chapter1-4 介质中的麦克斯韦方程组

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麦克斯韦方程组

麦克斯韦方程组

麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组求助编辑百科名片关于热力学的方程,详见“麦克斯韦关系式”。

麦克斯韦方程组(英语:Maxwell's equations)是英国物理学家麦克斯韦在19世纪建立的描述电磁场的基本方程组。

它含有四个方程,不仅分别描述了电场和磁场的行为,也描述了它们之间的关系。

目录麦克斯韦方程组 Maxwell's equation麦克斯韦方程组的地位历史背景积分形式微分形式科学意义编辑本段麦克斯韦方程组 Maxwell's equation麦克斯韦方程组是英国物理学家麦克斯韦在19世纪建立的描述电场与磁场的四个基本方程。

麦克斯韦方程组的微分形式,通常称为麦克斯韦方程。

在麦克斯韦方程组中,电场和磁场已经成为一个不可分割的整体。

该方程组系统而完整地概括了电磁场的基本规律,并预言了电磁波的存在。

麦克斯韦提出的涡旋电场和位移电流假说的核心思想是:变化的磁场可以激发涡旋电场,变化的电场可以激发涡旋磁场;电场和磁场不是彼此孤立的,它们相互联系、相互激发组成一个统一的电磁场。

麦克斯韦进一步将电场和磁场的所有规律综合起来,建立了完整的电磁场理论体系。

这个电磁场理论体系的核心就是麦克斯韦方程组。

编辑本段麦克斯韦方程组的地位麦克斯韦方程组在电磁学中的地位,如同牛顿运动定律在力学中的地位一样。

以麦克斯韦方程组为核心的电磁理论,是经典物理学最引以自豪的成就之一。

它所揭示出的电磁相互作用的完美统一,为物理学家树立了这样一种信念:物质的各种相互作用在更高层次上应该是统一的。

另外,这个理论被广泛地应用到技术领域。

编辑本段历史背景1845年,关于电磁现象的三个最基本的实验定律:库仑定律(1785年),安培—毕奥—萨伐尔定律(1820年),法拉第定律(1831-1845年)已被总结出来,法拉第的“电力线”和“磁力线”概念已发展成“电磁场概念”。

场概念的产生,也有麦克斯韦的一份功劳,这是当时物理学中一个伟大的创举,因为正是场概念的出现,使当时许多物理学家得以从牛顿“超距观念”的束缚中摆脱出来,普遍地接受了电磁作用和引力作用都是“近距作用”的思想。

麦克斯韦方程组

麦克斯韦方程组

麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组是描述电磁场的四个基本方程,由苏格兰物理学家詹姆斯·克拉克·麦克斯韦在19世纪提出。

这四个方程求解了电磁场的本质,对于描述电磁波的传播以及电磁现象的研究起着重要的作用。

麦克斯韦方程组的第一个方程是高斯定律,它描述了电荷对电场产生的影响。

它的数学表达式为:∮E·dA = ε0∫ρdV其中,∮E·dA表示电场在截面A上的面积分,ε0为真空中的介电常数,ρ为电场中的电荷密度。

第二个方程是法拉第电磁感应定律,它描述了磁场通过闭合回路所产生的感应电场。

数学上可以表示为:∮B·dl = μ0(I + ε0d(∫E·dA)/dt)其中,∮B·dl表示磁场在环路l上的线积分,μ0为真空中的磁导率,I为环路中的电流强度,d(∫E·dA)/dt表示时间的变化率。

第三个方程是安培定律,它描述了环路中通过的电流对磁场产生的影响。

数学上可以表示为:∮B·dl = μ0I其中,∮B·dl表示磁场在环路l上的线积分,μ0为真空中的磁导率,I为环路中的电流强度。

最后一个方程是法拉第电磁感应定律的推广形式,也被称为麦克斯韦-安培定律。

它描述了变化的电场对磁场产生的影响,以及变化的磁场对电场产生的影响。

数学上可以表示为:∮E·dl = - d(∫B·dA)/dt其中,∮E·dl表示电场在环路l上的线积分,∮B·dA表示磁场通过闭合曲面的通量,d(∫B·dA)/dt表示时间的变化率。

麦克斯韦方程组是电磁学的基础,它描述了电荷和电流对电磁场产生的影响,以及电场和磁场对电荷和电流产生的影响。

通过这四个方程,我们可以推导出电磁波的存在和传播,解释电磁感应现象,研究电磁场的性质。

麦克斯韦方程组的研究也对电磁学的发展做出了巨大的贡献。

麦克斯韦方程组的理论和实验研究为电磁学的发展奠定了基础。

介质中的maxwell方程组

介质中的maxwell方程组

安培HE环rr,路,tt定理J,rB,说ttr明,t磁D场联法rt与系拉,t电,第 流变电以化磁l及l的感EH变磁应化场定ddl电产律l场生,电说s d场明d(tJ总s的B电D场td)s和d磁s 场的
的联系,变化的电场激发磁场
(4)介质中的Maxwell方程组
宏观电磁场的基本特性:
电场有散有旋矢量场,电荷是其通量源,变化的磁场是旋涡源; 磁感应强度时无散有旋矢量场,电流和变化的电场是旋涡源;
(1)介质的分类
线性与非线性介质
➢ 如果介质极化、磁化和传导与外加电磁场强度有关,这种关 系是线性的,则称为线性介质
均匀与非均匀介质
➢ 如果介质的极化、磁化和传导在空间分布上是均匀的,则称 为均匀介质
➢ 空间均匀,即介质的电磁特性参数与空间位置无关,其任意 点的电磁特性参数均为常数
➢ 均匀介质空间中不存在极化电荷和磁化电流,只存在其表面
磁化和极化电流同样也激发磁感应强度,介质中的磁感应强 度应是所有电流源激励的结果:
B dl 0 J JD J P JM ds
l
s
B 0J JD JP ຫໍສະໝຸດ M J、J D、J P、J M 是传导、位移、极化和磁化电流密度
0
E t
P
M t
(3)介质中的Biot-Savart定律
引入辅助函数:H B M(称磁场强度)
(2)介质中的电位移矢量
介质的极化过程包括外加电场的作用使介质极化, 产生束缚电荷;极化电荷反过来激发电场,两者相 互制约,达到平衡。介质中的电场既有外加电场的 贡献,同时也有束缚电荷产生的附加电场。
E E 外加电场 E 束缚电荷产生的电场
将 p P
代 入 电 场 Gauss 定 律

介质中的麦克斯韦方程组微分形式

介质中的麦克斯韦方程组微分形式

【介质中的麦克斯韦方程组微分形式】1. 概述介质中的麦克斯韦方程组微分形式是电磁学和电磁场理论中的重要内容。

麦克斯韦方程组是描述电磁场的基本规律,而介质则是电磁场存在的载体。

介质中的麦克斯韦方程组微分形式对于深入理解电磁场在介质中的行为具有重要意义。

本文将深入探讨介质中的麦克斯韦方程组微分形式的相关内容。

2. 麦克斯韦方程组的微分形式麦克斯韦方程组包括四个方程,分别是电场和磁场的高斯定律、法拉第电磁感应定律、安培环路定律以及麦克斯韦修正的安培定律。

在介质中,这些方程需要通过介质的性质来修正。

介质中的麦克斯韦方程组的微分形式可以通过在麦克斯韦方程组中引入介质的极化密度和磁化强度来得到。

3. 介质中的极化密度和磁化强度介质中的极化密度P和磁化强度M是描述介质对电磁场响应的重要物理量。

极化密度P是介质中分子或原子偶极矩单位体积的总和,而磁化强度M则是介质中磁矩单位体积的总和。

极化密度和磁化强度分别对应电场的变化和磁场的变化,在介质中的麦克斯韦方程组中起着重要的作用。

4. 介质中的电磁场方程介质中的麦克斯韦方程组微分形式可以写作:(1)∇•D=ρf (高斯定律)(2)∇•B=0 (高斯磁定律)(3)∇×E=−∂B∂t (法拉第电磁感应定律)(4)∇×H=J+∂D∂t (安培环路定律)在这些方程中,D和H分别为电位移矢量和磁场强度矢量,ρf和J为自由电荷密度和自由电流密度。

引入介质的极化密度和磁化强度后,这些方程可以写作:(5)∇•D=ρf+ρb (介质中的高斯定律)(6)∇•B=0 (介质中的高斯磁定律)(7)∇×E=−∂B∂t−∂D∂t (介质中的法拉第电磁感应定律)(8)∇×H=J+∂B∂t (介质中的安培环路定律)其中,ρb和M分别为介质中的极化电荷密度和磁化电流密度。

这些方程描述了介质中电磁场的变化规律,是理解介质中电磁场行为的重要工具。

5. 介质的线性响应在实际的介质中,其极化密度和磁化强度通常会遵循线性关系,即P=ε0χeE和M=χmH,其中ε0为真空介电常数,χe和χm分别为介质的电极化率和磁化率。

介质中麦克斯韦方程组

介质中麦克斯韦方程组

介质中麦克斯韦方程组介质中的麦克斯韦方程组是描述电磁场在介质中传播和相互作用的基本方程。

它由四个方程组成,包括两个关于电场的方程和两个关于磁场的方程。

这些方程可以用来描述电磁波在介质中的传播、反射和折射等现象。

麦克斯韦方程组是由麦克斯韦根据法拉第电磁感应定律和安培环路定律以及高斯定律和高斯磁定律总结得到的。

它们是电磁学的基本方程,对于理解电磁波在介质中传播和相互作用起着重要作用。

下面将详细介绍介质中的麦克斯韦方程组:1. 高斯定律(电场)高斯定律(电场)描述了电荷分布对电场产生的影响。

它可以表示为:∮E·dA = 1/ε₀ ∫ρdV其中,∮E·dA表示对闭合曲面上的电场进行积分,ε₀是真空介电常数,ρ是空间内的自由电荷密度。

2. 高斯磁定律(磁场)高斯磁定律(磁场)描述了磁荷分布对磁场产生的影响。

它可以表示为:∮B·dA = 0其中,∮B·dA表示对闭合曲面上的磁场进行积分,B是磁感应强度。

3. 法拉第电磁感应定律法拉第电磁感应定律描述了变化的磁场对电场的影响。

它可以表示为:∫E·dl = -d(∫B·dA)/dt其中,∫E·dl表示对闭合回路上的电场进行积分,-d(∫B·dA)/dt表示时间变化率。

4. 安培环路定律安培环路定律描述了变化的电场对磁场的影响。

它可以表示为:∮B·dl = μ₀(∫J·dA + ε₀ d(∫E·dA)/dt)其中,∮B·dl表示对闭合回路上的磁感应强度进行积分,μ₀是真空导磁率,J是电流密度。

通过这四个方程,我们可以描述介质中电场和磁场之间的相互作用和传播规律。

这些方程可以用于解释电磁波在介质中的传播、反射和折射等现象。

在介质中,麦克斯韦方程组还需要考虑介质的电磁性质。

一般情况下,我们将电磁场分为两个部分:自由电荷导致的电场和电流导致的磁场。

在介质中,麦克斯韦方程组可以表示为:1. 高斯定律(电场)∮E·dA = 1/ε ∫(ρ_f + ρ_d)dV其中,∮E·dA表示对闭合曲面上的电场进行积分,ε是介质的介电常数,ρ_f是自由电荷密度,ρ_d是极化产生的束缚电荷密度。

介质中麦克斯韦方程组要点课件

介质中麦克斯韦方程组要点课件

介质中麦克斯韦方程组的发展趋势
跨学科融合
未来,介质中麦克斯韦方程组的研究将更加注重与其他学科 的交叉融合。例如,物理学、化学、生物学等领域的最新成 果将被广泛应用于介质中麦克斯韦方程组的研究,推动该领 域的技术创新和理论突破。
高性能计算的应用
随着计算能力的不断提升,高性能计算将在介质中麦克斯韦 方程组的研究中发挥越来越重要的作用。利用高性能计算机 进行大规模数值模拟和数据分析,有助于更深入地揭示介质 中电磁波的传播规律和特性。
对于具有特定边界条件的 麦克斯韦方程组,可以使 用边界元法求解。
04
介质中麦克斯韦方程组 的实际应用
介质中电磁波传播的模拟
模拟电磁波在介质中的传播过程,可 以预测和解释电磁波在介质中的传播 特性。
模拟电磁波传播过程有助于理解电磁 波与物质的相互作用机制,为材料科 学、通信技术等领域提供理论支持。
收、光散射、光致发光等现象。
05
介质中麦克斯韦方程组 的未来发展
介质中麦克斯韦方程组的研究现状
国内外研究概况
当前,介质中麦克斯韦方程组的研究在全球范围内受到广泛关注。国内外学者通 过不同的研究方法和角度,对介质中麦克斯韦方程组的特性和应用进行了深入探 讨。
最新研究成果
近年来,随着科学技术的发展,介质中麦克斯韦方程组的研究取得了诸多突破。 学者们利用先进的数值模拟技术和实验手段,对介质中电磁波的传播、散射和吸 收等特性进行了深入研究,为该领域的发展提供了有力支持。
的可控性。
麦克斯韦方程组是电动力学的基本规 律,是研究电磁现象的基础。
电磁场与物质的相互作用
麦克斯韦方程组描述了电磁场与物质 分子之间的相互作用,包括光吸收、 光散射、光电效应等。
麦克斯韦方程组的数学表达形式

012-1第1章 基本电磁规律-4-介质的电磁性质-2-介质的磁化和麦克斯韦方程组

₪基本电磁规律1.关于介质的概念2.介质的极化3.介质的磁化4.介质中的麦克斯韦方程组基本电磁规律1.4 介质中的电磁性质第1章₪基本电磁规律所有磁现象都是由运动电荷产生的,事实上任何磁性材料在原子级别都有微小的电流,围绕原子核旋转的电子和电子自旋。

对宏观效果来说,这些环形电流可以看成是磁偶极子。

若分子电流大小为i ,面积为,则分子电流磁矩为,方向为右手螺旋定则的小磁针北极方向。

m ia a 3. 介质的磁化(1)磁偶极子磁化前分子磁矩分布图原子核电子电子绕核形成磁矩图例₪基本电磁规律由于分子电流取向的无规性,没有外场时一般不会出现宏观电流分布。

但是当施加外磁场后,这些磁偶极子会出现有序的排列,介质呈现磁性,形成宏观磁化电流密度,称为磁化。

3. 介质的磁化(2)介质的磁化M J MJ 0B₪基本电磁规律1.电介质极化后,极化方向几乎与外电场方向相同,但对于磁化来说,不同类型的物质,磁化方向有不同的取向。

顺磁体磁化方向与外磁场方向相同,抗磁体与外磁场方向相反。

2. 铁磁体在外磁场撤销后仍然保持磁性,对于铁磁体来说,磁化不仅仅由当时的外磁场决定,还与整个磁化“历史”有关。

3. 介质的磁化(3)关于磁化的说明₪基本电磁规律3. 介质的磁化(5)建立模型MIMI背面流出来以后又从前面流进)都对无贡献。

因此通过S 的总磁化电流等于边界线L所链环着的分子数目乘上每个分子的电流i。

MI设S 为介质内部一个曲面,其边界线为L,若分子电流被边界线L 链环,分子电流对总磁化电流有贡献,在其他情形下(分子电流不通过S,或者从S₪基本电磁规律3. 介质的磁化(6)总磁化电流M d d d L L L I nia l nm l M l如图是边界L 的一个线元,分子电流圈的面积为,若分子中心位于体积为的柱体内,则该分子电流就被所穿过,因此若单位体积分子数为n ,则被边界线L 所链环着的分子电流数目为,则总磁化电流为d l d a l a d l d L na l₪基本电磁规律3. 介质的磁化(7)磁化电流密度M M d d d M S L S I J S M l M S J M以表示磁化电流密度,有M J3. 介质的磁化(9)相互制约的磁现象介质内的磁现象包括两个方面,一方面电磁场作用于介质分子上产生磁化电流和极化电流分布,另一方面这些电流又反过来激发磁场,两者是相互制约的。

第2讲 麦克斯韦方程组

三、麦克斯韦方程的物理含义
H
J D t
E
B t
B 0
D
麦克斯韦第一方程,表明传导电 流和时变电场都能产生磁场
麦克斯韦第二方程,表明时变磁 场产生电场
麦克斯韦第三方程,表明磁场是 无源场,磁力线总是闭合曲线
麦克斯韦第四方程,表明电荷产 生电场
第二讲 麦克斯韦方程组
三、麦克斯韦方程的物理含义
ey
100
2 2ez cos(t z)
tg1
第二讲 麦克斯韦方程组
作业 2.21 2.22 2.27
C 1
R 1 3 2
d F 1 2I2 d l2 d B 1 (r2)
4π C R3
B(r)4 π 0 VJ(rR )3RdV
基本方程
B(r)0
微分形式
B(r)0J(r)
B(r)dS0
积分形式 S
B(r)dl C
0I
恒定磁场基本性质
恒定磁场是无散场,磁感应线 是无起点和终点的闭合曲线。
恒定磁场是有旋场,是非保守 场、电流是磁场的旋涡源。
穿过任意闭合曲面的磁感应强度的通 量恒等于零
穿过任意闭合曲面的电通量等于该闭合 面所包围的自由电荷的代数和
第二讲 麦克斯韦方程组
四、静态场与时变场的麦克斯韦方程
宏观电磁场的普遍规律是Maxwell方程组,而静态场是
时变场的特殊情况。
Maxwell方程组
H
E
J
D
t
B
t
B D
0
0 t
静态场方程
静电场
E
0
( J = 0 ) D
恒定电场 (J≠0)
J 0 E 0 D

介质中的麦克斯韦方程


亚铁磁质
是指其中某些分子(或原子)的磁矩与磁畴平行,但 方向相反。在外磁场作用下,这类材料也是呈现较大磁效 应,但由于部分反向磁矩的存在,其磁性比铁磁材料要小。 在工程技术上用得较多的是铁氧体,其最大特点是磁导率 是各向异性的,而介电常数则呈各向同性。
3.5 介质中的麦克斯韦方程组
场 E 所极化的介质中沿x轴方向移动
了距离x,则穿过该平面的总电荷(平 均值)为qNxA。
由于 qNxA PdA Pav A 式中 Pav 是面积A上P的平均值。 A
所以有 Pav NPe 0N pE
Pe 0 pE
这是在电场E使分子产生极化的基础上,相对于单个分子所 得出的结论,在介质密度足够低的情况下,如果单个分子的 极化不会影响到相邻电荷所受到的电场,那么这个结论就 是成立的。
介质中的麦克斯韦方程
本章将讨论一般介质中的麦克斯韦方程,这首先 需要了解介质的电与磁的性能以及一些简单概念。
通过分析发现,如果引入极化矢量 P 和磁化矢 量 M ,就可以很方便地来描述普通介质中麦克斯韦
方程的一般形式。本章还将引入介质中相对介电常数 的定义,而且会看到与介质折射率n之间存在着直接的 联系。
定义 极化矢量(也称为极化强度矢量)为单位体积内 的电偶极矩矢量和
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
P
lim
v0
pe
v
P 的大小等于按照介质中分子电荷受极化后的重新
分布,流过点 (r,t) 的每单位面积上的分子电荷
量。
因此根据 P 能够考察每一点上的电荷运动情况,它在任意
时刻的值由通过该点的电荷净流量所确定,这是因为介质中 的电荷分布呈中性。
述各种关系式就是我们对介质进行微观描述的基础知识。

均匀介质中麦克斯韦方程组

均匀介质中麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组是经典电磁学的核心理论之一,它描述了电磁波在均匀介质中的传播特性。

在均匀介质中,麦克斯韦方程组可以表示为以下形式:1. 波动方程:▽²E -ω²μE = 0其中,E 表示电场强度,μ表示磁导率,ω表示角频率。

2. 磁场方程:▽²H -ω²μH = -jωμP其中,H 表示磁场强度,μ表示磁导率,ω表示角频率,j 表示虚数单位,P 表示电通量密度。

3. 电流密度方程:▽·J = ρ其中,J 表示电流密度,ρ表示电荷密度。

4. 电荷密度方程:▽·D = ρ其中,D 表示电位移矢量。

这些方程描述了电磁波在均匀介质中的传播过程,包括电场、磁场、电流和电荷等物理量的关系。

这些方程是非线性的,因此求解起来比较复杂。

为了求解这些方程,通常需要采用近似方法和数值计算技术。

求解麦克斯韦方程组时需要考虑边界条件。

在介质边界上,电场和磁场需要满足一定的连续性条件。

这些边界条件可以通过求解介质交界面的电磁场来得到。

另外,还需要考虑初始条件,即当时间t=0时,各个物理量的值。

初始条件可以根据实际情况进行设定。

麦克斯韦方程组在电磁波传播、电磁场理论、电磁兼容等领域有着广泛的应用。

通过求解麦克斯韦方程组,可以预测电磁波在介质中的传播特性、电磁场的分布以及电磁波的能量传输等。

这些预测结果可以为实际应用提供重要的参考依据。

在均匀介质中,麦克斯韦方程组的解具有一些重要的性质。

首先,电磁波的传播速度与介质的性质有关,介质的电导率、磁导率和介电常数等因素都会影响电磁波的传播速度。

其次,当频率较高时,电磁波的传播特性与低频时有所不同,例如折射率、反射率和散射率等都会发生变化。

此外,当电磁波在介质中传播时,会与介质中的原子和分子相互作用,导致电磁波的能量逐渐衰减。

这种衰减与介质的吸收系数有关,对于不同频率和不同介质的电磁波,其吸收系数也不同。

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J J f JP JM

本节的任务就是研究空间上 P , J P , J M 的分布与该处的电 磁场 E , B 的关系。
1、 介质 在电动力学中,我们可把媒质(medium)划分为绝缘介 质(insulator)与金属导体两种类型。绝缘体又称为介电 体(dielectric) ,或者介质; “介”顾名思义就是“绝缘、 不导电”的意思) 。 有些介质,如海水、土壤,则具有一定的导电性,所以 称为“导电介质” 。但国内多数教材把导电介质笼统称为 导体,这极容易让学生把它们与金属这类导体混淆。后 面我们会介绍,这两类材料的介电常数及其色散特性是 有很大的差异!这种差异表现简单的概括为,在导电的 介质中电磁波是可以振荡传播的,只是其振幅随着传播 距离的增加而指数衰减;而对于金属而言,由于电磁波 的频率一般小于金属等离子频率,因此电磁波是禁止在 其金属中传播的。 与量子电动力学不同,经典电动力学不是考察个别粒子 产生的微观电磁场,而是考察一个物理小体积内某一物 理量的平均值(宏观物理量) 。这里的物理小是指尺寸远 小于电磁波的波长,但仍包含大数目分子,即所谓的连 续介质(continous medium)理论,因此我们很自然的把 这些介质看成均匀介质,可以用折射率(介电常数/磁 导率)来刻画材料的光学性质; 对于自然界的天然材料,光波长与分子或者原子的比值
0E P f


定义电位移矢量 D :
——(4.6)
D 0E P
从而将式(4.6)改写为: 几点说明: o 这是介质中的麦克斯韦基本方程之一;与真空中的麦克 斯韦方程 1 相比较,虽然形式有了变化,但本质上是一 样的。
D f
o 电位移矢量 D 的引入只是为了使得基本方程中只出现自
f P,

式中: f 和 J f 为与介质极化、 磁化无关的、 分布于空间中 (自 由)电荷密度和(自由)电流密度分布。 从这个角度看,这里的“自由”的含义其实并非严格意思 上的所谓自由电荷,比如我们采用离子注入的方法,人为地 往介质中注入一些带电离子,尽管这些离子注入之后并不会 在介质中移动,但我们应该把它们理解成所谓的自由电荷, 这是因为这些电荷并不是由于介质极化而产生的非平衡电荷 分布。
上次课要点 真空中的麦克斯韦方程:
E B E t B 0 B 0 J 0 0 E t
0
洛伦兹力密度:
f E J B
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
§4 介质中的麦克斯韦方程组
我们已经得到了在真空中的麦克斯韦方程的表达式。本节 讨论在空间存在介质时麦克斯韦方程组的形式。在进行定量 分析之前,我们对这个介质对电磁(electromagnetic, EM) 场的响应物理问题应该包含如下两个物理过程: 电磁场对介质的作用:在电磁场的作用下,电介质内部 的电荷分布发生变化,在介质的内部或者表面可能会出 现电荷的不平衡,即出现附加电荷和电流分布。 介质对电磁场的影响: 这些附加的电荷或者电流也会激 发电磁场,这样就使得原来的电磁场发生改变。
达到 104~105;其次,材料的光学性质取决于组成材料 的原子(分子)以及相互之间的相互作用。一旦后者确 定了,那材料的电磁性质就确定了,而无法轻易的改变。 即使构成材料的堆砌单元的尺寸从原子(分子)扩大到 更大的尺寸范围,只要这个范围与电磁波波长的比值不 超过 10-1~10-2,由此堆砌而成的微结构材料仍然符合 连续介质近似,可有效折射率来表征这类材料的电磁性 质。 1999 年,英国理论物理学家 John Pendry 指出,由于结 构单元尺度进一步放大,人们可以采用自然界的材料, 并设计某种结构单元,加工组装成三位的体系,能制备 出性质在自然界还不存在的所谓人工 EM 材料, 如具有负 折射率的超构材料(metamaterial) [1-3] ; 还需要注意,可能对于某一波段的电磁波而言,我们可 以采用连续介质模型来表征这种材料,一旦波长变得更 短,则连续介质模型可能就实效了。
行定量的讨论,并且能够定量解释半导体纳米线在激光 照射下所产生的荧光表现出激光的偏振的强烈依赖性, 这一现象是由哈佛大学一个研究小组 2001 年首先在 Science 上报道的[4]
[4] Wang J, Gudiksen M S, Duan X, et al. Highly polarized photoluminescence and photodetection from single indium phosphide nanowires[J]. Science, 2001, 293(5534): 1455-1457.

上式的微分形式为:
V
PdV P dS
S
——(4.3’)
P P
——(4.3)
几点推论: 在非均匀极化时,在介质的整个体内都会出现极化电荷
在体内均匀极化时, P 0 ,因此体内无极化电荷,极
(又称为束缚电荷) ;
化电荷只出现在介质的分界面或者自由电荷附近。 在两种介质分界面上的面分布束缚电荷,我们用束缚电 荷面密度表示,即为单位分界面上的束缚电荷电量。 V、分界面极化电荷(面)分布与两侧极化强度之关系: P P P1, P2 ? 在分界面取一面元 dS ,在面元
IV、体内极化电荷分布与极化强度的关系: 假设已知一块材料的极化强度的分布,极化强度的分布 束缚电荷分布存在的依赖关系?为了找出这一关系,我们可 先讨论: 则因极化而通过闭合面上的面
d S 元 而“跑出去”的分子数: nl d S ,
从 dS 面 元 跑 出 去 的 电 量 :
由电荷。 o 特别需要注意的是,公式中的“自由电荷”有时并不非 得是自由的,比如我们在实验中采用离子注入的方法, 向介质中注入电荷,这些带电离子就对应“自由电荷” , 因为它不是由于极化而在介质中导致的新的电荷分布; o 还有一种特殊的材料,称为驻极体,在不施加外场的情 况下本身就存在极化电荷的非均匀分布,此时介质内部 或者表面都可能存在极化电荷所激发的电场。 VI、极化电流密度矢量与极化强度之关系: 当电场随时间变化时,正负电荷中心的相对位移也会随 时间而改变,由此产生的电流称为极化电流; 极化电荷与极化电流也满足电流的连续性方程:
通过一个封闭的曲面“跑出面”的总电量为 SP d S
由于在未极化前介质是中性的,因极 d S
电荷,则必然在闭合曲面内留下一个负电荷。所以因极化而 在封闭曲面内出现束缚电荷量为 V P dV ,此处 P 为束缚电 荷的密度。 根据上述分析有:

2、 介质的极化、极化电荷和极化电流
I、两类介质分子: o 一类介质分子的正、负电荷 中心重合,没有电偶极矩。 在存在电场时,正负电荷中 心的间距拉开了。 o 另一类介质分子的正、负电 荷中心不重合,分子有电偶 极矩。这些有极分子在电场 的作用下按一定的方向有序排列。 在没有外场时,这些分子或者无电偶极矩、或者其取向是 无序的,并不呈现任何宏观效应。施加电场对这些分子作用 相当于产生了一个电偶极矩——介质的极化。
极化电荷只分布在介质棒的两个端面; 如果棒足够长,则棒两端的极化电荷对棒中的电场的影 响可以忽略。 例 3:在均匀外场中垂直棒的轴向而均匀极化的长介质 棒的极化电荷分布,及其极化电场的特点(思考题) 同学们思考一下例 3,并与例子 2 相比之后,可以看到 对于形状不同的介质,沿着不同的方向极化,对介质内 部的电场的影响是不同的!在第二章我们对这一问题进
V、介质中麦克斯韦方程之一 真空中麦克斯韦方程之一: E 0 (真空) 在介质内上式仍然成立,公式中 E 代表介质内的总电场; 而激发它的源应是总电荷,即电荷密度 应包括自由电 荷密度 f 和束缚电荷密度 P 两部分。 E f P 0 ——(4.5) 由于在实际中自由电荷的分布易控制,所以为了研究的 方便,常常在基本方程中将 P 消去。利用(4.3)得,
的两侧取一定厚度的簿层;簿层内出现的束缚电荷与 dS 的比 值称为分界面上束缚电荷的面密度,用 P 表示。 对于所选取的柱面运用公式 (4.3’ )得到 P S ( P2 n21S P 1 n21 S ) P d S
S侧
式中 n21 为面法向 (从介质 1 指向介质
[1] Veselago V G. THE ELECTRODYNAMICS OF SUBSTANCES WITH SIMULTANEOUSLY NEGATIVE VALUES OF IMG align= ABSMIDDLE alt= ϵ eps/IMG AND μ[J]. Physics-Uspekhi, 1968, 10(4): 509-514.(首次理论提出) [2] Shelby R A, Smith D R, Schultz S. Experimental verification of a negative index of refraction[J]. science, 2001, 292(5514): 77-79.(首次实验实现) [3] Lezec H J, Dionne J A, Atwater H A. Negative refraction at visible frequencies[J]. Science, 2007, 316(5823): 430-432.(在可见光波的负折射)
II、极化强度 P
定义:
P
p
i

i
V
求和为对 V 体积元中的所有分子求 和。
III、简化的极化模型: 假设在无外场时,分子的正负电荷中心是重合的,其电 量为 q ;
极化后,正负电荷中心拉开的位移为 l ;每个分子产生 的电偶极矩为 p ql 。设介质的分子数密度为 n ,则 p ql i N i i P ql nql V V V
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