 什幺是IdsatIdsat 代表什幺意义答：饱和电流。
也就是在栅压(Vg)一定时，源/漏(Source/Drain)之间流动的最大电流.37. 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Idsat答：Poly CD(多晶硅尺寸)、Gate oxide Thk(栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度、Vt imp.条件、LDD imp.条件、N+/P+ imp. 条件。
38. 什幺是Vt Vt 代表什幺意义答：阈值电压（Threshold Voltage），就是产生强反转所需的最小电压。
当栅极电压Vg<Vt时, MOS处于关的状态，而Vg〉=Vt时，源/漏之间便产生导电沟道，MOS处于开的状态。
39. 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Vt答：Poly CD、Gate oxide Thk. (栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度及Vt imp.条件。
40. 什幺是Ioff Ioff小有什幺好处答：关态电流，Vg=0时的源、漏级之间的电流，一般要求此电流值越小越好。