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2012年黄石市中考数学试题(带答案)

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国标二级汉字首字母索引表

孑J 孓J 孢B 驵Z 驷S 驸F 驺Z 驿Y 驽N 骀T 骁X 骅H 骈P 骊L 骐Q 骒K 骓Z 骖C 骘Z 骛W
骜A 骝L 骟S 骠B 骢C 骣C 骥J 骧X 纟J 纡Y 纣Z 纥G 纨W 纩K
剌L 剞J 剡Y 剜W 蒯K 剽P 劂J 劁Q 劐H 劓Y 冂T 罔W 亻D 仃D 仉Z 仂L 仨S 仡Y 仫M 仞R
伛Y 仳P 伢Y 佤W 仵W 伥C 伧C 伉K 伫Z 佞N 佧K 攸Y 佚Y 佝G
#57区 -9823, -9730
佟T 佗T 伲N 伽G 佶J 佴E 侑Y 侉K 侃K 侏Z 佾Y 佻T 侪C 佼J 侬N 侔M 俦C 俨Y 俪L 俅Q
#65区 -7775, -7682
帷W 幄W 幔M 幛Z 幞F 幡F 岌J 屺Q 岍Q 岐Q 岖Q 岈Y 岘X 岙A 岑C 岚L 岜B 岵H 岢K 岽D
岬J 岫X 岱D 岣G 峁M 岷M 峄Y 峒D 峤Q 峋X 峥Z 崂L 崃L 崧S 崦Y 崮G 崤X 崞G 崆K 崛J
嵘R 崾Y 崴W 崽Z 嵬W 嵛Y 嵯C 嵝L 嵫Z 嵋M 嵊S 嵩S 嵴J 嶂Z 嶙L 嶝D 豳B 嶷Y 巅D 彳C
漭M 滢Y 溥P 溧L 溽R 溻T 溷H 滗B 溴X 滏F 溏T 滂P 溟M 潢H 潆Y 潇X 漤L 漕C 滹H 漯M
漶H 潋L 潴Z 漪Y 漉L 漩X 澉G 澍S 澌S 潸S 潲S 潼T 潺C 濑L
#69区 -6751, -6658
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51、没有哪个社会可以制订一部永远 适用的 宪法, 甚至一 条永远 适用的 法律。 ——杰 斐逊 52、法律源于人的自卫本能。——英 格索尔
53、人们通常会发现,法律就是这样 一种的 网,触 犯法律 的人, 小的可 以穿网 而过, 大的可 以破网 而出, 只有中 等的才 会坠入 网中。 ——申 斯通 54、法律就是法律它是一座雄伟的大 夏,庇 护着我 们大家 ;它的 每一块 砖石都 垒在另 一块砖 石上。 ——高 尔斯华 绥 55、今天的法律未必明天仍是法律。 ——罗·伯顿
பைடு நூலகம்
66、节制使快乐增加并使享受加强。 ——德 谟克利 特 67、今天应做的事没有做,明天再早也 是耽误 了。——裴斯 泰洛齐 68、决定一个人的一生,以及整个命运 的,只 是一瞬 之间。 ——歌 德 69、懒人无法享受休息之乐。——拉布 克 70、浪费时间是一桩大罪过。——卢梭
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市场营销学期末第一套试题及答案一、名词解释(每个3分,共6分)1.市场营销市场营销是个人或组织通过创造并同他人或组织交换产品和价值以获得其所需所欲之物的一种社会过程2.个别式分销渠道结构是传统分销渠道,是由生产企业、批发企业和零售企业构成的、关系松弛的销售网络。
各个成员(企业)之间彼此独立,相互间的联系通过买卖条件维持。
二、判断正误(请根据你的判断,在正确的题后括号内划“√”。
错误的划“X”。
每小题1分,共20分)1,市场定位是目标市场营销的基础。
2.消费需求变化中最活跃的因素是个人可以任意支配的收入。
3.市场营销观念的一个重要特征就是将企业利润作为优先考虑的事情。
4.汽车和零配件是两种互补产品。
对其最好的定价技巧是同高同低,即汽车价格高,零配件的价格也定得高,反之亦然。
5.购买者在购买产品时所获得的全部附加服务和利益也属于产品概念的一部分。
6.垂直式分销渠道是由生产者、批发商和零售商组成的一种统一的联合体。
7.经纪人和代理商是独立的企业,拥有所经营产品的全部所有权。
8.互联网作为市场营销调研工具的主要优势在于它成本低。
9.1912年,赫杰特齐教授编写的第一本市场营销学的教科书的出版,标志着市场营销学已经跨出了大学讲坛,引起了整个社会的兴趣和关注。
10.企业任务一般包括两个方面的内容:即企业观念与企业宗旨。
11.在确定中间商数目的三种可供选择的形式中,对所有各类产品都适用的形式是密集分销。
12.市场营销研究中的市场,指的是商品所有者全部交换关系的总和。
13.随着竞争的发展,企业之间的竞争形式越来越多地转向价格竞争。
14.整体产品包含三个层次,其中最基本的层次是产品的实体层。
15.社会市场营销观念要求求得企业利润、消费者利益、经销商利益三者之间的平衡与协调。
16.相对市场占有率是指业务单位市场占有率与同行业最大的竞争者市场占有率之比。
17.宏观营销环境大致包括五个方面内容:政治环境、竞争环境、经济环境、法律环境、供应企业等。
《上海集邮》2010年索引

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STP10NK70ZFP中文资料

1/10October 2002STP10NK70Z STP10NK70ZFPN-CHANNEL 700V -0.75Ω-8.6A TO-220/TO-220FPZener-Protected SuperMESH™Power MOSFETs TYPICAL R DS (on)=0.75Ωs EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY s IMPROVED ESD CAPABILITY s 100%AVALANCHE RATED s GATE CHARGE MINIMIZEDs VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES sVERY GOOD MANUFACTURING REPEATIBILITYDESCRIPTIONThe SuperMESH™series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™layout.In addition to pushing on-resistance significantly down,special care is tak-en to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications.Such series comple-ments ST full range of high voltage MOSFET s in-cluding revolutionary MDmesh™products.APPLICATIONSs HIGH CURRENT,HIGH SPEED SWITCHING s IDEAL FOR OFF-LINE POWER SUPPLIES,ADAPTORS AND PFCORDERING INFORMATIONTYPE V DSS R DS(on)I D Pw STP10NK70Z STP10NK70ZFP700V 700V<0.85Ω<0.85Ω8.6A 8.6A150W 35WSALES TYPE MARKING PACKAGE PACKAGINGSTP10NK70Z P10NK70Z TO-220TUBE STP10NK70ZFPP10NK70ZFPTO-220FPTUBESTP10NK70Z/STP10NK70ZFP2/10ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS( )Pulse width limited by safe operating area(1)I SD ≤8.6A,di/dt ≤200A/µs,V DD ≤V (BR)DSS ,T j ≤T JMAX.(*)Limited only by maximum temperature allowedTHERMAL DATAAVALANCHE CHARACTERISTICSGATE-SOURCE ZENER DIODEPROTECTION FEATURES OF GATE-TO-SOURCE ZENER DIODESThe built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’s ESD capability,but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be applied from gate to source.In this respect the Zener voltage is appropriate to achieve an efficient and cost-effective intervention to protect the device’s integrity.These integrated Zener diodes thus avoid the usage of external components.Symbol ParameterValueUnit STP10NK70ZSTP10NK70ZFPV DS Drain-source Voltage (V GS =0)700V V DGR Drain-gate Voltage (R GS =20k Ω)700V V GS Gate-source Voltage±30VI D Drain Current (continuous)at T C =25°C 8.68.6(*)A I D Drain Current (continuous)at T C =100°C 5.4 5.4(*)A I DM ( )Drain Current (pulsed)3434(*)A P TOT Total Dissipation at T C =25°C 15035W Derating Factor1.200.28W/°C V ESD(G-S)Gate source ESD(HBM-C=100pF,R=1.5K Ω)4000KV dv/dt (1)Peak Diode Recovery voltage slope 4.5V/nsV ISO Insulation Withstand Voltage (DC)-2500V T j T stgOperating Junction Temperature Storage Temperature-55to 150-55to 150°C °CTO-220TO-220FPRthj-case Thermal Resistance Junction-case Max 0.833.6°C/W Rthj-ambThermal Resistance Junction-ambient Max62.5°C/W T lMaximum Lead Temperature For Soldering Purpose300°CSymbol ParameterMax ValueUnit I AR Avalanche Current,Repetitive or Not-Repetitive (pulse width limited by T j max)8.6A E ASSingle Pulse Avalanche Energy(starting T j =25°C,I D =I AR ,V DD =50V)350mJSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit BV GSOGate-Source Breakdown VoltageIgs=±1mA (Open Drain)30V3/10STP10NK70Z/STP10NK70ZFPELECTRICAL CHARACTERISTICS (TCASE =25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)ON/OFFDYNAMICSWITCHING ONSWITCHING OFFSOURCE DRAIN DIODENote: 1.Pulsed:Pulse duration =300µs,duty cycle 1.5%.2.Pulse width limited by safe operating area.3.C oss eq.is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C oss when V DS increases from 0to 80%V DSS .Symbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit V (BR)DSS Drain-sourceBreakdown Voltage I D =1mA,V GS =0700V I DSS Zero Gate VoltageDrain Current (V GS =0)V DS =Max RatingV DS =Max Rating,T C =125°C 150µA µA I GSS Gate-body Leakage Current (V DS =0)V GS =±20V±10µA V GS(th)Gate Threshold Voltage V DS =V GS ,I D =100µA 33.754.5V R DS(on)Static Drain-source On ResistanceV GS =10V,I D =4.5A0.750.85ΩSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit g fs (1)Forward Transconductance V DS =15V ,I D =4.5A7.7S C iss C oss C rss Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance V DS =25V,f =1MHz,V GS =0200019041pF pF pF C oss eq.(3)Equivalent Output CapacitanceV GS =0V,V DS =0V to 560V98pFSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit t d(on)t r Turn-on Delay Time Rise TimeV DD =350V,I D =4.5A R G =4.7ΩV GS =10V(Resistive Load see,Figure 3)2219ns ns Q g Q gs Q gdTotal Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain ChargeV DD =560V,I D =9A,V GS =10V64123390nC nC nCSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit t d(off)t f Turn-off Delay Time Fall TimeV DD =350V,I D =4.5A R G =4.7ΩV GS =10V(Resistive Load see,Figure 3)4619ns ns t r(Voff)t f t cOff-voltage Rise Time Fall TimeCross-over TimeV DD =560V,I D =9A,R G =4.7Ω,V GS =10V(Inductive Load see,Figure 5)111022ns ns nsSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit I SD I SDM (2)Source-drain CurrentSource-drain Current (pulsed)8.634A A V SD (1)Forward On Voltage I SD =8.6A,V GS =0 1.6V t rr Q rr I RRMReverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery CurrentI SD =9A,di/dt =100A/µs V DD =35V,T j =150°C (see test circuit,Figure 5)7205.415ns µC ASTP10NK70Z/STP10NK70ZFP4/10OutputCharacteristics5/10STP10NK70Z/STP10NK70ZFPNormalized On Resistance vs TemperatureNormalized Gate Threshold Voltage vs Temp.Gate Charge vs Gate-source Voltage Capacitance VariationsSTP10NK70Z/STP10NK70ZFP6/10Normalized BVDSS vs Temperature Source-drain Diode Forward Characteristics7/10STP10NK70Z/STP10NK70ZFPFig.5:Test Circuit For Inductive Load Switching And Diode Recovery TimesFig.4:Gate Charge test CircuitFig.2:Unclamped Inductive WaveformFig.1:Unclamped Inductive Load TestCircuitFig.3:Switching Times Test Circuit For ResistiveLoadSTP10NK70Z/STP10NK70ZFP8/10STP10NK70Z/STP10NK70ZFP9/10STP10NK70Z/STP10NK70ZFP10/10Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specification mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. STMicroelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of STMicroelectronics.The ST logo is a trademark of STMicroelectronics© 2000 STMicroelectronics – Printed in Italy – All Rights ReservedSTMicroelectronics GROUP OF COMPANIESAustralia - Brazil - China - Finland - France - Germany - Hong Kong - India - Italy - Japan - Malaysia - Malta - Morocco -Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - U.S.A.。
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25、学习是劳动,是充满思想的劳动。——乌申斯基
谢谢!
39、没有不老的誓言,没有不变的承 诺,踏 上旅途 ,义无 反顾。 40、对时间的价值没有没有深切认识 的人, 决不会 坚韧,也会招来人们的反感轻蔑和嫉妒。——培根 22、业精于勤,荒于嬉;行成于思,毁于随。——韩愈
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36、“不可能”这个字(法语是一个字 ),只 在愚人 的字典 中找得 到。--拿 破仑。 37、不要生气要争气,不要看破要突 破,不 要嫉妒 要欣赏 ,不要 托延要 积极, 不要心 动要行 动。 38、勤奋,机会,乐观是成功的三要 素。(注 意:传 统观念 认为勤 奋和机 会是成 功的要 素,但 是经过 统计学 和成功 人士的 分析得 出,乐 观是成 功的第 三要素 。
最简单学习五笔打字方法

最简单学习五笔打字方法原创思路总结:只需记住下面3点:1:知道五笔是什么:一丨丿丶乙(横竖撇捺折)2:知道这五个笔划在键盘上的分布特点:认出字根的第一、二笔划就定出位置(q cfgq“一"区,右边5个键是"丨"区上行左边5个键是"丿"区,右边5个键是"丶"区,第5个键在下行最右边下行左边5个健是"乙"区)(如图蓝色笔画示位:以中间黄线为界,从中间向两旁走,分别为“一丨丿丶乙”5个位)3:字根的分布原则:(发明人就是按这个思路来安置那么多的字根的)a:每个字根的第一笔定区,第二笔定位(70%的字根符合这个原则,所以看第一笔就知道在哪个区的5个键之中,看第二笔就定位在这5个键中的哪个了!不信?可以将上面字根分布图中的所有字根按这个原则试一遍,把特殊的圈出来看看,不多吧,只有下面的25%+5%,再去掉有特殊记忆方法的,仅需记忆的只有寥寥几个而已!)b:有特殊记忆方法的字根(25%的字根):如"口"因为发音为"K"所以在"K"c:只能强记的字根(仅5%):如"木丁西"在"S"好!实战一下:1:“王”这个字根的第一笔是“一”,第二笔是“一”,所以“横中横”,在中行左边横区5个键中的从中间往外数的横位上(第1个键,G键)2:“土”这个字根的第一笔是“一”,第二笔是“丨”,所以“横中竖”,在中行左边横区5个键中的从中间往外数的竖位上(第2个键,F键)3:“大”这个字根的第一笔是“一”,第二笔是“丿”,所以“横中撇”,在中行左边横区5个键中的从中间往外数的撇位上(第3个键,D键,而且还有发音为"D"这个特殊记忆方式)......符合这种原则的70%的字根就不用记它了,其余的想些法子也很容易就记住了!所以根本不用背那痛苦的口决,跳过它,直接进入拆字阶段吧,如果一定要口中念念有词,不妨将“横中横”“横中竖”“横中撇”等当作三字决来用吧!不用背口决,只要多拆几遍,马上就学会了传说中难学的五笔了!而且不用先学英文键!(发明了五笔,了不起!果然是重码最少,速度最快的输入法!加了背口诀这道难关,则是发明者最败的一笔!把形象的东西抽象得如此复杂难记!唉!可惜)现在的学习环节精简成:5分钟理论-练拆字-拆出字根-第一笔定区-第二笔定位-OK!(根本无需强记,一生难忘,又快又准!)背口决学打五笔的痛苦:学理论-背口决-练拆字-拆出字根-背口决-哪句口决-对应哪个英文键-OK!(随时因痛苦而中断4、四级键名汉字,打法= 键名键+ 键名键+ 键名键+ 键名键如“土”=“土”+“土”+“土”+“土”。
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警惕!70%的火灾都是由电线短路或老化引起的
据公安部消防局统计,2015年,全国共接报火灾33.8万起,造成1742人死亡、1112人受伤,直接财产损失39.5亿元。
绝大部分都是由电气原因引起的,其中电线短路、电线老化是发生火灾的主要诱因,细细的一根电线已经成了众多家庭的隐形杀手。
一般传统的pvc电线使用寿命是25年,但实际上大部分老百姓的家用电线都只有10-20年的使用寿命,有的甚至几年就开始出现了老化现象,严重危害着生命财产安全。
那么对于影响电线使用寿命的主要有哪些因素呢,我们又该如何防止电线老化?
电线由导体和绝缘层构成,而电线老化主要和绝缘层有关。
随着使用时间的增长,绝缘层的绝缘性会逐渐降低,慢慢老化变硬,发硬或脱落,这时就不起绝缘作用了,而容易产生短路。
尤其遇到潮湿天气,电线外表虽完整,但绝缘性能已降低,当水分浸入到金属导体时就会发生短路,漏电而引发火灾。
所以,做好电线的养护就显得很有必要,下面小编就总结了一些防止电线老化的方法,希望大家能够用到。
防潮防腐
做好电线的防潮工作很重要,不能将电线暴露在潮湿的环境,如果发现已经受潮的电线,也应该及时找电工修复。
防超负荷
电线不能超负荷使用,尤其是在夏天这样的用电高峰期,安装的电器设备需要在电线的承载范围内。
不同电压要求的电器需要选用不同大小的电线。
防高温
高温也容易使传统的pvc电线化学性能发生改变,从而导致电线损坏或者老化加重。
所以电炉等高温产品不要靠近电线,以免电线被烤焦。
及时更换
对于已经老化或破皮的电源线应及时更换,更换时应符合原电源线的规格;破损的电线接头修补必须用绝缘胶布。
当然,除了做好上面这些电线防老化的措施之外,业主朋友们也可以在一开始装修时就给房屋使用安全性能更好的电线,目前市面上已经有了安全性更佳的电线,像创远防火电线这一类电线,安全性能已经大大提高,因为采用的是阻燃交联聚烯烃材料,创远防火电线已经可以让电线在明火中燃烧90分钟而不断电,而且低烟无毒,十分安全。
而且这种防火电线除了在防火性能上大大优于普通电线之外,使用寿命上也实现了质的飞跃,目前,创远防火电线的使用寿命可以达到70年,和房子的产权相当。
如果房子都是使用这种防火电线,那么电线的老化短路问题将会得到极大的改善,目前频繁发生的火灾事故相信也会大大的降低。
总之,无论是注重电线的保养还是选择安全性更高的防火电线,都是为了自身的生命财产安全,对于我们普通消费者来说,从根本上杜绝每一个安全隐患,才是对自己对家人该有的负责任的态度。