常用元器件的型号命名方法
常用电子元器件型号命名法与主要技术参数
常用电子元器件型号命名法与主要技术参数电子元器件是电子产品中非常重要的一部分，为了便于识别和使用，每种电子元器件都有相应的型号和技术参数。
本文将介绍常用电子元器件的命名法和主要技术参数，以帮助读者更好地了解电子元器件。
1. 电阻器电阻器通常用来限制电路中的电流，并改变电压和功率。
电阻器的命名法为“R+数字”，数字表示电阻值。
例如，R100表示100欧姆的电阻器。
电阻器的主要技术参数有：电阻值：电阻器的电阻值越大，电路中的电流越小。
功率：功率越大，电阻器发热越多。
精度：电阻器的精度越高，电路中的电流越精确。
温度系数：温度系数可以影响电阻器的电阻值。
2. 电容器电容器通常用来存储能量或阻止电流。
电容器的命名法为“C+数字”，数字表示电容值。
例如，C1μF表示1微法的电容器。
电容器的主要技术参数有：电容值：电容值越大，电容器可以存储的电力越大。
电压：电容器的电压越高，它可以承受的电力也越高。
电容器类型：电容器根据构造材料的不同，分为有机电容器和无机电容器。
3. 二极管二极管通常用来控制电流的方向。
二极管的命名法为“D+数字”，数字表示型号。
例如，D1N4148表示1N4148型号的二极管。
二极管的主要技术参数有：正向工作电压：正向工作电压是二极管正向工作时的最大电压。
反向击穿电压：反向击穿电压是二极管能承受的最大反向电压。
反向电流：反向电流是二极管反向工作时的电流。
4. 晶体管晶体管通常用来放大电流和控制电路。
晶体管的命名法为“Q+数字”，数字表示型号。
例如，Q2N3904表示2N3904型号的晶体管。
晶体管的主要技术参数有：最大工作电压：最大工作电压代表晶体管工作的最大电压。
最大功率：最大功率代表晶体管可以承受的最大功率。
放大系数：放大系数代表晶体管从输入信号到输出信号的增益。
5. 电感器电感器通常用来阻止电路中的交流电流。
电感器的命名法为“L+数字”，数字表示型号。
例如，L100表示100微亨的电感器。
国内外常用电子元器件型号命名规则比如：电阻器,电容器
(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)
(6)韩国三星(SAMSUNG)
(7)美国基美(KEMET)
(8)英国Syfer
(9)中国台湾国巨(YAGEO)
(10)中国台湾华新科技(WALSIN)
3.电感器
4.变压器
5.二极管
6.三极管
7.发光二极管
8.扬声器
9.电声器件
10晶闸管
11.继电器
国外：
1.国际电子联合会半导体器件命名法
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：
1)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。
3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4)第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。
8)日本通常把Pcm≥1W的管子，称做大功率管。
5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。
6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。
2.美国半导体器件型号命名法
美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如下表：
电子元器件基础知识及命名方法
电子元器件基础知识（1）--电阻电阻器（Resistor）在日常生活中一般直接称为电阻。
是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。
阻值不能改变的称为固定电阻器。
阻值可变的称为电位器或可变电阻器。
理想的电阻器是线性的，即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。
用于分压的可变电阻器。
在裸露的电阻体上，紧压着一至两个可移金属触点。
触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。
国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）。
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第一部分：主称 ,用字母表示，表示产品的名字。
如R表示电阻，W表示电位器。
第二部分：材料 ,用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。
1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。
第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻。
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电阻电容型号命名规则
电阻电容型号命名规则一、引言电阻和电容是电子元器件中常见的两种 pass 和存储元件，其型号命名规则直接影响到电子工程师在设计和选择电路时的便利性和准确性。
本文将详细介绍电阻和电容的型号命名规则，帮助读者更好地理解和应用电子元器件。
二、电阻型号命名规则电阻型号一般由字母和数字组成，常见的命名规则包括：2.1 电阻阻值电阻的阻值是其最为关键的信息之一，常用的阻值表示方法有：1.数字表示法：–单位欧姆(Ω)，例如10Ω、100Ω、1000Ω等。
–千欧姆(KΩ)，例如1KΩ、10KΩ等。
–兆欧姆(MΩ)，例如1MΩ、10MΩ等。
2.数字代码表示法：–例如 100代表10Ω，101代表100Ω，102代表1KΩ等。
其中第一位表示有效数字，第二位表示数量级。
2.2 电阻精度电阻的精度是其阻值与标称值之间的偏差，常见的精度表示方法有：1.数字表示法：–例如 1%，5%等。
2.字母代码表示法：–例如 F表示±1%，J表示±5%等。
2.3 电阻功率电阻的功率是指其能够承受的最大功率，常见的功率表示方法有：1.数字表示法：–单位瓦特(W)，例如 0.125W、0.25W等。
2.字母代码表示法：–例如 R表示 0.125W，S表示 0.25W等。
2.4 温度系数电阻的温度系数是指其阻值随温度变化的程度，常见的温度系数表示方法有：1.字母代码表示法：–例如 B表示±100ppm/℃，C表示±200ppm/℃等。
三、电容型号命名规则电容型号一般由字母和数字组成，常见的命名规则包括：3.1 电容电容值电容的电容值是其最为关键的信息之一，常用的电容值表示方法有：1.数字表示法：–单位法拉(F)，例如 1pF、10pF、100nF等。
2.数字代码表示法：–例如 101代表 100pF，104代表 100nF等。
3.2 电容精度电容的精度是其电容值与标称值之间的偏差，常见的精度表示方法有：1.数字表示法：–例如 10%，20%等。
常用电子元器件型号命名法及主要技术参数
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号一．电阻器、电容器、电感器和变压器二．半导体管三．其它电气图形符号第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法表1 电阻器型号命名方法示例：(1)精密金属膜电阻器R J 7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。
电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。
不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。
表2 电阻器的功率等级(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。
根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。
E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。
表3 标称值系列表中数值再乘以10，其中n为正整数或负整数。
(3) 允许误差等级表4 电阻的精度等级3．电阻器的标志容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，表５RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。
元器件型号命名规则
元器件型号命名规则
以下是 7 条关于“元器件型号命名规则”的内容：
1. 哎呀呀，元器件型号的命名规则就像是给它们贴上独特的标签一样！你看，就好比每个人都有自己的名字，那元器件型号就是它们的专属代号呀！比如说电阻，不同的型号代表着不同的阻值和功率，这可不得好好区分清楚嘛！
2. 嘿，你可知道元器件型号命名规则是多么重要吗？这简直就是它们的身份密码啊！就像手机有不同型号，不同元器件的型号也有着各自的特点呢！比如电容，看到型号就能大概知道它的容量啦，是不是很神奇？
3. 哇塞，元器件型号命名规则真的很有趣呢！这其实就和咱们区分各种东西一样自然。
你想想，那些小小的元器件，靠型号来辨别它们的性能和用途，多厉害呀！像二极管，型号不一样，那它的功能也会有差别哟！
4. 元器件型号命名规则呀，那可是指引我们了解它们的灯塔！这就好比我们找路需要地图一样。
比如说集成电路，不同的命名规则让我们能快速知道它的功能和适用范围，是不是超有用？
5. 嘿呀，元器件型号命名规则不就是它们的户口簿嘛！它记录着元器件的各种信息呢。
像电感，从它的型号就能知道好多关键信息呢！
6. 哇哦！元器件型号命名规则可是个大学问呢！就像我们有名字来代表自己一样，元器件也是靠型号让人认识的呢。
比如晶振，不同型号的晶振特性也不一样呀！
7. 哎呀，元器件型号命名规则真的绝了呀！这是多么巧妙的设计呀！它能让我们一下子就区分出不同的元器件。
举例说，不同型号的传感器，功能就大不同呢！
我的观点结论就是：元器件型号命名规则是非常重要且有趣的，值得我们好好去了解和掌握呀！。
常用品牌元器件命名
P 塑料或环氧树脂密封双列直插R 微型“SQ”封装S 塑料四面引线扁平封装T TO-92型封装RS 缩小的微型封装ST 薄型四面引线扁平封装U 薄型微型封装W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插Y 单列直插Z 陶瓷有引线芯片载体高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 6前缀器件编号老化选择电性等级封装形式军品工艺1、器件分类：A DC A/D转换器OP 运算放大器AMP 设备放大器BUF 缓冲器PKD 峰值监测器PM PMI 二次电源产品CMP 比较器PM PMI二次电源产品REF 电压比较器DAC D/A转换器RPT PCM线重复器JANMil-M-38510SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2、器件编号：3、老化选择：4、电性等级：5、封装形式：H 6腿TO-78 J 8腿TO-99 K 10腿TO-100P 环氧树脂B双列直插PC 塑料有引线芯片载体Q 16腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体S 微型封装T 28腿陶瓷双列直插TC 20引出端无引线芯片载体V 20腿陶瓷双列直插X 18腿陶瓷双列直插Y 14腿陶瓷双列直插Z 8腿陶瓷双列直插6、军品工艺：ALTERA产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 6前缀 器件编号 封装形式 温度范围 脚数 速度 1、前缀：EP 典型器件 EPC 组成的EPROM 器件 EPX 快闪逻辑器件 EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列 EPF FLEX 10K 或FLFX 6000系列、FLFX8000系列2、器件编号：3、封装形式： D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装 B 球阵列P 塑料双列直插 R 功率四面引线扁平封装 L 塑料J 形引线芯片载体S 塑料微型封装 T 薄型J 形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装J 陶瓷J 形引线芯片载体 4、温度范围： C 0℃至70℃ I -40℃至85℃ M -55℃至125℃ 5、脚数： 6、速度：AM XX XX XX X X X 1 2 3 4 5 6 7 前缀 系列 生产工艺 器件编号 封装 温度 分类1、前缀： AM 为AMD 公司产品2、系列： 21 MOS 存储器 25 中规范(MSI) 26 计算机接口27 双极存储器或(EPROM) 28 MOS 存储器29 双极微处理器54/74 中规范(MSI) 60.61.66 模拟,双极79 电信80 MOS 微处理器 81.82 MOS 和双极处围电路90 MOS91 MOS.RAM 92 MOS 95 MOS 外围电路 98 EEPROM1004 ECL 存储器104 ECL 存储器 PAL 可编程逻辑陈列3、生产工艺： "L" 低功耗 "S" 肖特基"LS" 低功耗肖特基4、器件编号：5、封装形式： D 铜焊双列直插(多层陶瓷 L 无引线芯片P 塑料双列直插 X 管芯A 塑料球栅B 塑料芯片载体 C.D 密封双阵列列Z.Y.U.K.H 塑料四面引线扁平E 扁平封装(陶瓷扁平) J 塑料芯片载体(PLCC)V.M 薄是四面引线扁平P.R 塑料双列S 塑料小引线封装JS.J 密封双列R 陶瓷芯片载体 A 陶瓷针栅阵陈列E 薄的小引线封装G 陶瓷针栅阵列 L 陶瓷芯片载体(LCC) P 塑料双列直插W 晶片NS.N 塑料双列Q.QS 陶瓷双列直插NG 塑料四面引线扁平封装W 扁平6、温度范围： C 商用温度(0～70)℃或(0～75)℃ M 军用温度(-25～-125)℃N 工业用(-25～85)℃H 商用(0～100)℃ I 工业用(-40～85)℃K 特殊军用(-30～125)℃ L 限制军用(-55～85)℃<125℃7、分类： 没有标志的为标准加工产品,标有"B"的为老化产品ATXX X XX XX X X X12 3 4 5 6前缀 器件编号速度 封装形式温度范围工艺1、前缀： ATMEL 公司产品代号2、器件编号：3、速度：4、封装形式：A TQFP 封装B 陶瓷钎焊双列直插C 陶瓷熔封D 陶瓷双列直插F 扁平封装G 陶瓷双列直插，一次可编程 J 塑料J 形引线芯片载体K 陶瓷J 形引线芯片载体N 无引线芯片载体，一次可编程 L 无引线芯片载体 M 陶瓷模块P 塑料双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装R 微型封装集成电路S 微型封装集成电路 T 薄型微型封装集成电路U 针阵列V 自动焊接封装 W 芯片 Y 陶瓷熔封Z 陶瓷多芯片模块5、温度范围： C 0℃至70℃ I -40℃至85℃ M -55℃至125℃6、工艺：空白 标准B Mil-Std-883，不符合B 级 /883 Mil-Std-883, 完全符合B 级XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6 前缀 器件编号 一般说明 温度范围 封装形式 筛选等级 DAC 87 X XXX X /883B 4 7 8温度范围 输入编码 输出 1、前缀：放大器： OPA 运算放大器 ISO 隔离放大器INA 仪用放大器 PGA 可编程控增益放大器转换器： ADC A/D 转换器 ADS 有采样/保持的A/D 转换器DAC D/A 转换器MPC 多路转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D 和D/A 转换器SDM 系统数据模块 SHC 采样/保持电路模拟函数： MPC 多功能转换器 MPY 乘法器DIV 除法器LOG 对数放大器频率产品： VFC 电压-频率转换器UAF 通用有源滤波器其它： PWS 电源（DC/DC转换器） PWR 电源 REF 基准电压源XTR 发射机RCV 接收机2、器件编号：3、一般说明： A 改进参数性能 L 锁定 Z +12V 电源工作 HT 宽温度范围4、温度范围： H 、J 、K 、L ： 0℃至70℃A 、B 、C ：-25℃至85 ℃ R 、S 、T 、V 、W ：-55℃至125℃5、封装形式： L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插 M 密封金属管帽G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体 U 微型封装P 塑封双列直插6、筛选等级： Q 高可靠性QM 高可靠性，军用7、输入编码： CBI 互补二进制COB 互补余码补偿二进制输输入入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8、输出：V 电压输出I 电流输出XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 6前缀器件编号速度封装形式温度范围工艺1、前缀：CY Cypress公司产品CYM 模块VIC VME总线2、器件编号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO 7C9101 微处理器3、速度：4、封装：A 塑料薄型四面引线扁平封装J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封R 带窗口的针阵列B塑料针阵列L 无引线芯片载体S 微型封装IC D 陶瓷双列直插N 塑料四面引线扁平封装T 带窗口的陶瓷熔封E 自动压焊卷P 塑料U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装F 扁平封装PF 塑料扁平单列直插V J形引线的微型封装G 针阵列PS 塑料单列直插W 带窗口的陶瓷双列直插Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体X 芯片HD 密封双列直插PZ 塑料引线交叉排列式双列直插Q 带窗口的无引线芯片载体HV 密封垂直双列直插5、温度范围：C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军用（-55℃至125℃）6、工艺： B 高可靠性MC XXXX X X (G)1 2 3 4 5前缀器件编号温度封装无铅标志1、前缀：MC 有封装的IC MCC IC芯片MFC 低价塑料封装功能电路MCB 扁平封装的梁式引线IC MCBC 梁式引线的IC芯片MCCF 倒装的线性电路MLM 与NSN线性电路引线一致的电路MCH 密封的混合电路MHP 塑料的混合电路MCM 集成存储器MMS 存储器系统2、器件编号：1500～1599 (-55～125)℃军用线性电路1400～1499;3400～3499 (0～70)℃线性电路:1300～1399.3300～3399 消费工业线性电路3、温度或改型： C 0～70℃ A 表示改型的符号4、封装形式：L 陶瓷双列直插(14或16) U 陶瓷封装G 金属壳TO-5型R 金属功率型封装TO-66型K 金属功率型TO-3封装F 陶瓷扁平封装T 塑料TO-220型P 塑料双列P1 8线性塑料封双列直插P2 14线塑料封双列直插PQ 参差引线塑料封双列(仅消费类器件)封装SOIC 小引线双列封装5、无铅标志：G 无铅产品无标识有铅产品IDT XX XXX XX X X X1 2 3 4 5 6 7前缀系列器件编号功耗速度封装温度1、前缀：IDT为IDT公司产品前缀2、系列：29:MSI逻辑电路39:有限位的微处理器和MSI逻辑电路49:有限位的微处理器和MSI逻辑电路54/74:MSI逻辑电路61:静态RAM 71:静态RAM(专卖的)72:数字信号处理器电路79:RISC部件7M/8M:子系统模块(密封的) 7MP/8MP:子系统模块(塑封)3、器件编号：4、功耗：L或LA低功耗:S或SA:标准功耗5、速度：6、封装：P:塑料双列TP:塑料薄的双列TC:薄的双列(边沿铜焊)TD:薄的陶瓷双列D:陶瓷双列 C:陶瓷铜焊双列XC:陶瓷铜焊缩小的双列G:针栅阵列(PGA) SO:塑料小引线ICJ:塑料芯片载体L:陶瓷芯片载体XL:精细树脂芯片栽体ML:适中的树脂芯片载体E:陶瓷封装 F:扁平封装U:管芯7、温度范围：没标:(0～70)℃B:833B级 (-55～125)℃I:工业级(-40～85)℃XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 6前缀器件编号电性能选择温度范围封装形式脚数1、前缀： D 混合驱动器G 混合多路FET MM 高压开关NE/SE SIC产品ICL 线性电路ICM 钟表电路DGM 单片模拟开关ICH 混合电路IH 混合/模拟门IM 存储器AD 模拟器件DG 模拟开关2、器件编号：3、电性能选择：4、温度范围：A -55℃至125℃ B -20℃至85℃ C 0℃至70℃I -40℃至125℃M -55℃至125℃5、封装形式：A TO-237型 B 微型塑料扁平封装 C TO-220型D 陶瓷双列直插E TO-8微型封装F 陶瓷扁平封装H TO- 66型I 16脚密封双列直插J 陶瓷双列直插K TO-3型L 无引线陶瓷芯片载体P 塑料双列直插S TO-52型T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型U TO-72、TO-18、TO-71型V TO-39型Z TO-92型/W 大圆片/D 芯片Q 2引线金属管帽6、脚数： A 8 B 10 C 12 D 14 E 16 F 22 G 24H 42 I 28 J 32 K 35 L 40 M 48 N 18P 20 Q 2 R 3 S 4 T 6 U 7V 8（引线间距0.2"，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23"，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2"，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23"，5脚接外壳）MAX XXX (X) X X X X 1 2 3 4 5 6 7 前缀器件编号等级温度范围封装形式脚数尾标1、前缀：MAXIM公司产品代号2、器件编号：100-199 模数转换器600-699 电源产品200-299 接口驱动器／接受器700-799 微处理器外围显示驱动器300-399 模拟开关模拟多路调制器800-899 微处理器监视器800-899 微处理器监视器400-499运放900-999 比较器500-599 数模转换器3、指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4、温度范围：C= 0℃ 至70℃（商业级）A = -40℃至+85℃（汽车级）M =-55℃ 至+125℃（军品级）E =-40℃ 至+85℃（扩展工业级）I =-20℃ 至+85℃（工业级）G =-40℃ 至+105℃（AEC-Q100 2级）T =-40℃ 至+150℃（AEC-Q100 0级）U = 0℃ 至+85℃ （扩展商业级）5、封装形式：A SSOP(缩小外型封装) B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装 H 模块封装,SBGAJ CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列LLCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100 U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装（300mil）X SC-70（3脚，5脚，6脚）Y窄体铜顶封装ZTO-92MQUAD/D裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆6、管脚数量：A 8,25,46B 10，64C 12，192D 14,128E 16,144F 22，256G 24,81H 44I 28,57 J 32 K 5,68,265 L 9,40M 7，48,267 N18,56O 42 P 20,96Q 2，100 R 3，84S 4，80 T 6，160U 38,60 V 8（圆形）,30,196 W 10（圆形）,169 X 36 Y 8（圆形）,52 Z 10（圆形）,727、尾标：T或T&TR表示该型号以卷带包装供货＋表示无铅(RoHS)封装-表示未经过无铅认证#表示符合RoHS标装器件拥有无-D或-TD表示器件潮湿灵敏度等级(MSL)大于1供铅豁免权 货时需防潮包装PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX 1 2 3 4 5 6 前缀 器件编号 改进类型 速度和标识 温度范围 封装形式 1、前缀：PIC MICROCHIP 公司产品代号2、编号和类型： C CMOS 电路LC 小功率CMOS 电路 LCS 小功率保护AA 1.8VLCR 小功率CMOS ROM F 快闪可编程存储器HC 高速CMOSCR CMOS ROM LV 低电压 FR FLEX ROM3、改进类型或选择：4、速度及标识： -55 55ns -70 70ns -90 90ns -10 100ns-12 120ns -15 150ns -17 170ns -20 200ns -25 250ns-30 300ns晶体标示： LP 小功率晶体 RC 电阻电容 XT 标准晶体/振荡器HS 高速晶体频率标示： -20 2MHZ -04 4MHZ -10 10MHZ -16 16MHZ -20 20MHZ-2525MHZ -3333MHZ5、温度范围： 空白 0℃至70℃I -45℃至85℃E -40℃至125℃6、封装形式： L PLCC 封装 SP 横向缩小型塑料双列直插 JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插 SS 缩小型微型封装 PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片 TS 薄型微型封装8mm×20mm SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口 SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil PT 薄型四面引线扁平封装 VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil TQ 薄型四面引线扁平封装 ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmLM XXX X X 1 2 3 4系列器件编号温度封装1、系列：AD 模拟对数字AH 模拟混合 AM 模拟单片CD CMOS 数字 DA 数字对模拟LF 线性FEF LH 线性混合 LM 线性单片 LP 线性低功耗LMC CMOS 线性LX 传感器 MM MOS 单片 TBA 线性单片 NMC MOS 存储器2、器件编号： 用3位,4位或5位数字表示3、温度： A 表示改进规范的; C 表示商业用的温度范围线性电路的1XX,2XX,3XX 表示三种温度分别为 (-55～125)℃(-25～85)℃(0～70)℃4、封装形式： D 玻璃/金属双列直插 F 玻璃/金属扁平 H TO-5(TO ～99,TO ～100,TO ～46)J 低温度玻璃双列直插(黑陶瓷) K TO-3(钢的) KC TO-3(铝的)N 塑料双列直插P TO-202(D-40 耐热的) S "SGS"型功率双列直插T TO-220型 W 低温玻璃扁平封装(黑瓷扁平)Z TO-92型E 陶瓷芯片载体Q 塑料芯片载体 M 小引线封装L 陶瓷芯片载体μP X XXXX X 1 2 3 4 前缀 产品类型 器件编号 封装形式 1、前缀： 2、产品类型： A 混合元件 B 双极数字电路 C 双极模拟电路 D 单极型数字电路 3、器件型号： 4、封装形式： A 金属壳类似TO-5型封装 D 陶瓷双列 H 塑封单列直插 L 塑料芯片载体 B 陶瓷扁平封装 E 陶瓷背的双列直插 J 塑封类似TO-92型 M 芯片载体 C 塑封双列 G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体 V 立式的双列直插封装XX X XXX XX1234系列 温度 器件编号 封装 1、系列： 1 数字电路用两位符号区别系列.2 单片电路用两符号表示.第一符号 S 数字电路T 模拟电路U 模拟/数字混合电路第二符号 除"H"表示混合电路外,其它无规定3 微机电路用两位符号表示MA 微计算机和CPUMB 位片式处理器 MD 存储器有关电路ME 其它有关电路(接口,时钟,外围控制,传感器等)2、温度范围： A 没有规定范围 如果器件是别的温度范围,可不标,亦可标"A".B (0～70)℃C (-55～125)℃D (-25～70)℃E (-25～85)℃F -40～85)℃G (-55～85)℃3、器件编号：4、封装： 第一位表示外观C 圆壳封装D 双列直插E 功率双列(带散热片)F 扁平(两边引线)G 扁平(四边引线) K 菱形(TO-3系列)M 多列引线(双.三.四列除外) Q 四列直插R 功率四列(外散热片)S 单列直插 T 三列直插 第二位表示封装材料 C 金属-陶瓷 G 玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍) M 金属P 塑料 (半字符以与前符号混淆)XXX XXX X X XX1 2 3 4 5系列 器件编号 封装 无铅标识 包装 1、系列： DPA 低电压大功率直流解决方案 LNK 替代线性变压器以及阻/容降压解决的方案TNY 具有峰值功率模式大功率范围的高效离线式开关ICTOP 拥有EcoSmart 技术的集成离线式开关电源芯片2、器件编号：3、封装： G SMD-8,SMD-8B 封装 P DIP-8,DIP-8B 封装PFI DIP-8B 封装Y.YAI TO-220封装 R TO263-7C 封装F TO-262封装 4、无铅标识： 空白 有铅产品N 无铅产品5、包装： TL 或Bx 表示XX XXXXX X X1 2 3 4前缀 器件编号 改进类型 封装形式1、前缀： HA 模拟电路HB 存储器模块HG 专用集成电路 HD 数字电路HL 光电器件（激光二极管/LED ）HN 存储器（NVM ） HM 存储器（RAM ） HR 光电器件（光纤） PF RF 功率放大器2、产品编号：3、改进类型：4、封装形式： P 塑料双列 PG 针阵列SO 微型封装C 陶瓷双列直插S 缩小的塑料双列直插G 陶瓷熔封双列直插CP 塑料有引线芯片载体FP 塑料扁平封装CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体LAXXXX 1 2 前缀 器件编号1、前缀： LA 双极线性电路 LB 双九数字电路 LC CMOS 电路 LE MNMOS 电路 LM PMOS.NMOS 电路 SKT 厚腊电路 LD 薄膜电路2、器件编号：普通线性、逻辑器件 M XXX XXXXX XXX X 1 2 3 4 5 产品系列 器件编号速度封装温度1、产品系列：74AC/ACT先进CMOS HCF4XXXM74HC高速CMOS2、器件编号：3、速度：4、封装：BIR，BEY陶瓷双列直插M，MIR塑料微型封装5、温度：普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 7系列工艺器件编号封装速度温度等级1、系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAM TS27 EPROMETC27 EPROM MK41 快静态RAM S28 EEPROMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAM TS29 EEPROM2、工艺：空白NMOS CCMOS L小功率3、器件编号：4、封装： C 陶瓷双列J 陶瓷双列N 塑料双列Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5、速度：6、温度：空白0℃~70℃E -25℃~70℃V -40℃~85℃M -55℃~125℃7、等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8系列类型容量改进等级电压范围速度封装温度1、系列：27EPROM 87EPROM锁存2、类型：3、容量：6464K位（X8）256256K位（X8）16116M位（X8/16）可选择512512K位（X8）10011M位（X8）16016M位（X8/16）1011M位（X8）低电压10241M位（X8）4014M位（X8）低电压20012M位（X8）2012M位（X8）低电压8014M位（X8）40014M位（X8）40024M位（X16）4、改进等级：5、电压范围：空白5V +10%Vcc X5V +10%Vcc6、速度：55 55n 60 60ns 70 70ns80 80ns 90 90ns 100/10 100 n120/12 120 ns 150/15 150 ns 200/20 200 ns250/25 250 ns7、封装： F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）M 塑料微型封装B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8、温度：10℃~70℃6-40℃~85℃3-40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10电源类型容量擦除结构改型Vcc 速度封装温度1、电源：2、类型： F 5V +10% V 3.3V +0.3V3、容量：11M 22M 33M 88M 1616M4、擦除：0大容量1顶部启动逻辑块2 底部启动逻辑块 4 扇区5、结构：0 ×8/×16可选择1 仅×82 仅×166、改型：空白 A7、Vcc：空白5V+10%VccX +5%Vcc8、速度：60 60ns 70 70ns 80 80ns 90 90ns100 100ns 120 120ns 150 150ns 200 200ns9、封装：C/K 塑料有引线芯片载体B/P 塑料双列直插M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插10、温度： 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃3-40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 器件系列类型容量Vcc 速度封装温度1、器件系列：29快闪2、类型： F 5V单电源V 3.3单电源3、容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块100B （128K×8.64K×16）底部块040 （12K×8）扇区200T （256K×8.64K×16）顶部块200B （256K×8.64K×16）底部块080 （1M×8）扇区400T （512K×8.64K×16）顶部块400B （512K×8.64K×16）底部块016 （2M×8）扇区4、Vcc：空白5V+10%VccX +5%Vcc5、速度：60 60ns 70 70ns 80 80ns 90 90ns 120 120ns6、封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插7、温度：10℃~70℃6-40℃~85℃3-40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 6器件系列类型工艺容量改型封装温度1、器件系列：24 12C 25 12C（低电压）93 微导线95 SPI总线28EEPROM2、类型/工艺：C CMOS（EEPROM）E 扩展I C总线W 写保护P SPI总线LV 低电压（EEPROM） CS 写保护（微导线）3、容量：01 1K 02 2K 04 4K 08 8K 16 16K 32 32K 64 64K4、改型：空白 A、 B、 C、 D5、封装： B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6、温度： 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃3-40℃~125℃微控制器编号ST X XX X XX X X1 2 3 4 5 6前缀系列版本器件编号封装温度范围1、前缀：2、系列：62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列 72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3、版本：空白 ROM T OTP（PROM）R ROMlessP 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4、序列号：5、封装：B 塑料双列直插D 陶瓷双列真插 F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装6、温度范围：1.50℃~70℃(民用) 2-40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业)E-55℃~125℃一般IC型号XXXX XXX X XX1 2 6 3前缀器件编号温度封装数字和接口电路XXXX XXXX XXXX XXXX XXXX1 6 42 3前缀温度系列器件编号封装1、前缀：AC 改进的双极电路SN 标准的数字电路TL TII的线性控制电路TIEF 跨导放大器TIES 红外光源TAL LSTTL逻辑阵列JANB 军用B级IC TAT STTL逻辑阵列JAN38510 军用产品TMS MOS存储器/微处理器JBP 双极PMOS 883C产品TM 微处理器组件SNC IV马赫3级双极电路TBP 双极存储器SNJ MIL-STD-883B双极电路TC CCD摄像器件SNM IV马赫1级电路TCM 通信集成电路RSN 抗辐射电路TIED 经外探测器SBP 双极微机电路TIL 光电电路SMJ MIL-STD-883B MOS电路VM 语音存储器电路TAC CMOS逻辑阵列; TIFPLA双极扫描编程逻辑阵列TLC 线性CMOS电路TIBPAL 双极可编程阵列逻辑2、器件编号：3、封装：J.JT.JW.JG 陶瓷双列PH.PQ.RC 塑料四扁平封装T 金属扁平封装LP 塑料三线 D.DW 小引线封装DB.DL 缩小的小引线封装DBB.DGV 薄的超小封装 DBV 小引线封装 GB 陶瓷针栅阵列RA 陶瓷扁平封装 KA.KC.KD.KF 塑料功率封装U 陶瓷扁平封装P 塑料双列 JD 黄铜引线框陶瓷双列 W.WA.WC.WD 陶瓷扁平封装N.NT.NW.NE.NF 塑料双列 MC 芯片DGG.PW 薄的再缩小是小引线封装 PAG.PAH.PCA.PCB.PM.PN.PZ 塑料薄型四列扁平封装FH.FN.FK.FC.FD.FG.FM.FP 芯片载体4、系列： GTL Gunning Transceiver Logic SSTL Seris-Stub TerminatedLogicCBT Crossbar Technolongy CDC Clock-DistributionCircuitsABTE 先进BiCMOS 技术／增强收发逻辑 FB Backplane TransceivrLogic/Futurebust没标者为标准系列 L 低功耗系列 AC/ACT 先进CMOS 逻辑H 高速系列 AHC/AHCT 先进高速CMOS 逻辑ALVC 先时低压CMOS 技术S 肖特基二极管箝位系列 LS 低功耗肖特基系列 BCT BiCMOS 总线-接口技术AS 先进肖特系列 F F 系列（FAST ） CBT Crossbar Techunogy ALS 先进低功耗肖特基 HC/HCT 高速CMOS 逻辑 LV 低压HCMOS 技术 ABT 先时BiCMOS 技术 5、速度： 15 150 ns MAX 取数 17 170 ns MAX 取数 20 200 ns MAX 取数 25 250 ns MAX 取数 35 350 ns MAX 取数 45 450 ns MAX 取数 20 200 ns MAX 取数 3 350 ns MAX 取数 4 450 ns MAX 取数6、温度范围：数字和接口电路系列 55.54 (-55～125)℃ 75.74 (0～70)℃CMOS 电路74表示(-40～85)℃76 (-40～85)℃双极线性电路 M (-55～125)℃ E (-40～85)℃I (-25～85)℃ C (0～70)℃ MOS 电路 M (-55～125)℃ R (-55～85)℃ L (0～70)℃ C (-25～85)℃ E (-40～85)℃ S (-55～100)℃ H (00～55)℃TXXXXXX1 2 3前缀 器件编号 封装1、前缀： TA 双极线性电路 TC CMOS 电路 TD 双极数字电路 TM MOS 存储器及微处理器电路2、器件编号： P 塑封 M 金属封装 C 陶铸封装3、封装形式： F 扁平封装 T 塑料芯载体(PLCC) J SOJD CERDIP(陶瓷浸渍) Z ZIPX XXXXXX X X (-XX) 1 2 3 4 5 6 前缀 器件编号 封装 温度范围 工艺等级存储时间EEPOTX XXXX X X X 1 2 7 3 4 前缀 器件编号阻值封装温度范围串行快闪X XX X XXXX X -X 1 2 3 4 8 前缀 器件编号封装温度范围Vcc 限制1、前缀：2、器件编号：3、封装形式： D 陶瓷双列直插 P 塑料双列直插 M 公制微型封装 Y 新型卡式 E 无引线芯片载体 L 薄型四面引线扁平封装 X 模块 F 扁平封装 S 微型封装 K 针振列 V 薄型缩小型微型封装 J 塑料有引线芯片载体 T 薄型微型封装4、温度范围： 空白 标准 B B 级（MIL-STD-883） E -20℃至85℃I -40℃至85℃ M -55℃至125℃ 5、工艺等级： 空白 标准 B B 级（MIL-STD-883） 6、存取时间（仅限EEPROM 和NOVRAM ）：15 150ns 20 200ns 25 250ns 空白 300ns35 350ns45 450ns 55 55ns 70 70ns 90 90ns 7、前端到末端电阻： Z 1K Ω Y 2K Ω W 10K Ω U 50K Ω T 100K Ω 8、Vcc 限制： 空白 1.8V 至3.6V -5 4.5V 至5.5VVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V -3 3V至5.5-2.7 2.7V至5.5V -1.8 1.8V至5.5VZ XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 7前缀器件编号速度封装温度范围环境特殊选择1、前缀：2、器件编号：3、速度：空白 2.5MHz A 4.0MHz B 6.0MHz H 8.0MHz L 低功耗的，直接用数字标示4、封装形式：A 极小型四面引线扁平封装C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体5、温度范围：E -40℃至100℃M -55℃至125℃S 0℃至70 ℃6、环境试验过程：A 应力密封B 军品级C 塑料标准D 应力塑料E 密封标准7、特殊选择：。
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则2，电容器5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
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一、常用元器件的型号命名方法1.电阻器、电容器、电位器型号命名方法根据国家标准GB2470-81《电子设备用电阻器、电容器型号命名方法》的规定¸电阻器、电容器产品型号一般由以下四部份组成:(1)第一部份用一字母表示产品的主称(2)第二部份用字母表示产品的材料(电阻的导电材料¸电容器的介质材料)(3)第三部份一般用数字表示分类¸个别类型用字母表示(4)第四部份用数字表示序号¸以区分外形尺寸和性能指针(5)举例R J 7 1 型精密金属膜电阻器 C C G 1 型瓶形高功率瓷介电容器1) 2) 3) 4) 1) 2) 3) 4)注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号2.敏感电阻器型号命名方法根据标准SJ1150-82《敏感组件型号命名方法》的规定¸热敏电阻器、光敏电阻器、压敏电阻器、湿敏电阻器、磁敏电阻器、力敏电阻器和气敏电阻器¸这些敏感电阻器的产品型号按下面所述的方法命名。
产品型号由下列四部份组成:第一部份: 主称(用字母表示)第二部份: 类别(用字母表示)第三部份: 用途和特征(用字母或数字表示)第四部份: 序号(用数字表示)第五部份：应用举例M F 4 1 A 普通旁热式负温度系数热敏电阻器1) 2) 3) 4) 区别代号注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号3.电感器型号命名方法这里介绍的是一些习惯上使用的命名方法¸仅供参考●电感线圈的型号命名方法电感线圈的字母组成的型号、代号及其意义如下:第一部份: 主称¸用字母表示(其中L表示线圈¸ZL表示高频或低频阻流圈)第二部份: 特征¸用字母表示(其中G表示高频)第三部份: 型式¸用字母表示(其中X表示小型)第四部份: 区别代号¸用字母表示●变压器型号的命名方法它由三部份组成:第一部份: 主称¸用字母表示第二部份: 功率¸用数字表示¸计量单位用VA或W标志¸但RB型变压器除外第三部份: 序号¸用数字表示例如: DB-60-2 表示为60VA电源变压器一、 固定电阻器、电容器的标志方法1. 直标法是指在阻容组件表面直接标出它的主要参数和技术性能的一种标志方法。
主要参数和技术性能的数值，用阿拉伯数字和文字符号单位标出。
2. 文字符号法是将需要标志出的主要参数与技术性能用文字、数字符合两者有规律的组合起来标志在阻容组件上的一种方法。
3. 色标法是指用不同颜色的带或点在产品表面上标出产品的主要参数的标志方法。
各种颜色所表固定电阻器的色标举例：标称值为27000Ω，允许偏差±5﹪，其表示方法如下：标称值为17.5Ω，允许偏差±1﹪，其表示方法如下：橙色(倍乘) 金色(允许偏差) 紫色(第二位数) 红色(第一位数)二、组件基本概况A. 电阻器1. 作用：在电路中用作负载电阻、分流器、分压器，与电容器配合作滤波器；在电源中作去耦电阻；确定晶体管工作点的偏置电阻；稳压电源中的取样电阻等。
2. 主要参数●标称阻值和允许偏差电阻器的精度计算式为： δ = R - R R × 100﹪R R式中：R 为电阻器实际阻值； R R 为电阻器标称阻值●额定功率电阻器承受功率负荷与环境温度的关系如下图：图中：P 为允许功率；P R 为额定功率；t R 为额定环境温度；t min 为最低环境温度；t max 为最高环境温度。
●电阻温度系数a t ＝ Rt － R 0 R 0（t －t 0）＝ Rt － R 0 R 0（t －t 0） 式中 Rt 为环境温度为t 时的阻值（Ω）R 0 为某一参考温度t 0时的阻值ppm 表示百万分之一以上式中可以看出，温度系数越大，电阻器的热稳定性越差。
●最高工作电压 5u max ＝√P R .R Lj式中P R 为额定功率；R Lj 为临界阻值R Lj 是根据电阻器的额定功率，以及它的结构、尺寸等诸因素而确定的。
在使用电阻器时，当阻值R ＜R Lj 时，工作电压应低于额定电压。
当阻值R ＞R Lj 时，则必须低于最高工作电压，以免产生极间击穿、飞弧现象或烧坏。
●绝缘电阻是指电阻器的电阻体与电阻体外壳（或任何导电安装件）之间所测得的电阻值。
一般在几十M Ω至几G Ω。
(第三位数) (倍乘) (第二位数) (第一位数)(允许偏差)t ℃ （1/0℃） ×106（ppm ）●绝缘电压是指相互连接起来的两端引线与外壳（或绝缘层）或导体安装件之间所能承受的电压值。
一般为最高工作电压的1.5~2倍。
●老化系数为了在较短时间内检验电阻的寿命长短，实际工作中常采用“加速老化”的方法。
据电阻器的类型，过负载一般选择在1.5~3倍。
●电压系数Kv ＝ R 2－R 1R 1（u 2－u 1） 式中u 2、u 1为外加电压；R 2－R 1为对应于u 2、u 1时的电阻值 由于系数表示了电阻值对外加电压的稳定程度。
电压系数大，阻值对电压的依 赖性强；反之则弱。
●高频特性电阻器在交流条件下工作时，随着工作频率的提高，电阻器本身的分布电感和分布电容所起的作用越来越明显。
这对电阻器变为一个由电阻R 0，分布电感L R ，分布电容C R 所组成的电路，如图所示：3.●线绕电阻器它是用高比电阻材料的电阻丝（常用的电阻丝有镍铬合金、康铜）缠绕在陶瓷骨架上制成的。
●膜式电阻器膜式电阻器的基体是圆柱形的陶瓷棒或瓷管，导电体是依附于基体表面的薄膜。
根据所用材料和电阻膜形成工艺的不同，这种电阻器又分为碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、金属氮化膜电阻器、块金属膜电阻器等。
B. 电容器1. 基本概念●电容器是由两个金属电极，中间夹一层电介质构成的电子组件。
电容量在数值等于一各导电极板上的电荷量与两块极板之间的电位差之比值，即：C ＝ Q / U ＝ Q / （U A －U B ）＝ Q / Ed ＝Q / （Qd /εs ）＝εs / d由上式可得知：电容量与电容器极板的有效面积（s ）绝缘介质的介电常数（ε）极板之间的距离（d ）有关。
除上述平板电容器外，还有许多其它结构形式的电容器。
如：卷绕式电容器、圆柱形电容器、球形电容器等。
根据电容器的结构方式，可以推导出相应的计算公式。
譬如：圆柱形电容器： C ＝ 2πεL 球形电容器： C ＝ 4πεR 1R 2 IN （R 2/R 1） 6 R 2－R 12. 作用电容器在电路中，可用于隔直流、滤波、旁路或与电感线圈组成振荡回路等。
3. 主要参数●标称容量与允许误差δ ＝ C －C R ×100%﹪ ×100﹪C R●额定工作电压指电容器在电路中在规定的工作温度范围内，可连续工作而不被击穿加在电容器上的最高电压。
它的大小与电容器所用介质有关。
此外，环境温度不同，电容器能承受的工作电压也不同。
●电容温度系数a c ＝ C 2－C 1 C 1（t 2 －t 1） a c 主要取决于介质材料的温度特性及电容的结构。
a c 越大，则电容随温度的变化也越大。
●电容器的损耗电容器的能量损耗主要由介质损耗和金属部分的损耗组成。
●绝缘电阻电容器的绝缘电阻，在数值上等于加在电容器两端的电压与通过电容器的漏电流的比值，即：R （M Ω）＝电容的频率特性电容器的电参数（如电容量、损耗角正切值等）随电场频率而变化的性质。
在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，因此电容量将相应地减小；与此同时，它的损耗将随频率的升高而增加。
4、电容器的分类●按电容器是否可以调整分为三大类：固定电容器：电容量不能改变（纸介、云母、电解电容等）可变电容器：在一定范围内调节（常用于调整电路中，如接收机的调箔回路） 微调电容器：又称半可变或补偿电容器●所用电介质分：固体有机介质电容器（纸介、有机薄膜介质、纸膜复合介质电容器等） 固体无机介质电容器（云母、陶瓷、玻璃、玻璃铀电容器等）电解电容器（铝、钽、铌电解电容器）气体介质电容器（空气、充气、真空电容器等）液体介质电容器（目前应用不多，介质为矿物油或合成液体）C 、 变压器1、基本概念变压器是变换电压、电流和阻抗的器件。
它是利用互感应原理制成的。
它通常由磁性材料（硅钢片、坡莫合金、铁氧体等）、导电材料（漆包圆铜线）、绝缘材料（线圈骨架、线包间的绝缘层及防潮层等）组成。
2、 主要参数（以电源变压器为例）1）定功率和额定频率2）定电压和电压比3）压调整率电压调整率 ＝ ×100﹪ 3、 空载电流×106U （V ） I L （uA ） 空载电压 － 负载电压 空载电压即变压器次级开路，通过初级的电流4、抗电强度和绝缘电阻抗电强度：在变压器上施加几秒钟到一分钟的试验电压，试验电压值高于变压器的工作电压值，变压器能承受试验电压的程度叫抗电强度.绝缘电阻＝施加电压（V）（MΩ）漏电流（uA）变压器如果绝缘电阻过低，使用中可能出现机壳带电以及产生击穿烧毁。