AMD平台超频手册——高级篇

AMD平台超频手册——高级篇一、如何进一步优化内存参数，提升系统性能？1.步步进阶，AMD K8内存参数逐个抓面对着AMD K8处理器众多的内存控制参数，我们应该如何根据自身的实际情况，进行相关的内存参数优化，来进一步的提升我们的系统性能呢？你都了解上述这些参数设置的意义吗？它们会对性能有哪些的影响呢？下面就让我们逐个逐个为大家介绍。

CAS Latency Control（tCL）Settings = Auto，1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5这是最重要的内存参数之一，通常玩家说明内存参数时把它放到第一位，例如3-4-4-8@275mhz，表示cl为3。

通常2可以达到更好的性能，但3能提供更佳的稳定性。

值得注意的是，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。

CAS表示列地址寻址（Column Address Strobe or Column Address Select），CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。

因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。

内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。

一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。

首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。

期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。

所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。

同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。

这个参数越小，则内存的速度越快。

必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2。

5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。

而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

影响：主要影响稳定性，轻微影响带宽建议设置：1.5，2，2.5，和3RAS to CAS Delay（tRCD）Settings = Auto、0、1、2、3、4、5、6、7这个是说明内存参数时排到第二位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRCD为4。

该参数可以控制内存行地址选通脉冲（RAS，Row Address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。

对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。

在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3。

同样的，调高此参数可以允许内存运行在更高的频率上，用户超频内存遇到困难时可以尝试提高tRCD。

影响：主要影响带宽和稳定性建议设置：2-5。

2能达到最高性能，为达到内存最高频率可设为4或5。

MinRAS Active Timing（tRAS）Settings = Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。

这个是说明内存参数时排到第四位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRAS为8。

这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（tRAS），它表示一个行地址从激活到复位的时间。

tRAS过长，会严重影响性能。

减少tRAS可以使得被激活的行地址更快的复位，然而，tRAS太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。

最佳设置是越低越好。

通常，tRAS应该设为tCL+tRCD+2个时钟周期。

例如如果tCL和tRCD分别为2和3个时钟周期，则最佳的tRAS值为7。

但如果产生内存错误或系统不稳定，就必须提高tRAS值了。

事实上tRAS是极具争议的一个数值。

很多人认为00，05或者10是最快最稳定的。

但这也未必对每个用户都适用，它根据内存有所不同。

通常设为10后内存能达到最好的超频能力。

影响：轻微影响带宽和稳定性建议设置：00，5-10。

RowPrecharge Timing（tRP）Settings = Auto，0，1，2，3，4，5，6，7这个是说明内存参数时排到第三位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRP为4。

tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。

tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。

然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。

因此，在稳定的前提下建议tRP设为2，万一不够稳定就必须增加到3或4。

影响：主要影响带宽和稳定性简直设置：2-4。

2为最佳性能，4-5能达到内存的极限频率。

RowCycle Time（tRC）Settings = Auto，7-22，步进为1。

这个参数用来控制内存的行周期时间。

tRC决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是从行激活到行充电的时间。

根据方程，tRC=tRAS+tRP。

因此，在设定tRC之前，必须参考一下tRAS和rRP的数值。

如果行周期时间过长，会延迟完成一个周期后激活新的行地址的时间。

然而，太短会导致被激活的行还未充分充电就开始下一个初始化，这样会造成数据丢失或覆盖。

一般情况下根据tRC= tRAS + tRP 把tRC设为一个较低的值，例如tRAS 为7个时钟周期，tRP为4个时钟周期，则理想的tRC值为11。

影响：主要影响稳定性和内存带宽建议设置：7为最佳性能，15-17为超频建议参数，可以从16开始逐步调低直到稳定。

记住公式tRC = tRAS +tRP 。

RowRefresh Cycle Time（tRFC）Settings = Auto，9-24 ，步进为1。

这个设定代表在同一bank中刷新一个单独的行所需的时间。

同时还是同一bank中两次刷新指令的间隔时间。

tRFC应该比tRC高。

影响：主要影响内存带宽和稳定性。

建议设置：通常不能达到9，而10为最佳设置。

17-19是内存超频建议值。

可以从17开始逐步往下调节。

大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。

Rowto Row Delay（也称为RAS to RAS delay）（tRRD）Settings = Auto，0-4，步进1此参数表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电时间。

延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。

然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。

对于桌面电脑，建议使用2个时钟周期的延迟，此时的数据膨胀可以忽视。

tRRD设为2可以提高DDR内存的读写性能，当2才稳定时才应该设为3。

影响：轻微影响内存带宽和稳定性建议设置：00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。

通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。

WriteRecovery Time（tWR）Settings = Auto，2，3。

tWR表示，在一个内存bank被充电之前，一个有效的写操作完成后延迟的时间。

这个延迟保证了在充电之前写缓冲里的数据就能被写入内存单元。

延迟越短，说明花更少的时间就能对下一次读写操作充电，但同时也有覆盖数据的可能。

我的建议是，使用DDR266和DDR200时可以设为2，但DDR333和DDR400可能不一定稳定，这样就必须设为3。

总之在稳定的前提下尽量降低延迟。

影响：轻微影响内存带宽和稳定性建议设置：2为最佳性能，超频用户可以考虑3。

Writeto Read Delay（tWTR）Settings = Auto，1，2这个参数控制写数据到读指令的延迟，它表示在同一bank中，最近的一次有效写操作到下一次读指令间隔的时钟周期。

1个时钟周期自然可以提供从读到写更快速的切换。

设为2会影响读数据的速度，但但提高稳定性，尤其是高频时。

换句话说，对内存超频的玩家，我们建议设为2。

通常DDR266和DDR333都能稳定运行在1，这样内存的读速度会更快。

当然DDR400的用户也能尝试着设为1，但如果不稳定就必须降到2了。

tWTR表示读到写的延迟。

三星把这个参数称之为TCDLR（last data in to read command），JDED规格中把它定为一个时钟周期。

影响：轻微影响内存带宽和稳定性建议设置：1是最佳性能，超频内存时建议设为2。

Readto Write Delay（tRTW）Settings = Auto，1-8 ，步进1tRTW不是一个标准的内存时序参数，当内存控制器接收到一个读指令后立即又收到一个写指令，在写指令执行之前，会产生一个额外的延迟。

较低的延迟可以提高内存子系统的写速度。

如果想快速的完成读到写的转换，建议设为1个时钟周期。

但显然并非所有的内存都能达到这个要求，不稳定时也会出现数据覆盖的错误。

影响：轻微影响内存带宽和稳定性建议设置：1是最好性能，超频用户建议为4。

普通用户在稳定的基础上选用1。

RefreshPeriod（tREF）这个参数是用来设定刷新的间隔时间，除了Auto选项，还有非常多的选项可以选择。

Auto表示根据内存的SPD信息来设定，通常是一个很慢的值，为了保证最好的兼容性。

数值越高表示性能越好，最高可以达到128us，但太高的值可能导致内存数据丢失，因此我们可以一点一点的增加来得到最理想的数值，前提也是系统足够稳定。

另外根据早期的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。

不及时充电会导致数据的丢失。

DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。

每个bit都能随机地访问。

但如果不充电，数据只能保存很短的时间。

因此我们必须每隔15。

6us就刷新一行。

每次刷新时数据就被重写一次。

正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。

一般通过RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。

早期的EDO内存每刷新一行耗费15。

6us的时间。

因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15。

6usX2048行=32ms。

影响：轻微影响稳定性和内存带宽建议设置：根据经验，tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。

通常15。

6us和3。

9us 都能稳定运行，1。

95us会降低内存带宽。

此外还有很多未知的值（?。

?us），大多数用户发现3120=200mhz（?。

?us）是一个既稳定性能又好的设置，但也同使用的内存芯片有关。

WriteCAS Latency（tWCL）Settings = Auto，1-8SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。