硅基光电集成
硅基光电材料在光通信中的应用前景
硅基光电材料在光通信中的应用前景光通信是指利用光学技术进行信息传输的一种通信方式，其具有高带宽、低能耗、易扩展等优势，被广泛应用于数据中心、无线通信、光纤通信等领域。
而作为光通信的重要组成部分，硅基光电材料在光通信中具有广阔的应用前景。
本文将从硅基光电材料的特性、光通信中的应用以及其前景展开论述。
一、硅基光电材料的特性硅基光电材料是一种基于硅的新型材料，其具有多种独特的特性。
首先，硅基光电材料具有优异的光学特性，能够实现高效率的光的发射和接收。
其次，硅基光电材料具有可调谐性能，通过控制其结构和化学组成，可以调节其光学性质，实现多波长的传输。
此外，硅基光电材料还具有高温稳定性和机械强度高的特点，适用于各种恶劣环境下的应用。
二、硅基光电材料在光通信中的应用1. 光电探测器硅基光电材料作为光电探测器的主要材料之一，具有优秀的探测性能。
硅基光电探测器能够将光信号快速转化为电信号，实现高速光通信的需求。
此外，硅基光电探测器还具有低噪声、高灵敏度等特点，能够提升光通信系统的性能。
2. 光放大器光放大器是光通信系统中重要的功能器件之一，其可以将光信号进行增强，提高信号传输的距离和质量。
硅基光电材料可以作为光放大器的掺杂材料，实现高增益和低噪声的放大效果。
通过硅基光放大器的应用，可以提高光通信系统的传输能力和覆盖范围。
3. 光开关光开关是光通信系统中实现光信号切换和路由的重要器件，其能够实现光信号的快速转换和调度。
硅基光电材料通过光调制的方式，可以实现快速、高效的光开关效果。
硅基光开关具有体积小、功耗低、速度快等特点，是未来光通信系统中的关键器件。
三、硅基光电材料在光通信中的应用前景硅基光电材料作为光通信领域的重要技术之一，其应用前景广阔。
首先，硅基光电材料具有成本低、制造工艺成熟等优势，在大规模生产中具有较高的经济性。
其次，硅基光电材料的特性可以与传统的硅光子学器件相结合，形成复杂的光集成电路，进一步提高光通信系统的集成度和性能。
硅光子集成电路工作原理
硅光子集成电路工作原理硅光子集成电路是一种基于硅材料的光子集成电路技术，利用硅的优良物理和光学特性，实现了在同一芯片上集成光源、调制器、耦合器和探测器等多个光子器件，从而实现光与电的高效互转。
硅光子集成电路具有体积小、功耗低、速度快和集成度高等优点，广泛应用于光通信、光传感和计算等领域。
一、光的发射：二、光的传输：硅光子集成电路中的光传输主要依靠硅波导来实现。
硅波导是一种基于硅材料的光导结构，其原理是利用硅的高折射率和低损耗特性，通过在硅层上进行局域的折射，使光能在波导内部传输。
硅波导可分为彩色波导和灰色波导两种，彩色波导是指其截面尺寸小于光波长的波导，灰色波导是指其截面尺寸与光波长接近的波导。
硅波导通过设计适当的结构，可以实现对光的传输进行调控。
例如，通过改变波导的宽度、高度或层厚等参数，可以调节波导的折射率，从而控制光的传播速度和模式。
此外，还可以引入光栅、阵列波导等结构，进一步对光进行分光、分步和耦合等操作。
三、光的检测：光经过波导的传输到达探测器时，需要被探测器接收并转换成电信号。
常用的硅光探测器有PN结光二极管、内部光电效应器件等。
PN结光二极管是一种利用光电效应实现光电转换的器件，当光照射到PN结上时，光子能量被吸收并激发束缚电子跃迁至导带，产生电流。
这种光二极管具有高速响应、低噪声、高效率等特点，适合用于光通信和光传感应用。
内部光电效应器件是一种新型的光电转换器件，采用了与传统硅探测器不同的结构。
通过在PN结上引入F-P（菲涅耳-普朗克）共振腔或谐振器等结构，实现了对光的增强吸收，并提高了探测器的响应速度和灵敏度。
内部光电效应器件具有高效输出、紧凑结构和宽带特性等优点，适用于高性能光通信系统。
总之，硅光子集成电路的工作原理是在硅材料上通过光的发射、传输和检测等过程，实现光与电的相互转换。
硅波导作为光传输的核心部分，通过设计合理的结构和参数，实现对光的调控和控制。
探测器则将光转换为电信号，并进行相应的处理和分析。
硅光子集成电路
硅光子集成电路
硅光子集成电路（Silicon Photonic Integrated Circuit，简称SiPh IC）是一种利用硅基材料制造的集成电路，旨在实现光子和电子设备的集成。
它涵盖了多种光电子元件，例如激光器、调制器、光检测器、波导器等，可以实现复杂的光通信和信息处理功能。
硅光子集成电路的制造使用了类似于传统CMOS电路制造的工艺。
该工艺首先在硅衬底上开刻出各种工作区域，然后在这些区域内进行多层蒸镀和光刻工艺，最终形成三维结构。
由于硅基材料具有良好的光学特性、热特性和生产成本低等优点，它可以被广泛用于制造光子集成电路。
硅光子集成电路优势包括：
1. 高速：与传统电连接电路相比，硅光子集成电路具有更高的速度和带宽。
2. 低能耗：相同带宽下，硅光子集成电路的能耗更低。
3. 集成度高：硅光子集成电路将多种光电子元件进行集成，可以实现更加紧凑的电路板，占用更少的空间。
硅光子集成电路具有广阔的应用前景，例如高速数据传输、光路由、数据中心、医学成像和传感器等。
相信随着科技的进步，硅光子集成电路将会得到更加广泛的应用。
硅基光电器件的缺陷
硅基光电器件的缺陷
硅基光电器件是一种主要用于光通信、光传感和光电子集成电路的器件。
但是，由于其制备工艺的复杂性和成本的限制，硅基光电器件常常存在各种缺陷，影响其性能和可靠性。
其中，最常见的缺陷是晶格缺陷，包括点缺陷和线缺陷。
点缺陷主要有氧空位、硅间隙、铁等杂质原子，这些点缺陷会影响硅的光电性能和稳定性。
线缺陷包括螺旋线缺陷、晶界等，这些线缺陷会导致硅基光电器件的光学特性和电学特性受到影响。
此外，硅基光电器件还可能存在表面缺陷和工艺缺陷。
表面缺陷包括氧化层缺陷、金属污染等，这些缺陷会影响硅基光电器件的光学特性，降低光电转换效率。
工艺缺陷包括光刻偏差、氧化层质量等问题，这些缺陷会影响硅基光电器件的加工精度和稳定性。
因此，在制备硅基光电器件时，需要注意各种缺陷的产生和处理方法，以提高硅基光电器件的性能和可靠性。
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硅基光集成
硅基光集成
硅基光集成技术是一种前沿的光电子技术，它将光子学和电子学相结合，利用硅材料的优势，在集成电路中实现了光信号传输和处理。
这种技术的出现，不仅为现代通信和计算领域带来了巨大的改变，也为人类的生活和工作带来了许多便利。
硅基光集成技术的应用范围非常广泛。
在通信领域，它能够提供高速、高带宽的数据传输，使得互联网的速度更快、更稳定。
在数据中心中，硅基光集成技术能够实现大规模的数据传输和处理，有效解决了数据中心的瓶颈问题。
此外，硅基光集成技术还可以应用于传感器、医疗设备、光学存储等领域，为这些领域的发展提供了新的机会。
硅基光集成技术之所以能够取得如此重要的突破，主要得益于硅材料的优越性能。
硅材料具有优异的光学特性和电学特性，能够实现高效的光电转换。
同时，硅材料的制备工艺成熟，成本较低，易于大规模生产。
这使得硅基光集成技术具有了广泛的应用前景。
然而，硅基光集成技术也面临着一些挑战。
首先，虽然硅材料具有优异的光学特性，但其光电转换效率仍然有限。
为了提高硅基光集成技术的性能，需要进一步研究和探索新的材料和器件结构。
其次，硅基光集成技术在集成度和稳定性方面还存在一些问题，需要通过技术改进和优化来解决。
总的来说，硅基光集成技术是一种非常有前景的光电子技术，它将光子学和电子学相结合，为现代通信和计算领域带来了巨大的改变。
随着技术的不断进步和发展，相信硅基光集成技术将在更多的领域得到应用，为人类的生活和工作带来更多的便利和可能性。
硅基光电器件的研究进展与应用
硅基光电器件的研究进展与应用硅基光电器件是一类具有广泛应用前景的器件，其研究和应用在近年来取得了较为显著的进展。
本文将从硅基光电器件的基本结构、研究进展和应用三个方面来进行论述。
一、硅基光电器件的基本结构硅基光电器件是利用硅材料制作的光电器件，其基本结构包括光电二极管、光感测器、光调制器等。
其中，光电二极管是最早应用最广泛的硅基光电器件。
它主要有PN结和PIN结两种结构，PN结的光电转换效率较低，PIN结由于在i区引入掺杂剂，能够增加载流子密度，提高光电转换效率。
光电二极管常用于光信号的接收、激光测距、通讯等方面。
光感测器是一种基于硅材料制备的红外探测器，其通过吸收红外辐射产生的光生电子为载流子，进而实现探测功能。
它具有灵敏度高、响应速度快等优点，在红外光学、安防监控等领域有着广泛的应用。
光调制器是硅基光电器件中的一种重要器件。
它可以通过电场或光场控制光的传输和调制，实现调制信号的传输和处理。
光调制器与光纤互相作用，广泛应用于光通讯领域。
二、硅基光电器件的研究进展随着材料合成、加工技术和相关理论的不断发展，硅基光电器件的研究也得到了快速的进展。
近年来，主要有以下几方面的研究成果：1. 硅基光电器件的新材料研究。
硅基光电器件的性能受到材料特性的限制，新材料的引入是改善其性能的关键。
近年来，研究者们使用过渡金属硅凝胶 (TMOS)和二甲基硅烷 (DMS) 等材料制备了一系列的二氧化硅、硅基氧化铝和氮掺杂二氧化硅薄膜。
这些新材料在提高硅基光电器件性能方面取得了巨大的进展。
2. 光调制器的高速化。
在现今高速通讯的大环境下，为了适应高速、大容量的信息传输需求，光调制器的速度已成为研究的热点问题。
目前，研究者们主要通过提升光调制器的带宽来解决这个问题，研制出了高速、高灵敏度的硅基光调制器。
3. 硅基光电器件的微纳加工。
现今，微纳加工技术的不断进步，对硅基光电器件研究的影响越来越明显。
在微纳加工技术的基础上，研究者们成功地制备了纳米结构、纳米传感器等硅基光电器件，并在生物医学等领域展开了广泛的应用。
硅基光电芯片
硅基光电芯片硅基光电芯片是一种集成了光电器件和电子器件的芯片，利用硅材料作为基底，通过工艺制造出光导波导、光调制器、光检测器等器件，实现光信号的收发和处理。
它是集成光电子学和微电子学技术的产物，具有小尺寸、低能耗、高速传输等优势，被广泛应用于通信、计算机、传感器等领域。
硅基光电芯片的核心技术是硅材料的光学特性的改善。
传统的硅材料在可见光波段下具有较高的吸收率和较低的折射率，对光信号的传输及处理有很大的限制。
因此，为了提高硅材料的光学特性，研究人员采用了一系列技术手段，如谐振腔、量子点、光子晶体等，通过改变硅材料的结构和物理性质，使其在光波长下具备良好的光学特性。
在硅基光电芯片中，光导波导起着将光信号从一个地方传输到另一个地方的作用。
光导波导是利用硅材料的高折射率与低折射率的界面反射，实现光信号的传输。
一般来说，硅基光电芯片中采用的光导波导是一种方形或者圆形的结构，其尺寸比较小，具有良好的集成性能。
除了光导波导之外，硅基光电芯片还包括了光调制器和光检测器等光电器件。
利用光调制器可以改变光信号的特征，如调制光的强度、相位和频率等，实现对光信号的调控。
光调制器一般使用电场效应或者热效应来实现对光信号的调制。
光检测器则是用来将光信号转化为电信号的器件，其主要原理是硅材料在光照下产生电荷，通过引线将电荷收集并转化为电信号。
硅基光电芯片的优势主要体现在以下几个方面。
首先，硅材料是一种广泛应用于集成电路制造的材料，具有丰富的工艺技术和设备，所以制造硅基光电芯片的成本相对较低。
其次，硅基光电芯片可以与现有的硅基电子芯片进行集成，实现光电子设备和微电子设备的共同发展，提高系统的集成度和性能。
此外，硅基光电芯片具有高速传输和低能耗的特点，适用于高速通信和计算应用等。
然而，硅基光电芯片也面临一些挑战和限制。
由于硅材料的本身的吸收率较高，传统的硅基光电芯片在可见光波段下的损耗较大，限制了光信号在芯片内的传输距离和功率。
硅基集成芯片制造工艺原理
硅基集成芯片制造工艺原理一、引言硅基集成芯片是现代电子设备中不可或缺的重要组成部分。
它是由微米甚至纳米级别的晶体管、电容器、电感等被集成在一起，形成一个完整的电路系统。
本文将详细介绍硅基集成芯片制造工艺原理。
二、晶体管制造工艺1. 晶圆清洗晶圆清洗是整个制造过程中非常重要的一步。
它可以去除表面污染物，减少对后续工艺的影响。
通常使用酸碱溶液交替浸泡来清洗晶圆。
2. 氧化层生长氧化层是保护晶体管的重要层，能够防止外界杂质进入芯片内部。
在这个步骤中，需要将晶圆置于高温高压气氛下，使得表面形成一层氧化物。
3. 光刻光刻是将设计好的图案转移到硅片上的关键步骤。
在这个过程中，需要使用光刻胶来掩盖不需要被加工的区域，然后通过曝光和显影等步骤来形成所需图案。
4. 电子束曝光电子束曝光技术可以实现更高的分辨率，因此在一些高端芯片的制造中被广泛使用。
它与传统的光刻技术不同，使用的是电子束来进行曝光。
5. 离子注入离子注入是将杂质离子注入晶体管中，改变其导电性能的过程。
这个步骤可以通过控制注入剂量和深度来实现对晶体管性能的精确控制。
6. 金属化金属化是将金属材料沉积在晶体管上，形成导线和接触等结构。
这个过程需要在真空环境下进行，以保证金属材料与晶体管表面充分结合。
三、封装工艺1. 芯片切割芯片切割是将大面积硅片切割成单独芯片的过程。
通常使用钻孔或者磨料来完成这个过程。
2. 焊盘制作焊盘是连接芯片和外部器件的重要部分。
它需要在基板上形成一定厚度的金属材料，并且需要保证与芯片引脚位置准确对应。
3. 封装封装是将芯片放置在外壳中，并通过焊接等方式与外部器件连接的过程。
这个过程需要保证封装材料与芯片充分结合，同时也需要考虑散热问题。
四、总结硅基集成芯片制造工艺是一个复杂而又精细的过程。
它需要多种工艺相互配合，才能最终形成一个完整的芯片系统。
在未来，随着技术的不断进步，硅基集成芯片制造工艺也会不断更新和改进。
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si基siO2光波导材料
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sl基siO2光波导材料已广泛用于研制光干涉仪,热光开关阵列,分/台束器,放大 器,窄带滤波器,方向耦台器,阵列波导光栅(AwG)等光通讯用器件以及谐振型光 学陀螵仪的环形谐振腔等.其制备方法有火焰水解法(FHD),化学气相沉积(cVD), 溶胶凝胶法(soI Gel)等. FHD工艺是通过控制H2,O2,sicl4的流量在si衬底上沉积并经过高温固化后得到 达几十um厚的slO2薄膜.此法可以掺GeO2或TiO2来调节折射率,结合RIE工艺可 以制作损耗小于0.6 dBcm-1(λ=1.55um)的二维或三维波导.slO2层的残余应力, 均匀性等影响光传输的因紊与制备工艺的关系有待深入研究与实践. CVD:蒸发正硅酸乙脂(TEOS)形成sio2过渡层(约10um)到si衬底上,再沉积掺锗的 SiO2层作为波导层,利用图形掩膜并经过刻蚀形成波导条后再沉积不掺杂siOz包 层,所得的3dB分束器的损耗低于.05dBcm.此法的最大优点是与半导体工艺相 容,沉积的siO:膜厚及膜的残余应力可控. 采用Sol—Gel工艺"63制备光波导材料的原料有正硅酸乙脂(TEosAP级),乙醇 (cP级)与异丙醇(cP级)的混合物,去离子水,盐酸(AP级.作催化剂用),用Sol— Gel工艺得到凝胶膜后,在有一定湿度的气氛中进行热干燥处理,摄后得到SiO: 光波导薄膜材料.可以通过调整原料配比,控制干燥过程的相对湿度和升温速率来 调控材料的应力以至于不开裂,但厚度难以控制,制各材料的时间较长(数天),波 导层与包层的折射率匹配不易调控.因为si与sio.的晶格常数的差异,S.J一6eJ 工艺制备的SiOz层的厚度通常只有不足lpm,太厚容易产生裂纹l且由于 上海集成电路研发中心 二者折射事相差太大而引起辆台失配.
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集成片上天线设计及制造技术
硅基材料从微电子领域拓展到硅基光电子领域的研究进展神速. 硅基材料从微电子领域拓展到硅基光电子领域的研究进展神速. GeSi/Si超晶格和低维Si材料的发光现象已被发现 可以作为PlC 超晶格和低维Si材料的发光现象已被发现, PlC, GeSi/Si超晶格和低维Si材料的发光现象已被发现,可以作为PlC, EIC的光源 GeSi/Si多量子阱(MQW)波导探测器及其与波导的耦 的光源. 多量子阱(MQW) 0EIC的光源.GeSi/Si多量子阱(MQW)波导探测器及其与波导的耦 合器件已研制成功.开始向探测器陈列发展;PtSi/Si肖特基势 合器件已研制成功 . 开始向探测器陈列发展 ; PtSi/Si 肖特基势 垒光电二极管(SBT)实用器件的探测范围可达1 (SBT)实用器件的探测范围可达 um.IrSi/Si肖 垒光电二极管(SBT)实用器件的探测范围可达1～6um.IrSi/Si肖 特基势垒探测器的探测范围可达1 13. um,它在8 14um um范围 特基势垒探测器的探测范围可达1.1～13.2um,它在8～14um范围 有巨大潜力.硅基光波导的传输损耗已降至1dB.cm. 有巨大潜力.硅基光波导的传输损耗已降至1dB.cm.其制备技术 与硅微电子技术兼容,为进一步研制相关的PIC OEIC器件奠定 PIC, 与硅微电子技术兼容 , 为进一步研制相关的 PIC , OEIC 器件奠定 了坚实的基础.Si基 光波导(如阵列波导光栅,AWC)已推向市 了坚实的基础.Si基SiO2光波导(如阵列波导光栅,AWC)已推向市 推动了硅基光波导研究的迅猛发展. 场,推动了硅基光波导研究的迅猛发展.
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SOI光波导材料
SOI(Silicon on InsulatoT)波导材料的制备方法有区熔再结晶(ZMR),直接链合 与背刻蚀(SDB—BE),氧离子注入隔离(sIMOx)等.zMR—sOI光波导的损耗 太大.sDB—BE—sOI的硅单晶层质量好,但厚度及其均匀性的控制较难.相 对而言,SIMox-s0I是比较理想的光波导材料,但是由于氧离于注入形成的 siO2层的厚度一般不超过0.5um,它对光的限制还相当有限.另外.由于单模 条件的限制,且s-与Sioz的折射率差别很大,导光的st层仅需要不足0.3um 厚.其脊形波导与光纤耦合时需用过渡透镜等光学元件,sOl光波导分为平板 波导和条形波导.对于sOl平板光波导而言,根据模色散曲线的重合性,Sio. 层只需o.2pm就足够厚了m].sOI平板光波导中导波层的吸收损耗中t本征吸 收限为1.1pm.不在1.3～1.6}啪的窗口,所以本征吸收是根小的.非本征 吸收在室温时主要是自由裁流子吸收.sOI平板光波导导模的尊模总吸收损耗 <o.2dBcm～,sIO.屡有泄露损耗".A,F.Eva璐等m3通过调节sOI脊 型波导的宽高比,研制的大截面sOI脊型光波导对x二1.31pm光的TE.(TM.) 模的传输损耗≤2.6 dBcm.
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GexSi1-x/Si光波导材料 迄今为止,GeSi材料已广泛用于研制光波导,MQw红外光探测器,光 波导调制器,光波导定向耦合器,X和Y型光波导分支器.研制GexSi1x/Si光波导材料的方法有MEB(分子束外延),CVD,Ge扩散法等.
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硅基光电集成
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内容
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光子集成回路(Photon Integrated Circuit,PIC)和光电子集 成回路(Optic Electronics Integrated Circuit,OEIC)不仅可 以在大容量,高保密的光纤通信中应用,而且能在光学遥 感,传感,光互联,光计算,光数据存储及光电显示等领 域发挥重要作用. PIC和OEIC是在光纤通讯和计算机的高速发展下提出来 的.在电子计算机中列入光互连,被称为混合光/电子计算 机.用PIC取代集成电路,就是光计算机.无论用PIC还是 OEIC取代集成电路,开展硅基PIC , OEIC的研究是必由 之路.
Si基GaAs/GaAIAs光波导材料
MOCVD制备丁高性能的GaAs/GaAlAs/GaAs/Si材料.其制备步骤为: ①用直接生长法在1000.c的H.+AsH:气氛下对硅片预处理; ②在400～450c的TMG+H2+AsH3气氛下生长过渡层20～25nm ⑤在700～750C的TMG+H2+AsH3气氛下生长GaAs层1.0～1.5um; ④在720～750C的TMG+H2+TAM+AsH3气氛下生长Ga0.7AI0.3As层约2.0um; ⑤在700～750C的TMG+H2+AsH3,气氛下生长GaAs波导层0.42um.
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硅基光波导器件的结构决定了它的用途,其性能的差异决定于构成硅基光波 导材料的微结构及其材料各层之间的界面,这与材料的加工及成型技术密不 可分.当前的三屡结构光波导,是利用薄膜淀积技术先在衬底上生长过渡层 再生长芯层,或者直接生长芯层,经过十法或者湿法腐蚀得到所需的波导芯 后再沉积包层(或以空气作包层).所得波导芯形状主要是矩形或梯形,它与 包层的界面小是严格完整的圆柱面,它对光线的反射角不完垒相同,有些满 足垒反射.其余的则不然,逸就引起光波场分布的小均匀,因而有泄露波, 导致界面衰减波的玻印廷矢量不为o.即存在光的隧穿效应.因此传输损耗 集中在光渡导与芯层的界面.不同的薄膜加工技术或者同一薄膜加工技术采 用不同的工艺参数,所得的波导芯与衬底丑包层的界面态就不同,所引起损 耗的大小随之不同
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简介
硅 基 PIC , 硅 基 OEIC 芯 片 包 括 异 质 结 晶 体 二 极 管 电 路 , 激 光 二 极 管及其驱动/保护电路,光放大器,调制器,光开关,耦合器,快速 光探测器,小面反射器,分束/合束器,光波导,光纤等,技术上与 微 电 子 工 业 的 CMOS 工 艺 兼 容 , 只 需 对 光 波 导 器 件 , 光 探 测 器 件作适当调整".
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硅基光波导材料及其光传输损耗 1.1 外延硅材料(n—si/n+一si,p—si/p+一si) 利用SiH4,SiCl4在约1160C温度下的分解井同时掺杂,可在商 业n+-Si,p+Si片上沉积而得n-si/n+-Si,p-Si/p+-Si.衬底掺杂高 达10+19cm-3,外延层掺杂可低到10+13cm-3.对本征Si单 晶,λ=1.30um.其折射率n=3.505; λ=1.55um ,其折射率 n=3.480;由于自由载流子浓度的增加,其折射率下降(△n)和 吸收系数增大(△a),这称之为等离子体色散效应. △n可达10e-2量级,所以等离子体色散效应是比较明显并 可以利用的,可用于制作Si外延光波导及硅电学调制开关等有 源或无源器件.外延硅波导材料主要是微电子工业用的si (111)(用于CMOs电路).Si(100)(用于双极型电路)片. 外延硅波导器件的插入损耗低,与光纤的耦台效率高.但由 于衬腐高浓度的载流子对光能量吸收使传输损耗过大,其波导 芯与包层的相对光折射率差较小,导致弯曲光波导的曲率半径 大,器件的尺寸也就大.制约了集成度的提高. 上海集成电路研发中心
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RFID芯片设计及制造技术
20世纪70年代之前,曾认为硅不具有线性光电效应(Pockels效应)和受激辐射效应, (Pockels效应 20世纪70年代之前,曾认为硅不具有线性光电效应(Pockels效应)和受激辐射效应, 世纪70年代之前 很少开展硅基PIC 硅基OEIC 的研究. 主要集中在LiNbO PIC, OEIC的研究 族化合物的PIC PIC, 很少开展硅基 PIC , 硅基 OEIC 的研究 . 主要集中在 LiNbO3 或 Ⅱ 一 V 族化合物的 PIC , OEIC上 20世纪80年代后期开始 硅的上述两个缺陷被克服.首先. 世纪80年代后期开始, OEIC上.从20世纪80年代后期开始,硅的上述两个缺陷被克服.首先.硅的电光效应 已被发现,即电场施加在光正在传输的介质上引起光折射率的变化,分为两类: 已被发现,即电场施加在光正在传输的介质上引起光折射率的变化,分为两类:直接 电光效应——电场直接引起介质光学折射率的变化, Kerr效应 间接电光效就—— ——电场直接引起介质光学折射率的变化 效应; 电光效应——电场直接引起介质光学折射率的变化,如Kerr效应;间接电光效就—— 电场间接引起介质折射率的变化.包括FranzKeldysh效应和等离子体色散效应(the FranzKeldysh效应和等离子体色散效应 电场间接引起介质折射率的变化 . 包括 FranzKeldysh 效应和等离子体色散效应 (the Plasma Dispersion Effect , 也 称 为 载 流 子 折 射 效 应 (the carrier Refrection Effect).其中等离子体色散效应相当显著,足以实现电光调制.其次, Effect).其中等离子体色散效应相当显著,足以实现电光调制.其次,纳米多孔基 及纳米颗粒基硅材料的发光现象已被发现.硅材料还具有其它独特的优点. 及纳米颗粒基硅材料的发光现象已被发现.硅材料还具有其它独特的优点.作为半导 体领域中应用最广泛的一种材料,其成本低,加工工艺最为成熟. um的波 体领域中应用最广泛的一种材料,其成本低,加工工艺最为成熟.在1.3～1.6um的波 长范围内,硅是透明的,正处于石英光纤长波( 31um um, 55um)低损耗窗口的范围. um)低损耗窗口的范围 长范围内,硅是透明的,正处于石英光纤长波(1=1.31um,1.55um)低损耗窗口的范围. 硅还是光电转换材料,可用于制各液晶显示器(LCD) 太阳能电池等. (LCD), um波 硅还是光电转换材料,可用于制各液晶显示器(LCD),太阳能电池等.1.3～1.6um波 段的全硅雪崩二极管PtSi肖特基二极管探测器业已应用,可以相信研制1 PtSi肖特基二极管探测器业已应用 um波 段的全硅雪崩二极管PtSi肖特基二极管探测器业已应用,可以相信研制1.3～1.6um波 段的硅集成光路成为可能. 段的硅集成光路成为可能.