《模拟电子技术基础》第三版习题解答第5章 放大电路的频率响应
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5 放大电路的频率响应自我检测题一．选择和填空1． 放大电路对高频信号的放大倍数下降，主要是因为C 的影响；低频时放大倍数下降， 主要是因为A的影响。
(A. 耦合电容和旁路电容； B. 晶体管的非线性；C. 晶体管的极间电容和分布电容 )2．共射放大电路中当输入信号频率为f L 、f H 时，电路放大倍数的幅值约下降为中频时的A；或者说是下降了DdB ；此时与中频相比， 放大倍数的附加相移约为 G度。
(A. 0.7 ，B. 0.5 ，C. 0.9) ； (D. 3dB ，E. 5dB ，F. 7dB)； (G. -45°， H. -90 °， I. -180 ° )3． 某放大电路 &3 所示。
由图可见，该电路的中频电 | A v |的对数幅频响应如图选择题& ； 上限频率 f H = 10 8 Hz ； 下限频率 f L = 102Hz ； 压增益 | A vM | =1000当 ff H 时电路的实际增益 =57dB ；当 ff L 时电路的实际增益 =57dB 。
20lg A v / dB80 +20dB/ 十倍频程-20dB/ 十倍频程60 40 2011021041061081010 f / Hz图选择题 34． 若放大电路存在频率失真，则当v i 为正弦波时， v o D。
（ A. 会产生线性失真B. 为非正弦波C.会产生非线性失真D. 为正弦波）D。
（ A. 输5． 放大电路如图选择题 5 所示，其中电容Ｃ１增大，则导致入电阻增大B. 输出电阻增大C.工作点升高D.下限频率降低）?+V CCR 1R 2C 1???RLv s _R 3v o? _?图选择题 5二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）1．改用特征频率 f T 高的晶体管， 可以改善阻容耦合放大电路的高频响应特性。
（ √ ）2．增大分布电容的容量，可以改善阻容耦合放大电路的低频响应特性。
模拟电子技术基础王卫东最新版课后习题答案第五章
第五章 放大电路的频率特性5.1 已知某级联放大电路的电压增益函数为：)10)(10(10100)(6713++⨯-=s s s A u试画出它的幅频波特图和相频波特图；?))(0(=dB A u解：由题可知 0)(lim =∞→s A u s （即m n >，极点数目大于零点数目），且极点数值较大。
该增益函数为高频增益函数。
故中频增益为100)(lim )0(0-===→s A A A u s u o即 dB dB A u 40100lg 20))(0(=-= 中频段相移 o o 180-=ϕ 由频率响应函数)101)(101(100)10)(10(10100)(767613ωωωωωjjj j j A u ++-=++⨯-=可得幅频特性 2726)10(1lg 20)10(1lg 20100lg 20))((ωωω+-+--=dB A u 2726)10(1lg 20)10(1lg 2040ωω+-+-=dB 相频特性 761010180)(ωωωϕarctgarctgo---=画出其幅频波特图和相频波特图分别如题5.1解图(a)和(b)所示。
4020题5.1解图-180o - -270o -360o5.3某放大器增益函数为：)10)(10()10(10)(322+++-=s s s s s A u ，试画出它的幅频波特图和相频波特图。
解：由题可知该放大器增益函数存在两个一阶极点：101=p ，3210=p ；两个一阶零点：01=z ，2210=z 。
根据一阶零、极点波特图的特点，画出其幅频波特图和相频波特图分别如题5.3解图(a)和(b)所示。
5.6单级共射放大电路如题5.6图所示。
已知Ω=K R c 2，Ω===K R R R L e s 1，Ω=K R R b b 10//21，F C μ51=，F C μ102=，F C e μ100=，BJT 参数44=β，Ω=K r be 4.1，试估算出该放大器源电压增益的低频截止频率L f 。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
《电路与模拟电子技术》第3版全部习题答案
第一章 电路的基本概念和基本定律1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U1=-5V ，U2=2V ，U3=U4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：元件上电压和电流为xx 参考方向时，P=UI ；电压和电流为非xx 参考方向时，P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。
本题中元件1、2、4xx 电流和电流为非xx 参考方向，元件3xx 电压和电流为xx 参考方向，因此P1=-U1×3= -（-5）×3=15W； P2=-U2×3=-2×3=-6W ； P3=U3×（-1）=-3×（-1）=3W ； P4=-U4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W 。
元件2、4是电源，元件1、3是负载。
1.2 在题1.2图所示的RLCxx 电路中，已知 求i 、uR 和uL 。
解：电容上电压、电流为非xx 参考方向,故()()33133t t t t c du di ce e e e A dt dt--=-=-⨯-=-电阻、电感上电压、电流为xx 参考方向()34t t R u Ri e e V --==- ()()3313t t t t L di du Le e e e V dt dt----==⨯-=-+1.3 在题1.3图中，已知I=2A ，求Uab 和Pab 。
解：Uab=IR+2-4=2×4+2-4=6V ， 电流I 与Uab 为xx 参考方向，因此Pab=UabI=6×2=12W1.4 在题1.4图中，已知 IS=2A ，US=4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。
解：I=IS=2A ， U=IR+US=2×1+4=6V PI=I2R=22×1=4W，US 与I 为xx 参考方向，电压源功率：PU=IUS=2×4=8W， U 与I 为非xx 参考方向，电流源功率：PI=-ISU=-2×6=-12W ， 验算：PU+PI+PR=8-12+4=0ba题1.3图1.5 求题1.5图中的R 和Uab 、Uac 。
童诗白《模拟电子技术基础》(第版)笔记和课后习题(含考研真题)详解(5-8章)【圣才出品】
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时间常数，从而降低下限频率。然而这种改善是很有限的，因此在信号频率很低的使用场合， 应考虑采用直接耦合方式。
（2）“带宽增益积”为中频放大倍数与通频带的乘积，即
晶体管选定后，增益带宽积近似常量。当 fH fL 时， fbw f H ，由此可知，fH r 的提高与|Ausm|的增大是相互矛盾的。改善高频特性的根本办法是选择 bb 和 Cob 均小的管
5.1 在图 5.1 所示电路中，已知晶体管的 rbb’、Cμ、Cπ，Ri≈rbe。 填空：除要求填写表达式的之外，其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。 (1)在空载情况下，下限频率的表达式 fL= 。当 Rb 减小时，fL 将 ；当带上负载 电阻后，fL 将 。 (2)在空载情况下，若 b-e 间等效电容为 C’π，则上限频率的表达式 fH= ；当 Rs 为零 时，fH 将 ；当 Rb 减小时，gm 将 ，C’π将 ，fH 将 。
子，同时尽量减小 C 所在回路的总等效电阻。 （3）场效应管的增益带宽积为
场效应选定后，增益带宽积近似常量。因此，改善高频特性的根本办法是选择 Cgb 小
的管子并减小 rg 的阻值。
四、多级放大电路的频率响应 1．多级放大电路频率特性的定性分析 设N级放大电路各级的电压放大倍数分别为Aul，Au2，…，AuN，则电路电压放大倍数：
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2．低通电路
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低通电路及其频率响应如图 5.2 所示。
图 5.2 低通电路及其频率响应
设输出电压Uo 与输入电压Ui
之比为
Au
，下限截止频率
第5章 放大电路的频率响应
由微变等效分析可知:
根据式(5.2.4), 将混合 П 型等效电路中c、e输出端短路, 则得图5.2.4。
第5章 放大电路的频率响应 图5.2.4 计算̇β=̇Ic/̇Ib 的等效电路
第5章 放大电路的频率响应
其幅频特性和相频特性的表达式为
式中 可见β为具有一个转折频率fβ的频率特性曲线, 如图5.2.5所示。fβ称为共射极 截止频率, 其值主要决定于管子的结构。
式中，ω 为输入信号的角频率, R1C1为回路的时间常数τ，
第5章 放大电路的频率响应 图5.1.2 用来模拟放大电路高频 特性的RC低通电路
第5章 放大电路的频率响应
令 则式(5.1.2)变为
AuH为高频电压增益, 其幅值|̇AuH|和相角φH分别为
第5章 放大电路的频率响应
1) 幅频特性 幅频响应波特图可按式(5.1.5)由下列步骤画出: 当f≪fH时,
第5章 放大电路的频率响应 图5.2.3 低频等效电路
第5章 放大电路的频率响应
晶体管放大电路的高频特性决定于混合 Π 型等效电路的参数gm、rbb'、 rb'e、 Cb'e及Cb'c。这些参数可用β、rbe、fT及Cob来表示。因此, 可用β、rbe、fT 及Cob来衡量晶体管的高频性能。
第5章 放大电路的频率响应
可求得̇A'u的表达式如下:
第5章 放大电路的频率响应
因为Cb‘c很小,β)re=(1+β)UT/IE。Cb'e为发射结电容。
3) 集电结参数rb'c和Cb'c
rb'c表示集电结的结电阻, 由于集电结工作时处于反向偏置。Cb'c为集电结电
模拟电子技术课程习题-第五章--放大电路的频率响应
模拟电⼦技术课程习题-第五章--放⼤电路的频率响应第五章放⼤电路的频率响应5.1具有相同参数的两级放⼤电路在组成它的各个单管的截⽌频率处,幅值下降[ ]A. 3dBB. 6dBC. 10dBD. 20dB5.2在出现频率失真时，若u i 为正弦波，则u o 为 [ ] A. 正弦波 B. 三⾓波 C. 矩形波 D. ⽅波5.3 多级放⼤电路放⼤倍数的波特图是 [ ] A. 各级波特图的叠加 B. 各级波特图的乘积C. 各级波特图中通频带最窄者D. 各级波特图中通频带最宽者 5.4 当输⼊信号频率为f L 或f H 时，放⼤倍数的幅值约为中频时的 [ ]倍。
A.0.7 B.0.5 C.0.9D.0.15.5 在阻容耦合放⼤器中，下列哪种⽅法能够降低放⼤器的下限频率？[ ]A ．增⼤耦合电容B ．减⼩耦合电容C ．选⽤极间电容⼩的晶体管D ．选⽤极间电容⼤的晶体管 5.6 当我们将两个带宽均为BW 的放⼤器级联后，级联放⼤器的带宽 [ ] A ⼩于BW B 等于BW C ⼤于BW D 不能确定 5.7 填空：已知某放⼤电路电压放⼤倍数的频率特性为6100010(1)(1)1010u fjA f f j j =++ （式中f 单位：Hz ）表明其下限频率为，上限频率为，中频电压增益为 dB ，输出电压与输⼊电压在中频段的相位差为。
5.8 选择正确的答案填空。
幅度失真和相位失真统称为失真(a.交越b.频率)，它属于失真(a.线性b.⾮线性)，在出现这类失真时，若u i为正弦波，则u o为波(a.正弦b.⾮正弦)，若u i为⾮正弦波，则u o与u i的频率成分(a.相同b.不同)。
饱和失真、截⽌失真、交越失真都属于失真(a.线性b.⾮线性)，在出现这类失真时，若u i为⾮正弦波，则u o为波(a.正弦b.⾮正弦)，u o与u i的频率成分(a.相同b.不同)。
5.9 选择正确的答案填空。
晶体管主要频率参数之间的关系是。
模拟电子技术基础 第五章 频率响应PPT课件
第5章 频率响应
UCRUCRUCRsississisCrCrRbCrRbbRbebsebseesee((rr(RCrrbRbCrrbRbCbbSbeMbSeMbSeMrrrrbbrrbCbbeCbbCebebb)Ub)Ub)Ueeesss((1(1R1RRssrgsrbgrbgbmemermeRrbrRbRebeLeLUL)U)UC)CsCsbsbbeee
U1 －
Z1
Z
N
A(jω) ＝
U2 U1
(a)
I2 ＋
U2 －
Z2
图5–7 (a)原电路；
(b)等效后的电路
I1 ＋
U1 －
N
Z1
A(jω) ＝
U2 U1
第5章 频率响应
I2 ＋
Z2
U2
－
(b)
图5–7 (a)原电路；
(b)等效后的电路
第5章 频率响应
Z1Z1ZU11IU1I1 11UUII1111 UU 1U1UUZZ1U11ZU1UUZ1U12U2221111ZUUZ2ZZUU2UU12U2U2121212 111Z1ZAZAuZAu Au u
(5–1) (5–2a) (5–2b)
第5章 频率响应
图5–2给出了不产生线性失真的振幅频率响应和相 位频率响应，称之为理想频率响应。
|Au(jω)|
(jω)
K
0
0
ω
ω
∞ω
(a)
(b)
图5–2 (a)理想振幅频率响应；(b)理想相位频率响应
第5章 频率响应
5–1–2实际的频率特性及通频带定义 实际的振幅频率特性一般如图5–3所示。在低频和
三、高频增益表达式及上限频率
第5章 频率响应
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仅供个人使用，请勿用于商业目的第五章放大电路的频率响应自测题一、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降A.3dBB.4dBC.5dB相位关系是。
与U （4）对于单管共射放大电路，当f ＝ fL时，U ioA.＋45˚B.－90˚C.－135˚的相位关系是。
与U 当f ＝ fH时，UioA.－45˚B.－135˚C.－225˚解：（1）A （2）B，A （3）B A （4）C C本文档仅供参考第五章题解－1仅供个人使用，请勿用于商业目的二、电路如图T5.2所示。
已知：VCC＝12V；晶体管的Cμ＝4pF，fT = 50MHz，rbb'＝＝80。
试求解：（1）中频电压放大倍数；（2）C'；（3）fH和fL；（4）画出波特图。
图T5.2解：（1）静态及动态的分析估算：br26mVEQ∥RgIEQT本文档仅供参考第五章题解－2 仅供个人使用，请勿用于商业目的' （2）估算：（3）求解上限、下限截止频率：∥∥∥（4）在中频段的增益为频率特性曲线如解图T5.2所示。
解图T5.2本文档仅供参考第五章题解－3 仅供个人使用，请勿用于商业目的三、已知某放大电路的波特图如图T5.3所示，填空：＝ dB，＝。
（1）电路的中频电压增益20lg|Au mu m（2）电路的下限频率fL≈ Hz，上限频率fH≈ kHz.＝。
（3）电路的电压放大倍数的表达式Au图T5.3解：（1）60 104（2）10 10（3）或说明：该放大电路的中频放大倍数可能为“＋”，也可能为“－”。
本文档仅供参考第五章题解－4仅供个人使用，请勿用于商业目的习题5.1 在图P5.1所示电路中，已知晶体管的rbb'、Cμ、Cπ，Ri≈rbe。
填空：除要求填写表达式的之外，其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。
图P5.1（1）在空载情况下，下限频率的表达式fL＝。
当Rs减小时，fL将；当带上负载电阻后，fL将。
' （2）在空载情况下，若b-e间等效电容为，则上限频率的表达'式fH ＝；当Rs为零时，fH将；当Rb减小时，gm将，将fH将。
解:（1）1 。
①；①。
∥rbe) C1（2）1 ；①；①，①，③。
∥∥本文档仅供参考第五章题解－5仅供个人使用，请勿用于商业目的的表达式。
5.2 已知某电路的波特图如图P5.2所示，试写出Au图P5.2解: 设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。
或的表达式。
5.3 已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示，试写出A u图P5.3解：观察波特图可知，中频电压增益为40dB，即中频放大倍数为－100；的表达式下限截止频率为1Hz和10Hz，上限截止频率为250kHz。
故电路Au 为本文档仅供参考第五章题解－6 仅供个人使用，请勿用于商业目的或 Au5.4 已知某电路的幅频特性如图P5.4所示，试问：（1）该电路的耦合方式；（2）该电路由几级放大电路组成；（3）当f ＝104Hz时，附加相移为多少？当f ＝105时，附加相移又约为多少？解:（1）因为下限截止频率为0，所以电路为直接耦合电路；（2）因为在高频段幅频特性为图P5.4－60dB/十倍频，所以电路为三级放大电路；（3）当f ＝104Hz时，φ'＝－135o；当f ＝105Hz时，φ'≈－270o 。
的表达式，并近似估5.5 若某电路的幅频特性如图P5.4所示，试写出Au 算该电路的上限频率fH。
的表达式和上限频率分别为解：Au本文档仅供参考第五章题解－7仅供个人使用，请勿用于商业目的5.6 已知某电路电压放大倍数试求解：（1）＝？fL＝？fH ＝?（2）画出波特图。
解：（1）变换电压放大倍数的表达式，求出、fL、fH。
A105)（2）波特图如解图P5.6所示。
解图P5.65.7 已知两级共射放大电路的电压放大倍数本文档仅供参考第五章题解－8仅供个人使用，请勿用于商业目的＝？fL＝？fH ＝? （1）Au m（2）画出波特图。
、fL、fH。
解：（1）变换电压放大倍数的表达式，求出Au m（2）波特图如解图P5.7所示。
解图P5.7本文档仅供参考第五章题解－9仅供个人使用，请勿用于商业目的5.8 电路如图P5.8所示。
已知：晶体管的、rbb'、Cμ均相等，所有电容的容量均相等，静态时所有电路中晶体管的发射极电流IEQ均相等。
定性分析各电路，将结论填入空内。
图P5.8（1）低频特性最差即下限频率最高的电路是（2）低频特性最好即下限频率最低的电路是（3）高频特性最差即上限频率最低的电路是解：（1）（a）（2）（c）（3）（c）5.9 在图P5.8（a）所示电路中，若＝100，rbe＝1kΩ，C1＝C2＝Ce＝100μF，则下限频率fL≈?解：由于所有电容容量相同，而Ce所在回路等效电阻最小，所以下限频率决定于Ce所在回路的时间常数。
∥∥本文档仅供参考第五章题解－10仅供个人使用，请勿用于商业目的5.10 在图P5.8（b）所示电路中,若要求C1与C2所在回路的时间常数相等,且已知rbe=1kΩ，则C1:C2＝? 若C1与C2所在回路的时间常数均为25ms，则C1、C2各为多少？下限频率fL≈?解：（1）求解C1:C2因为 C1（Rs＋Ri）＝C2（Rc＋RL）将电阻值代入上式，求出C1 : C2＝5 : 1。
（2）求解C1、C2的容量和下限频率5.11 在图P5.8（a）所示电路中，若Ce突然开路，则中频电压放大倍数、fH和fL各产生什么变化（是增大、减小、还是基本不变）？为什么？ Ausm 解：Ausm将减小，因为在同样幅值的Ui作用下，Ib将减小，Ic随之必然减小。
减小，ofL减小，因为少了一个影响低频特性的电容。
'' fH增大。
因为Cπ会因电压放大倍数数值的减小而大大减小，所以虽然Cπ所在回落的等效电阻有所增大，但时间常数仍会减小很多，故fH增大。
5.12 在图P5.8（a）所示电路中，若C1＞Ce，C2＞Ce，＝100，rbe＝1kΩ，欲使fL ＝60Hz，则Ce应选多少微法？解：下限频率决定于Ce所在回路的时间常数，回路的等效电阻。
R和Ce的值分别为： 1。
R为Ce所在2πRCe本文档仅供参考第五章题解－11仅供个人使用，请勿用于商业目的∥∥5.13 在图P5.8（d）所示电路中，已知晶体管的rbb'＝100Ω，rbe＝1kΩ，'静态电流IEQ＝2mA，＝800pF；Rs＝2kΩ，Rb＝500 kΩ，RC＝3.3 kΩ，C=10μF。
试分别求出电路的fH、fL，并画出波特图。
解：（1）求解fL（2）求解fH和中频电压放大倍数∥∥Rs)]Cπ'2π[rb'e∥其波特图参考解图P5.6。
5.14电路如图P5.14所示，已知Cgs＝Cgd＝5pF，gm＝5mS，C1＝C2＝CS＝10μF。
的表达式。
试求fH、fL各约为多少，并写出Aus本文档仅供参考第五章题解－12仅供个人使用，请勿用于商业目的图P5.14的表达式分析如下：解：fH、fL、Aus∥Rg)Cgs2πRsCgs5.15在图5.4.7（a）所示电路中，已知Rg＝2MΩ，Rd＝RL＝10kΩ，C ＝10μF；场效应管的Cgs＝Cgd＝4pF，gm＝ 4mS。
试画出电路的波特图，并标出有关数据。
解：um本文档仅供参考第五章题解－13仅供个人使用，请勿用于商业目的波特图参考解图P5.6。
5.16 已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为（1）写出该放大电路的表达式；（2）求出该电路的fL和fH各约为多少；（3）画出该电路的波特图。
解：（1）电压放大电路的表达式2105)（2）fL和fH分别为：1，H1.2105本文档仅供参考第五章题解－14 其仅供个人使用，请勿用于商业目的（3）根据电压放大倍数的表达式可知，中频电压放大倍数为104，增益为80dB。
波特图如解图P5.16所示。
解图P5.165.17 电路如图P5.17所示。
试定性分析下列问题，并简述理由。
（1）哪一个电容决定电路的下限频率；' （2）若T1和T2静态时发射极电流相等，且rbb'和相等，则哪一级的上限频率低。
图P5.17解：（1）决定电路下限频率的是Ce，因为它所在回路的等效电阻最小。
'' （2）因为R2∥R3∥R4 ＞R1∥Rs，Cπ2所在回路的时间常数大于Cπ1所在本文档仅供参考第五章题解－15仅供个人使用，请勿用于商业目的回路的时间常数，所以第二级的上限频率低。
5.18 若两级放大电路各级的波特图均如图P5.2所示，试画出整个电路的波特图。
在折线化幅频特性中，频率小于10Hz时斜率为解：20lgAum＋40dB/十倍频，频率大于105Hz时斜率为－40dB/十倍频。
在折线化相频特性中，f ＝10Hz时相移为＋90o，f ＝105Hz时相移为－90o。
波特图如解图P5.18所示。
本文档仅供参考第五章题解－16仅供个人使用，请勿用于商业目的解图P5.18本文档仅供参考第五章题解－17。