非线性电阻的伏安特性曲线实验

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实验一 线性与非线性元件伏安特性的测定

实验一 线性与非线性元件伏安特性的测定

实验一 线性与非线性元件伏安特性的测定一、实验目的1.掌握线性电阻、非线性电阻元件伏安特性的测试技能。

2.学习直流稳压电源、直流电压表、电流表的使用方法。

3.加深对线性电阻元件、非线性电阻元件伏安特性的理解,验证欧姆定律.二、实验原理电阻元件是一种对电流呈现阻力的元件,有阻碍电流流动的性能。

当电流通过电阻元件时,必然要消耗能量,就会沿着电流流动的方向产生电压降,电压降的大小等于电流的大小与电阻值的乘积。

电压降和电流及电阻的这一关系称为欧姆定律。

IR U = (1-1) 上式的前提条件是电压U 和电流I 的参考方向相关联,亦即参考方向一致。

如果参考方向相反,则欧姆定律的形式应为IR U -= (1—2) 电阻上的电压和流过它的电流是同时并存的,也就是说,任何时刻电阻两端的电压降只由该时刻流过电阻的电流所确定,与该时刻前的电流的大小无关,因此电阻元件又称为“无记忆”元件.当电阻元件R 的值不随电压或电流大小的变化而改变时,则电阻R 两端的电压与流过它的电流成正比例.我们把符合这种条件的电阻元件称为线性电阻元件。

反之,不符合上述条件的电阻元件被叫做非线性电阻元件。

任一二端电阻元件的特性可用该元件上的端电压U与通过该元件的电流I 之间的函数关系U =f(I )来表示,即用U —I平面上的一条曲线来表征,这条曲线称为该电阻元件的伏安特性曲线。

根据伏安特性的不同,电阻元件分两大类:线性电阻和非线性电阻。

线性电阻元件的伏安特性曲线是一条通过坐标原点的直线,如图1-1中(a)所示,该直线的斜率只由电阻元件的电阻值R 决定,其阻值为常数,与元件两端的电压U 和通过该元件的电流I无关;非线性电阻元件的伏安特性是一条经过坐标原点的曲线,其阻值R 不是常数,即在不同的电压作用下,电阻值是不同的,常见的非线性电阻如白炽灯丝、普通二极管、稳压二极管等,它们的伏安特性如图1-1中(b)、(c )、(d ).在图1—1中,U 〉0的部分为正向特性,U 〈 0的部分为反向特性.线性电阻的伏安特性对称于坐标原点,这种性质称为双向性,为所有线性电阻元件所具备。

《线性和非线性电阻的伏安特性测量》实验报告,2023

《线性和非线性电阻的伏安特性测量》实验报告,2023

《基础物理实验》实验报告实验:线性和非线性电阻的伏安特性的测量姓名:学号:班级:成绩:合作者:指导教师:日期:2022 年____月____日【注意事项】(在开始实验操作前请仔细阅读以下说明)1.测量时,可调稳压电源的输出电压由0 V缓慢逐渐增加,应时刻注意电压表和电流表的读数,切勿超过规定值。

2.稳压电源输出端切勿碰线短路。

3.测量中,随时注意电流表读数,及时更换电流表量程,勿使仪表超量程。

【预习题】1. 下图分别为纯电阻、白炽灯泡、普通二极管、稳压二极管的伏安特性曲线,请根据伏安特性曲线分析各种电阻有什么特点?答:纯电阻:纯电阻的伏安特性是一条直线,电压与电流成线性关系,电阻数值恒定,为线性电阻。

白炽灯泡:白炽灯泡的伏安特性是关于原点对称的曲线,其斜率由小变大,说明其电阻值由小变到大,白炽灯泡为非线性电阻。

普通二极管:二极管加反向电压时,流过二极管的电流很小,几乎为0,说明电阻非常大,趋于断路;当二极管加正向电压时,刚开始电流变化较小,但电压大于一定值时,电流会随电压的缓慢升高而急剧增大,说明电阻急剧变小,二极管为非线性电阻。

稳压二极管:稳压二极管的正向特性与普通二极管的正向特性相似。

加反向电压时,在某范围内的电压,电流较小;一旦超出一定电压,电流就会突然增加,而稳压二极管上的电压几乎恒定不变。

说明电阻刚开始非常大,随着电压增大,一旦达到一定值时,电阻急剧减小,稳压管为非线性电阻。

2. 电流表内接方式和电流表外接方式分别适用于什么情况?答:电流表内接方式适用于待测电阻值远大于电流表的内阻。

电流表外接方式适用于待测电阻值远小于伏特表的内阻。

【实验目的】1.学习由测量电压、电流求电阻值的方法(伏安法)。

2.通过对二极管伏安特性的测量,了解非线性电学元件的导电特性。

3.学习减少伏安法中系统误差的方法。

【实验仪器】【实验内容与步骤】1.测定线性电阻的伏安特性(1)确定采用外接(内接、外接)法测伏安特性,并按图接线。

伏安特性实验报告结论(3篇)

伏安特性实验报告结论(3篇)

第1篇一、实验概述伏安特性实验是电学基础实验之一,旨在通过测量电学元件在电压与电流作用下的关系,绘制出伏安特性曲线,从而分析元件的电阻特性。

本实验采用逐点测试法,对线性电阻、非线性电阻元件的伏安特性进行了测量和绘制。

二、实验目的1. 理解伏安特性曲线的概念,掌握伏安特性曲线的绘制方法。

2. 通过实验验证欧姆定律,了解电阻元件的伏安特性。

3. 分析非线性电阻元件的特性,掌握其应用领域。

三、实验原理1. 伏安特性曲线:在电阻元件两端施加电压,通过电阻元件的电流与电压之间的关系称为伏安特性曲线。

根据伏安特性的不同,电阻元件分为线性电阻和非线性电阻。

2. 线性电阻:线性电阻元件的伏安特性曲线是一条通过坐标原点的直线,斜率代表电阻值。

其阻值R为常数,与元件两端的电压U和通过该元件的电流I无关。

3. 非线性电阻:非线性电阻元件的伏安特性曲线不是一条经过坐标原点的直线,其阻值R不是常数,即在不同的电压作用下,电阻值是不同的。

四、实验步骤1. 准备实验仪器:直流稳压电源、直流电压表、直流电流表、电阻元件、导线等。

2. 连接实验电路:将电阻元件与直流稳压电源、直流电压表、直流电流表连接成闭合回路。

3. 测量电压与电流:逐步调节直流稳压电源的输出电压,记录对应的电流值。

4. 绘制伏安特性曲线:以电压为横坐标,电流为纵坐标,将实验数据绘制成曲线。

五、实验结果与分析1. 线性电阻伏安特性曲线:实验结果表明,线性电阻元件的伏安特性曲线是一条通过坐标原点的直线。

斜率代表电阻值,与实验理论相符。

2. 非线性电阻伏安特性曲线:实验结果表明,非线性电阻元件的伏安特性曲线不是一条经过坐标原点的直线。

在低电压下,电阻值较小,随着电压的增大,电阻值逐渐增大,直至趋于饱和。

这与实验理论相符。

3. 伏安特性曲线的应用:通过伏安特性曲线,可以分析电阻元件在不同电压下的电阻值,从而了解电阻元件的电阻特性。

在工程实践中,伏安特性曲线对于设计电路、选择电阻元件具有重要意义。

测绘线形电阻和非线性电阻的伏安特性曲线

测绘线形电阻和非线性电阻的伏安特性曲线

6. 实验过程中,电压表和电流表读数为零, 首先要考虑什么因素?
7. 第二个小实验中,电流表没读数,电压表 有读数,什么器件出现问题?
8. 两个小实验中都用到了一个分压电阻,实 验前应该把此电阻提供给电路的电压将到 最小还是最大?
9. 如何利用开关?10Biblioteka 电压表没读数,电流表有读数,为何?
测二极管正向伏安特性曲线(内接)
2、电阻的伏安特性曲线:电流与电压成正比。 伏安特性曲线是一直线。
线形电阻的伏安特性曲线
3、晶体二极管的伏安特性曲线:通过器件的 电流与电压不成正比。伏安特性曲线是非 线性的。
二极管的伏安特性曲线
实验内容
1、测绘金属膜电阻的伏安特性曲线: 电源电压取3.5V,电阻为200欧姆,电
测绘线形电阻和非线性电 阻的伏安特性曲线
实验原理 实验内容 注意事项 讨论思考
实验原理
1、两种基本电路:电压表外接和电压表内接。
外接法中,电流 测量准确,但电压不 是器件两侧的电压。 包含电流表两端的电 压。所以测得的电阻 偏大。这种方法适合 测电阻伏安特性曲线 (外接) 测大电阻。
内接法中,电压表测出的是器件两端的 电压,而电流表测出的电流不是被测器件的 电流,这里包含流过电压表的电流。所以测 量的电阻偏小。这种方法适合测小电阻。
压表内阻为3000欧姆,电流表内阻为6欧姆。 故应该选择电压表外接电路。
2、测绘二极管的正向伏安特性曲线
利用电压表内接法测量二极管的伏安 特性曲线。注意,测量非线性电学器件 时,曲线弯曲的地方,电压间隔应该适 当减小。
注意事项
1. 毫安表的正负极不能接错。 2. 流经毫安表的电流不能超过所选量程。 3. 测晶体二极管正向伏安特性时,毫安表读

非线性元件伏安特性的测量实验报告

非线性元件伏安特性的测量实验报告

非线性元件伏安特性的测量实验报告一、实验目的1、了解非线性元件的伏安特性曲线。

2、掌握测量非线性元件伏安特性的基本方法。

3、学会使用相关仪器,如电压表、电流表、电源等。

4、通过实验数据的处理和分析,加深对非线性元件电学特性的理解。

二、实验原理非线性元件的电阻值不是一个恒定值,而是随着电压或电流的变化而变化。

常见的非线性元件有二极管、三极管、热敏电阻等。

在本次实验中,我们以二极管为例来测量其伏安特性。

当给二极管加上正向电压时,在电压较低时,电流很小,几乎为零。

当电压超过一定值(称为开启电压)后,电流迅速增加。

而当给二极管加上反向电压时,在一定的反向电压范围内,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化。

当反向电压超过某一值(称为反向击穿电压)时,反向电流急剧增加。

通过测量二极管在不同电压下的电流值,就可以得到其伏安特性曲线。

三、实验仪器1、直流电源:提供稳定的电压输出。

2、电压表:测量二极管两端的电压。

3、电流表:测量通过二极管的电流。

4、电阻箱:用于调节电路中的电阻值。

5、二极管:实验对象。

6、导线若干:连接电路。

四、实验步骤1、按照电路图连接实验电路,将电源、电阻箱、二极管、电压表和电流表依次连接。

2、调节电阻箱,使电路中的初始电阻较大,以保护电流表和二极管。

3、接通电源,缓慢调节电源的输出电压,从 0 开始逐渐增加。

在每个电压值下,记录电压表和电流表的读数。

4、测量正向伏安特性时,电压逐渐增加到一定值,注意观察电流的变化。

当电流急剧增加时,停止增加电压。

5、测量反向伏安特性时,将电源极性反转,同样从 0 开始逐渐增加反向电压,记录相应的电压和电流值。

6、重复测量多次,以减小误差。

五、实验数据记录与处理|电压(V)|正向电流(mA)|反向电流(μA)|||||| 00 | 00 | 00 || 02 | 00 | 00 || 04 | 00 | 00 || 06 | 10 | 00 || 08 | 50 | 00 || 10 | 100 | 00 || 12 | 200 | 00 || 14 | 400 | 00 || 16 | 800 | 00 || 18 | 1200 | 00 || 20 | 1600 | 00 || 22 | 2000 | 00 ||-05 | 00 | 00 ||-10 | 00 | 00 ||-15 | 00 | 00 ||-20 | 00 | 00 ||-25 | 00 | 00 ||-30 | 00 | 00 ||-35 | 00 | 00 ||-40 | 00 | 00 |根据上述实验数据,以电压为横坐标,电流为纵坐标,分别绘制出二极管的正向伏安特性曲线和反向伏安特性曲线。

实验七 线性和非线性电学元件伏安特性的测量

实验七 线性和非线性电学元件伏安特性的测量

实验七线性电阻和非线性电阻的伏安特性曲线电阻是电学中常用的物理量。

利用欧姆定律求导体电阻的方法称为伏安法,它是测量电阻的基本方法之一。

为了研究材料的导电性,通常作出其伏安特性曲线,了解它的电压与电流的关系。

伏安特性曲线是直线的元件称为线性元件,伏安特性曲线不是直线的元件称为非线性元件。

这两种元件的电阻都可用伏安法测量。

但由于测量时电表被引入测量线路,电表内阻必然会影响测量结果,因而应考虑对测量结果进行必要的修正,以减少系统误差。

【实验目的】1.通过对线性电阻伏安特性的测量,学习正确选择和使用伏安法测电阻的两种线路。

2.通过对二极管伏安特性的测量,了解非线性电学元件的导电特性。

3.习按电路图正确地接线,掌握限流电路和分压电路的主要特点。

4.学会用作图法处理实验数据。

【实验仪器】欧姆定律实验盒直流稳压电源滑线变阻器(2个)单刀开关数字电流表数字电压表保护电阻【实验原理】当一个元件两端加上电压,元件内有电流通过时,电压与电流之比称为该元件的电阻。

若一个元件两端的电压与通过它的电流成比例,则伏安特性曲线为一条直线,这类元件称为线性元件。

若元件两端的电压与通过它的电流不成比例,则伏安特性曲线不再是直线,而是一条曲线,这类元件称为非线性元件。

一般金属导体的电阻是线性电阻,它与外加电压的大小和方向无关,其伏安特性是一条直线(见图1),从图上看出,直线通过一、三象限。

它表明,当调换电阻两端电压的极性时,电流也换向,而电阻始终为一定值,等于直线斜率的倒数R =V/I。

常用的半导体二极管是非线性电阻,其电阻值不仅与外加电压的大小有关,而且还与方向有关。

为了了解半导体二极管的导电特性,下面对它的结构和电学性能作一简单介绍。

图1 线性电阻的伏安特性图2 半导体二极管的p-n结和表示符号半导体二极管又叫晶体二极管。

半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。

如果在纯净的半导体中适当地掺入极微量的杂质,则半导体的导电能力就会有上百万倍的增加。

非线性元件伏安特性实验

非线性元件伏安特性实验

非线性元件伏安特性实验非线性元件伏安特性的测量【目的要求】1(掌握非线性元件伏安特性的测量方法、基本电路。

2(掌握二极管、稳压二极管、发光二极管的基本特性。

准确测量其正向导通阈值电压。

3(画出以上三种元件的伏安特性曲线。

【实验仪器】非线性元件伏安特性实验仪。

仪器由直流稳压电源、数字电压表、数字电流表、多圈可变电阻器、普通二极管、稳压二极管、发光二极管、钨丝灯泡等组成。

【实验原理】1.伏安特性给一个元件通以直流电,用电压表测出元件两端的电压,用电流表测出通过元器件的电流。

通常以电压为横坐标、电流为纵坐标,画出该元件电流和电压的关系曲线,称为该元件的伏安特性曲线。

这种研究元件电学特性的方法称为伏安法。

伏安特性曲线为直线的元件称为线性元件,如电阻;伏安特性曲线为非直线的元件称为非线性元件,如二极管、三极管等。

伏安法的主要用途是测量研究线性和非线性元件的电特性。

有些元件伏安特性除了与电压、电流有关,还与某一物理量的变化呈规律性变化,例如温度、光照度、磁场强度等,这就是各种物理量的传感元件,本实验不研究此类变化。

根据欧姆定律,电阻R、电压U、电流I,有如下关系:(1) R,UI由电压表和电流表的示值U和I计算可得到待测元件Rx的阻值。

但非线性元件的R是一个变量,因此分析它的阻值必须指出其工作电压(或电流)。

非线性元件的电阻有两种方法表示,一种称为静态电阻(或称为直流电阻),用RD表示;另一种称为动态电阻用rD表示,它等于工作点附近的电压改变量与电流改变量之比。

动态电阻可通过伏安曲线求出,如图1所示,图中Q点的静态电阻RD=UQ/IQ,动态电阻rD=dUQ/dIQ图1动态电阻表示图测量伏安特性时,受电压表、电流表内阻接入影响会引入一定的系统误差,由于数字式电压表内阻很高、数字式电流表内阻很小,在测量低、中值电阻时引入系统误差较小,本实验将其忽略不计。

2.半导体二极管半导体二极管是一种常用的非线性元件,由P型、N型半导体材料制成PN结,经欧姆接触引出电极,封装而成。

非线性电阻的伏安特性曲线实验

非线性电阻的伏安特性曲线实验

线性电阻和非线性电阻的伏安特性曲线【教学目的】1、测绘电阻的伏安特性曲线,学会用图线表示实验结果。

2、了解晶体二极管的单向导电特性。

【教学重点】1、测绘电阻的伏安特性曲线;2、了解二极管的单向导电特性。

【教学难点】非线性电阻的导电性质。

【课程讲授】提问:1.如何测绘伏安特性曲线?2.二极管导电有何特点?一、实验原理常用的晶体二极管是非线性电阻,其电阻值不仅与外加电压的大小有关,而且还与方向有关。

下面对它的结构和电学性能作一简单介绍。

图1线性电阻的伏安特性图2晶体二极管的p-n结和表示符号晶体二级管又叫半导体二极管。

半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。

如果在纯净的半导体中适当地掺入极微量的杂质,则半导体的导电能力就会有上百万倍的增加。

加到半导体中的杂质可分成两种类型:一种杂质加到半导体中去后,在半导体中会产生许多带负电的电子,这种半导体叫电子型半导体 (也叫n型半导体);另一种杂质加到半导体中会产生许多缺少电子的空穴(空位),这种半导体叫空穴型半导体 (也叫p型半导体)。

晶体二极管是由两种具有不同导电性能的n型半导体和p型半导体结合形成的p-n结构成的。

它有正、负两个电极,正极由p型半导体引出,负极由n型半导体引出,如图2(a)所示。

p-n结具有单向导电的特性,常用图2(b)所示的符号表示。

关于p-n结的形成和导电性能可作如下解释。

图3 p-n结的形成和单向导电特性如图3(a)所示,由于p区中空穴的浓度比n区大,空穴便由p区向n区扩散;同样,由于n区的电子浓度比p区大,电子便由p区扩散。

随着扩散的进行,p区空穴减少,出现了一层带负电的粒子区(以Ө表示);n区的电子减少,出现了一层带正电的粒子区(以⊕表示)。

结果在p型与n型半导体交界面的两侧附近,形成了带正、负电的薄层,称为p-n结。

这个带电薄层内的正、负电荷产生了一个电场,其方向恰好与载流子(电子、空穴)扩散运动的方向相反,使载流子的扩散受到内电场的阻力作用,所以这个带电薄层又称为阻挡层。

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线性电阻和非线性电阻的伏安特性曲线
【教学目的】
1、测绘电阻的伏安特性曲线,学会用图线表示实验结果。

2、了解晶体二极管的单向导电特性。

【教学重点】
1、测绘电阻的伏安特性曲线;
2、了解二极管的单向导电特性。

【教学难点】
非线性电阻的导电性质。

【课程讲授】
提问:1.如何测绘伏安特性曲线?
2.二极管导电有何特点?
一、实验原理
常用的晶体二极管是非线性电阻,其电阻值不仅与外加电压的大小有关,而且还与方向有关。

下面对它的结构和电学性能作一简单介绍。

图1线性电阻的伏安特性图2晶体二极管的p-n结和表示符号晶体二级管又叫半导体二极管。

半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。

如果在纯净的半导体中适当地掺入极微量的杂质,则半导体的导电能力就会有上百万倍的增加。

加到半导体中的杂质可分成两种类型:一种杂质加到半导体中去后,在半导体中会产生许多带负电的电子,这种半导体叫电子型半导体 (也叫n型半导体);另一种杂质加到半导体中会产生许多缺少电子的空穴(空位),这种半导体叫空穴型半导体 (也叫p型半导体)。

晶体二极管是由两种具有不同导电性能的n型半导体和p型半导体结合形成的p-n结构成的。

它有正、负两个电极,正极由p型半导体引出,负极由n型半导体引出,如图2(a)所示。

p-n结具有单向导电的特性,常用图2(b)所示的符号表示。

关于p-n结的形成和导电性能可作如下解释。

图3 p-n结的形成和单向导电特性
如图3(a)所示,由于p区中空穴的浓度比n区大,空穴便由p区向n区扩散;同样,由于n区的电子浓度比p区大,电子便由p区扩散。

随着扩散的进行,p区空穴减少,出现
了一层带负电的粒子区(以Ө表示);n区的电子减少,出现了一层带正电的粒子区(以⊕表
示)。

结果在p型与n型半导体交界面的两侧附近,形成了带正、负电的薄层,称为p-n结。

这个带电薄层内的正、负电荷产生了一个电场,其方向恰好与载流子(电子、空穴)扩散运动的方向相反,使载流子的扩散受到内电场的阻力作用,所以这个带电薄层又称为阻挡层。

当扩散作用与内电场作用相等时,p区的空穴和n区的电子不再减少,阻挡层也不再增加,达到动态平衡,这时二极管中没有电流。

如图3(b)所示,当p-n结加上正向电压(p区接正,n区接负)时,外电场与内电场方向相反,因而削弱了内电场,使阻挡层变薄。

这样,载流子就能顺利地通过p-n结,形成比较大的电流。

所以,p-n结在正向导电时电阻很小。

如图3(c)所示,当p-n结加上反向电压(p区接负,n区接正)时,外加电场与内场方向相同,因而加强了内电场的作用,使阻挡层变厚。

这样,只有极少数载流子能够通过p-n 结,形成很小的反向电流。

所以p-n结的反向电阻很大。

晶体二极管的正、反向特性曲线如图12-4所示。

从图上看出,电流和电压不是线性关系,各点的电阻都不相同。

凡具有这种性质的电阻,就称为非线性电阻。

图4晶体二极管的伏安特性图5测电阻伏安特性的电路
二、实验仪器
直流稳压电源,万用表(2台),电阻,白炽灯泡,灯座,短接桥和连接导线,实验用九孔插件方板。

三、实验步骤
(一)测绘金属膜电阻的伏安特性曲线
1.按图5接好线路,图中R>>A R (A R毫安表的内阻)。

注意将分压器的滑动端调至电
压为零的位置;电表的量限要选择得适当。

2.经教师检查线路后,接通电源,调节滑线变阻器的滑动头,从零开始逐步增大电压(例加取0.00V,0.50V,1.00V,1.50V,…),读出相应的电流值。

3.将电压调为零,改变加在电阻上的电压方向(可将电阻R调转180°连接),取电压为0.00V,-0.50V,-1.00V,-1.50V,…,读出相应的电流值。

4.将测量的正、反向电压和相应的电流值填入预先自拟的表格。

以电压为横坐标,电流为纵坐标,绘出金属膜电阻的伏安特性曲线。

(二)测绘晶体二极管的伏安特性曲线
测量之前,先记录所用晶体管的型号(为测出反向电流的数值,采用锗管)和主要参数(即最大正向电流和最大反向电压),再判别晶体管的正、负极。

1.为了测得晶体二极管的正向特性曲线,可按照图6所示的电路联线。

图中R为保护晶体二极管的限流电阻,电压表的量限取1伏左右。

经教师检查线路后,接通电源,缓慢地增加电压,例如,取0.00V,0.10V,0.20V,…(在电流变化大的地方,电压间隔应取小一些),读出相应的电流值。

最后断开电源。

图6测晶体二极管正向伏安特性的电路 图7测晶体二极管反向伏安特性的电路
2.为了测得反向特性曲线,可按图7联接电路。

将电流表换成微安表,电压表换接比1伏大的量限,接上电源,逐步改变电压,例如,取0.00V ,1.00V ,2.00V ,…,读出相应的电流值。

确认数据无错误和遗漏后,断开电源,拆除线路。

3.以电压为横轴,电流为纵轴,利用测得的正、反向电压和电流的数据,绘出晶体二极管的伏安特性曲线。

由于正向电流读数为毫安,反向电流读数为微安,纵轴上半段和下半段坐标纸上每小格代表的电流值可以不同,但必须分别标注清楚。

四、注意事项
1.测晶体二极管正向伏安特性时,毫安表读数不得超过二极管允许通过的最大正向电流值。

2.测晶体二极管反向伏安特性时,加在晶体管上的电压不得超过管子允许的最大向电压。

实验时,如果违反上述任一条规定,都将会损坏晶体管。

五、思考题
1.在图6和图7中,电表的接法有何不同?为什么要采用这样的接法?
2.如何作出伏欧特性曲线(V R -曲线)?金属膜电阻和晶体二极管的伏欧特性曲线各具有什么特性?
3.有一个12伏、15瓦的钨丝灯泡,已知加在灯泡上的电压与通过热灯丝的电流之间的关系为n I KV =其中K 、n 是与该灯泡有关的常数,现在要用实验方法确定K 、n 。

(1)请画出实验的线路图;(2)请简述如何用作图法求出K 和n 值,最后得到I 随V 变化的经验公式。

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