电子技术基础习题答案
（完整版）电子技术基础习题答案
（完整版）电子技术基础习题答案三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。
A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。
电子技术基础练习题库及答案
电子技术基础练习题库及答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
A、✔B、×正确答案：A2、单相半波整流电路，负载电阻RL=750W，变压器次级电压有效值，U2=20V，则输出电压平均值U0为。
A、18VB、20VC、9V正确答案：C3、PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）A、少数载流子。
B、既有多数载流子又有少数载流子。
C、多数载流子。
正确答案：C4、符号IB表示三极管基极电流的（）A、直流分量。
B、交流分量。
C、直流分量和交流分量之和。
正确答案：A5、在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，若静态工作点设置太低，将产生（）A、截止失真。
B、放大失真。
C、饱和失真。
正确答案：A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是（）A、5VB、9VC、12V正确答案：C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v，则该三极管类型是（）A、npn型硅管。
B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案：A8、稳压管的稳压区是指其工作在（）的区域。
A、正向导通。
B、反向击穿。
C、反向截止。
正确答案：B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。
（）A、差值放大器。
B、反相放大器。
C、电压比较器。
正确答案：C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态（）A、无关B、有关C、不一定正确答案：B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。
A、×B、✔正确答案：A12、下列三种电路中，输入电阻最大的电路是（）A、共集放大电路。
B、共射放大电路。
C、共基放大电路。
正确答案：A13、最常用的显示器件是（）数码显示器。
A、七段B、五段C、九段正确答案：A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、相同B、不想同C、有的相同，有的不相同。
正确答案：C15、非门的逻辑功能是（）A、有0出0。
全1出1。
B、有1出1。
(完整word版)《电子技术基础》第五版课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1。
1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：(1）周期；(2)频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms频率为周期的倒数，f=1/T=1/0。
01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms＊100%=10％1。
2数制21.2。
2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=(10000000）B-1=(1111111）B=（177）O=（7F）H（4)（2。
718）D=(10。
1011)B=（2。
54)O=(2.B)H1。
4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解:（43）D=(01000011）BCD1。
4。
3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28（1）+ （2）＠（3）you （4）43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
(1）“+"的ASCⅡ码为0101011,则（00101011）B=(2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,（01000000)B=（40)H（3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F，75(4）43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34，331。
6逻辑函数及其表示方法1。
6.1在图题1。
6。
1中，已知输入信号A,B`的波形，画出各门电路输出L的波形.解: (a）为与非, （b）为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 （3）A B AB AB ⊕=+(A ⊕B ）=AB+AB A B A B ⊕AB AB A B ⊕ AB +AB 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
电子技术基础课后习题答案
7.7(V)
•
•
•
Ii
Ib
Ic
rbe
•
Ui
Rb
Re
•
Ib
RL
•
Uo
•
•
U o I e ( R e // R L )
•
I b (1 )( R e // R L )
•
•
•
U i I b rbe I e ( R e // R L )
•
•
I b rbe I b (1 )( R e // R L )
放映结束 感谢各位批评指导！
谢 谢！
让我们共同进步
R
，此时
E
会引起 Au绝对值变小， ri变大。
2.10
+VCC
Rb
C
B
IB
E
Re
Q 点：
I BQ
V CC U BEQ R b (1 ) R e
15
200 k (1 80 )3 k
0 .03 (mA )
I CQ I BQ 80 0 .03 2 .4 ( mA )
UCEQVCCIEQRE 15(180)0.031033103
)
R e // 36 .8 36 .4 ( )
2.14
ic1
ib1 rbe1
ib1
uic
RC
RE
iRE
共模输入的微变等效电路 （单管）
共模信号即它们的平均
值，
则共模输入电压
:
u ic
u i1 u i2 2
20
10 2
15 ( mV
)
uoc1, uoc差模信号即它们的不同
值（差值），
则差模输入电压
电子技术基础(电工Ⅱ)李春茂主编_机械工业出版社_课后习题答案
1-9 有 A、B、C 3 只晶体管，测得各管的有关参数与电流如题表 1-2 所示，试填写表中空白的栏目。
表 1-2 题 1-9 表
电流参数
管号
iE / mA iC / mA iB / μA ICBO / μA ICEO / μA
A
1
0.982
18
2
111
0.982
B
0.4
0.397
3
1
132.3 0.99
目录
第一章 双极型半导体器件∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙1 第二章 基本放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙7 第三章 场效应晶体管放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙18 第四章 多级放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙23 第五章 集成运放电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙33 第七章 直流稳压电源∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙46 第九章 数字电路基础知识∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙51 第十章 组合逻辑电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙61 第十一章 时序逻辑电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙73 第十二章 脉冲波形的产生和整形∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙90 第十三章 数/模与模/数转换电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙96
电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分, 120分钟）一、填空题: （每空0.5分, 共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳五价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为自由电子, 少数载流子为空穴, 不能移动旳杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳三价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为空穴, 少数载流子为自由电子, 不能移动旳杂质离子带负电。
2.三极管旳内部构造是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结构成旳。
三极管对外引出旳电极分别是发射极、基极和集电极。
3.PN结正向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向相反, 有助于多数载流子旳扩散运动而不利于少数载流子旳漂移；PN结反向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向一致, 有助于少子旳漂移运动而不利于多子旳扩散, 这种状况下旳电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成旳过程中, P型半导体中旳多数载流子由P 向N 区进行扩散, N型半导体中旳多数载流子由N 向P 区进行扩散。
扩散旳成果使它们旳交界处建立起一种空间电荷区, 其方向由N 区指向P 区。
空间电荷区旳建立, 对多数载流子旳扩散起减弱作用, 对少子旳漂移起增强作用, 当这两种运动到达动态平衡时, PN结形成。
7、稳压管是一种特殊物质制造旳面接触型硅晶体二极管, 正常工作应在特性曲线旳反向击穿区。
三、选择题：（每题2分, 共20分）2.P型半导体是在本征半导体中加入微量旳（ A ）元素构成旳。
A.三价；B.四价；C.五价；D.六价。
3.稳压二极管旳正常工作状态是（ C ）。
A.导通状态；B.截止状态；C.反向击穿状态；D.任意状态。
5.PN结两端加正向电压时, 其正向电流是（ A ）而成。
A.多子扩散；B.少子扩散；C.少子漂移；D.多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V, VB＝2.8V, VC＝4.4V, 阐明此三极管处在（ A ）。
A.放大区；B.饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
电子技术基础(第二版)前三章习题答案
第一章1.1 能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。
1.2已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA 。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V ，U O2＝5V 。
1.3写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。
（该题与书上略有不同）解：U O1≈1.3V ，U O2＝0，U O3≈－1.3V ，U O4≈2V ，U O5≈1.3V ，U O6≈－2V 。
1.5 电路如图P1.5（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值（该题与书上数据不同）解：u O 的波形如解图P1.5所示。
解图P1.51.9电路如图T1.9所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝0.7V 。
试问： （1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？ （2）若T 临界饱和，则R b ≈？ 解：（1）R b ＝50k Ω时，基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBEBB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O ＝U CE ＝2V 。
1.11电路如图P1.11所示，试问β大于多少时晶体管饱和？ 解：取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则Cb C BECC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以，100Cb=≥R R β时，管子饱和。
图1.11 1.12 分别判断图P1.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态第二章2.1试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
《电子技术基础》(中职电工类第五版)全章节习题集+答案
《电子技术基础》（中职电工类第五版）全章节习题集+参考答案一．填空题：(共59题)1.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位高。
2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。
3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。
4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。
5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。
6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。
7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。
8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 0+9.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。
10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。
11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。
12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。
13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。
14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。
15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。
16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。
17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。
18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。
19.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端电位差=0。
20.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端的电流=0。
21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。
22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。
23.将交流电变换成直流的过程叫整流。
24.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。
25.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.26.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。
27.检查硅整流堆正反向电阻时对于高压硅堆应用兆欧表。
28.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。
29.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为+12 V。
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第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的_五_价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为—自由电子_,少数载流子为_空穴—，不能移动的杂质离子带 _正_电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的_三_价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为—空穴_，少数载流子为_自由电子_，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由—发射一区、_基_区、—集电区_区及—发射一结和—集电一结组成的。
三极管对外引出的电极分别是—发射—极、_基_极和—集电—极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向—相反_，有利于—多数载流子—的_扩散—运动而不利于—少数载流子_的_漂移_; PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向—一致_，有利于—少子—的_漂移_运动而不利于 _多子_的_扩散—，这种情况下的电流称为—反向饱和—电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由_P_向—N_区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由_N_向—P_区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个—空间电荷区_，其方向由_N 区指向_P_区。
—空间电荷区_的建立，对多数载流子的—扩散一起削弱作用，对少子的_漂移一起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，_PN结_形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的_R X 1K_档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的_阴_极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 _阳_极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被—击穿两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经_绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为 _场效应（MOS） _管。
其导电沟道分有_N_沟道和_P_沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的_面_接触型_硅晶体_二极管，正常工作应在特性曲线的 _反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免_栅_极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
（对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R X10K档位。
（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
（错）6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。
（对）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。
（错）&当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。
（错）9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。
（错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（错）三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（ C ）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A ）元素构成的。
A 、三价；B 、四价；C 、五价；D 、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（C ）。
A 、导通状态；B 、截止状态；C 、反向击穿状态；D 、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K Q ，说明该二极管（ C ）。
A 、已经击穿；B 、完好状态；C 、内部老化不通；D 、无法判断。
5、 PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。
A 、多子扩散；B 、少子扩散；C 、少子漂移；D 、多子漂移。
6、 测得NPN 型三极管上各电极对地电位分别为 V E = 2.1V , V B = 2.8V , V C = 4.4V ，说明此三极管 处在（A ）。
A 、放大区；B 、饱和区；C 、截止区；D 、反向击穿区。
D 、无法判断。
C ）。
C 、正弦半波；D 、仍为正弦波。
极 管 超 过C ）所示极限参数时，必定被损坏。
A 、集电极最大允许电流 I CM ；B 、集一射极间反向击穿电压 U （BR ） CEO ；C 、集电极最大允许耗散功率P CM ； D 、管子的电流放大倍数 -o10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C ）A 、发射结正偏、集电结正偏；B 、发射结反偏、集电结反偏；C 、发射结正偏、集电结反偏；D 、发射结反偏、集电结正偏。
四、简述题：（每小题4分，共28分）1、 N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P 型半导体中的多子是带正电的空穴载流子， 因此说N 型半导体带负电，P 型半导体带正电。
上述说法对吗？为什么？答：这种说法是错误的。
因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获 得了 N 型半导体或P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
2、 某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚① 12V 、管脚②3V 、管脚③3.7V ,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差 0.7V ，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和 ③的电位都高，所以一定是一个 NPN 型硅管。
再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极， 管脚③是基极，管脚①是集电极。
3、图1-29所示电路中，已知 E=5V , u i =10sin t V , 元件（即认为正向导通时电阻 R=0 ,反向阻断时电阻 R=s ）, 波形。
答:分析：根据电路可知，当U i >E 时，二极管导通U 0=U i , 极管截止时，u °=E 。
所以U 0的波形图如下图所示：7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C ）A 、较大；B 、较小；C 、为零； &正弦电流经过二极管整流后的波形为（A 、矩形方波；B 、等腰三角波；9、三二极管为理想 试画出 u 0的当U i <E 时，二 u/V23 t4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。
单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。
5、图1-34所示电路中，硅稳压管D zi的稳定电压为8V, D Z2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，求各电路的输出电压U o。
答：（a）图：两稳压管串联，总稳压值为14V，所以U o=l4V ；（b）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此U°=6V ；（c）图：两稳压管反向串联，U o=8.7V ；（d）图：两稳压管反向并联，可认为DZ1截止不通，则U°=0.7V。
6、半导体二极管由一个PN结构成，三极管则由两个PN结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。
因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。
R--------20 V□ ---------(a)图1-307、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。
因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。
五、计算分析题：（共17分）1、图1-31所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。
分）(1)U CE=3V , I B=60A , I C=？(2)I c=4mA , U CE=4V , I CB=？(3)U CE=3V , I B由40~60 JJ A时，3 = ？R+20 VO+(d)(8图 1-31解：A 区是饱和区，B 区是放大区，C 区是截止区。
(1) 观察图6-25，对应I B =60^ A 、U CE =3V 处，集电极电流I C 约为3.5mA ; (2) 观察图6-25，对应I c =4mA 、U CE =4V 处，I B 约小于80卩A 和大于70卩A ; (3) 对应△I B =20 卩 A 、U CE =3V 处，A I C ~ 1mA ，所以 鹫 1000/20~ 50。
2、已知NPN 型三极管的输入一输出特性曲线如图 1-32所示，当(1) U BE =0.7V , U CE =6V , I C =? (2) I B =50 A , U CE =5V , I C = ?(3) U CE =6V , U BE 从0.7V 变到0.75V 时，求I B 和I C 的变化量，此时的1：=? (9分) 解：(1)由(a )曲线查得U BE =0.7V 时，对应I B =30A A ，由(b)曲线查得lc ~ 3.6mA ;(a )输入特性曲线(b )输出特性曲线图 1-32(2 )由(b )曲线可查得此时 lc ~ 5mA ; (3)由输入特性曲线可知，U BE 从0.7V 变到0.75V 的过程中，A I B 沁30 A A ，由输出特性曲线可知,△l C ~ 2.4mA ，所以 N 2400/30〜80。
第2章 检测题(共100分，120分钟)一、填空题：(每空0.5分，共21分)1、 基本放大电路的三种组态分别是： _共发射极 放大电路、_共集电极一放大电路和_共基极一放大 电路。
2、 放大电路应遵循的基本原则是： _发射—结正偏；_集电一结反偏。
3、 将放大器一输出信号一的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 一反馈一信号。
使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为_负_反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为_正_反馈。
放大电路中常用的负反馈类型有_电压串联_负反馈、—电流串联—负反I C (mA)-U CE(V)5 4 3 2 180 g A 60 g AB40 g A 1 2 3 4 5 620 g A I B = 0馈、—电压并联_负反馈和_电流并联_负反馈。
4、射极输出器具有_电压增益_恒小于1、接近于1，—输入信号_和_输出信号—同相，并具有—输入电阻_高和—输出电阻—低的特点。
5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为_上_削顶。
若采用分压式偏置电路，通过_反馈环节_调节—合适的基极电位_，可达到改善输出波形的目的。